第六屆中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)于7月19日拉開序幕,半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)在“光榮與夢(mèng)想”致敬盛典上榮獲“2017杰出品牌形象獎(jiǎng)”。本評(píng)選由知名研究機(jī)構(gòu)、咨詢公司、專家學(xué)者、媒體領(lǐng)袖組成的評(píng)審委員會(huì),通過的綜合評(píng)估體系,進(jìn)行可量化的數(shù)據(jù)比對(duì),最終評(píng)選出獲評(píng)名單。貿(mào)澤電子憑借優(yōu)秀的創(chuàng)新能力、強(qiáng)勢(shì)的業(yè)績(jī)成長(zhǎng)、杰出的社會(huì)貢獻(xiàn)、優(yōu)良的企業(yè)文化、深度的品牌影響、領(lǐng)先的行業(yè)地位,更因其在未來經(jīng)濟(jì)發(fā)展中有引領(lǐng)作用等指標(biāo)獲得了全方位認(rèn)可,獲此殊榮。 貿(mào)澤電子獲得2017杰出品牌形象獎(jiǎng) 本屆峰會(huì)主題為“中國(guó)經(jīng)濟(jì)新圖景:轉(zhuǎn)型與變革”,將邀請(qǐng)政界精英、工商界領(lǐng)袖、經(jīng)濟(jì)學(xué)界翹楚、創(chuàng)業(yè)家及新青年代表,圍繞實(shí)業(yè)振興、一帶一路、互聯(lián)網(wǎng)+、創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新、人工智能、國(guó)企改革、共享經(jīng)濟(jì)、金融科技等重要議題進(jìn)行討論。“致敬盛典”旨在遴選新常態(tài)下推動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)與社會(huì)進(jìn)步的企業(yè)和人物典范。 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場(chǎng)及業(yè)務(wù)拓展副總裁田吉平作為代表出席了本次峰會(huì),她表示:“感謝主辦方授予貿(mào)澤電子這一榮譽(yù),作為一家源自美國(guó)的半導(dǎo)體與電子元器件分銷商,獲得‘2017杰出品牌形象獎(jiǎng)’是對(duì)貿(mào)澤電子長(zhǎng)期深耕中國(guó)市場(chǎng)、對(duì)品牌打造不懈追求的肯定,也是鞭策我們繼續(xù)為中國(guó)廣大創(chuàng)客群體和設(shè)計(jì)工程師服務(wù)的動(dòng)力。” 田吉平女士代表貿(mào)澤電子領(lǐng)獎(jiǎng) 目前我國(guó)正處在經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整和轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵階段,新動(dòng)能的壯大、新經(jīng)濟(jì)的加快發(fā)展成為當(dāng)下國(guó)家發(fā)展的重要引擎,而貿(mào)澤電子看重的是中國(guó)創(chuàng)客潮、原創(chuàng)設(shè)計(jì)的興起。貿(mào)澤電子是由美國(guó)高中電子學(xué)教師Jerry Mouser在洞悉電子教學(xué)過程中元器件購(gòu)買的困難而創(chuàng)立的公司,至今已經(jīng)邁過了第52個(gè)年頭,“專注小批量”、“速度”、“深化服務(wù)”是貿(mào)澤電子的三大理念。 專注小批量需求是因?yàn)樵S多創(chuàng)客、設(shè)計(jì)工程師在研發(fā)過程中需要的零件有時(shí)候只有1-2片,而大廠并不會(huì)為此拆包出貨,貿(mào)澤電子推出“一個(gè)元器件也能出貨”的準(zhǔn)則,有針對(duì)性的解決了此痛點(diǎn)。 由于在設(shè)計(jì)過程中,元器件遲遲不到貨會(huì)影響開發(fā)進(jìn)度,深知速度的重要性的貿(mào)澤電子通過先進(jìn)倉(cāng)儲(chǔ)的管理和調(diào)度,讓設(shè)計(jì)工程師在產(chǎn)品研發(fā)過程中快人一步,并借由其常年贊助的華人第一賽車手董荷斌在賽場(chǎng)上的杰出表現(xiàn)將“速度”這一理念傳達(dá)給全世界。 “中國(guó)擁有龐大的人口基數(shù),隨著教育水平的深化,越來越多的創(chuàng)客、設(shè)計(jì)工程師人才會(huì)涌現(xiàn)出來。貿(mào)澤電子做的就是讓他們能夠和全球各個(gè)角落的工程師同一時(shí)間獲得最新產(chǎn)品和技術(shù)信息,最大程度降低他們的學(xué)習(xí)成本并提供相關(guān)軟件加速他們的設(shè)計(jì)。”田副總裁說道:“如果你登錄貿(mào)澤電子的網(wǎng)站,就會(huì)發(fā)現(xiàn)這不單單是元器件采購(gòu)網(wǎng)站, 更是一個(gè)技術(shù)信息平臺(tái),貿(mào)澤電子還對(duì)網(wǎng)站進(jìn)行了大量的優(yōu)化,在深耕大陸市場(chǎng)的過程中陸續(xù)推出更多本地服務(wù),盡力讓客戶獲得簡(jiǎn)潔、高效的采購(gòu)體驗(yàn)。” 貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服,通過提供采用先進(jìn)技術(shù)的最新產(chǎn)品來滿足設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員的創(chuàng)新需求。我們庫(kù)存有全球最廣泛的最新半導(dǎo)體及電子元件,為客戶的最新設(shè)計(jì)項(xiàng)目提供支持。Mouser網(wǎng)站Mouser.cn不僅有多種高級(jí)搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫(kù)存情況,而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗(yàn)。此外,Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊(cè)、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。
近日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平憑借恩智浦(NXP)產(chǎn)品在音響耐用性和EMC性能方面所具有的強(qiáng)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),推出多個(gè)基于NXP芯片的智能音頻功放參考方案,力求幫助客戶實(shí)現(xiàn)手機(jī)音質(zhì)的提升,同時(shí)能夠節(jié)省設(shè)計(jì)的空間。 大聯(lián)大世平此次推出的智能手機(jī)用智能音頻功放解決方案包括: 一、基于NXP TFA9888的單聲道智能音頻方案 二、基于NXP TFA9911的單聲道智能音頻方案 三、基于NXP TFA9896的立體聲智能音頻方案 四、基于NXP TFA9890的立體聲智能音頻方案 一、基于NXP TFA9888的智能手機(jī)用單聲道智能音頻方案 圖示1-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9888的智能手機(jī)用單聲道智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 立體聲Class-D類智能音頻功放 ② 能升壓到9.5V,將音量抬升 ③ 實(shí)時(shí)偵測(cè)振幅、溫度及腔體環(huán)境變化 ④ 兼容標(biāo)準(zhǔn)聲學(xué)回聲消除 ⑤ 支持混合側(cè)音 重要特性 ① 低RF敏感度 ② 高效率和低功耗 ③ 能極大提升音質(zhì)的充足余量 ④ 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ⑤ 可以偵測(cè)腔體是否損壞或漏氣 ⑥ 削波抑制 二、基于NXP TFA9911的智能手機(jī)用單聲道智能音頻方案 圖示2-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9911的智能手機(jī)用單聲道智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 立體聲Class-D類智能音頻功放 ② 能升壓到9.5V,將音量抬升 ③ 實(shí)時(shí)偵測(cè)振幅、溫度及腔體環(huán)境變化 ④ 兼容標(biāo)準(zhǔn)聲學(xué)回聲消除 ⑤ 專用揚(yáng)聲器作為麥克風(fēng)的反饋路徑 重要特性 ① 能極大提升音質(zhì)的充足余量 ② 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ③ 可以偵測(cè)腔體是否損壞或漏氣 ④ 低RF敏感度 ⑤ 削波抑制 三、基于NXP TFA9896的智能手機(jī)用立體聲智能音頻方案 圖示3-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9896的智能手機(jī)用立體聲智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 