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[導(dǎo)讀]設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動電路,具有單電源、正負(fù)偏壓、過流檢測、保護(hù)、軟

 

設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動電路,具有單電源、正負(fù)偏壓、過流檢測、保護(hù)、軟關(guān)斷等主要特性,在國內(nèi)外得到了廣泛應(yīng)用,但在中高頻逆變電路的實際應(yīng)用中還存在一些不足,導(dǎo)致IGBT的誤導(dǎo)通或誤關(guān)斷,嚴(yán)重影響了設(shè)備的穩(wěn)定性與可靠性.因此,基于EXB841的驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計成為了人們研究的重要內(nèi)容.大多數(shù)文獻(xiàn)提出了采用高壓降檢測二極管或穩(wěn)壓管與二極管反向串接等方法降低動作閾值,但調(diào)整受到較大限制.

本文在詳細(xì)研究EXB841電路結(jié)構(gòu)與工作原理的基礎(chǔ)上,設(shè)計了一種優(yōu)化驅(qū)動電路.該電路應(yīng)用在大功率全橋逆變DBD型臭氧發(fā)生電源中,使用效果證明該優(yōu)化電路解決了典型電路存在的問題,如電源在極小電流時的虛假過流報警、逆變橋直通,進(jìn)一步提高了EXB841驅(qū)動的可靠性.

1 驅(qū)動芯片EXB841

圖1所示為EXB841的內(nèi)部電路和典型應(yīng)用電路圖,主要有3個工作過程:正常開通過程、正常關(guān)斷過程和過流保護(hù)動作過程.14和15兩腳間外加PWM控制信號,當(dāng)10~15V的正向觸發(fā)控制脈沖電壓施加于15和14腳時,在GE兩端產(chǎn)生約16 v的IGBT開通電壓;當(dāng)觸發(fā)控制脈沖電壓撤消時,在GE兩端產(chǎn)生約-5.1 V的IGBT關(guān)斷電壓.過流保護(hù)動作過程是根據(jù)IGBT的CE極間電壓Uce的大小判定是否過流而進(jìn)行保護(hù)的,Uce由二極管V7檢測.當(dāng)IGBT開通時,若發(fā)生負(fù)載短路等產(chǎn)生大電流的故障,Uce上升很多,會使得二極管V7截止,EXB841的6腳“懸空”,B點和C點電位開始由約6 V 上升,當(dāng)上升至13 V 時,Vs1被擊穿,V3導(dǎo)通,C4通過R7和V3放電,E點的電壓逐漸下降,V6導(dǎo)通,從而使IGBT的GE間電壓Uge下降,實現(xiàn)緩關(guān)斷,完成EXB841對IGBT的保護(hù).E點電位Ue為-5.1 V,由EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓二極管Vs2決定.

 

圖1 EXB841內(nèi)部電路與典型應(yīng)用

作為IGBT的驅(qū)動芯片,EXB841有著很多的優(yōu)點,但也存在著不足:

1)過流保護(hù)閾值太高:由EXB841實現(xiàn)過流保護(hù)的過程可知,EXB841判定過流的主要依據(jù)是6腳電壓.6腳電壓U6不僅和Uce有關(guān),還和二極管V7的導(dǎo)通電壓Ud及Ue有關(guān),V7在0.5~0.6 V時即可開通,故過流保護(hù)閾值Uceo=U6-Ud-Ue=13V-0.6V-5.1V=7.3V.通常IGBT在通過額定電流時導(dǎo)通壓降Uce為3.5V,當(dāng)Uce=Uceo =7.5 V時。IGBT已嚴(yán)重過流,對應(yīng)電流約為額定電流的2~3倍,因此,應(yīng)降低Uceo.

2)負(fù)偏壓不足:EXB841為了防止較高dv/dt引起IGBT誤動作設(shè)置了負(fù)柵壓,實際負(fù)柵壓值一般不到-5 v.在大功率臭氧電源等具有較大電磁干擾的全橋逆變應(yīng)用中,電磁干擾使負(fù)柵壓信號中存在隨工作電流增大而增大的干擾尖鋒脈沖,其值可超過6V,甚至達(dá)到8-9 V,能導(dǎo)致截止的IGBT誤導(dǎo)通,造成橋臂直通.因此,有必要適當(dāng)提高負(fù)偏壓.實際表明,在合理布局的基礎(chǔ)上,需采用8V左右的負(fù)偏壓.

