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  • Intel Core i9來(lái)了！為省錢(qián)偷工減料，散熱有問(wèn)題

     Intel正式發(fā)布了旗艦至尊級(jí)別的X299平臺(tái)，與之搭配的是采用LGA2066接口的到Skylake-X、Kaby Lake-X處理器。 按照產(chǎn)品線劃分，Kaby Lake-X序列只有兩款4核心，分別屬于Core i5/i7，而其他的6/8/10/12/14/16/18核心全部屬于Skylake-X序列，分別屬于Core i7/i9。 二者共享LGA2066接口和X299主板，但長(zhǎng)得并不完全一樣，正面散熱頂蓋的形狀和大小是不同的。 雖然新的處理器在規(guī)格方面有了極大的提升，讓人大呼Intel這次終于不擠牙膏了。但遺憾的是，最新曝光的消息顯示，Intel又“偷工減料”了。 知名超頻玩家der8auer今天確認(rèn)，Intel的的Skylake-X和Kaby Lake-X系列處理器均不含采用釬焊導(dǎo)熱技術(shù)，而是采用“祖?zhèn)?rdquo;的硅脂散熱，這次Intel首次在至尊平臺(tái)上采用這一技術(shù)。 眾所周知，硅脂散熱技術(shù)的熱傳導(dǎo)效率相比釬焊來(lái)說(shuō)要低不少，因此散熱方面存在不少問(wèn)題。從Intel的Ivy Bridge處理器開(kāi)始，硅脂散熱材料就成了超頻性能最大的阻力。 毫無(wú)疑問(wèn)，這次Skylake-X和Kaby Lake-X使用硅脂而不是釬焊技術(shù)，理論上也會(huì)限制超頻能力的發(fā)揮，開(kāi)蓋又會(huì)成為主流。

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  • 軟銀要搞大事情？買(mǎi)了ARM之后又再出手收購(gòu)Nvidia

     據(jù)早前彭博社報(bào)道，軟銀上周末透露其已經(jīng)獲得了一個(gè)“未指定數(shù)量”的一部分Nvidia股票作為早前宣布的930億美元的技術(shù)投資基金承諾。而該 據(jù)早前彭博社報(bào)道，軟銀上周末透露其已經(jīng)獲得了一個(gè)，也就是本文剛開(kāi)篇的40億美元。 作為一家擁有美國(guó)運(yùn)營(yíng)商Sprint多數(shù)股權(quán)的日本公司，軟銀旨在未來(lái)10年左右成為世界上最大的技術(shù)投資者，其在Nvidia的股份雖然看起來(lái)小，但可謂是一個(gè)戰(zhàn)略上重要的切點(diǎn)。Nvidia以圖形顯卡而出名，其應(yīng)用范圍已經(jīng)廣泛存在于世界各地的數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的電腦，它擴(kuò)大了近年來(lái)的視野，包括在汽車(chē)行業(yè)的合作伙伴關(guān)系，以及人工智能的主要投資。 去年，軟銀收購(gòu)ARM控股公司(英國(guó)處理器公司廣泛應(yīng)用于設(shè)備從智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、嵌入式設(shè)備、服飾以及更多)，此次326億美元收購(gòu)ARM可謂軟銀最大的一次收購(gòu)，但隨著世界各地對(duì)超低功耗芯片需求的不斷增長(zhǎng)，許多人認(rèn)為這是日本公司的一個(gè)明智之舉。 目前，Nvidia公司最近打破了其最新盈利報(bào)告的預(yù)期，強(qiáng)勁增長(zhǎng)得益于其投資于新的細(xì)分市場(chǎng)，包括汽車(chē)技術(shù)和數(shù)據(jù)中心。