基于NXP TFA9896智能音頻系統(tǒng)模塊 ② 驅(qū)動(dòng)雙聲道喇叭工作 ③ 支持I2S音頻輸入,高保真D類音頻輸出 ④ 通過I2C接口對(duì)其進(jìn)行控制 ⑤ 自適應(yīng)偏移控制,以保護(hù)揚(yáng)聲器振膜 重要特性 ① 內(nèi)置DSP,嵌入揚(yáng)聲器提升和保護(hù)算法 ② D類放大器 ③ 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ④ 自適應(yīng)DC-DC轉(zhuǎn)換器供電 圖示4-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9896的智能手機(jī)用立體聲智能音頻方案照片 四、基于NXP TFA9890的智能手機(jī)用立體聲智能音頻方案 圖示5-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9890的智能手機(jī)用立體聲智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 基于NXP TFA9890智能音頻系統(tǒng)評(píng)估板 ② 驅(qū)動(dòng)左右聲道喇叭工作 ③ 支持I2S音頻輸入,高保真D類音頻輸出 ④ 通過I2C接口對(duì)其進(jìn)行控制 ⑤ 自適應(yīng)偏移控制,以保護(hù)揚(yáng)聲器隔膜 重要特性 ① 內(nèi)置DSP, 嵌入揚(yáng)聲器提升和保護(hù)算法 ② D類放大器, 輸出功率2.65W ③ 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ④ 自適應(yīng)DC-DC轉(zhuǎn)換器供電 圖示6-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9890的智能手機(jī)用立體聲智能音頻方案照片
盡管所花的時(shí)間與成本幾乎比所有人預(yù)期得要多,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終于還是快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影技術(shù)的大量生產(chǎn)──在近日于美國(guó)舊金山舉行的2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展,微影設(shè)備大廠ASML宣布該公司已經(jīng)達(dá)成了最重要且長(zhǎng)期難以突破的里程碑:250瓦(watt)的EUV光源。 光源功率(source power)──也就是傳送到掃描機(jī)以實(shí)現(xiàn)晶圓曝光的EUV光子(photon)數(shù)量之量測(cè)值──直接等同于生產(chǎn)力,芯片制造商一直以來都堅(jiān)持250瓦的光源功率是達(dá)成每小時(shí)125片晶圓(WPH)生產(chǎn)量的必要條件,而且將ASML與光源技術(shù)供應(yīng)商Cymer (已在2013年被ASML收購(gòu))未能實(shí)現(xiàn)該光源功率目標(biāo),視為EUV微影在近年來發(fā)展不順的主要原因。 在Semicon West期間,ASML行銷策略總監(jiān)Michael Lercel則表示,該公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了250瓦光源,而且不但是:“透過真正了解光源的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了一致性,也實(shí)現(xiàn)了正確的控制;”不過他補(bǔ)充指出,經(jīng)證實(shí)的250瓦光源還沒正式出貨。 包括英特爾(Intel)、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)與Globalfoundries等頂尖芯片制造商,都打算在接下來兩年將EUV微影導(dǎo)入量產(chǎn)制程,ASML在今年2月展示了104WPH的生產(chǎn)量,該公司高層并聲稱,甚至在250瓦光源實(shí)現(xiàn)之前,該公司的微影設(shè)備可達(dá)到125WPH的產(chǎn)量。 與2012年約25瓦的光源相較,250瓦光源意味著十倍的進(jìn)步;Lercel在簡(jiǎn)報(bào)EUV生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)學(xué)時(shí)笑言,當(dāng)他在幾年前仍任職于Cymert時(shí),達(dá)到250瓦光源功率:“永遠(yuǎn)都是明年的目標(biāo)。”他表示,ASML目前在EUV領(lǐng)域有14種開發(fā)工具,已曝光超過100萬片晶圓,光是過去一年就曝光了50萬片;ASML的NXE:3400B量產(chǎn)型EUV微影設(shè)備已在今年稍早首度出貨。 截至4月份,ASML積壓了21臺(tái)EUV系統(tǒng)等待出貨,據(jù)說其中有大部分是英特爾的訂單;而ASML應(yīng)該會(huì)在第二季財(cái)報(bào)發(fā)布時(shí)提供未出貨訂單的更新數(shù)字。 EUV技術(shù)可追溯至1970年代X光微影開發(fā)過程不順的那時(shí)候,而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)原本期望能在2010年就開始利用EUV微影量產(chǎn),但該技術(shù)一再推遲;有人估計(jì),產(chǎn)業(yè)界對(duì)EUV技術(shù)的開發(fā)已經(jīng)耗費(fèi)了超過200億美元。 而盡管ASML有所進(jìn)展,批評(píng)者仍會(huì)繼續(xù)對(duì)EUV抱持質(zhì)疑態(tài)度;如長(zhǎng)期觀察半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research總裁暨分析師G. Dan Hutcheson就表示:“總有人一直說該技術(shù)不可能成功;確實(shí)花了很長(zhǎng)的時(shí)間,但我們終究還是走到了某個(gè)地方。” 除了宣布達(dá)成光源功率里程碑,Lercel也詳述了EUV工具疊對(duì)(overlay)性能的大幅改善,以及產(chǎn)業(yè)界在布建EUV基礎(chǔ)建設(shè)方面的進(jìn)展,包括光罩(reticle)、光罩護(hù)膜(pellicle)以及光阻劑(photoresist);此外他的簡(jiǎn)報(bào)主要聚焦于EUV能為客戶帶來的“經(jīng)濟(jì)價(jià)值”,考量到該類工具的成本──EUV微影設(shè)備一套要價(jià)超過1億美元──聽起來是個(gè)吊詭的議題。 高成本是EUV微影技術(shù)最被詬病的特性之一,但ASML表示,EUV──在達(dá)到125WPH的產(chǎn)量目標(biāo)時(shí)──與采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影工具進(jìn)行三重或四重圖形(patterning)的高昂成本相較,能帶來更高的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。 Lercel表示:“如果你看采用多重浸潤(rùn)式微影步驟的成本,加上搭配的制程步驟──包括清潔以及度量──我們相信EUV的每層光罩成本還是低于三重圖形浸潤(rùn)式微影,而且絕對(duì)低于四重以上圖形的成本;”他并指出,EUV也能提供更快速周期時(shí)間(cycle times)、變異性更少以及晶圓片出現(xiàn)隨機(jī)缺陷機(jī)率更低等經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。 “我們相信EUV是在未來實(shí)現(xiàn)成本可負(fù)擔(dān)之微影制程微縮、非常具成本效益的技術(shù);”Lercel表示:“我們已經(jīng)在EUV系統(tǒng)性能方面有大幅進(jìn)展,能滿足業(yè)界期待。特別是有鑒于其成像表現(xiàn)如預(yù)期、疊對(duì)性能至少能與浸潤(rùn)式技術(shù)媲美,以及其生產(chǎn)量已經(jīng)能超過每小時(shí)100片晶圓;這些讓我們達(dá)成了目前已經(jīng)能陸續(xù)將支援大量生產(chǎn)的設(shè)備送交客戶。”
