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  • 中美學(xué)者聯(lián)手打破限制諧振器設(shè)計(jì)的“時(shí)間帶寬極限”

     中美學(xué)者日前聯(lián)合在著名期刊《科學(xué)》上發(fā)表了一篇論文，打破了限制諧振器設(shè)計(jì)的"時(shí)間帶寬極限"，被國外媒體稱為"解決了一個(gè)百年物理難題"。論文共同作者之一、浙江大學(xué)光電學(xué)院現(xiàn)代光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室鄭曉東研究員告訴記者，本研究將對(duì)新型器件和系統(tǒng)的發(fā)展起到深遠(yuǎn)作用。論文共同第一作者、南昌大學(xué)沈林放教授此前亦曾在浙大現(xiàn)代光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作。 諧振器件與系統(tǒng)在現(xiàn)代社會(huì)的各行各業(yè)得到廣泛應(yīng)用，如激光諧振腔、各種波導(dǎo)等。離開諧振，計(jì)算機(jī)不再計(jì)算、手機(jī)不能刷屏、電視無法顯示圖像、收音機(jī)無法收音、手表無法定時(shí)…… 長期以來，諧振系統(tǒng)的設(shè)計(jì)被認(rèn)為受制于一個(gè)基本極限?？茖W(xué)家在1914年就發(fā)現(xiàn)，諧振腔要么儲(chǔ)能時(shí)間較長，而帶寬窄;要么帶寬較大，但儲(chǔ)能時(shí)間短。帶寬表明數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)量。"時(shí)間帶寬極限"意味著，在諧振腔內(nèi)長時(shí)間存儲(chǔ)大數(shù)據(jù)是不可能的，“長時(shí)間”和“大數(shù)據(jù)”魚和熊掌不可兼得。 這種時(shí)間帶寬極限規(guī)律提出之后的100多年來，從來沒有被挑戰(zhàn)過。物理學(xué)家和工程師一直據(jù)此來設(shè)計(jì)和構(gòu)建光學(xué)、聲學(xué)、電子諧振系統(tǒng)。從前沿的微納/慢光波導(dǎo)、到原子/分子結(jié)構(gòu)中的振動(dòng)關(guān)系、所有類型的諧振腔、晶體振蕩器等等被時(shí)間帶寬極限所限制。 受時(shí)間-帶寬限制的諸多光、電系統(tǒng) 而中美科學(xué)家本次研究打破了這一魔咒。鄭曉東用一個(gè)粗略的比喻解釋了科學(xué)家們的做法。諧振腔就像一間屋子，在門口的人通過蕩秋千進(jìn)入和離開屋子。諧振腔的時(shí)間帶寬極限意味著這樣一種奇怪的規(guī)定：如果大家蕩秋千的速度一樣，那么就以這同一速度蕩進(jìn)去，可以在屋子里待上比較長的一段時(shí)間，再統(tǒng)一蕩出來;如果彼此速度不同，有快有慢，那就只能在屋子里待很短的時(shí)間，一進(jìn)去就得蕩出來。而科學(xué)家們提出的新方法，讓人們并排以正常速度蕩入屋內(nèi);而離開時(shí)就不再并排，而是以可控的速度依次按順序向外回蕩。也就是說，利用控制能量以不同速率進(jìn)入和離開諧振腔的方法，或者說設(shè)計(jì)進(jìn)、出時(shí)間非對(duì)稱的諧振系統(tǒng)，成功打破了一百多年來限制諧振器設(shè)計(jì)的"時(shí)間帶寬極限"。系統(tǒng)非對(duì)稱的程度越高，超越"極限"的程度也越高。 接下來的問題是，如何能使進(jìn)入和離開諧振系統(tǒng)的能量具有可以自由調(diào)節(jié)的速率，這是實(shí)現(xiàn)非對(duì)稱系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。論文中所使用的獨(dú)家秘笈就是南昌大學(xué)和浙江大學(xué)合作研究的磁光材料混合諧振腔/波導(dǎo)系統(tǒng)利用這種系統(tǒng)，就可以游刃有余地自由控制反向傳播電磁波的能量傳播速率，在太赫茲波段，傳統(tǒng)的時(shí)間—帶寬限制已經(jīng)可以提高上千倍。從理論上說，這種不對(duì)稱系統(tǒng)中根本沒有上限，帶寬不再受制于能量的存儲(chǔ)時(shí)間。 鄭曉東認(rèn)為，諧振系統(tǒng)時(shí)間帶寬極限的突破，將會(huì)在物理和工程的眾多領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，潛在應(yīng)用前景十分廣泛，包括通信、光探測、能量采集和信息存儲(chǔ)等。例如，人們有可能實(shí)現(xiàn)真正的超連續(xù)譜直流激光，人類可以將很多現(xiàn)在的光源變成方向性的光源，甚至改變現(xiàn)在太陽能的儲(chǔ)能模式等等。可以預(yù)料，在不遠(yuǎn)的將來，據(jù)此原理的大量新型器件和系統(tǒng)將應(yīng)運(yùn)而生。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 諧振設(shè)計(jì) 新器件開發(fā)

  • 我國石墨烯太赫茲外差混頻探測器研究獲進(jìn)展

     近日，從中國科學(xué)院獲悉，中國電子科技集團(tuán)有限公司第十三研究所專用集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、中國科學(xué)院納米器件與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室再次合作，在高靈敏度石墨烯場效應(yīng)晶體管太赫茲自混頻探測器的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了外差混頻和分諧波混頻探測，最高探測頻率達(dá)到650GHz，利用自混頻探測的響應(yīng)度對(duì)外差混頻和分諧波混頻的效率進(jìn)行了校準(zhǔn)，該結(jié)果近期發(fā)表在碳材料雜志Carbon上。 頻率介于紅外和毫米波之間的太赫茲波在成像、雷達(dá)和通信等技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，太赫茲波與物質(zhì)的相互作用研究具有重要的科學(xué)意義。高靈敏度太赫茲波探測器是發(fā)展太赫茲應(yīng)用技術(shù)的核心器件，是開展太赫茲科學(xué)研究的重要手段與主要內(nèi)容之一。太赫茲波探測可分為直接探測和外差探測兩種方式：直接探測僅獲得太赫茲波的強(qiáng)度或功率信息;而外差探測可同時(shí)獲得太赫茲波的幅度、相位和頻率信息，是太赫茲雷達(dá)、通信和波譜成像應(yīng)用必需的核心器件。外差探測器通過被測太赫茲信號(hào)與低噪聲本地相干太赫茲信號(hào)的混頻，將被測信號(hào)下轉(zhuǎn)換為微波射頻波段的中頻信號(hào)后進(jìn)行檢測。與直接探測相比，外差探測通常具備更高的響應(yīng)速度和靈敏度，但是探測器結(jié)構(gòu)與電路更加復(fù)雜，對(duì)混頻的機(jī)制、效率和材料提出了更高的要求。 天線耦合的場效應(yīng)晶體管支持在頻率遠(yuǎn)高于其截止頻率的太赫茲波段進(jìn)行自混頻探測和外差混頻探測。前者是直接探測的一種有效方法，可形成規(guī)?；年嚵刑綔y器，也是實(shí)現(xiàn)基于場效應(yīng)晶體管的外差混頻探測的基礎(chǔ)。目前，國際上基于CMOS晶體管實(shí)現(xiàn)了本振頻率為213GHz的2次(426GHz)和3次(639GHz)分諧波混頻探測，但其高阻特性限制了工作頻率和中頻帶寬的提升。 石墨烯場效應(yīng)晶體管因其高電子遷移率、高可調(diào)諧的費(fèi)米能、雙極型載流子及其非線性輸運(yùn)等特性為實(shí)現(xiàn)高靈敏度的太赫茲波自混頻和外差混頻探測提供了新途徑。前期，雙方重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室秦華團(tuán)隊(duì)和馮志紅團(tuán)隊(duì)合作成功獲得了室溫工作的低阻抗高靈敏度石墨烯太赫茲探測器，其工作頻率(340GHz)和靈敏度(～50pW/Hz1/2)達(dá)到了同類探測器中的最高水平。此次合作進(jìn)一步使工作頻率提高至650GHz，并實(shí)現(xiàn)了外差混頻探測。 如圖1所示，工作在650GHz的G-FET太赫茲探測器通過集成超半球硅透鏡，首先通過216、432和650GHz的自混頻探測，驗(yàn)證了探測器響應(yīng)特性與設(shè)計(jì)預(yù)期一致，并對(duì)自混頻探測的響應(yīng)度和太赫茲波功率進(jìn)行了測試定標(biāo)。在此基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了本振為216GHz和648GHz的外差混頻探測，實(shí)現(xiàn)了本振為216GHz的2次分諧波(432GHz)和3次分諧波(648GHz)混頻探測?；祛l損耗分別在38.4dB和57.9dB，對(duì)應(yīng)的噪聲等效功率分別為13fW/Hz和2pW/Hz。2次分諧波混頻損耗比216GHz外差混頻損耗高約8dB。 此次獲得混頻頻率已遠(yuǎn)高于國際上已報(bào)道的石墨烯外差探測的最高工作頻率(～200GHz)，但中頻信號(hào)帶寬小于2GHz，低于國際上報(bào)道最高中頻帶寬(15GHz)?？傮w上，目前G-FET外差混頻探測器性能尚不及肖特基二極管混頻器。但是，無論在材料質(zhì)量還是在器件設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)上，都有很大的優(yōu)化提升空間。根據(jù)Andersson等人預(yù)測，G-FET的混頻轉(zhuǎn)換效率可降低至23.5dB，如何達(dá)到并超越肖特基二極管混頻探測器的性能指標(biāo)是未來需要重點(diǎn)攻關(guān)的關(guān)鍵問題。