    半導(dǎo)體 NVIDIA ARM 軟銀

  • 頻繁受打壓,中國(guó)半導(dǎo)體之路到底怎么走？

    中國(guó)集成電路行業(yè)發(fā)展自主創(chuàng)新，亟欲擺脫西方發(fā)達(dá)國(guó)家的制約，究竟距離世界強(qiáng)國(guó)還有多遠(yuǎn)?半導(dǎo)體行業(yè)資深專(zhuān)家莫大康日前認(rèn)為，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)離世界強(qiáng)國(guó)尚有不短的路程，至少還需10年以上時(shí)間。 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性 莫大康對(duì)DIGITIMES分析道，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性存在，行業(yè)當(dāng)前發(fā)展與全球不同步，在國(guó)際上受到瓦圣納條約控制，涉及國(guó)家安全議題;貿(mào)易逆差大，市場(chǎng)龐大但是芯片自給率卻低，行業(yè)仍需要國(guó)家資金推動(dòng)，另外一頭地方政府也強(qiáng)勢(shì)加入競(jìng)投這一領(lǐng)域。 莫大康表示，產(chǎn)業(yè)仍需要透過(guò)政府資金支持，在現(xiàn)階段是有必要，但不能太久，不應(yīng)該期待“水到渠成”，應(yīng)該早下決斷，讓企業(yè)減少依賴性，迫使企業(yè)在競(jìng)爭(zhēng)中的環(huán)境條件下自主決策，真正能在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中鍛煉成長(zhǎng)。因此現(xiàn)階段中國(guó)的“幫扶式”發(fā)展模式，不能太長(zhǎng)久。 他認(rèn)為，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展仍要依靠企業(yè)，尤其是骨干企業(yè)的進(jìn)步與成功，這之間，政府要迅速轉(zhuǎn)換角色。中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展要齊頭并進(jìn)，除了IC設(shè)計(jì)、制造及封裝業(yè)之外，包括配套的設(shè)備與材料業(yè)等，以及人才培養(yǎng)與產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的逐步改善。 其中，人才的培養(yǎng)離不開(kāi)優(yōu)質(zhì)的“土壤”條件。能迅速的培育人才及留得住人才;“土壤”是什么?這包括對(duì)IP尊重、公平競(jìng)爭(zhēng)、誠(chéng)信及教育、醫(yī)療、房?jī)r(jià)等環(huán)境與條件的配套。甚至，要從根本的教育觀念著手，普及最基本的道德理念。 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)崛起引起美國(guó)跳腳 他認(rèn)為，西方對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體的崛起已有所警戒。之前的美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)普里茨克(Penny Pritzker)在演講中批評(píng)中國(guó)一項(xiàng)規(guī)模1500億美元計(jì)劃，即到2025年前使中國(guó)制造的集成電路在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的份額從當(dāng)前的9%擴(kuò)大至70%。普里茨克稱“這種史無(wú)前例的干預(yù)，會(huì)扭曲市場(chǎng)，破壞創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)”。 美國(guó)對(duì)華的半導(dǎo)體策略是“大棒加胡蘿卜”兩手策略， 以“瓦圣約”條約處處制肘中國(guó)，透過(guò)禁運(yùn)或出口審查阻撓中國(guó)核心技術(shù)發(fā)展。只要中國(guó)在核心技術(shù)上取得突破，例如上海中微半導(dǎo)體成功推出先進(jìn)的等離子體刻蝕機(jī)，美國(guó)馬上宣布相關(guān)設(shè)備的出口松綁。另一方面，也透過(guò)合作模式積極主導(dǎo)其在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展，控制核心技術(shù)，搶占市場(chǎng)，中國(guó)廠商與其合作或者“購(gòu)買(mǎi)技術(shù)”后自己研發(fā)，缺少橫下一條的斗志，進(jìn)而削弱了中國(guó)的自主研發(fā)動(dòng)力。 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要以全新的姿態(tài)融入世界 莫大康語(yǔ)重心長(zhǎng)地說(shuō)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前要切實(shí)做好“追趕者”、“學(xué)習(xí)者”及“貢獻(xiàn)者”角色。中國(guó)市場(chǎng)應(yīng)該繼續(xù)擴(kuò)大改革開(kāi)放，用更寬廣的胸懷歡迎來(lái)華投資與合作，同時(shí)，重視IP保護(hù)、融入國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈，并打擊一切違法行為;此外，更要透過(guò)自媒體傳達(dá)出行業(yè)內(nèi)的 “中國(guó)之聲”，要自律、不浮夸、少說(shuō)大話、實(shí)事求是、不卑不亢。 在未來(lái)的AI、物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)，中國(guó)擁有市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，很有可能抓緊機(jī)遇、異軍突起，然后逐步轉(zhuǎn)強(qiáng)，所以要持續(xù)堅(jiān)定的走市場(chǎng)化道路。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 自主創(chuàng)新