格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布,將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計(jì)劃采用格芯的22FDX®FD-SOI 技術(shù)開發(fā)可支持完整蜂巢式調(diào)制解調(diào)器模塊的單芯片專利,包括集成基帶、電源管理、射頻以及結(jié)合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現(xiàn)有產(chǎn)品,該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本。 隨著智慧城市、家居與工業(yè)應(yīng)用中互聯(lián)設(shè)備的數(shù)量日益增加,網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商也著手開發(fā)全新的通訊協(xié)議,以期更加符合新興物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的需求。LPWA 技術(shù)利用現(xiàn)有的LTE頻譜及移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施,但更著重于為例如聯(lián)網(wǎng)水表和煤氣表等傳輸少量低頻數(shù)據(jù)的設(shè)備提供超低功耗、擴(kuò)大傳輸范圍以及降低數(shù)據(jù)傳輸率。 兩大領(lǐng)先的LPWA連接標(biāo)準(zhǔn)包括在美國(guó)前景看好的LTE-M,以及逐漸在歐洲、亞洲取得一席之地的NB-IoT。舉例而言,中國(guó)政府已將NB-IoT定為明年全國(guó)部署的對(duì)象。根據(jù)美國(guó)市場(chǎng)研究公司 ABI Research 的研究,該兩大技術(shù)的結(jié)合將推動(dòng)蜂窩M2M模塊的出貨量到2021年可能逼近5億。 格芯與芯原微電子目前已著手開發(fā)IP套件,以雙模運(yùn)營(yíng)商等級(jí)的基調(diào)制解調(diào)器帶搭配集成的射頻前端模組,旨在讓客戶開發(fā)出成本及功耗優(yōu)化的單芯片解決方案,以供全球部署。該款設(shè)計(jì)將采用格芯的22FDX工藝,運(yùn)用22nm FD-SOI技術(shù)平臺(tái)為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供成本優(yōu)化的微縮能力并降低功耗。22FDX是唯一能夠以單芯片高效整合射頻、收發(fā)器、基帶、處理器和電源管理元件的技術(shù)。相較于現(xiàn)有的40nm技術(shù),這款集成方案預(yù)計(jì)在功耗和裸片尺寸方面,將達(dá)到80%以上的提升。 格芯產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Alain Mutricy表示:“低功耗、電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正處于爆發(fā)性增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),22FDX技術(shù)完美契合了其需求。對(duì)中國(guó)市場(chǎng)帶來的機(jī)會(huì),我們尤為興奮。中國(guó)正以領(lǐng)先姿態(tài)在全國(guó)范圍大力發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)與智慧城市。芯原微電子是我們重要的合作伙伴,他們協(xié)助我們?cè)诔啥冀ㄔO(shè)以全新300mm晶圓廠為中心的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)。此次新的合作計(jì)劃也將進(jìn)一步深化我們的長(zhǎng)期合作關(guān)系。” 芯原股份有限公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民表示:“自五年前開始,作為芯片平臺(tái)即服務(wù) (SiPaaS) 的設(shè)計(jì)代工公司,芯原即開始開發(fā) FD-SOIIP,并基于FD-SOI 技術(shù)一次流片成功了多款芯片產(chǎn)品。就物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而言,除了成本優(yōu)勢(shì)之外,集成式射頻、體偏壓以及嵌入式內(nèi)存如MRAM,都是28mm CMOS 工藝節(jié)點(diǎn)往后,F(xiàn)D-SOI 技術(shù)所具備的重要優(yōu)勢(shì)。在格芯22FDX上集成射頻與功率放大器后,基帶和協(xié)議??稍诟吣苄铱删幊痰腪SPnano 上得以實(shí)現(xiàn),ZSPnano 專為控制和具有低延遲的數(shù)據(jù)流、單周期指令的信號(hào)處理而優(yōu)化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圓廠,以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M單芯片解決方案等IP 平臺(tái),都將對(duì)中國(guó)的物聯(lián)網(wǎng)和 AIoT(物聯(lián)人工智能) 產(chǎn)業(yè)帶來重大的影響。” 格芯與芯原微電子預(yù)計(jì)將于2017年第四季度對(duì)基于此集成方案的測(cè)試芯片進(jìn)行流片,并完成驗(yàn)證。雙方計(jì)劃于2018年年中獲得運(yùn)營(yíng)商許可。
在看到處理器和存儲(chǔ)器芯片的需求不斷增長(zhǎng)之后,三星公司最近將半導(dǎo)體芯片制造業(yè)務(wù)分解成一個(gè)單獨(dú)的實(shí)體。該公司目前專注于其SoC業(yè)務(wù),并在德克薩斯州的芯片廠投資近10億美元。現(xiàn)在據(jù)報(bào)道,三星今天早些時(shí)候主辦了一個(gè)代工論壇,與其合作伙伴公司分享其分部的愿景。 根據(jù)“韓國(guó)先驅(qū)報(bào)”的報(bào)道,三星在該論壇跟本土企業(yè)分享了其半導(dǎo)體市場(chǎng)的愿景。隨著對(duì)半導(dǎo)體芯片需求的增長(zhǎng),該公司擴(kuò)大了與更多企業(yè)和合作伙伴的聯(lián)系。除了智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備,這些芯片也被用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品,智能汽車和人工智能解決方案。 這個(gè)韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭還宣布,其10nm FinFET技術(shù)已經(jīng)非常穩(wěn)定,現(xiàn)在正在關(guān)注7nm制造技術(shù)。該公司計(jì)劃很快開始制造7nm芯片。三星也將增加其在中國(guó)工廠的內(nèi)存芯片生產(chǎn)能力,該公司目前為高通公司生產(chǎn)10nm芯片,為AMD生產(chǎn)14nm芯片,但前者將轉(zhuǎn)向臺(tái)積電生產(chǎn)7nm處理器。
隨著智能手機(jī)的發(fā)展,半導(dǎo)體工藝也急速提升,從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程,讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。 半導(dǎo)體行業(yè)離我們似乎很遙遠(yuǎn),F(xiàn)inFET是什么東西,EUV又是什么新技術(shù),每次看到這種相關(guān)的新聞都讓我們?nèi)缤评镬F里,不知所謂。其實(shí)它離我們很近,無論是FinFET還是EUV都是為了完善制程工藝所做的努力。而一款處理器的性能表現(xiàn)、散熱效率、功耗等等都和制程息息相關(guān)。 今天,我們來聊聊手機(jī)處理器的這些事。 ●16nm、10nm,這些數(shù)字到底是啥? 說起這個(gè)話題,我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西,那就是處理器的蝕刻尺寸,簡(jiǎn)單的講,就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。 手機(jī)處理器不同于一般的電腦處理器,一部手機(jī)中能夠給它留下的尺寸是相當(dāng)有限的。蝕刻尺寸越小,相同大小的處理器中擁有的計(jì)算單元也就越多,性能也就越強(qiáng)。這也是為何廠商會(huì)頻繁強(qiáng)調(diào)處理器制程的原因。 同時(shí),因?yàn)殡S著頻率的提升,處理器所產(chǎn)生的熱量也隨之提高,而更先進(jìn)的蝕刻技術(shù)另一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)就是可以減小晶體管間電阻,讓CPU所需的電壓降低,從而使驅(qū)動(dòng)它們所需要的功率也大幅度減小。所以每一代的新產(chǎn)品不僅是性能大幅度提高,同時(shí)還有功耗和發(fā)熱量的降低。 綜合以上,可以發(fā)現(xiàn)處理器的制程對(duì)于手機(jī)十分重要,更高的性能帶來更流暢的游戲體驗(yàn),而一個(gè)保持正常溫度的機(jī)身更是能保證大家擁有一個(gè)良好的使用體驗(yàn)。一次制程的升級(jí),帶來了散熱效果與計(jì)算性能的雙重提升。 無論什么電子產(chǎn)品,CPU都稱得上是核心部件 ●手機(jī)制程的發(fā)展和性能永遠(yuǎn)在一起 所以手機(jī)性能不斷提升的今天,半導(dǎo)體行業(yè)功不可沒。從32nm的Exynos 4412到如今10nm的Exynos 8895才過去了不到5年,可是手機(jī)的性能提升卻是數(shù)以倍計(jì)的。屏幕分辨率的提升,鏡頭像素的提升,這些其實(shí)都與手機(jī)性能息息相關(guān)。