    半導(dǎo)體 新材料研究 半導(dǎo)體

  • 科學(xué)家在一塊芯片上成功整合光與電

     “人們相信，最好的計(jì)算機(jī)是用電信號(hào)來處理而用光信號(hào)來傳輸。”美國東北大學(xué)物理學(xué)副教授斯瓦迪克·卡爾說。為此人們迫切需要一種芯片整合設(shè)備，既能用光輸入，也能用電輸入來進(jìn)行邏輯操作。 美國東北大學(xué)和韓國慶熙大學(xué)科學(xué)家共同發(fā)表在最新一期《自然·光子學(xué)》雜志上的論文顯示，他們首次在一塊電子芯片上整合了電子和光的性質(zhì)，并開發(fā)出一系列基于這種芯片的創(chuàng)新型設(shè)備，為制造混合光電邏輯元件提供了一種可升級(jí)平臺(tái)，也代表了未來光電計(jì)算機(jī)制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵性突破。 去年，卡爾和本校機(jī)械與工業(yè)工程系副教授容俊中(音譯)合作發(fā)現(xiàn)，如果把碳納米管和硅連接，其界面上產(chǎn)生光感應(yīng)電流的速度比傳統(tǒng)光電二極管中的硅—金屬界面更快。“這種能讓電流‘突然激增’的性質(zhì)有助于我們?cè)O(shè)計(jì)出用光開關(guān)的先進(jìn)設(shè)備。”卡爾說。 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)2月25日?qǐng)?bào)道，他們利用這一發(fā)現(xiàn)，開發(fā)出一種新的基于光電二極管的邏輯設(shè)備，用碳納米管和硅的混合連接，就可以用光和電兩種輸入來操控輸出電流。他們還與韓國慶熙大學(xué)教授權(quán)永昆(音譯)合作，運(yùn)行了這些連接的計(jì)算模型。 這些新開發(fā)的創(chuàng)新型設(shè)備包括三種新元件和一個(gè)升級(jí)設(shè)備。第一種是“與門”(AND-gate)，需要同時(shí)有電子和光輸入而產(chǎn)生一個(gè)輸出，這種開關(guān)要兩因素同時(shí)具備才會(huì)觸發(fā);第二種是“或門”(OR-gate)，只要兩個(gè)感光器其中之一輸入，就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)輸出;第三種是一個(gè)4-比特光電數(shù)字—模擬轉(zhuǎn)換器，可用于把數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，比如把MP3文件的數(shù)字內(nèi)容轉(zhuǎn)換成真實(shí)音樂，這種能力非常重要。 升級(jí)設(shè)備是把25萬個(gè)微芯片集成在一個(gè)約1厘米見方的晶片上，就像一個(gè)攝像機(jī)傳感器的前端。雖然這種設(shè)備要充分發(fā)揮功能還要更多微芯片，但目前可用來測試他們的匯編程序是否可重復(fù)。 研究人員指出，計(jì)算機(jī)即使要輸出最簡單的結(jié)果，每秒鐘也得處理數(shù)十億次計(jì)算步驟。如果每一步都能快一點(diǎn)點(diǎn)會(huì)怎樣?卡爾說，要提高它們處理這些步驟的能力，就要從只提高一步開始，這就是我們所做的。

    半導(dǎo)體 模擬轉(zhuǎn)換 半導(dǎo)體

  • 北大半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)量子比特器件研究取得重要進(jìn)展

     在不遠(yuǎn)的將來，摩爾定律所預(yù)示的微電子器件的尺寸將微縮到一系列物理極限，這一技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)科研人員利用納米技術(shù)尋求一個(gè)完全基于量子效應(yīng)的信息處理方案。經(jīng)過近二十年的發(fā)展，半導(dǎo)體量子點(diǎn)自旋比特固態(tài)器件以其可調(diào)控性和可擴(kuò)展性成為最具應(yīng)用潛力的固態(tài)量子計(jì)算方案之一，目前已成為以凝聚態(tài)物理為背景，融合了凝聚態(tài)理論、量子物理、納米加工技術(shù)、納米電子學(xué)、低溫技術(shù)、半導(dǎo)體器件工藝等多個(gè)研究方向的前沿交*研究領(lǐng)域。 近日，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、固態(tài)量子器件北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“千人計(jì)劃”教授徐洪起課題組，與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室趙建華研究員課題組合作，首次采用砷化銦(InAs)納米線制備出具有高可調(diào)性的半導(dǎo)體耦合三量子點(diǎn)量子器件，并對(duì)器件的電子穩(wěn)態(tài)構(gòu)型、相干輸運(yùn)和電子在遠(yuǎn)距離量子點(diǎn)之間通過虛態(tài)輔助隧穿進(jìn)行長程交換的物理過程進(jìn)行了精細(xì)測量。該研究展示了基于半導(dǎo)體納米線的線性三量子點(diǎn)體系可被用為通用量子器件平臺(tái)，以及構(gòu)筑具有長相干時(shí)間、全電學(xué)調(diào)控的自旋量子比特器件和量子計(jì)算芯片的潛力。 半導(dǎo)體InAs材料具有較高的電子遷移率、較小的電子有效質(zhì)量、較大的朗德因子和較強(qiáng)的自旋-軌道耦合。在本研究中，聯(lián)合課題組采用先進(jìn)局域底指柵陣列技術(shù)，在單根單晶純相InAs納米線上構(gòu)造出串聯(lián)耦合的三量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中限制量子點(diǎn)的局域勢壘、量子點(diǎn)中的電化學(xué)勢、量子點(diǎn)之間的隧穿耦合強(qiáng)度均可被獨(dú)立調(diào)控;量子點(diǎn)輸運(yùn)性質(zhì)的測量和調(diào)控是在超低溫稀釋制冷機(jī)環(huán)境下完成的。該工作是首次在半導(dǎo)體InAs納米線三量子點(diǎn)器件中，以精細(xì)柵調(diào)控技術(shù)實(shí)現(xiàn)以能量簡并四重點(diǎn)為標(biāo)志的三量子點(diǎn)相干共振耦合。研究還通過電子相干輸運(yùn)測量證實(shí)，在中間的量子點(diǎn)處于庫侖阻塞狀態(tài)時(shí)，被中間量子點(diǎn)隔開的兩端量子點(diǎn)之間依然可通過共隧穿實(shí)現(xiàn)相干強(qiáng)耦合，其單電子能夠在遠(yuǎn)端兩個(gè)量子點(diǎn)之間進(jìn)行長程相干交換，從而展現(xiàn)超交換相互作用的物理過程。