  • 造謠？授權(quán)GPU給Intel？AMD：可能性不大

    幾個(gè)月前就有分析師援引彭博社的報(bào)道稱，AMD即將與宿敵英特爾達(dá)成顯卡芯片技術(shù)授權(quán)協(xié)議，上周更有匿名消息人士在一家PC愛(ài)好者網(wǎng)站上確認(rèn)了此事。然而，無(wú)論從AMD自身利益角度考慮，還是從該公司CEO蘇姿豐本周一在投資者會(huì)議上表明的態(tài)度來(lái)看，AMD與英特爾通過(guò)這種方式“化敵為友”的可能性并不大。 過(guò)去四年里，AMD在公司史上首位女性CEO蘇姿豐的領(lǐng)導(dǎo)下大力推陳出新，面向PC和服務(wù)器的中央處理芯片以及瞄準(zhǔn)游戲玩家和機(jī)器學(xué)習(xí)任務(wù)的顯卡芯片都采用了全新設(shè)計(jì)。如今，AMD已有新一代Ryzen PC芯片和Vega顯卡芯片在手。 與此同時(shí)，顯卡芯片卻不是英特爾的專(zhuān)長(zhǎng)。而且有報(bào)道稱英特爾與Nvidia的顯卡技術(shù)授權(quán)協(xié)議已經(jīng)到期。因此，英特爾很有可能通過(guò)與AMD達(dá)成新的授權(quán)協(xié)議，來(lái)使其集成了中央處理器和顯卡功能的芯片組保持市場(chǎng)領(lǐng)先地位。 然而，AMD對(duì)于“化干戈為玉帛”似乎并無(wú)興趣。本周一，CEO蘇姿豐在波士頓的AMD投資者會(huì)議上拒絕正面回應(yīng)關(guān)于向英特爾授權(quán)顯卡芯片技術(shù)的傳言，但明確表態(tài)她無(wú)意助競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一臂之力——盡管并未“點(diǎn)名”提到英特爾。她表示，AMD將考慮通過(guò)“選擇性”地進(jìn)行知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)來(lái)提升市場(chǎng)份額，但這樣做主要是為了在“目前未有產(chǎn)品銷(xiāo)售”的市場(chǎng)提高銷(xiāo)量或擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，而不會(huì)“讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能夠與我們的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)”。 帶有集成顯卡的PC處理芯片組是AMD和英特爾針?shù)h相對(duì)的必爭(zhēng)之地，所以這絕非AMD“目前未有產(chǎn)品銷(xiāo)售”的市場(chǎng)。而且AMD作為唯一同時(shí)具備自有高端中央處理芯片和高端顯卡芯片產(chǎn)品線的大型芯片廠商，與英特爾簽訂技術(shù)授權(quán)協(xié)議無(wú)疑會(huì)削弱其獨(dú)一無(wú)二的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 與英特爾簽訂多年技術(shù)授權(quán)協(xié)議將為AMD帶來(lái)數(shù)十億美元的收入，這一盈利前景無(wú)疑會(huì)引起華爾街的興趣。但是蘇姿豐在此次投資者會(huì)議上也指出：公司全年調(diào)整后的每股收益預(yù)計(jì)為75美分，而這一數(shù)字假定沒(méi)有尚未公布的技術(shù)授權(quán)新協(xié)議。 與英特爾簽訂技術(shù)授權(quán)協(xié)議的傳聞已經(jīng)對(duì)AMD的股價(jià)造成了影響：5月17日傳出“確認(rèn)”消息當(dāng)天，股價(jià)從大約11美元升值12.77美元;而CEO蘇姿豐未能確認(rèn)該消息后，股價(jià)又在美國(guó)時(shí)間本周二盤(pán)中跌至10.79元。然而不管股價(jià)怎樣變化，在宿敵相爭(zhēng)的局面下，AMD向英特爾授權(quán)顯卡芯片技術(shù)的可能性確實(shí)微乎其微。