只有更高的運(yùn)算速度支持,我們才能支持更大分辨率的圖像輸出,更強(qiáng)的相機(jī)算法。 目前的手機(jī)處理器大部分交由兩家廠商代工。除了上文中提到的臺(tái)積電之外,還有就是三星。它們兩者也一直在你追我趕,毫不放松。三星剛推出32nm工藝,臺(tái)積電就緊追不舍放出28nm新制程。這邊剛拿出16nm方案,那邊就宣布14nm即將投入商用。 沒有競(jìng)爭(zhēng)就沒有發(fā)展,正是因?yàn)閮杉抑g互有勝負(fù)的不斷角逐,才能讓手機(jī)行業(yè)不至于類似電腦處理器那般陷入“擠牙膏”一般的提升節(jié)奏。這不,我們的10nm芯片還沒用上多久,三星的8nm,臺(tái)積電的7nm已經(jīng)爭(zhēng)著發(fā)布了。 采用了最新10nm技術(shù)的驍龍835 ●在制程之下,其實(shí)還有更多的博弈 說了這么多,處理器的制程真的這么重要嗎?以蘋果為例,當(dāng)初一直選擇三星作為自家處理器代工廠的蘋果為何在iPhone 7/Plus選擇了臺(tái)積電的16nm工藝而放棄了三星的14nm技術(shù),自然是因?yàn)樵?6/14nm這一制程上臺(tái)積電的工藝更加成熟完善。 當(dāng)初兩個(gè)版本的A9處理器,蘋果分別選擇了三星和臺(tái)積電各自代工生產(chǎn)了一版,而臺(tái)積電略強(qiáng)于三星的表現(xiàn),想來也是蘋果在iPhone 7上徹底倒戈臺(tái)積電的原因之一吧。 不過除了制程之外,其實(shí)廠商需要考慮的還有更多。Helio X30是聯(lián)發(fā)科在年初的MWC上發(fā)布的新一代旗艦級(jí)處理器,而且搶在了三星高通之前率先使用了10nm工藝。 可惜,前期新的生產(chǎn)工藝下良品率并不理想,而如今臺(tái)積電又要為了完成蘋果的A11訂單火力全開。同樣由它代工的X30就難免產(chǎn)能不足,這個(gè)被聯(lián)發(fā)科寄予厚望的芯片我們至今仍未得一見。 傳聞華為的麒麟系列處理器也即將發(fā)布新品 ●5nm,3nm,或者干脆量子計(jì)算? 其實(shí)半導(dǎo)體蝕刻尺寸發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)很吃力,每個(gè)原子的大小約為0.1nm,在10nm的情況下,一條線只有不到100顆原子,在制作上相當(dāng)困難,而且只要有一個(gè)原子的缺陷,像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質(zhì),就會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象,影響產(chǎn)品的良率。 FinFET技術(shù)概念圖 其實(shí)制程的瓶頸我們?cè)缫延龅?,?dāng)初憑借將電晶體的平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為立體結(jié)構(gòu),也就是FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)的使用,我們突破桎梏,迎來了10nm制程的時(shí)代。而從10nm往后,處理器的發(fā)展就寄托于新的蝕刻工藝—極紫外光刻(EUV),用更小更鋒利的“手術(shù)刀”來切割出更小的電晶體結(jié)構(gòu)。 目前看來,蘋果的下一代產(chǎn)品A11使用的將依然是10nm的工藝,那么究竟誰會(huì)搶先帶來更新更好的制程工藝,是臺(tái)積電的7nm還是三星的8nm,首發(fā)處理器又將花落誰家?我們拭目以待。
目前,半導(dǎo)體制程最尖端為10nm工藝,而面向預(yù)計(jì)年內(nèi)上市的蘋果“iPhone 8”,則由臺(tái)積電的10nm CPU(中央處理器)獨(dú)家獲得訂單。 新一代的7納米芯片除了智能手機(jī)之外,在支撐人工智能(AI)的數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,需求也有望擴(kuò)大。 在公開資料的制程工藝進(jìn)展中,GF和臺(tái)積電的7nm進(jìn)展最速,由此,傳出高通把驍龍845的代工轉(zhuǎn)交給了臺(tái)積電,而和好伙伴三星分道揚(yáng)鑣。 據(jù)外媒報(bào)道,三星半導(dǎo)體高管,營(yíng)銷副總裁Sanghyun Lee透露,我們的7nm EUV極紫外光刻技術(shù)會(huì)是完整的EUV技術(shù)。當(dāng)我們?cè)诿髂晖瞥鲈摷夹g(shù)的時(shí)候,我們將在生產(chǎn)良率和價(jià)格上超過他們(臺(tái)積電)。 同時(shí),該人士還表示,純代工的營(yíng)收也有信心反超天字一號(hào)TSMC。 目前,三星正提供最先進(jìn)的10nm芯片代工,包括兩款已經(jīng)上市的驍龍835和Exynos 8895。 另外,明年上半年,三星計(jì)劃先進(jìn)入8nm工藝,隨后才是7nm。 看著兩個(gè)后進(jìn)生如此你爭(zhēng)我奪,不知道依然致力于優(yōu)化14nm的Intel做何感想。
中國(guó), 北京, 2017年7月 11訊 — Littelfuse 公司于今天宣布收購(gòu) U.S. Sensor 公司的資產(chǎn)。總部設(shè)在加利福尼亞州的奧蘭治,U.S. Sensor 是一家最嚴(yán)苛的溫度傳感應(yīng)用中所用熱敏電阻和探頭組件的制造商。交易條款并未披露。 “U.S. Sensor 公司在幾個(gè)關(guān)鍵的電子和工業(yè)終端市場(chǎng),包括家庭自動(dòng)化、HVAC 和家用電器,拓展了我們現(xiàn)有的傳感器產(chǎn)品組合,”電子部高級(jí)副總裁和總經(jīng)理Deepak Nayar說道, “這個(gè)交易加強(qiáng)了能促使增長(zhǎng)計(jì)劃完成的設(shè)計(jì)能力。“? U.S. Sensor 總裁 Roger Dankert 表示:“這是 U.S. Sensor 公司下一個(gè)令人興奮的階段, 我們?cè)诳蛻絷P(guān)注和創(chuàng)新方面擁有同樣的觀點(diǎn),并將受益于 Littelfuse的全球業(yè)務(wù)和規(guī)模。” Littelfuse 并不希望此次交易會(huì)對(duì)其 2017 年收入或調(diào)整后的盈利預(yù)測(cè)產(chǎn)生重大影響。
在極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專項(xiàng)(簡(jiǎn)稱“集成電路專項(xiàng)”)以及其他國(guó)家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下,近年來我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)取得較快進(jìn)步,部分關(guān)鍵設(shè)備從無到有,實(shí)現(xiàn)了與國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平的同步發(fā)展。同時(shí),部分國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入大生產(chǎn)線,在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程上取得突破。在此情況下,如何讓產(chǎn)品在推向市場(chǎng)的過程中獲得合理的利潤(rùn),以利持續(xù)發(fā)展,成為國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商關(guān)注的重點(diǎn)。 半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率提升存挑戰(zhàn) 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)要想實(shí)現(xiàn)從跟隨到引領(lǐng)的跨越,設(shè)備產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)是重要環(huán)節(jié)之一。但是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)卻存在技術(shù)難度大,進(jìn)入門檻高的特點(diǎn)。目前為止,我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域仍然存在著國(guó)產(chǎn)化率較低的問題。 對(duì)此,半導(dǎo)體專家莫大康指出,上世紀(jì)80年代末期開始,半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)開始把工藝能力整合在設(shè)備中,讓用戶買到設(shè)備就能保證使用,并且達(dá)到工藝要求。因此有“一代器件,一代設(shè)備”之說。這是半導(dǎo)體設(shè)備如此昂貴的原因,也是國(guó)內(nèi)企業(yè)面對(duì)的極大挑戰(zhàn)。 此外,一臺(tái)設(shè)備從研發(fā)、樣機(jī)開始,必須經(jīng)過大量硅片通過等工藝試驗(yàn),才能發(fā)現(xiàn)問題,并進(jìn)行改型。