    半導(dǎo)體 器件研究 半導(dǎo)體

  • LED芯片邁入深水區(qū)洗牌，新一波產(chǎn)能釋放將敲定格局

     LED芯片端的集中度已經(jīng)邁入深水區(qū)，行業(yè)格局大勢已經(jīng)基本形成。以三安、華燦等為首的芯片端領(lǐng)頭羊梯隊(duì)格局已定，而剩下的其他芯片端企業(yè)在下一波產(chǎn)能釋放時(shí)，將面臨怎樣的生存現(xiàn)狀呢? 為深入了解當(dāng)前芯片端的市場格局現(xiàn)狀下的LED芯片的未來市場發(fā)展和技術(shù)策略，TrendForce旗下研究品牌LEDinside于光亞展期間采訪了華燦光電股份有限公司營銷總監(jiān)施松剛先生。 行業(yè)集中度上升導(dǎo)致進(jìn)入門檻變高，小規(guī)模將死在這波產(chǎn)能釋放里 隨著行業(yè)發(fā)展的日趨成熟，市場份額越來越向具有技術(shù)及規(guī)模優(yōu)勢的企業(yè)加快集中。國內(nèi)芯片的格局基本形成，產(chǎn)業(yè)也進(jìn)入資本驅(qū)動(dòng)成長階段。 作為沒有上市的中小型LED芯片企業(yè)，在沒有資本驅(qū)動(dòng)下，連參與規(guī)模戰(zhàn)的機(jī)會(huì)都沒有，尤其是芯片這種重資產(chǎn)投入的環(huán)節(jié)。施松剛也表示，“行業(yè)發(fā)展到現(xiàn)在階段，芯片端的競爭已經(jīng)是規(guī)模戰(zhàn)，這樣不僅抬高了新進(jìn)入者的門檻，同時(shí)也在成本上逼迫了中小型芯片企業(yè)退出”。 據(jù)集邦咨詢LED研究中心(LEDinside)市場數(shù)據(jù)顯示，到2017年年底，華燦等LED芯片擴(kuò)產(chǎn)的產(chǎn)能將大幅釋放，屆時(shí)中小型的LED芯片企業(yè)將直接進(jìn)入寒冬。雖然此次光亞展參觀的人數(shù)很多，市場甚至傳出回暖訊息，但是對(duì)于擁有幾十臺(tái)舊的MOCVD小企業(yè)來說，未來會(huì)一直是寒冬，而且很有可能會(huì)死在這波寒冬里。 細(xì)分市場機(jī)遇，芯片端留給新進(jìn)者的空間不大 當(dāng)傳統(tǒng)LED照明顯示背光市場進(jìn)入穩(wěn)定期，產(chǎn)業(yè)都在尋找利基市場。一時(shí)間，對(duì)于生存在被逼到邊緣地帶的LED企業(yè)，都企圖希望尋找到細(xì)分市場來謀取新機(jī)，但是事情卻并不是那么容易。 近年來，迫于大陸芯片封裝規(guī)模價(jià)格戰(zhàn)的強(qiáng)勢策略，臺(tái)系LED廠紛紛加速轉(zhuǎn)型，繼華上棄守藍(lán)光之后，佰鴻透過轉(zhuǎn)投資高輝光電生產(chǎn)藍(lán)光LED晶片，于2016年底停產(chǎn)所有氮化鎵生產(chǎn)線，轉(zhuǎn)進(jìn)IRLED、四元LED。而且隨著今年LED照明滲透率持續(xù)創(chuàng)新高，臺(tái)灣地區(qū)有意愿繼續(xù)投產(chǎn)藍(lán)光LED的廠商已經(jīng)愈來愈少，大陸不僅如此，而且領(lǐng)頭企業(yè)還在紛紛擴(kuò)產(chǎn)。 據(jù)施松剛表示，目前芯片端規(guī)模越來越大導(dǎo)致門檻變相提高，而且很難有一個(gè)新的細(xì)分市場，讓沒有規(guī)模的企業(yè)很好的生存。其主要原因表現(xiàn)為三個(gè)方面：首先、細(xì)分市場本身對(duì)技術(shù)的要求就高于現(xiàn)有的傳統(tǒng)LED的成熟應(yīng)用，如果你沒有規(guī)模也很難進(jìn)去。其次、現(xiàn)在市場比較透明，如果既沒有規(guī)模成本優(yōu)勢，也沒有技術(shù)優(yōu)勢，那么新的細(xì)分市場，隨著封裝廠行業(yè)的整合，新的細(xì)分市場進(jìn)入的企業(yè)也不多，留下來的空間也不多，越來越難。再次，新技術(shù)或者說更前沿的東西還跟相關(guān)配套設(shè)備有關(guān)，而早期的設(shè)備必然漸漸被淘汰，因?yàn)闆]法適應(yīng)現(xiàn)在的技術(shù)，新設(shè)備的投入又太大，到時(shí)很多中小企業(yè)被迫讓出市場。 新技術(shù)研發(fā)方面，華燦光電去年起開始加大投入，其中紅外LED預(yù)計(jì)今年底有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，與著名廠商合作研發(fā)MicroLED項(xiàng)目也取得初步成果。深紫外，植物照明等市場研發(fā)均在積極部署中。 加碼布局倒裝、CSP，芯片端技術(shù)未來走向漸清晰 今年光亞展倒裝、CSP已經(jīng)幾乎覆蓋所有封裝廠，倒裝、CSP在LED行業(yè)已行之多年，過去國內(nèi)廠商CSP一直處在樣品和小規(guī)模階段，但是進(jìn)入今年顯然已經(jīng)成為各大芯片、封裝企業(yè)的參展產(chǎn)品重點(diǎn)。 但作為倒裝芯片延伸出來做減法的新技術(shù)CSP，成本卻很高，施松剛表示，“現(xiàn)在成本高的原因還是局限在細(xì)分市場，但這也是一個(gè)必經(jīng)之路，因?yàn)樾录夹g(shù)都是從新的細(xì)分市場開始滲透。但是從長遠(yuǎn)來看，一旦CSP、倒裝芯片從成本、規(guī)模足夠成熟起來，那么它的份額會(huì)越來越大”。 施松剛還表示，就當(dāng)前CSP產(chǎn)品市場發(fā)展來說，肯定不是成本原因上的替換。雖然從芯片端來看，確實(shí)是高。那是因?yàn)榈寡b本身的工藝復(fù)雜、產(chǎn)品又沒有形成規(guī)模效應(yīng)。但是目前企針對(duì)倒裝產(chǎn)品更多是采取成本之外的附加值來進(jìn)入高階的細(xì)分市場。 關(guān)于華燦CSP、倒裝的策略，施松剛表示，華燦今年參展產(chǎn)品是以倒裝為重點(diǎn)方向，無論是產(chǎn)品系列，產(chǎn)品規(guī)模還是針對(duì)細(xì)分市場其策略都更加清晰更加明確。目前華燦倒裝CSP產(chǎn)品主要是針對(duì)車載市場、背光市場和閃光燈市場，而且公司倒裝產(chǎn)品增長幅度相較去年增長了300-500%，并且Q3還會(huì)繼續(xù)加快擴(kuò)充。