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  • 原子極限不遠(yuǎn)了？14埃米或成其終點(diǎn)

    隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來(lái)的14埃米，工程師們可能得開(kāi)始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管，他們還必須嘗試更多類(lèi)型的內(nèi)存;另一方面，14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上，Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)在2025年后將出現(xiàn)新工藝節(jié)點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一工藝相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此外，新的占位符號(hào)出現(xiàn)，顯示工藝技術(shù)專(zhuān)家樂(lè)觀看待半導(dǎo)體進(jìn)展的熱情不減。 Steegen指出：“我們?nèi)栽噲D克服種種困難，但如何實(shí)現(xiàn)的途徑或許已經(jīng)和以前所做的全然不同了。” 14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了。單個(gè)砷原子(半導(dǎo)體所使用的較大元素之一)大約為1.2埃。 隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來(lái)的14埃米，工程師們可能得開(kāi)始在相同的芯片上混合鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管。他們將會(huì)開(kāi)始嘗試更多類(lèi)型的內(nèi)存，而且還可能為新型的非馮·諾依曼計(jì)算機(jī)(non-Von Neumann)提供芯片。 短期來(lái)看，Steegen認(rèn)為業(yè)界將在7nm采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)、FinFET則發(fā)生在5nm甚至3nm節(jié)點(diǎn)，而納米線晶體管也將在此過(guò)程中出現(xiàn)。 如今，14埃米節(jié)點(diǎn)還只是出現(xiàn)在PPT上的一個(gè)希望 (來(lái)源：Imec) Steegen表示：“從事硬件開(kāi)發(fā)工作的人員越來(lái)越有信心，相信EUV將在2020年初準(zhǔn)備好投入商用化。經(jīng)過(guò)這么多年的努力，這一切看來(lái)正穩(wěn)定地發(fā)展中。” Imec是率先安裝原型EUV系統(tǒng)的公司，至今仍在魯汶(Leuven)附近大學(xué)校園旁的研究實(shí)驗(yàn)室中持續(xù)該系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。 Steegen預(yù)計(jì)，EUV“將在最關(guān)鍵的層級(jí)導(dǎo)入工藝，”以便在線路終端處完成通道和區(qū)塊。使用今天的浸潤(rùn)式步進(jìn)器，這項(xiàng)任務(wù)必須通過(guò)3或4次的步驟，但透過(guò)EUV更精密的分辨率，只需一次即可完成。 工程師在這些先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上工作時(shí)，必須先檢查其設(shè)計(jì)能夠搭配使用浸潤(rùn)式或EUV系統(tǒng)。當(dāng)他們?cè)趯⑿酒l(fā)揮到極致時(shí)，將會(huì)使用EUV更進(jìn)一步縮小其設(shè)計(jì)。 無(wú)論如何，還需要3或甚至4次的浸潤(rùn)式圖案化過(guò)程，才能打造具有小于40nm間距的特征尺寸。工程師不要指望設(shè)計(jì)規(guī)則能很快地變得更簡(jiǎn)單。 Imec勾勒未來(lái)節(jié)點(diǎn)可能實(shí)現(xiàn)的功率性能 選擇抗蝕劑與晶體管 找到合適的抗蝕劑材料是讓EUV順利量產(chǎn)的幾項(xiàng)挑戰(zhàn)之一。到目前為止，如果研究人員能以20毫焦耳/平方公分的曝光能量進(jìn)行，就能使EUV順利進(jìn)展。 包括ASML、東京電子(Tokyo Electron)和ASM等幾家公司正在開(kāi)發(fā)專(zhuān)有(意味著昂貴)的技術(shù)來(lái)解決問(wèn)題。它們通常涉及了抗蝕劑處理以及多個(gè)工藝步驟，才能蝕刻或退火掉粗糙度。 “這項(xiàng)技術(shù)看起來(lái)非常有希望，所以我們有信心能夠克服線邊粗糙度(LER)的問(wèn)題，”Steegen說(shuō)。 此外，Imec現(xiàn)正開(kāi)發(fā)保護(hù)EUV晶圓免于污染的防塵薄膜。它以碳納米管提供承受EUV曝光超過(guò)200W以上所需的強(qiáng)度，而非阻擋大部份光源穿透晶圓。 