這樣的過程要重復(fù)多次,改型多次后才能最后定型。另外,出廠前還要經(jīng)過馬拉松試驗(yàn),測(cè)算平均無故障時(shí)間等。 這對(duì)實(shí)力尚弱的國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商來說,也是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。 SEMI中國(guó)區(qū)總裁居龍也表示:“目前中國(guó)設(shè)備正在取得從0到1的突破,但是要認(rèn)識(shí)到這一進(jìn)程的長(zhǎng)期性。” 《中國(guó)制造2025》對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化提出了明確要求:在2020年之前,90~32納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%,實(shí)現(xiàn)90納米光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化,封測(cè)關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%。在2025年之前,20~14納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30%,實(shí)現(xiàn)浸沒式光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化。 “集成電路專項(xiàng)”加速產(chǎn)業(yè)整體布局 盡管存在挑戰(zhàn),經(jīng)過多年來的不斷培育,特別是在國(guó)家“02專項(xiàng)”等政策的扶持下,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)還是取得了一定進(jìn)步。日前,科技部會(huì)同北京市和上海市人民政府組織召開了國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”成果發(fā)布會(huì)。在過去的九年里,集成電路專項(xiàng)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)整體布局,既有全面填空,又有重點(diǎn)突破。 根據(jù)成果發(fā)布,北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關(guān),完成了刻蝕機(jī)、磁控濺射、氧化爐、低壓化學(xué)氣相沉積、清洗機(jī)、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。公司的刻蝕機(jī)等三大類集成電路設(shè)備進(jìn)入14納米工藝驗(yàn)證階段,首次實(shí)現(xiàn)與國(guó)外設(shè)備同步驗(yàn)證。在集成電路專項(xiàng)的支持下,12英寸集成電路設(shè)備實(shí)現(xiàn)從無到有,并實(shí)現(xiàn)批量銷售,成為公司的主要收入來源之一。中微半導(dǎo)體先后承擔(dān)并圓滿完成65~45納米、32~22納米、22~14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專項(xiàng)任務(wù),使我國(guó)在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國(guó)際先進(jìn)水平同步。中微半導(dǎo)體已經(jīng)有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定地生產(chǎn)了4000多萬片晶圓。 根據(jù)中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春的介紹,在關(guān)鍵裝備和材料方面,我國(guó)實(shí)現(xiàn)了從無到有的跨越,大部分產(chǎn)品水平達(dá)到28納米,部分產(chǎn)品進(jìn)入14納米,被國(guó)外生產(chǎn)線采用;國(guó)產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證和應(yīng)用整體累積流片突破150萬片,銷售數(shù)量超過265臺(tái)。從工藝分布上看,國(guó)產(chǎn)設(shè)備橫跨了12英寸集成電路生產(chǎn)線90~14納米各個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵性工藝大類,并基本與國(guó)內(nèi)14nm先進(jìn)工藝研發(fā)同步進(jìn)行驗(yàn)證。 用產(chǎn)品差異化取代低價(jià)競(jìng)爭(zhēng) 在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得一定突破的情況下,如何讓發(fā)展來之不易的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)得到持續(xù)發(fā)展,逐漸成為國(guó)產(chǎn)設(shè)備業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。 其中,最核心的一個(gè)問題就是產(chǎn)品的價(jià)格問題。目前,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商存在低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的狀況,一些用戶企業(yè)在面對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商時(shí),也會(huì)盡量壓低價(jià)格,國(guó)產(chǎn)設(shè)備仿佛給人留下的印象就是低價(jià)。 對(duì)此,盛美半導(dǎo)體董事長(zhǎng)兼CEO王暉指出,半導(dǎo)體設(shè)備制造是一個(gè)門檻很高的行業(yè),不僅技術(shù)高度密集,廠商需要掌握嚴(yán)密的IP,而且產(chǎn)品售出之后還有大量后續(xù)服務(wù)需要做好。 如果售價(jià)被壓得過低,勢(shì)必會(huì)大幅壓低設(shè)備企業(yè)的利潤(rùn)空間。短期內(nèi)用戶企業(yè)雖然可能獲利,但是勢(shì)必會(huì)影響到后續(xù)服務(wù)的進(jìn)行。而且,設(shè)備行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)十分激烈,企業(yè)必須保證對(duì)每一代技術(shù)的持續(xù)跟進(jìn),才能保持技術(shù)的領(lǐng)先性。這就需要企業(yè)持續(xù)進(jìn)行投入。然而,如果獲利過低,將導(dǎo)致企業(yè)無力跟進(jìn)技術(shù)的進(jìn)步。 王暉認(rèn)為,對(duì)于國(guó)產(chǎn)設(shè)備業(yè)者來說,最佳的解決之道就是做產(chǎn)品的差異化技術(shù)開發(fā),而不是僅憑低價(jià)格來爭(zhēng)取訂單。 “面對(duì)同一個(gè)應(yīng)用,同一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn),你要比大公司做得好,就要尋求差異化的解決方法,否則很難超過大公司。”他說。 在王暉看來,從技術(shù)創(chuàng)新的角度,小公司未必會(huì)輸給大公司。反而因?yàn)樾」揪邆潇`活性及高效率,更容易做出突破性的技術(shù)。以點(diǎn)帶面,從點(diǎn)上取得突破,方是國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)長(zhǎng)期持續(xù)的成長(zhǎng)之道。