3)存在虛假過流:一般大功率IGBT的導(dǎo)通時間ton在1us左右.實際上,IGBT導(dǎo)通時尾部電壓下降是較慢的,實驗表明,當(dāng)工作電壓較高時,Uce下降至飽合導(dǎo)通壓降約需4~5 s,而過流檢測的延遲時間約為2.7 s.因此,在IGBT開通過程中,若過流保護(hù)動作閾值太高,會出現(xiàn)虛假過流.為了識別真假過流,5腳的過流故障輸出信號應(yīng)延時5us,以便外部保護(hù)電路對真正的過流進(jìn)行保護(hù),在EXB841完成內(nèi)部軟關(guān)斷后再封鎖外加PWM信號.

4)過流保護(hù)無自鎖功能:在出現(xiàn)過流時,EXB841將正常的驅(qū)動信號變成一系列降幅脈沖實現(xiàn)IGBT的軟關(guān)斷,并在5腳輸出故障指示信號,但不能封鎖輸入的PWM控制信號.因5腳輸出信號無鎖存功能,須在發(fā)生真正的過流時,用觸發(fā)器鎖定故障輸出信號,用外部電路實現(xiàn)對系統(tǒng)的保護(hù)和停機.

5)軟關(guān)斷不可靠:檢測到過流后,EXB841有較長的軟關(guān)斷時間,導(dǎo)致保護(hù)動作慢,保護(hù)效果變差.

2 驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計

針對上述EXB841典型應(yīng)用中存在的不足,在設(shè)計臭氧逆變電源中,研究與設(shè)計了圖2所示的基于EXB841的優(yōu)化驅(qū)動電路,包括外部負(fù)柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與故障信號鎖存電路.

 

圖2 EXB841的優(yōu)化驅(qū)動電路

2.1 外部負(fù)柵壓成型電路

IGBT柵射極的驅(qū)動電壓大小需根據(jù)不同的應(yīng)用場合作出積極的調(diào)整.本設(shè)計中,將IGBT的射極E改為與外部負(fù)柵壓成型電路的輸出直接相連,用外接8V穩(wěn)壓管Vs02代替EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓管Vs2,限流電阻R012為4.7 kΩ,在穩(wěn)壓管兩端并聯(lián)了兩個電容值分別為10uF(C05)和0.33uF(C06)的去耦濾波電容.為防止柵極驅(qū)動電路出現(xiàn)高壓尖峰,在柵射極間并聯(lián)了反向串接的16 V(Vs04)與8 V(Vs05)穩(wěn)壓二極管.[!--empirenews.page--]

負(fù)偏壓和保護(hù)特性是互相影響的.在通過外接穩(wěn)壓管提高負(fù)偏壓時,正向驅(qū)動電壓將下降.因為受內(nèi)置檢測穩(wěn)壓二極管Vs1穩(wěn)壓值的限制,負(fù)偏壓和保護(hù)閾值電壓之和不得高于13 V,否則將被視為過流狀態(tài)而不能正常工作.因此,在提高負(fù)偏壓的同時,為保證可靠穩(wěn)定的工作,采用24 V單獨直流電源供電以提高正向控制電壓.

為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩,減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖,需在柵極串聯(lián)電阻Rg .Rg增大會使IGBT的通斷時間延長,能耗增加,但在IGBT關(guān)斷時,可以延長關(guān)斷時問以便減小過電壓,防止較大的du/dt導(dǎo)致IGBT發(fā)生擎住效應(yīng);減小Rg又會加大電流的變化率,可能引起誤導(dǎo)通或損壞IGBT,故應(yīng)合理設(shè)計柵極串聯(lián)電阻Rg .優(yōu)化驅(qū)動電路采用了不對稱的開啟和關(guān)斷方法.在IGBT開通時,EXB841的3腳提供+16 V電壓,電阻Rg1經(jīng)二極管V03和Rg2并聯(lián)使Rg值較小,有利于減小IGBT的開通時間和開通損耗,在IGBT關(guān)斷時,EXB841內(nèi)部的V5導(dǎo)通,3腳電平為0,優(yōu)化驅(qū)動電路在IGBT的E極提供-8 V電壓,使二極管V03截止,Rg=Rg2具有較大值,并用30 kΩ的電阻Rge和30 pF電容并聯(lián)抑制干擾.

2.2 過流檢測電路

偏高的保護(hù)動作閾值難起到有效的保護(hù)作用,必須合適設(shè)置此閾值.但由于器件壓降的分散性和溫度影響,又不宜設(shè)置過低.為了適當(dāng)降低動作閾值,已經(jīng)提出過采用高壓降檢測二極管或采用串接3 V反向穩(wěn)壓管及二極管的方法.該方法不能在提高了負(fù)偏壓的情況下使用,因為正常導(dǎo)通時,IGBT約有3.5 V左右的壓降,負(fù)偏壓的提高使6腳在正常情況下檢測到的電平將達(dá)到12 V左右,隨著IGBT 的工作電流增大,強電磁干擾會造成EXB841誤報警,出現(xiàn)虛假過流.本優(yōu)化電路用可調(diào)電阻RW3實現(xiàn)閾值電壓的調(diào)整,10V穩(wěn)壓管Vs03設(shè)置檢測閾值下限,可較精確地設(shè)置小于IGBT極限過載電流的實際過流值.