    半導(dǎo)體 led芯片 半導(dǎo)體

  • Spectrum儀器引領(lǐng)行業(yè)浪潮，旗下全線產(chǎn)品質(zhì)保五年

    全球領(lǐng)先的PC測試測量設(shè)備設(shè)計(jì)制造商Spectrum儀器公司今日正式宣布，其旗下全線產(chǎn)品保修期由兩年延長至五年，引領(lǐng)行業(yè)浪潮。   Spectrum儀器首席執(zhí)行官吉塞拉.哈斯勒(Gisela Hassler)表示：“將產(chǎn)品質(zhì)保期由兩年延長至五年能夠充分體現(xiàn)Spectrum儀器全系列產(chǎn)品的高水準(zhǔn)以及公司在行業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)地位?；趯?duì)用戶在過去十幾年間的維修記錄及反饋，我們非常有信心的為其提供高質(zhì)量且性能卓越的產(chǎn)品。今年我們維修的最老的一臺(tái)機(jī)器是由Spectrum儀器在十四年前制造的，至今仍能滿足客戶的各項(xiàng)需求。對(duì)于一些在工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)領(lǐng)域的高端設(shè)備制造商，產(chǎn)品的使用年限對(duì)其尤為重要。此外，Spectrum儀器也在一些長期的研究項(xiàng)目中扮演了至關(guān)重要的角色。因此，自2017年7月1日起我很榮幸的向所有的用戶及合作伙伴宣布，Spectrum儀器全線產(chǎn)品保修期為五年。”   Spectrum 儀器首席執(zhí)行官吉塞拉.哈斯勒(Gisela Hassler) 此次宣布的五年質(zhì)保服務(wù)是Spectrum儀器戰(zhàn)略拓展的重要部署之一。與此同時(shí)，為了進(jìn)軍全球市場，公司還于同日宣布由Spectrum Systementwicklung微電子公司正式更名為Spectrum儀器，并與官網(wǎng)網(wǎng)址對(duì)應(yīng)。 吉塞拉.哈斯勒補(bǔ)充到：“如果沒有一個(gè)全球性的品牌認(rèn)知，將會(huì)阻礙我們營銷策略的發(fā)展。 Spectrum Systementwicklung 微電子公司在過去的25年間已經(jīng)成為德語系國家中家喻戶曉且值得信賴的品牌，然而在其它國家我們的公司名稱卻很少有人能讀出來。因此，我們也常常被用戶簡稱為Spectrum，而無法建立一個(gè)有效的品牌概念。這一點(diǎn)在美國顯現(xiàn)尤為明顯。因此在2015年我們注冊(cè)美國子公司時(shí)選擇了Spectrum儀器公司這個(gè)名字。事實(shí)證明，這個(gè)新名字很受歡迎。Spectrum 儀器簡單、易讀而且非常國際化，同時(shí)也直接映射出了公司的服務(wù)范疇。強(qiáng)大的品牌理念使我們?cè)趪H上獲得了更多的合作伙伴以及分銷商。” “現(xiàn)在公司已經(jīng)擁有明確的全球品牌標(biāo)識(shí)，這也將從根本上強(qiáng)化我們自身的優(yōu)勢所在。Spectrum儀器在產(chǎn)品的模塊化設(shè)計(jì)方面一直處于行業(yè)領(lǐng)先地位。“通過主板與各種子板的銜接和配合，我們可以拼裝出完全符合用戶要求的解決方案，并滿足其所有對(duì)規(guī)格方面的要求。一般公司通常只有十幾種標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，很多問題只好折中去解決。但我們的方案意味著用戶將擁有超過500種產(chǎn)品，每次都能提供最完美的解決方案”。”吉塞拉.哈斯勒解釋說。 通過近期的一系列舉措，公司未來業(yè)務(wù)量將繼續(xù)成兩位數(shù)增長。其增長一部分來源于公司最近在亞洲增加的一系列銷售活動(dòng)，目前在銷售總體量中保持均衡。“為國際公司制造商品時(shí)，質(zhì)量至關(guān)重要，” 吉塞拉.哈斯勒補(bǔ)充說：“為此，設(shè)備必須經(jīng)過嚴(yán)格的測試。這也是為什么眾多客戶選擇Spectrums儀器測試測量設(shè)備的原因。從數(shù)據(jù)采集到信號(hào)發(fā)生器，用戶能夠以最具成本效益的方式找到最合適他們的產(chǎn)品。”

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  • 產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速

    “到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。 據(jù)專家介紹，與第一代、第二代半導(dǎo)體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)上的多年落后、很難追趕國際先進(jìn)水平的形勢不同，我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術(shù)水平和國際先進(jìn)水平差距不大。當(dāng)前，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進(jìn)而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢的階段，并且有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)超越。 因其有較好的應(yīng)用前景和未來市場潛力巨大，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也被我國決策層納入戰(zhàn)略發(fā)展的重要產(chǎn)業(yè)。例如，從2004年開始，我國政府就第三代半導(dǎo)體材料研究與開發(fā)進(jìn)行了相應(yīng)的部署，并啟動(dòng)了一系列的重大研究項(xiàng)目。2013年，科技部在863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項(xiàng)目征集指南中也特別指出了要將第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用列入重要內(nèi)容。 技術(shù)水平并駕齊驅(qū) 據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、搞電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，因此也被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。 記者在采訪中獲悉，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為代表，以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料和以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料。相較前兩代產(chǎn)品，第三代半導(dǎo)體其性能優(yōu)勢非常顯著且受到業(yè)內(nèi)的廣泛好評(píng)。 對(duì)于第三代半導(dǎo)體發(fā)展，科技部高新司副司長曹國英曾表示，第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有十分積極的作用，科技部高新司也將會(huì)持續(xù)支持第三代半導(dǎo)體的建設(shè)及基地的發(fā)展。 一些地方也將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作為主要項(xiàng)目予以特別關(guān)注。例如，北京市科委主任閆傲霜就曾表示，建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，既是國家級(jí)的重要戰(zhàn)略部署，也是北京作為全球科技創(chuàng)新中心的一項(xiàng)重要的決策。 有專家舉例說，氮化鎵技術(shù)正助力5G移動(dòng)通信在全球加速奔跑，5G移動(dòng)通信將從人與人通信拓展到萬物互聯(lián)，預(yù)計(jì)2025年全球?qū)a(chǎn)生1000億的連接。5G技術(shù)不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時(shí)延，低功耗和高可靠性以支持海量設(shè)備的互聯(lián)。 在專利方面，決策層對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題也較為重視。在2015年，我國不僅成立了第三代半導(dǎo)體專利聯(lián)盟，而且還搭建了第三代半導(dǎo)體只是產(chǎn)權(quán)創(chuàng)新服務(wù)平臺(tái)。同年5月份，京津冀就聯(lián)合共建了第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，搶占第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略新高地。 市場份額從5%擴(kuò)大50% 第三代半導(dǎo)體以氮化鎵毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗也成為各地政府爭相推進(jìn)的項(xiàng)目。近幾年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也在各級(jí)政府的支持下得到了快速發(fā)展，市場份額也實(shí)現(xiàn)了快速發(fā)展。 根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布的報(bào)告，預(yù)計(jì)將于2017年—2020年間投產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓廠約為62座，其中26座將設(shè)于中國，占全球總數(shù)42%。這些建于我國的晶圓廠2017年預(yù)計(jì)將有6座上線投產(chǎn)。 中商產(chǎn)業(yè)研究院給記者提供的數(shù)據(jù)顯示，2000年~2015年之間，中國半導(dǎo)體市場增速領(lǐng)跑全球，達(dá)到21.4%，其中全球半導(dǎo)體年均增速是3.6%，美國將近5%，歐洲和日本都較低，亞太較高是13%。 就市場份額而言，目前中國半導(dǎo)體市場份額從5%提升到50%，成為全球的核心市場。2015年全球半導(dǎo)體市場銷售額為3352億美元，同比下降了0.2%。而相對(duì)應(yīng)的是中國半導(dǎo)體市場依舊保持較高景氣度，半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1649億美元，同比增長6.1%，成為全球?yàn)閿?shù)不多的仍能保持增長的區(qū)域市場。 根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布最新出貨報(bào)告顯示，今年5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額為22.7億美元，環(huán)比增長6.4%，同比增長41.9%，創(chuàng)下自2001年3月以來歷史新高。SEMI預(yù)計(jì)，2017年全球設(shè)備出貨量將達(dá)到歷史新高490億美元。 在全球半導(dǎo)體市場火熱帶動(dòng)下，我國與之相關(guān)的半導(dǎo)體企業(yè)其利潤也迎來了“開門紅”。截至6月21日，有13家半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)布了2017年中報(bào)業(yè)績預(yù)告，在13家半導(dǎo)體企業(yè)中，有9家預(yù)增續(xù)盈，增長比例近七成。 記者統(tǒng)計(jì)顯示，康強(qiáng)電子、華天科技、潔美科技預(yù)計(jì)半年報(bào)凈利潤最大增幅超50%。據(jù)康強(qiáng)電子預(yù)計(jì)，上半年凈利潤為2700萬-3500萬元，同比增長53.59%-99.10%。對(duì)于業(yè)績?cè)鲩L的主要原因，公司表示，半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)回暖，預(yù)計(jì)公司制造業(yè)板塊主要產(chǎn)品產(chǎn)銷量及銷售收入較上年同期有較大幅度增長。公司推進(jìn)管理轉(zhuǎn)型升級(jí)，提高運(yùn)營效率和產(chǎn)品質(zhì)量，降本增效。 中商產(chǎn)業(yè)研究院半導(dǎo)體研究員林寶宜在接受《中國產(chǎn)經(jīng)新聞》記者采訪時(shí)說，半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額持續(xù)高速增長，主要驅(qū)動(dòng)力來自于技術(shù)與市場兩方面。技術(shù)方面源于相關(guān)廠商對(duì)3DNAND及高階制程的持續(xù)投入。市場方面來自于近年來晶圓廠的建設(shè)浪潮，這兩方面驅(qū)動(dòng)力未來兩年內(nèi)將持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷提升。 整體實(shí)力仍顯不足 近些年來，我國的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展相較以往可以說取得了不少的進(jìn)步，其技術(shù)也逐步從第一代、第二代邁向了第三代。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在不斷擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿薮蟆? 值得一提的是，第三代半導(dǎo)體材料在應(yīng)用領(lǐng)域涉及到能源、交通、裝備、信息、家用電器等多個(gè)領(lǐng)域。然而，涉及面廣的第三代半導(dǎo)體材料因產(chǎn)業(yè)鏈長、應(yīng)用覆蓋面廣，國內(nèi)絕大多數(shù)的企業(yè)在獨(dú)立完成全產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新方面仍不足。造成的結(jié)果就是，雖然我國第三代半導(dǎo)體在技術(shù)研發(fā)方面與發(fā)達(dá)國家相比差距較小，但仍然面臨不少技術(shù)難關(guān)。 而事實(shí)上，這一困境也成為不少企業(yè)在發(fā)展過程中所面臨的一大挑戰(zhàn)。“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展十分火熱，但是從整體實(shí)力來看仍然存在不足”。林寶宜說，在IP核市場，中國依舊嚴(yán)重依賴外部供給，85%以上為國外供應(yīng)商提供。 有數(shù)據(jù)顯示，2015年中國集成電路進(jìn)口金額2307億美元，其進(jìn)口額超過原油，成為我國第一大進(jìn)口商品，出口集成電路金額693億美元，進(jìn)出口逆差1613億美元。較大的逆差凸顯半導(dǎo)體市場供需不匹配，嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面亟待改善。 華南智慧創(chuàng)新研究院院長曾海偉認(rèn)為，國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求已占到全球市場需求的30%，但產(chǎn)能只有10%，處于產(chǎn)業(yè)鏈的底部，更是缺乏大型的、有核心技術(shù)及話語權(quán)的龍頭公司。 曾海偉在接受《中國產(chǎn)經(jīng)新聞》記者采訪時(shí)表示，半導(dǎo)體的發(fā)展不是一朝一夕發(fā)展起來的，我國半導(dǎo)體發(fā)展還面臨著人才、技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)的瓶頸。同時(shí)，創(chuàng)新鏈不通、缺乏體制機(jī)制創(chuàng)新也是阻礙其發(fā)展的原因。 “最大的瓶頸是原材料。”多位業(yè)內(nèi)專家曾表示，我國原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解。目前，我國對(duì)sic晶元的制備尚未空缺，大多數(shù)設(shè)備靠國外進(jìn)口。 也有專家認(rèn)為，國內(nèi)開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進(jìn)展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。國內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所和相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)大都急功近利，難以容忍長期“只投入，不產(chǎn)出”的現(xiàn)狀。因此，以第三代半導(dǎo)體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱。 所謂的原始創(chuàng)新就是從無到有的創(chuàng)新過程，其特點(diǎn)是投入大、周期長。以SiC為例，其具有寬的禁帶寬度、高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，非常適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 資料顯示，SiC生長晶體難度很大，雖然經(jīng)過了數(shù)十年的研究發(fā)展，到目前為止只有美國的Cree公司、德國的SiCrystal公司和日本的新日鐵公司等少數(shù)幾家公司掌握了SiC的生長技術(shù)，能夠生產(chǎn)出較好的產(chǎn)品，但離真正的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用也還有較大的距離。因此，以第三代半導(dǎo)體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱，是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的一大桎梏。 有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從來不是完全由市場決定的，都是以企業(yè)為主，我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還不具有很強(qiáng)競爭力，與中國的大國地位還不匹配，半導(dǎo)體企業(yè)還需要跟歐美、日韓的企業(yè)學(xué)習(xí)，還有很長的路要走。