<概要> 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM已經(jīng)開始在網(wǎng)上銷售6款供受電用評(píng)估板“BM92AxxMWV-EVK-001”系列,這是通過連接信息設(shè)備和周邊設(shè)備的USB Type-C連接器*1)實(shí)現(xiàn)“USB Power Delivery(簡(jiǎn)稱USBPD)”的系列產(chǎn)品。 USBPD在以往僅可支持15W以內(nèi)供電的USB Type-C設(shè)備間,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)100W(20V / 5A)的供受電。因此,即使是筆記本電腦和TV等需要較大功率的設(shè)備,也可通過USB端子供電來驅(qū)動(dòng)。另外,在家庭和賓館等USB插座日益普及,USBPD已發(fā)展到給基礎(chǔ)設(shè)施帶來變革的時(shí)代。 新發(fā)售的“BM92AxxMWV-EVK-001”中搭載ROHM開發(fā)的USBPD控制器IC,可適用于各種應(yīng)用的6款評(píng)估板與供電端和受電端的電路板組合,可輕松實(shí)現(xiàn)使用USBPD的供受電及其評(píng)估。支持USB Type-C 標(biāo)準(zhǔn)Rev1.1和USBPD標(biāo)準(zhǔn)Rev2.0,因此還可與安裝有Type-C連接器的設(shè)備進(jìn)行連接。 本評(píng)估板將于2017年7月起在AMEYA360、RightIC兩家在線平臺(tái)開始網(wǎng)絡(luò)銷售,電路板驅(qū)動(dòng)所需的文件可從官網(wǎng)下載。 今后,ROHM將為普及打造安全舒適環(huán)境的USBPD,繼續(xù)推進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品開發(fā)。 <背景> 近年來,以歐洲為首的很多地區(qū)均在倡議減少工業(yè)廢棄物,可在全世界所有電子設(shè)備中通用的充電器和通信連接器等成為必然趨勢(shì)。 在這種背景下,USB標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)“USB Implementers Forum, Inc.*2)”推動(dòng)的連接器標(biāo)準(zhǔn)“USB Type-C”和功率擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)“USBPD”備受矚目。利用小型且可支持正反插入的USB Type-C和可支持更大兼容設(shè)備的USBPD,同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和大功率供受電的接口已經(jīng)開始在眾多電子設(shè)備中普及。 ROHM利用先進(jìn)的BiCDMOS工藝和電路技術(shù)優(yōu)勢(shì),一直致力于有助于減少工業(yè)廢棄物和打造更加便利的環(huán)境的USBPD控制器IC的開發(fā)。 <支持USBPD的應(yīng)用例> <網(wǎng)售信息與產(chǎn)品陣容> 網(wǎng)售開始時(shí)間:2017年7月起 網(wǎng)售平臺(tái):AMEYA360、RightIC 產(chǎn)品型號(hào) 供受電 功能 備注 BM92A15MWV-EVK-001 受電端 標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估板 5~20V 根據(jù)連接的目標(biāo)設(shè)備可自動(dòng)選擇 BM92A56MWV-EVK-001 供電端 標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估板 5V, 9V, 12V, 15V, 20V輸出 BM92A14MWV-EVK-001 受電端 小型評(píng)估板 (9V) 5V, 9V根據(jù)連接的目標(biāo)設(shè)備可自動(dòng)選擇 BM92A13MWV-EVK-001 受電端 小型評(píng)估板 (15V) 5V, 15V根據(jù)連接的目標(biāo)設(shè)備可自動(dòng)選擇 BM92A12MWV-EVK-001 受電端 小型評(píng)估板 (20V) 5V, 20V根據(jù)連接的目標(biāo)設(shè)備可自動(dòng)選擇 BM92A21MWV-EVK-001 供電端 100W供電 AC/DC適配器 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/5A BM92A30MWV-EVK-001 受電端 支持AlternateMode*3) 支持AlternateMode 5, 12~20V 根據(jù)連接的目標(biāo)設(shè)備可自動(dòng)選擇 BM92A70MWV-EVK-001 供電端 支持AlternateMode 支持AlternateMode 5, 12~20V輸出 BM92A25MWV-EVK-001 供電端 45W供電AC/DC適配器 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A 標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估板 小型評(píng)估板 100W充電AC/DC適配器 在所連接的兩個(gè)設(shè)備間進(jìn)行USBPD專用通信,在供受電協(xié)議后,確定相互最佳的供受電電壓和電流。USBPD所需的通信,在新增設(shè)的專用線CC線上進(jìn)行,因此,可與以往的USB數(shù)據(jù)通信獨(dú)立工作。<何謂USB Power Delivery?> 利用USB連接線,可進(jìn)行高達(dá)100W供受電的USB功率擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)??山o筆記本電腦等以往無法通過USB供電進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的設(shè)備供電,可實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備的快速充電(縮短充電時(shí)間)。 <術(shù)語解說> *1) USB Type-C標(biāo)準(zhǔn)(Type-C 連接器) 在USB3.1標(biāo)準(zhǔn)中定義的插座(凹端連接器)、插頭(凸端連接器)、連接線的USB連接器標(biāo)準(zhǔn)。與傳統(tǒng)產(chǎn)品不同的是,使用時(shí)不分Host端/Device端,連接器形狀也統(tǒng)一為小型且不分正反的形狀。 *2) USB Implementers Forum, Inc.(USB-IF) 1995年成立的推進(jìn)USB(Universal Serial Bus)標(biāo)準(zhǔn)化的標(biāo)準(zhǔn)團(tuán)體,進(jìn)行USB的規(guī)格制定與管理等。如今已有超過800家的企業(yè)成為會(huì)員。 *3) AlternateMode 也可處理視頻信號(hào)的控制模式。無需再搭載以往在筆記本電腦等電子設(shè)備中必須的視頻專用端子。僅通過USB端子即可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸、供電受電、視頻信號(hào)傳輸?shù)龋奢p松打造更便利的環(huán)境。
2017年7月11日-半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 將亮相7月13日正式揭幕的成都電子展(展位號(hào):4A216),展會(huì)期間將攜手行業(yè)專家與開發(fā)者探討行業(yè)趨勢(shì),并將邀請(qǐng)專家與創(chuàng)客結(jié)合自身體驗(yàn)全方位深度剖析貿(mào)澤電子的本地化服務(wù)。 隨著西部大開發(fā)和科技興國(guó)戰(zhàn)略的實(shí)施,四川經(jīng)濟(jì)發(fā)展突飛猛進(jìn)。其中電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展尤為迅速,已然成為四川省八大支柱產(chǎn)業(yè)之一,生產(chǎn)規(guī)模躍居全省各產(chǎn)業(yè)之首,是整個(gè)西部科技創(chuàng)新的中堅(jiān)力量。有著“中國(guó)西部硅谷”之稱的成都有望將在2030年成為世界50大經(jīng)濟(jì)中心城市之一,作為西部最大的電子信息產(chǎn)業(yè)盛會(huì),成都電子展旨在打造一個(gè)展示西部電子信息市場(chǎng)發(fā)展成果、助力電子信息產(chǎn)業(yè)知名企業(yè)走進(jìn)西部的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場(chǎng)及業(yè)務(wù)拓展副總裁田吉平表示:“目前世界500強(qiáng)企業(yè)已有302家在成都落戶,其中不乏眾多世界頂尖電子制造企業(yè),位居中西部城市首位。電子信息產(chǎn)業(yè)成為高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)‘萬億俱樂部’的第一支柱產(chǎn)業(yè),成都在電子信息行業(yè)正在逐步融入全球電子信息高端產(chǎn)業(yè)的核心版圖。貿(mào)澤電子參加成都電子展旨在與用戶更好的交流,深入了解內(nèi)在需求,優(yōu)化服務(wù)。與此同時(shí),也讓更多的開發(fā)者、創(chuàng)客了解貿(mào)澤電子是研發(fā)過程中值得信賴的好伙伴。” 貿(mào)澤電子所打造的不單單是元器件采購(gòu)網(wǎng)站, 更是一個(gè)技術(shù)信息平臺(tái)。在官網(wǎng)上除了可以找到用于研發(fā)使用的全套產(chǎn)品,還能搜索到廣泛的產(chǎn)品知識(shí)、更多的新產(chǎn)品手冊(cè)和前沿技術(shù),用于滿足工程師群體以及采購(gòu)人員對(duì)信息的需求。 “隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,諸如基礎(chǔ)電子、高性能集成電路、測(cè)試測(cè)量、智能制造、軍民融合、智慧城市和大數(shù)據(jù)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)熱門領(lǐng)域進(jìn)入了前所未有的高速發(fā)展時(shí)期。”