除了EUV以外，下一個(gè)重大障礙是基本晶體管的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變——任何組件核心的電子開(kāi)關(guān)。Steegen說(shuō)：“FinFET的微縮是必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。” 截至目前為止，研究顯示，F(xiàn)inFET可以在5nm時(shí)使用，而如果導(dǎo)入EUV的情況順利，甚至可沿用至3nm節(jié)點(diǎn)。Steegen說(shuō)：“在3nm節(jié)點(diǎn)，F(xiàn)inFET和納米線的效果能幾乎一樣好，但納米線閘極間距帶來(lái)了更多的微縮，”他并展示一項(xiàng)堆棧8根納米線的研究。 詳細(xì)觀察阻抗劑的問(wèn)題顯示，使用化學(xué)助劑和不使用化學(xué)助劑(CAR和NCAR)的研究結(jié)果。LWR/LCDU是指線邊粗糙度的測(cè)量值應(yīng)不超過(guò)特征間距尺寸的十分之一，圖中的范圍約為3.2至2.6。 信道微縮與內(nèi)存 如果EUV一再延遲，芯片制造商將會(huì)調(diào)整單元庫(kù)來(lái)縮小芯片。Imec正致力于開(kāi)發(fā)一個(gè)3軌(3-track)的單元庫(kù)，這是將芯片制造商目前用于10nm先進(jìn)工藝的7-track單元庫(kù)縮小了0.52倍。 其折衷之處在于它能實(shí)現(xiàn)3nm節(jié)點(diǎn)，但僅為每單元1個(gè)FinFET保留空間，較目前每單元3個(gè)FinFET減少了。此外，隨著單元軌縮小，除了從7nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始的挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)工程師還將面對(duì)新的設(shè)計(jì)限制。 Imec正致力于開(kāi)發(fā)幾種得以減輕這些困難的設(shè)計(jì)，包括所謂的超級(jí)通道(super-vias)，連接3層(而2層)金屬以及深埋于設(shè)計(jì)中的電源軌，以節(jié)省空間。 這項(xiàng)工作顯示，設(shè)計(jì)人員可能被迫在3nm時(shí)移至納米線晶體管，實(shí)現(xiàn)完全以浸潤(rùn)式步進(jìn)器為基礎(chǔ)的工藝。然而，透過(guò)EUV，3nm工藝仍可能有足夠的空間實(shí)現(xiàn)5-track的單元庫(kù)，因而使用基于FinFET的組件。 僅使用浸潤(rùn)式步進(jìn)器的工藝可縮小單元軌，但卻會(huì)隨著閘極(紅色)縮小而犧牲FinFET(綠色)數(shù)量。而在底部，Imec展示研究人員正開(kāi)發(fā)的4個(gè)結(jié)構(gòu)，用于減緩微縮。 無(wú)論如何，到了這些更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)時(shí)，系統(tǒng)、芯片和工藝工程師都必須比以往更加密切地合作。他們必須確定哪些功能可以被整合于單一芯片上，或者是否需要單獨(dú)的芯片制作，如果是這樣的話，那么這些芯片又該如何進(jìn)行鏈接等等。 同時(shí)，還有一大堆新的內(nèi)存架構(gòu)仍處于實(shí)驗(yàn)室階段。Steegen說(shuō)，磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)目前是最有前景的替代技術(shù)，可用于取代SRAM快取，甚至是DRAM。然而，MRAM到了5nm以后可能還需要新晶體管結(jié)構(gòu)。 此外，還有其他更多有趣的選擇，包括自旋軌道轉(zhuǎn)矩MRAM以及鐵電RAM，可用于取代DRAM。業(yè)界目前正專(zhuān)注于至少5種備選的儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存技術(shù)，主要是交錯(cuò)式(crossbar)和電阻式RAM結(jié)構(gòu)的內(nèi)存。 此外，Imec正開(kāi)發(fā)新版OxRAM，將有助于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)針對(duì)可承受汽車(chē)設(shè)計(jì)所需溫度條件的方法進(jìn)行測(cè)試了。 面對(duì)諸多極其乏味的選擇與嚴(yán)苛挑戰(zhàn)，Steegen依然樂(lè)觀。在開(kāi)始對(duì)1,800位與會(huì)者發(fā)表演講之前，她還快速地進(jìn)行了一項(xiàng)調(diào)查，結(jié)果顯示有68%的人認(rèn)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將順利過(guò)渡到3nm節(jié)點(diǎn)。 她說(shuō)：“謝謝所有對(duì)這個(gè)可能性回答‘是’的人，而對(duì)于那些認(rèn)為‘不’的人，我會(huì)證明你錯(cuò)了。”