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  • 首屆電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)論壇落戶大亞灣，協(xié)同推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展

    7月1日，《深化粵港澳合作 推進(jìn)大灣區(qū)建設(shè)框架協(xié)議》在香港簽署，粵港澳大灣區(qū)成為全球矚目的熱點(diǎn)。而在此前一天，首屆電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)論壇在大亞灣隆重召開，包括北京航空航天大學(xué)副校長劉剛、中國電子電路行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長張瑾、中科院微系統(tǒng)所上海新微集團(tuán)總經(jīng)理秦曦、金百澤董事長武守坤博士、世強(qiáng)先進(jìn)科技總裁肖慶、前海產(chǎn)業(yè)智庫秘書長羅潤華、華正新材董事長劉濤、中科院高能物理研究所謝宇廣博士和賽迪顧問副總裁李珂等在內(nèi)的近200名產(chǎn)業(yè)高層、科研院校、政府機(jī)構(gòu)、媒體記者共聚一堂，從產(chǎn)學(xué)研、供應(yīng)鏈、研發(fā)鏈、技術(shù)/投資孵化、教育創(chuàng)新等多個(gè)角度共同熱議灣區(qū)時(shí)代的電子產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新話題。 集眾智創(chuàng)未來，協(xié)同創(chuàng)新將成灣區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)動(dòng)機(jī) “協(xié)同創(chuàng)新，要打破區(qū)域界限，集眾智才能創(chuàng)未來。”本屆論壇組委會(huì)主席、金百澤董事長武守坤博士向記者介紹，本次論壇由金百澤旗下眾創(chuàng)空間云創(chuàng)工場承辦，論壇主題為“以協(xié)同創(chuàng)新促協(xié)同發(fā)展”，志在打造成粵港澳大灣區(qū)電子創(chuàng)新領(lǐng)域思想碰撞和經(jīng)驗(yàn)分享的年度盛會(huì)。“粵港澳大灣區(qū)的發(fā)展離不開灣區(qū)城市群之間良好的分工和協(xié)作，電子產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新同樣離不開產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的配合，協(xié)同創(chuàng)新將是灣區(qū)經(jīng)濟(jì)的發(fā)動(dòng)機(jī)，而我們的這個(gè)論壇，則希望能夠?yàn)榘l(fā)動(dòng)機(jī)做好潤滑劑。” 論壇組委會(huì)主席、金百澤董事長武守坤 “抓創(chuàng)新就是抓發(fā)展，謀創(chuàng)新就是謀未來。”論壇指導(dǎo)單位中國電子電路行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長張瑾在開幕致辭中也強(qiáng)調(diào)了創(chuàng)新的重要性，并希望能通過這次年度盛會(huì)集中產(chǎn)業(yè)智慧，以協(xié)同創(chuàng)新促進(jìn)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 中科院微系統(tǒng)所上海新微集團(tuán)總經(jīng)理秦曦闡述了國家政策對(duì)科技創(chuàng)新的支持力度以及近年來取得的成果，并介紹了新微集團(tuán)“三位一體”開放創(chuàng)新模式，他認(rèn)為，三位一體形成的創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈和資金鏈聯(lián)動(dòng)的融合發(fā)展體系對(duì)灣區(qū)協(xié)同發(fā)展有一定的參考價(jià)值。 中科院微系統(tǒng)所上海新微集團(tuán)總經(jīng)理秦曦 深圳北航新興產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院執(zhí)行院長王保江則用國學(xué)來講述創(chuàng)新之道，企業(yè)在“守成”與“創(chuàng)新”的過程中，時(shí)時(shí)刻刻需要有“歸零”的心態(tài)和思想認(rèn)識(shí)，從小到大各個(gè)方面不斷地能夠拋棄過去的優(yōu)勢，不斷地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，以謀其長期可持續(xù)發(fā)展。而對(duì)于企業(yè)創(chuàng)新而言，不論是局部創(chuàng)新、還是全局創(chuàng)新，都可映射為“從0-1”，此事的基本規(guī)律概括為兩句話：“走一步試一步;走一步是一步”，這樣的定位才能夠務(wù)實(shí)地指導(dǎo)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，并通過風(fēng)險(xiǎn)管控實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新引領(lǐng)的發(fā)展。 深圳北航新興產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院 執(zhí)行院長 王保江 論壇協(xié)辦單位世強(qiáng)先進(jìn)科技總裁肖慶表示，中國擁有數(shù)百萬的中小企業(yè)，仍然面臨著創(chuàng)新信息難達(dá)到、不權(quán)威，渠道資源分配不均，無法得到更多創(chuàng)新支持服務(wù)，元件選型難，新產(chǎn)品研發(fā)時(shí)樣品良莠不齊、正品難買到，研發(fā)成本高等問題。這一情況下，電子行業(yè)中的元器件原廠、分銷商、小批量制造和服務(wù)供應(yīng)商應(yīng)更加緊密的團(tuán)結(jié)在一起，更好的利用自身平臺(tái)，為智能硬件企業(yè)解決現(xiàn)實(shí)困擾，為他們的創(chuàng)新提供了盡可能多的支持與幫助。 世強(qiáng)先進(jìn)科技總裁肖慶 前海產(chǎn)業(yè)智庫秘書長羅潤華提議建設(shè)“前海-濱海大道-惠深沿海高速-大亞灣”為軸心的科技創(chuàng)新走廊。大亞灣以全面接軌粵港澳大灣區(qū)為契機(jī)，建立示范區(qū)。將大亞灣示范區(qū)打造成為與深圳創(chuàng)新政策接軌區(qū)、高端產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展區(qū)、科創(chuàng)資源重點(diǎn)輻射區(qū)、一體化交通體系樞紐區(qū)、公共服務(wù)融合共享區(qū)。 前海產(chǎn)業(yè)智庫秘書長羅潤華 賽迪顧問副總裁、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)信息交流部主任李珂通過對(duì)當(dāng)前大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、可穿戴設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)信息安全產(chǎn)品等幾大熱點(diǎn)領(lǐng)域進(jìn)行數(shù)據(jù)分析得出，產(chǎn)業(yè)融合正成為發(fā)展趨勢，產(chǎn)業(yè)生態(tài)將予以重構(gòu)，未來在海量接入、數(shù)據(jù)挖掘和產(chǎn)業(yè)重構(gòu)等方面將有廣闊的發(fā)展前景。 賽迪顧問副總裁、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)信息交流部主任李珂 合創(chuàng)資本合伙人劉明宇博士表示，當(dāng)前時(shí)代，醫(yī)療和養(yǎng)老將成為增長最為可觀的行業(yè)，而中國企業(yè)、尤其是粵港澳灣區(qū)企業(yè)具有很大的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作優(yōu)勢，只要找好定位，未來成長可期。 合創(chuàng)資本合伙人劉明宇博士 前IBM采購總監(jiān)、華南理工與華為大學(xué)客座講師陳錦標(biāo)認(rèn)為，隨著IOT、大數(shù)據(jù)、人工智能技術(shù)發(fā)展，供應(yīng)鏈管理和協(xié)同也在經(jīng)歷重大變革，必須創(chuàng)造更智能的供應(yīng)鏈解決方案來應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)、捕捉機(jī)遇，必須以最佳的成本滿足和超越客戶在復(fù)雜和不確定的幻想商業(yè)環(huán)境中提出了更高的要求。 