田副總裁補(bǔ)充道:“分銷商作為電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵一環(huán),在行業(yè)內(nèi)起到了承上啟下的作用。‘承上’就是在原廠優(yōu)質(zhì)元器件的基礎(chǔ)上擴(kuò)大服務(wù)范圍,用全方位的服務(wù)覆蓋用戶;所謂‘啟下’就是通過服務(wù)讓開發(fā)者創(chuàng)客等時(shí)代的先行者無縫銜接全球最新產(chǎn)品和技術(shù),為中國(guó)電子信息行業(yè)崛起打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。” 貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服,通過提供采用先進(jìn)技術(shù)的最新產(chǎn)品來滿足設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員的創(chuàng)新需求。我們庫(kù)存有全球最廣泛的最新半導(dǎo)體及電子元件,為客戶的最新設(shè)計(jì)項(xiàng)目提供支持。Mouser網(wǎng)站Mouser.cn不僅有多種高級(jí)搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫(kù)存情況,而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗(yàn)。此外,Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊(cè)、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。
近日,國(guó)內(nèi)著名半導(dǎo)體分銷商——世強(qiáng)宣布與基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)簽約合作,作為EPC中國(guó)區(qū)代理,銷售其全線產(chǎn)品。 據(jù)悉,EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線充電,自動(dòng)駕駛 、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)(LiDAR)及D類音頻放大器等,GaN器件在速度,損耗,效率等性能上比硅材料的功率器件優(yōu)越很多。 通過增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù),不僅可以提高電源效率,還可以實(shí)現(xiàn)提升生活的全新應(yīng)用,如無線充電、汽車自動(dòng)駕駛、高速移動(dòng)通信、低成本衛(wèi)星以及醫(yī)療護(hù)理應(yīng)用等。 關(guān)于此次合作,世強(qiáng)市場(chǎng)總監(jiān)表示,“EPC利用氮化鎵技術(shù)不斷改革、持續(xù)前進(jìn)的企業(yè)精神與世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商一直以來,致力于將全球最新的技術(shù)帶入中國(guó),并與推動(dòng)中國(guó)企業(yè)科技創(chuàng)新的理念一致。中國(guó)第一支光學(xué)鼠標(biāo),第一支光纖通信設(shè)備,都是我們第一個(gè)帶給中國(guó)企業(yè)的。而GaN技術(shù),正在改變我們的生活方式,可以使我們各種電源的效率提升,體積縮小、做到高功率密度,同時(shí)也能在航空航天,醫(yī)療健康,汽車無人駕駛等領(lǐng)域帶來新的技術(shù)和應(yīng)用。所以,我們也希望通過與EPC的合作,雙方可以合力布局國(guó)內(nèi)GaN功率器件市場(chǎng),為中國(guó)企業(yè)科技創(chuàng)新,做出更多的貢獻(xiàn)。” 世強(qiáng)作為全球先進(jìn)的元件分銷商,目前已經(jīng)代理了如SILICON LABS、RENESAS、ROGERS、MELEXIS、EPSON等四十余家歐、美、日著名半導(dǎo)體企業(yè)的產(chǎn)品,特別是2016年1月,上線了線上服務(wù)平臺(tái)——世強(qiáng)元件電商,更是利用互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)一步為中國(guó)數(shù)萬企業(yè)提供技術(shù)支持、元件供應(yīng)等創(chuàng)新服務(wù),獲得了業(yè)界一致好評(píng)。 未來兩家企業(yè)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,必將為廣大中國(guó)企業(yè),提供更多優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與創(chuàng)新服務(wù),以滿足企業(yè)多元化的需求。
在歷史上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降,這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,與16/14奈米FinFET將催生更小的電晶體,不過每個(gè)邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMGCMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點(diǎn),難以維持高參數(shù)良率(parametricyields)以及低缺陷密度(defectdensity)。 20奈米節(jié)點(diǎn)在達(dá)到低漏電方面有困難,是因?yàn)樵趽诫s均勻度(dopinguniformity)、線邊緣粗糙度(lineedgeroughness)以及其他物理性參數(shù)的控制上遭遇挑戰(zhàn),那些參數(shù)對(duì)制程中的細(xì)微變化都十分敏感。此外20奈米節(jié)點(diǎn)對(duì)雙重圖形(doublepatterning)的需求,也帶來了比28奈米更高的每片晶圓成本。 16/14奈米FinFET制程節(jié)點(diǎn)與20奈米節(jié)點(diǎn)采用相同的導(dǎo)線結(jié)構(gòu),因此晶片面積只比20奈米節(jié)點(diǎn)小了8~10%;該制程節(jié)點(diǎn)也面臨與應(yīng)力控制、疊對(duì)(overlay),以及其他與3D結(jié)構(gòu)的階梯覆蓋率(stepcoverage)、制程均勻度相關(guān)的因素。 半導(dǎo)體各個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的每閘成本估計(jì) 成本問題將會(huì)永久存在,因?yàn)殡S著28奈米塊狀CMOS制程日益成熟,晶圓折舊成本(depreciationcost)將比產(chǎn)量爬升與初始高量產(chǎn)階段下滑60~70%,因此28奈米塊狀HKMGCMOS制程的每閘成本將會(huì)比FinFET低得多,甚至到2017年第四季也是一樣。而20奈米HKMG制程也將在2018或2019年折舊成本下滑時(shí),面臨類似的發(fā)展趨勢(shì)。 塊狀CMOS制程與FinFET制程的每閘成本估計(jì) 資料顯示,F(xiàn)inFET制程能應(yīng)用在高性能或是超高密度設(shè)計(jì),但用在主流半導(dǎo)體元件上卻不符合成本效益;因此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界面臨的問題是,晶圓代工業(yè)者所推動(dòng)的技術(shù)與客戶的需求之間并不協(xié)調(diào)。這種情況沒有結(jié)束的跡象,當(dāng)半導(dǎo)體制程微縮到10奈米與7奈米節(jié)點(diǎn),將會(huì)承受產(chǎn)業(yè)界還未充分準(zhǔn)備好因應(yīng)的額外晶圓制程挑戰(zhàn)。 尋求解決之道 要降低半導(dǎo)體未來制程節(jié)點(diǎn)的電晶體與邏輯閘成本,產(chǎn)業(yè)界有四條主要的解決之道: 1.采用新元件結(jié)構(gòu) 選項(xiàng)之一是全空乏絕緣上覆矽(fullydepletedsilicon-on-insulator,F(xiàn)DSOI),能帶來比塊狀CMOS與FinFET制程低的每閘成本以及漏電。 2.采用18寸晶圓 18寸(450mm)晶圓面臨的主要挑戰(zhàn),是該選擇在哪個(gè)制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)行轉(zhuǎn)換;一個(gè)可能的情況是10奈米與7奈米節(jié)點(diǎn)。不過,18寸晶圓與超紫外光微影不太適合在同一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)啟用,這讓問題變得復(fù)雜化。 一座18寸晶圓廠要在7奈米節(jié)點(diǎn)達(dá)到每月4萬片晶圓的產(chǎn)量,成本將高達(dá)120億到140億美元,而且必須要在短時(shí)間之內(nèi)迅速達(dá)到高產(chǎn)量,否則折舊成本將帶來大幅的虧損。這樣的一座晶圓廠會(huì)需要生產(chǎn)能迅速達(dá)到高產(chǎn)量的晶片產(chǎn)品。要克服這些挑戰(zhàn)需要付出很多努力,但全球只有很小一部分半導(dǎo)體業(yè)者有能力做到;估計(jì)18寸晶圓將在2020年開始量產(chǎn)。 3.強(qiáng)化實(shí)體設(shè)計(jì)與可制造性設(shè)計(jì)技術(shù) 復(fù)雜的16/14奈米FinFET設(shè)計(jì)成本可能高達(dá)4億美元以上,而要改善參數(shù)良率可能還要付出1億或2億美元;這意味著只有非常少數(shù)的應(yīng)用能負(fù)擔(dān)得起,因?yàn)楫a(chǎn)品營(yíng)收必須要是設(shè)計(jì)成本的十倍。此外,那些設(shè)計(jì)需要在12個(gè)月之內(nèi)完成,才能支援如智慧型手機(jī)等市場(chǎng)周期變化快速的終端應(yīng)用。 4.利用嵌入式多核心處理器上的軟體編程能力 可編程架構(gòu)預(yù)期將會(huì)被擴(kuò)大采用,但嵌入式FPGA核心的耗電量與成本都很高,軟體客制化則需要相對(duì)較程的時(shí)間,才能針對(duì)復(fù)雜的任務(wù)進(jìn)行開發(fā)與除錯(cuò)。軟體開發(fā)工具需要強(qiáng)化,但進(jìn)展速度緩慢。
