下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動以及運用 電路?！?br />　　在運用 MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會思慮 MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有許多人僅僅思慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不準(zhǔn)許的。
　　1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際運用 的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。

　　至于為什么不運用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原由是導(dǎo)通電阻小且基本 制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的運用 中，通常都用NMOS。下面的推選 中，也多以NMOS為主。
　　在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載(如馬達(dá))，這個二極管很主要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。下圖是MOS管的構(gòu)造圖，通常的原理圖中都畫成右圖所示的樣子?！?(柵極保衛(wèi)用二極管有時不畫)
 

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，如右圖所示。這不是咱們須要的，而是由于制造工藝限定產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或挑選驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有方法防止，在MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計時再細(xì)致推選 。

　　2、MOS管導(dǎo)通特征
　　導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)上合。
　　NMOS的特征，Vgs大于必須的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
　　PMOS的特征，Vgs小于必須的值就會導(dǎo)通，運用與源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價錢貴，替換種類少等原由，在高端驅(qū)動中，通常還是運用 NMOS。[!--empirenews.page--]
　　右圖是瑞薩2SK3418的Vgs電壓和Vds電壓的聯(lián)系圖。可以看出小電流時，Vgs達(dá)到4V，DS間壓降已經(jīng)很小，可以認(rèn)為導(dǎo)通。

　　3、MOS開關(guān)管耗損
　　不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓(如2SK3418特征圖所示)，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。挑選導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻通常在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
　　MOS在導(dǎo)通和截止的時候，必須不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個降低的流程，流過的電流有一個上升的流程，在這段時間內(nèi)，MOS管的耗損是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)耗損。通常開關(guān)耗損比導(dǎo)通耗損大得多，并且開關(guān)頻率越快，耗損也越大。
　　下圖是MOS管導(dǎo)通時的波形?？梢钥闯觯瑢?dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的耗損也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的耗損；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種方法都可以減小開關(guān)耗損。

　　4、MOS管驅(qū)動
　　跟雙極性晶體管相比，通常認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不須要電流，只要GS電壓高于必須的值，就可以了。這個很基本 做到，但是，咱們還須要速度。
　　在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電須要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。挑選 /設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要留心的是可提供瞬間短路電流的大小。
　　第二留心的是，普遍用于高端驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時須要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。假如在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。許多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要留心的是應(yīng)該挑選合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
　　上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計時當(dāng)然須要有必須的余量。并且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不一樣的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，通常 4V導(dǎo)通就夠用了。
　　MOS管的驅(qū)動電路及其耗損，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很細(xì)致，所以不打算多寫了。
　　5、MOS管運用 電路
　　MOS管最顯著的特征是開關(guān)特征好，所以被廣泛運用 在須要電子開關(guān)的電路中，多見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動，也有照明調(diào)光。這三種運用 在各個領(lǐng)域都有細(xì)致的推選 ，這里暫時不多寫了。以后有時間再總結(jié)。