前IBM采購總監(jiān)、華南理工與華為大學(xué)客座講師陳錦標(biāo) 中科院高能物理研究所謝宇廣博士介紹了與金百澤近幾年來的合作科研成果，他認(rèn)為，科學(xué)研究和現(xiàn)代企業(yè)、制造企業(yè)相結(jié)合，有利于充分利用雙方優(yōu)勢資源，高效推動(dòng)科研成果達(dá)到更高水平。 論壇支持單位華正新材董事長劉濤認(rèn)為，如今整個(gè)行業(yè)的生態(tài)在發(fā)生改變，以前的做法和模式也在改變。以后的合作模式應(yīng)該是生態(tài)圈的關(guān)系，是雙向的、互動(dòng)的，而不是單向的。 電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)聯(lián)盟籌備正式啟動(dòng) “在互聯(lián)網(wǎng)+風(fēng)起云涌的大時(shí)代，在智能硬件連接的物聯(lián)網(wǎng)世界，連接即鏈接，鏈接即資源、鏈接即生產(chǎn)力，鏈接即財(cái)富。未來，金百澤將融合設(shè)計(jì)和制造力量，攜手合作伙伴、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，在粵港澳大灣區(qū)和大家一起共建協(xié)同共享的創(chuàng)新平臺(tái)。”本次論壇上，金百澤、華正新材、世強(qiáng)先進(jìn)科技、中電港在現(xiàn)場簽署了共建創(chuàng)新平臺(tái)的戰(zhàn)略合作協(xié)議。武守坤博士介紹，金百澤此前已經(jīng)與富士康、與非網(wǎng)、海爾優(yōu)家等多個(gè)伙伴達(dá)成戰(zhàn)略合作，加上本次簽約的幾家合作伙伴，電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)聯(lián)盟已經(jīng)呼之欲出。 電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)聯(lián)盟(籌)簽約儀式 “本屆電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)論壇為我們搭建了更高層次的創(chuàng)新發(fā)展平臺(tái)，也標(biāo)志著華正新材與金百澤的合作進(jìn)入了新的發(fā)展階段。”華正新材劉濤董事長表示，“后續(xù)我們將在新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝、新材料開發(fā)和共享、測試以及共建共享實(shí)驗(yàn)室等方面展開深度合作。” “各大原廠、電子元件分銷商、小批量制造和服務(wù)供應(yīng)商應(yīng)更加緊密的團(tuán)結(jié)在一起，更好的利用自身平臺(tái)，為智能硬件企業(yè)解決現(xiàn)實(shí)困擾。世強(qiáng)與金百澤達(dá)成全面戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將對(duì)智能硬件企業(yè)的服務(wù)和元件采購，從線下轉(zhuǎn)移為線上線下全面打通，從產(chǎn)品研發(fā)、選材、采購、后續(xù)服務(wù)等多環(huán)節(jié)入手，進(jìn)一步助力中國中小企業(yè)提高研發(fā)能力、降低研發(fā)成本。”世強(qiáng)先進(jìn)科技肖慶總裁認(rèn)為，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的聯(lián)合有利于發(fā)揮各自的資源優(yōu)勢，進(jìn)一步推進(jìn)中國電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，共同打造電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)圈。 中電港副總經(jīng)理張強(qiáng)松介紹，中電港將開放更多資源，與大家在中小批量電子元器件渠道、PCB設(shè)計(jì)/樣板/中小批量、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)服務(wù)、智能硬件設(shè)計(jì)和制造對(duì)接、培訓(xùn)、電商、投資等方面展開緊密合作，互聯(lián)互通，共同搭建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)服務(wù)，提高創(chuàng)客創(chuàng)業(yè)能力。“希望通過更多戰(zhàn)略合作的方式，與伙伴們利用各自在產(chǎn)業(yè)鏈深厚的基礎(chǔ)優(yōu)勢，共同發(fā)力電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展模式。” 論壇永久落戶大亞灣，啟用大亞灣論壇簡稱及LOGO “十年前來這里考察時(shí)我就有了一個(gè)大亞灣夢(mèng)：大亞灣一定能夠迅速發(fā)展，成為中國的舊金山灣區(qū)。今年粵港澳大灣區(qū)的正式推出，使這一夢(mèng)想即將成為現(xiàn)實(shí)，為更快更好地實(shí)現(xiàn)大亞灣夢(mèng)，我們決定今后電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新灣區(qū)論壇將永久落戶大亞灣。”在論壇開幕致歡迎詞環(huán)節(jié)，武守坤博士充滿感情地表示，今后論壇將永久落戶大亞灣，希望更多電子行業(yè)相關(guān)企業(yè)參與和加入，早日將粵港澳大灣區(qū)打造成比肩舊金山灣區(qū)的世界級(jí)城市群。

    半導(dǎo)體 電子產(chǎn)業(yè) 灣區(qū)論壇 大亞灣

  • 恩智浦突破固態(tài)射頻能量極限

     全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW)，比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS，突破了半導(dǎo)體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。 這款晶體管簡單易用，極大方便了微波發(fā)生器設(shè)計(jì)人員。與真空管時(shí)代的技術(shù)(如磁控管)相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行精確的功率控制，并可實(shí)現(xiàn)頻移，有助于精確地使用射頻能量。而且，MRF13750H的性能隨時(shí)間推移下降很小，能夠運(yùn)行數(shù)十年，降低了總擁有成本。MRF13750H的工作電壓為50V，比磁控管更安全。另外，固態(tài)功率放大器尺寸小，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)冗余和靈活性。 恩智浦市場射頻功率工業(yè)技術(shù)高級(jí)總監(jiān)兼總經(jīng)理Pierre Piel表示：“長期以來，半導(dǎo)體器件的可靠性和優(yōu)異的控制特性早已得到認(rèn)同，但是工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員難以組合多個(gè)晶體管來匹配磁控管的功率水平?，F(xiàn)在憑借MRF13750H的優(yōu)異性能，工業(yè)加熱工程師能在非常高功率的系統(tǒng)中使用這種晶體管。” 射頻能量聯(lián)盟執(zhí)行董事Klaus Werner表示：“鑒于固態(tài)射頻能量作為高效可控的熱源和功率源具有諸多優(yōu)勢，射頻能量聯(lián)盟(RFEA)認(rèn)為該技術(shù)有著不可估量的市場機(jī)會(huì)，不僅能夠改善現(xiàn)有的射頻能量應(yīng)用，而且有助于開發(fā)新的能量應(yīng)用。新產(chǎn)品MRF13750H的強(qiáng)大性能無疑將加速行業(yè)向固態(tài)射頻技術(shù)的轉(zhuǎn)型。” 這款新晶體管專為工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，范圍從700MHz至1300MHz，特別適合工業(yè)加熱/干燥、固化和材料焊接及顆粒加速器應(yīng)用。MRF13750H在915MHz時(shí)可提供750W CW，效率為67%，封裝為3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封裝。