近日,中國(guó)和新加坡科學(xué)家合作,利用二硫化鉬創(chuàng)建出一種新型“神經(jīng)元晶體管”。每個(gè)晶體管能模擬大腦中的單個(gè)神經(jīng)元執(zhí)行計(jì)算任務(wù),可成為構(gòu)建各種類神經(jīng)硬件的基本組件。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期《納米技術(shù)》雜志上。 只有具備能像神經(jīng)元一樣執(zhí)行加權(quán)和閾值運(yùn)算等功能的晶體管,才能被稱為“神經(jīng)元晶體管”。加權(quán)和閾值運(yùn)算是指,單個(gè)神經(jīng)元能接收到其他許多神經(jīng)元發(fā)來的信號(hào)并將這些信號(hào)進(jìn)行加權(quán)計(jì)算,再將獲得的加權(quán)總值與閾值進(jìn)行比較,決定是否激活某種神經(jīng)反應(yīng)。人腦擁有數(shù)百億個(gè)神經(jīng)元細(xì)胞,這些神經(jīng)元每秒要進(jìn)行很多次加權(quán)運(yùn)算和閾值比較,對(duì)人類的意識(shí)和行為進(jìn)行調(diào)控。 新研究中,成都電子科技大學(xué)和新加坡南洋理工大學(xué)的科學(xué)家們,從一類被稱為“過渡金屬硫化物”的新型二維半導(dǎo)體材料中,挑選出二硫化鉬取代傳統(tǒng)晶體管中的硅基,研制出了能模擬單個(gè)神經(jīng)元功能的晶體管。 研究小組對(duì)神經(jīng)元晶體管的類神經(jīng)功能進(jìn)行了驗(yàn)證,結(jié)果表明,神經(jīng)元晶體管能在兩個(gè)邏輯門的同步調(diào)控下,執(zhí)行加權(quán)運(yùn)算功能,并完成了一個(gè)類似于用算盤進(jìn)行的計(jì)算任務(wù),且在運(yùn)算速度上具有明顯優(yōu)勢(shì)。 研究還發(fā)現(xiàn),其他研究人員之前創(chuàng)建的神經(jīng)元晶體管,通常只能以不到0.05赫茲的頻率執(zhí)行運(yùn)算,這個(gè)頻率遠(yuǎn)低于人腦神經(jīng)元激活神經(jīng)反應(yīng)所需的5赫茲這一平均值,而這次獲得的二硫化鉬神經(jīng)元晶體管,能在0.01赫茲到15赫茲的大頻率范圍內(nèi)工作,因此在開發(fā)類神經(jīng)硬件方面具有無可比擬的優(yōu)勢(shì)。 研究團(tuán)隊(duì)希望,接下來向神經(jīng)元晶體管加入更多邏輯門,創(chuàng)建出更實(shí)用的具有生物學(xué)功能的神經(jīng)元模型,進(jìn)而將這些神經(jīng)元晶體管集成到模擬神經(jīng)突觸的憶阻器中,構(gòu)建出模擬大腦功能的人工神經(jīng)系統(tǒng)。
近日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、先進(jìn)汽車芯片頂級(jí)供應(yīng)商意法半導(dǎo)體,發(fā)布了新的汽車信息娛樂處理技術(shù),讓有助于提升普通汽車高檔感的純數(shù)字式儀表盤(俗稱液晶儀表盤)走進(jìn)中低端車型。 意法半導(dǎo)體新推出的Accordo5汽車處理器產(chǎn)品家族可以讓一個(gè)低功耗、小尺寸的處理器平臺(tái)滿足經(jīng)濟(jì)型汽車顯示屏的主要性能要求。新產(chǎn)品單片集成完整的圖形控制和音視頻處理功能,有助于汽車系統(tǒng)廠商節(jié)省研發(fā)成本,簡(jiǎn)化組裝工序,降低全數(shù)字儀表盤和影像導(dǎo)航主機(jī)的成本。Accordo5汽車處理器可實(shí)現(xiàn)駕駛者十分看重的實(shí)用功能,例如智能手機(jī)投屏可以讓駕駛者在車載顯示屏幕上安全查看或使用手機(jī)上的內(nèi)容,例如音樂和導(dǎo)航服務(wù)。先進(jìn)的主處理器和高性能圖形及音視頻引擎可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的信息顯示功能,例如,同時(shí)顯示用戶界面、倒車影像、導(dǎo)航地圖、視頻預(yù)覽。播放功能支持H.264和DivX®等主要視頻編碼格式,以及涉及圖形混合覆蓋等圖效處理的2D和3D圖形。新產(chǎn)品提供USB接口和SD存儲(chǔ)卡接口。 安全是用戶看不到的,但對(duì)于今天網(wǎng)絡(luò)化越來越高的汽車至關(guān)重要,Accordo5汽車芯片集成一個(gè)高性能安全微控制器,保護(hù)多媒體主機(jī)與汽車網(wǎng)絡(luò)之間的連接通信安全。這款安全微控制器內(nèi)置啟動(dòng)代碼鑒權(quán)、安全互連和高性能數(shù)據(jù)加密等功能。 意法半導(dǎo)體汽車產(chǎn)品與分立器件事業(yè)部副總裁兼汽車數(shù)字產(chǎn)品部總經(jīng)理FabioMarchio表示:“用圖形界面的數(shù)字儀表盤代替?zhèn)鹘y(tǒng)的機(jī)械開關(guān)旋鈕、按鍵和指示燈,可以讓駕駛者更方便地了解汽車狀況和車輛周圍情況,數(shù)字影像主機(jī)可提升駕駛安全性和便利性。Accordo5汽車處理器通過高成本效益的單片解決方案提供最先進(jìn)的功能,讓汽車企業(yè)能夠?qū)⑦@些好處提供給更多的客戶。” 技術(shù)細(xì)節(jié):Accordo5產(chǎn)品家族是意法半導(dǎo)體取得市場(chǎng)成功的Accrodo產(chǎn)品線的最新一代產(chǎn)品,集成ARM®Cortex®-A7處理器,各項(xiàng)參數(shù)領(lǐng)先于市場(chǎng)上其它品牌的數(shù)字信息娛樂芯片。Cortex-A7架構(gòu)不僅尺寸小,而且性價(jià)比高,運(yùn)算處理性能優(yōu)異,訪存速度快。Accordo5系列為設(shè)計(jì)人員提供多種配置選擇,單核CortexA7支持外部16位高性能DDR3存儲(chǔ)器,以及雙核Cortex-A7支持外部16或者32位高性能DDR3儲(chǔ)存器。 Accordo5雖然主打中檔汽車市場(chǎng),但是500MHz3D圖形處理器內(nèi)核使其圖形處理性能遠(yuǎn)超同級(jí)產(chǎn)品。系統(tǒng)架構(gòu)支持1080p分辨率的2D和3D圖形,常用格式包括OpenVG、OpenGLES-2.0,具有圖形效果功能,例如,靈活的多達(dá)四圖層混合和視頻覆蓋功能。多格式視頻子系統(tǒng)提供圖效后處理功能,例如畫中畫。高性能音頻DSP、六個(gè)立體聲模擬聲道和支持多個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的音頻接口使提Accordo5具有非凡的音頻性能。內(nèi)置顯示控制器支持全高清分辨率的TFT-LCD觸屏。 新產(chǎn)品家族進(jìn)一步強(qiáng)化了安全性,內(nèi)部集成一個(gè)ARMCortex-M微控制器,專門管理數(shù)字儀表盤與汽車主網(wǎng)絡(luò)之間的CAN接口的安全。Accordo5芯片集成三個(gè)CAN端口,其中一個(gè)支持最新的CANFD高速傳輸標(biāo)準(zhǔn),片上硬件密碼加速器支持SHA-2、PK和AES加密算法,一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器用于保存主密鑰,防止數(shù)據(jù)被惡意篡改。這款微控制器的待機(jī)電流極小,整個(gè)芯片的功耗都經(jīng)過精心優(yōu)化,從而最大限度降低對(duì)汽車的電池消耗。 關(guān)于其它的先進(jìn)技術(shù),更高的熱耗散-執(zhí)行性能比有助于簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì),提高運(yùn)行可靠性;靈活的信號(hào)布線可簡(jiǎn)化音頻設(shè)計(jì)。 意法半導(dǎo)體為設(shè)計(jì)人員提供功能全面的軟件和中間件IP,使用這個(gè)平臺(tái)開發(fā)功能豐富的顯示屏和儀表板變得更加簡(jiǎn)單。