2.3 虛假過流故障識別與故障信號鎖存電路

當(dāng)EXB841的6腳檢測到過流發(fā)生時,EXB841進(jìn)入軟關(guān)斷過程,內(nèi)部電路(C3,R6)產(chǎn)生約3us的延時,若3us后過流依然存在,5腳輸出低電平作為過流故障指示信號,高速光耦6N136導(dǎo)通,三極管V01截止,過流高速比較器LM319輸出高電平,電容C03通過R07充電,若LM319輸出持續(xù)高電平時間大于設(shè)定保護(hù)時間(一般5us),C03 的充電電壓達(dá)到擊穿穩(wěn)壓管VS01的電壓,使三極管Vs02飽和導(dǎo)通輸出低電平,觸發(fā)后接R-S觸發(fā)器鎖定過流指示信號,由前級控制電路(如送至SG3525的10腳)封鎖PWM脈沖信號和實現(xiàn)故障保護(hù)動作.若是虛假過流,在VS02飽和導(dǎo)通前EXB841的5腳電平將恢復(fù)為高電平,不會觸發(fā)后接R-S觸發(fā)器,整個電路自動恢復(fù)到正常工作狀態(tài).

EXB841的軟關(guān)斷時間是由內(nèi)部元件R7和C4的時間常數(shù)決定的,為了提高軟關(guān)斷的可靠性,在EXB84l的4和5兩端外加電阻Rw1可縮短軟關(guān)斷時間,在4和9兩端外加電容C01可避免過高的di/dt產(chǎn)生電壓尖峰,但應(yīng)合理選擇Rw1與C01,太大的值將增大內(nèi)部三極管V3的集電極電流.

3 試驗結(jié)果分析

圖3為典型驅(qū)動電路軟關(guān)斷波形(a)和優(yōu)化驅(qū)動電路軟關(guān)斷波形(b)示意圖,從圖中可以看到,優(yōu)化驅(qū)動電路可較快地施加負(fù)偏壓,進(jìn)一步提高了EXB841驅(qū)動的可靠性.

 

圖3 軟關(guān)斷波形對比

圖4為典型驅(qū)動電路的實測波形,圖5為優(yōu)化驅(qū)動電路的實測波形.從圖4可知典型驅(qū)動電路的反向關(guān)斷電壓不到-5 V,正向驅(qū)動電壓約為14 V,優(yōu)化驅(qū)動電路的反向關(guān)斷電壓超過-7.8 v,正向驅(qū)動電壓達(dá)到15.2 V,正反向偏置電壓同時得到了調(diào)整.實驗中還發(fā)現(xiàn)Rge兩端未并接電容時,正向驅(qū)動電壓上升沿很陡,但由正向驅(qū)動電壓切換到反向關(guān)斷電壓時,先有一很陡的快速下降過程,接近0 V時,經(jīng)過緩慢的過渡過程才達(dá)到穩(wěn)態(tài)反向關(guān)斷電壓,這是由于反向充電時間常數(shù)過大引起的.

 

圖4 原典型驅(qū)動電路試驗波形

 

圖5 驅(qū)動優(yōu)化電路試驗波形

原EXB841典型驅(qū)動電路應(yīng)用到大功率臭氧電源時,電源系統(tǒng)極易出現(xiàn)故障,表現(xiàn)為:由于負(fù)偏壓不足,導(dǎo)致內(nèi)部穩(wěn)壓管損壞,容易引起IGBT發(fā)生直通現(xiàn)象,導(dǎo)致IGBT經(jīng)常炸毀.因強電磁干擾的存在,致使EXB841在電流較小時就產(chǎn)生虛假過流的故障報警,使得設(shè)備無法正常運行.優(yōu)化驅(qū)動電路應(yīng)用到電源后,以上幾種故障均得以消除,設(shè)備在滿負(fù)荷下能長時間可靠運行.

4 結(jié)論

基于EXB841的IGBT優(yōu)化驅(qū)動電路具有較好的實用性,它既提高了EXB841的驅(qū)動能力,又對虛假過流信號具有很強的識別功能,實現(xiàn)了對真正過流的保護(hù).將優(yōu)化驅(qū)動電路應(yīng)用于大功率臭氧發(fā)生電源后,徹底消除了使用典型驅(qū)動電路所出現(xiàn)的虛假過流保護(hù)現(xiàn)象,電源系統(tǒng)性能更穩(wěn)定可靠.

 

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