    半導(dǎo)體 恩智浦 半導(dǎo)體

  • 三星全力量產(chǎn)最強(qiáng)64層3D閃存：SSD可以安心降價(jià)了

     閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價(jià)，讓三星今年大賺特賺，當(dāng)然他們?cè)谛录夹g(shù)上的投入也沒有手軟，今天官方公布的消息顯示，三星將在韓國投資186.3億美元，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 之前我們?cè)鴪?bào)道了三星全球最大芯片工廠將開工的消息，而現(xiàn)在三星位于京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠已經(jīng)正式投入生產(chǎn)，其主要量產(chǎn)的是第四代3D NAND閃存芯片，其垂直堆疊達(dá)到64層。 三星新一代64層V-NAND數(shù)據(jù)傳輸速度為1Gbps，提供業(yè)界最短的500微秒(㎲)的燒錄器，燒錄單個(gè)芯片的時(shí)間，比典型的10nm級(jí)的平面NAND閃存快約四倍，而比三星最快的48層3位256Gb V-NAND閃存的速度快了1.5倍。 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。 接下來，三星還將通過堆疊超過90層的單元陣列，來生產(chǎn)具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。

    半導(dǎo)體 三星 ssd 3d閃存

  • 曝三星突然撤銷中國七大支社，還將繼續(xù)裁員

     7月4日下午消息，今日有媒體報(bào)道稱，中國三星電子組織架構(gòu)現(xiàn)重大調(diào)整。從7月1日起，中國三星電子將撤銷七大支社。中國三星電子方面確認(rèn)了此消息，并稱”旨在積極適應(yīng)市場變化“。 此前，三星電子在中國市場設(shè)立了華北、華東、華南、華中、西南、西北、東北七大支社，32個(gè)管轄區(qū)域。根據(jù)媒體報(bào)道，撤銷七大支社之后，將變?yōu)?6個(gè)辦事處，同時(shí)中國市場會(huì)繼續(xù)裁員。 中國三星電子方面確認(rèn)了撤銷七大支社的消息，稱旨在積極適應(yīng)市場變化，促進(jìn)組織管理創(chuàng)新。不過并未對(duì)裁員一事進(jìn)行回應(yīng)。 去年三星Note7爆炸風(fēng)波對(duì)三星電子在全球的品牌形象造成了巨大沖擊，而三星電子方面對(duì)中國市場的區(qū)別對(duì)待也引發(fā)了中國消費(fèi)者的不滿。在巨大的輿論壓力下，三星終于在2016年10月11日宣布在中國市場展開召回行動(dòng)。 隨著Note7爆炸風(fēng)波影響的顯現(xiàn)，以及中國本土智能手機(jī)廠商的崛起，三星電子在中國的智能手機(jī)份額不斷下滑。根據(jù)極光大數(shù)據(jù)發(fā)布的2017年Q1手機(jī)行業(yè)數(shù)據(jù)報(bào)告顯示，三星2017年Q1國內(nèi)的智能手機(jī)銷量為456萬臺(tái)，排名第六位，銷量同比下滑51.2%，環(huán)比下滑22.6%，并且已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度大幅下跌。用戶忠誠度也由2016年Q1的15.3%降至10.4%，也即意味著只有10.4%的三星手機(jī)用戶在換機(jī)時(shí)仍會(huì)選擇三星。 Note 7爆炸事件后，關(guān)于三星電子中國裁員的消息不斷傳出。據(jù)外媒報(bào)道，目前三星中國員工數(shù)量為37070人，較前一年的44948人下降了17.5%。還有媒體報(bào)道稱，三星電子中國的工資機(jī)制也進(jìn)行了改革，按分?jǐn)?shù)進(jìn)行KPI獎(jiǎng)金發(fā)放，但其條件極為苛刻，幾乎很少人能夠達(dá)到。 此前，專門為中國設(shè)立的中國三星官方網(wǎng)站已于4月1日關(guān)閉網(wǎng)站及相關(guān)服務(wù)，被整合進(jìn)三星電子官網(wǎng)。今年5月，三星電子對(duì)中國高管也進(jìn)行了調(diào)整，任命Kwon Kye hyun為中國業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人。 以下為中國三星電子回應(yīng)原文： 創(chuàng)新是三星的DNA。如同我們始終引領(lǐng)行業(yè)及產(chǎn)品創(chuàng)新一樣，組織管理也不斷創(chuàng)新，旨在積極適應(yīng)市場變化，致力于提升以“消費(fèi)者為中心”的經(jīng)營理念，為中國市場提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)，更好地服務(wù)于中國廣大消費(fèi)者。 感謝媒體朋友關(guān)注三星電子的發(fā)展!請(qǐng)更多的關(guān)注三星的產(chǎn)品和服務(wù)，希望得到您一如既往的支持!

    半導(dǎo)體 三星 智能手機(jī) note7

  • 內(nèi)存強(qiáng)盛CPU式微 三星有望成全球頭號(hào)芯片生產(chǎn)商

     一代芯片霸主英特爾(Intel)，今年可能保不住銷售額榜首之位了。曾在2016年因“note 7手機(jī)爆炸”事件損失慘重，又卷入“樸槿惠事件”紛爭的三星電子，有望憑借內(nèi)存芯片實(shí)現(xiàn)超越，成為全球最大芯片生產(chǎn)商。 據(jù)美國半導(dǎo)體市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC insights的數(shù)據(jù)分析，三星在2017年第二季度的芯片銷售額估計(jì)會(huì)達(dá)到149億美元，超過英特爾的銷售額估值144億美元。如果成真，這對(duì)三星而言將是“一個(gè)里程碑式的成就”。 IC insights對(duì)三星和英特爾第二季度的銷售額估值。(單位：100萬美元) 從上圖中曲線可以看出，相對(duì)于英特爾銷售額的疲軟，三星電子扶搖直上。它主要的業(yè)績?cè)鲩L來自于DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器) 和NAND flash(資料存儲(chǔ)型閃存)，均為內(nèi)存芯片。 三星在DRAM和NAND flash上的銷售額。 成立于1968年的英特爾公司靠研制CPU(中央處理器)發(fā)家，它在1971年推出了第一個(gè)微處理器，直接推動(dòng)了計(jì)算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)革命。1993年，英特爾發(fā)布了具有革命性意義的奔騰(Pentium)處理器。此后，隨著個(gè)人電腦的普及，英特爾成為了全球頭號(hào)芯片制造商，占據(jù)著該領(lǐng)域的龍頭地位長達(dá)24年。 不過，曾經(jīng)的PC霸主英特爾卻未能將這種優(yōu)勢保持到飛速發(fā)展的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。隨著用戶對(duì)電腦需求的減少，英特爾擅長的個(gè)人電腦芯片業(yè)務(wù)已成夕陽態(tài)勢。去年有報(bào)道稱，英特爾宣布了1.2萬人的大規(guī)模裁員計(jì)劃。CEO柯再奇(Brian Krzanich)稱，這更有利于釋放資金，來增長投資業(yè)務(wù)。盡管英特爾積極轉(zhuǎn)型，其在移動(dòng)領(lǐng)域卻鮮有突破。 三星則逐漸縮小了與英特爾之間的差距，實(shí)現(xiàn)了彎道超車。據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)，1993年，三星半導(dǎo)體銷售額不到英特爾的一半，差距明顯，這種趨勢一直延續(xù)到2006年。但期間三星的銷售額世界排名從第7位升至第2位。2016年，三星的銷售額(不包括代工廠)為443億美元，僅次于英特爾570億美元。 世界半導(dǎo)體市場銷售額TOP10 (單位：10億美元)。 移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、筆記本和平板電腦數(shù)量的迅速擴(kuò)張使得內(nèi)存芯片和SSD(固態(tài)硬盤)的需求激增。另一方面，在大數(shù)據(jù)時(shí)代，不斷有公司尋求建立自己的數(shù)據(jù)中心。 野村證券分析師CW Chung稱“內(nèi)存芯片市場的規(guī)模已超過中央處理器”。而儲(chǔ)存需求不斷提高，也必然導(dǎo)致內(nèi)存芯片價(jià)格的大幅提升。 三星作為全球最大的內(nèi)存芯片制造商，已占有一定的優(yōu)勢。此外，三星電子還生產(chǎn)針對(duì)智能手機(jī)的自主應(yīng)用處理器，并為蘋果、高通代工處理器。 英國《金融時(shí)報(bào)》也分析認(rèn)為，如果內(nèi)存芯片的價(jià)格在下半年不出現(xiàn)大幅度波動(dòng)，三星全年的銷售額將高于英特爾，成為全球頭號(hào)芯片生產(chǎn)商?！督鹑跁r(shí)報(bào)》預(yù)估三星2017年的芯片銷售總額為636億美元，英特爾為605億美元。