    半導(dǎo)體 納米 原子極限 埃米

  • 三星叫板臺(tái)積電：芯片我們可以自己造

    據(jù)報(bào)道，三星正在提升芯片代工業(yè)務(wù)，將芯片制造業(yè)務(wù)剝離組建新的部門(mén)，挑戰(zhàn)市場(chǎng)領(lǐng)先者臺(tái)積電。三星提高芯片制造業(yè)務(wù)地位，以彰顯其獨(dú)立性和保障其使用公司內(nèi)部資源的能力。 這家韓國(guó)公司周三還許諾客戶，將在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手前推出新生產(chǎn)工藝，新工廠在今年第四季度投入運(yùn)行。三星芯片制造營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)主管凱爾文·洛(Kelvin Low)稱，建立獨(dú)立的業(yè)務(wù)部門(mén)可以舒緩與三星其他業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)的一些潛在客戶的擔(dān)憂。 他表示：“我們要在芯片代工領(lǐng)域真正競(jìng)爭(zhēng)，我們感覺(jué)最好是建立獨(dú)立的組織。這樣可以減少利益沖突--雖然這不是目前真正的問(wèn)題--但一些客戶心中依然有這種想法。”三星的承諾說(shuō)明了芯片部門(mén)的重要性以及芯片外包生產(chǎn)的需求增長(zhǎng)。 現(xiàn)在越來(lái)越少的公司能投資數(shù)十億美元建設(shè)工廠并研發(fā)新制造技術(shù)。市場(chǎng)主導(dǎo)者、為蘋(píng)果等公司生產(chǎn)芯片的臺(tái)積電(TSMC)過(guò)去5年?duì)I收都取得兩位數(shù)增長(zhǎng)。今年三月英特爾表示將重新致力于建立按訂單生產(chǎn)芯片業(yè)務(wù)，稱其制造技術(shù)依然領(lǐng)先三星和臺(tái)積電。 這三家公司都在爭(zhēng)奪高通和蘋(píng)果訂單，因?yàn)楹笳咧辉O(shè)計(jì)自己的芯片但不生產(chǎn)。三星目前沒(méi)有細(xì)分芯片生產(chǎn)部門(mén)的營(yíng)收，作為世界最大內(nèi)存芯片制造商，內(nèi)存占三星芯片總營(yíng)收的大部分，第一季度在15.66萬(wàn)億韓元芯片營(yíng)收中貢獻(xiàn)了12.12萬(wàn)億韓元(約合105億美元)。 這顯示其他芯片，包括代工和為內(nèi)部消耗生產(chǎn)的芯片，銷(xiāo)售額為3.54萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)10%。與臺(tái)積電第一季度75.3億美元營(yíng)收相比不到一半。占三星運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)三分之二的芯片部門(mén)，與英特爾和臺(tái)積電不斷縮小晶體管尺寸，當(dāng)前最好的技術(shù)是10納米工藝。 三星稱，自己率先量產(chǎn)這種芯片，臺(tái)積電也稱現(xiàn)在滿負(fù)荷生產(chǎn)10納米芯片，下半年產(chǎn)量可快速提高。三星表示，8納米技術(shù)將在今年晚些時(shí)候推出，2018年推出7納米技術(shù)。其7納米生產(chǎn)工藝將首次采用極紫外光刻——新版芯片電路印刷技術(shù)。 三星稱，采用這種技術(shù)可減少生產(chǎn)步驟、降低成本和提高芯片性能。該公司還稱2020年引入4納米生產(chǎn)技術(shù)，屆時(shí)晶體管的排列將有全新面貌。