    半導(dǎo)體 CPU 三星 英特爾 內(nèi)存

  • 貿(mào)澤電子聯(lián)手格蘭特.今原推出“打造智能城市”系列短片

    貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)聯(lián)手明星工程師格蘭特.今原為貿(mào)澤電子非常成功的Empowering Innovation Together™計(jì)劃啟動(dòng)最新的“打造智能城市”項(xiàng)目。 該項(xiàng)目將提供5個(gè)短片，向大家展示世界各地的工程師和公司如何利用創(chuàng)新型的智能技術(shù)打造更加智能、應(yīng)變能力更強(qiáng)的城市。此活動(dòng)由貿(mào)澤的重要供應(yīng)商Analog Devices、Intel®、Microchip Technology和Molex提供支持。 在第一集的“打造智能城市”短片中，格蘭特.今原將與位于美國舊金山的WIRED Brand Lab的負(fù)責(zé)人Michael Copeland一起，為這個(gè)系列拉開帷幕。他們將一起探討不斷擴(kuò)張的城市所面臨的挑戰(zhàn)，并介紹短片系列將如何發(fā)展。 業(yè)界頂尖的最新半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子的總裁兼CEO Glenn Smith認(rèn)為，“創(chuàng)新才是針對(duì)當(dāng)前問題的真正解決方案來源”。“我們期待了解世界各地的工程師如何解決他們當(dāng)?shù)靥赜械膯栴}，并了解如何將這些解決方案應(yīng)用于其他城市”。 格蘭特.今原則表示，“非常高興能夠參加這樣的重要討論，研究未來的城市將是什么樣子，解決問題是工程師的天然職責(zé)，所以我很期待了解世界各地的工程師如何幫助打造未來的智能城市”。 此系列短片將帶領(lǐng)觀眾前往葡萄牙、日本和美國加州，了解各個(gè)地區(qū)所面臨的挑戰(zhàn)，以及工程師為了解決這些問題而開發(fā)出來的出色新技術(shù)。貿(mào)澤和格蘭特.今原將探索具有互聯(lián)接入點(diǎn)和傳感器的公交車和城市交通工具如何構(gòu)成一個(gè)網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)，提供免費(fèi)Wi-Fi和大量數(shù)據(jù)來幫助提高城市運(yùn)轉(zhuǎn)效率。接下來，此系列將調(diào)查室內(nèi)種植如何成為高密度城市中未來的農(nóng)業(yè)模式，并探討增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)技術(shù)如何幫助工程師在實(shí)際動(dòng)手建造前，提前對(duì)建造過程進(jìn)行視覺體驗(yàn)并解決發(fā)現(xiàn)的問題。 自從2015年推出以來，Empowering Innovation Together計(jì)劃已成為電子元器件行業(yè)知名度和市場認(rèn)可程度最高的推廣計(jì)劃之一，其中的活動(dòng)包括將超級(jí)英雄的招牌武器引入現(xiàn)實(shí)以及3D打印采用無人機(jī)技術(shù)的半自動(dòng)汽車。在2017年，貿(mào)澤的目標(biāo)是吸引全球更多的創(chuàng)新工程師參與Empowering Innovation Together計(jì)劃，并解決困擾大多數(shù)人的問題。

    半導(dǎo)體 智能城市 貿(mào)澤電子

  • 領(lǐng)先一個(gè)身位 三星從2019年開始用6nm工藝制造芯片

     根據(jù)國外媒體報(bào)道，日前有內(nèi)部人士表示，三星已經(jīng)開始計(jì)劃在2019年使用6nm工藝制造移動(dòng)芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線的投資。據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年安裝兩款全新的光刻機(jī)，并且計(jì)劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺(tái)，這樣就將為未來制造工藝的提升提供了支持，同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。 高通剛剛決定放棄將三星作為自己7nm工藝處理器的生產(chǎn)合作伙伴，目前兩家公司已經(jīng)開始在10nm工藝的驍龍825處理器進(jìn)行合作生產(chǎn)。而高通未來在放棄三星之后，將開始與臺(tái)積電合作，因此在7nm工藝的訂單上，三星目前暫時(shí)處于劣勢。 不過這一決定的最終結(jié)果就是，三星明年的大部分訂單都將以8nm的工藝完成，而這一技術(shù)基本上是對(duì)目前10nm工藝的升級(jí)版。盡管三星將減少投資，但是未來7nm工藝還是非常有可能使用在三星自家Exynos處理器的生產(chǎn)上。 三星的這一舉措具有相當(dāng)?shù)膽?zhàn)略性，盡管明年的7nm工藝生產(chǎn)會(huì)受到影響，不過從2019年開始，三星將會(huì)在與臺(tái)積電的競爭中擁有明顯的優(yōu)勢。畢竟6nm的制造工藝要比7nm更先進(jìn)一些。通常來說，半導(dǎo)體的制造工藝越小，最終產(chǎn)品的功耗和性能上就越優(yōu)秀。而這就意味著在2019年，三星將憑借6nm的制造工藝，成為市面上最領(lǐng)先的芯片制造商。

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  • 拖了8年的英特爾反壟斷罪成立！罰款14.4億美元！

    北京時(shí)間6月26日晚間消息，歐盟中級(jí)法院“綜合法院”(General Court)副院長馬克·伍德(Marc van der Woude)周一稱，歐盟最高法院“歐洲法院”(ECJ)歐洲法院可能于明年審理英特爾反壟斷上訴案。 2009年5月，歐盟認(rèn)定英特爾反壟斷罪名成立，對(duì)其處以10.6億歐元(約合14.4億美元)的罰款。歐盟當(dāng)時(shí)稱，英特爾給予戴爾、惠普、NEC和聯(lián)想等PC制造商回扣，目的是讓這些廠商采購英特爾的芯片，從而打壓競爭對(duì)手AMD。 隨后，英特爾向位于盧森堡的歐盟中級(jí)法院“綜合法院”提起上訴。而綜合法院駁回了英特爾的上訴，支持歐盟委員會(huì)之前的裁決。 綜合法院認(rèn)為，歐盟最高可對(duì)英特爾處以年?duì)I收10%的罰款，而實(shí)際罰款金額僅為英特爾2008年?duì)I收額的4.15%，因此歐盟的裁決并不草率。 但英特爾仍不滿意該裁決，又向歐盟最高法院“歐洲法院”提起訴訟。伍德今日稱：“我預(yù)計(jì)，最高法院將于明年審理此案。” 對(duì)于此案，去年出現(xiàn)了一個(gè)對(duì)于英特爾有利的局面。歐洲法院法律總顧問尼爾斯·瓦爾(Nils Wahl)曾發(fā)表不具約束力的意見，稱英特爾的行為未必妨害競爭，應(yīng)支持英特爾的上訴。   最終，歐洲法院的該裁決可能對(duì)業(yè)界產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。2015年12月，歐盟還指控高通利用其在手機(jī)芯片市場的主導(dǎo)地位打壓競爭對(duì)手。隨后，高通提出上訴。

    半導(dǎo)體 英特爾 手機(jī)芯片 反壟斷

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