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  • 美高森美和Aquantia發(fā)布 可量產(chǎn)的多速率交換機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)

    近日， 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，及面向數(shù)據(jù)中心、企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和客戶端連接的高速以太網(wǎng)連接性解決方案先驅(qū)和市場(chǎng)領(lǐng)先者Aquantia 公司今天宣布推出可量產(chǎn)的多速率交換機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)，經(jīng)優(yōu)化支持24 x 2.5G及另外多達(dá)四個(gè)2.5G/5G/10G BASE-T端口。該解決方案組合了美高森美的SparX-IV L2/L3企業(yè)交換機(jī)VSC7448、Linux SMBStaX 軟件、時(shí)鐘管理、PD69208M以太網(wǎng)供電(PoE) 供電設(shè)備 (PSE) 管理器及Aquantia的第二代多速率IEEE™802.3bz PHY AQR409 ，并由美高森美于上周在美國(guó)拉斯維加斯Interop ITX的NBASE-T Alliance展臺(tái)展示。 美高森美以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)(ENT)部產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Larry O’Connell稱：“由于Aquantia的PHY應(yīng)用程序接口(API)和固件集成到美高森美基于Linux的應(yīng)用軟件套件中，包括CEServices、SMBStaX和WebStax，使得這種新的多速率交換機(jī)參考平臺(tái)能夠?yàn)槊栏呱赖目蛻籼峁┤菀淄葡蚴袌?chǎng)的全面硬件和軟件解決方案。此外，該解決方案組合了美高森美PoE、低抖動(dòng)時(shí)鐘解決方案及我們的以太網(wǎng)交換機(jī)和軟件技術(shù)，一攬子方案為我們的客戶滿足其以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)需求。” 美高森美和Aquantia的聯(lián)合參考設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用包括1G、2.5G和10G以太網(wǎng)交換和聚合，理想用于企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如大型企業(yè)和中小型企業(yè)(SMB)交換機(jī)、企業(yè)接入路由器，及無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)接入點(diǎn)(AP)交換機(jī)。由于Wi-Fi設(shè)備的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，今天業(yè)界紛紛最大化企業(yè)級(jí)AP的千兆上行吞吐量。HIS Technology預(yù)期2015年至2020年世界802.11ac和802.11ac Wave 2 的AP總量將超過(guò)1.28億臺(tái)，到 2020年前占據(jù)AP總出貨量的76%以上。這些802.11ac 升級(jí)，特別是Wave 2，所需的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)率將超過(guò)目前千兆以太網(wǎng)技術(shù)支持的水平。 Aquantia高級(jí)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Kamal Dalmia稱：“預(yù)期Wi-Fi速度將超過(guò)現(xiàn)有的有線網(wǎng)絡(luò)的能力，因此，市場(chǎng)明顯出現(xiàn)了優(yōu)化多千兆以太網(wǎng)解決方案的需求。Aquantia的AQrate AQR409 多速率PHY與美高森美SparX-IV企業(yè)交換機(jī)的組合為原始設(shè)備制造商(OEM)提供了高度優(yōu)化的解決方案來(lái)應(yīng)對(duì)這種挑戰(zhàn)。因此，我們預(yù)期和美高森美新的聯(lián)合參考平臺(tái)將加速在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)電纜上實(shí)施多千兆帶寬，同時(shí)，使企業(yè)經(jīng)濟(jì)高效地應(yīng)對(duì)信息技術(shù)問(wèn)題。” Aquantia與美高森美合作，成為加速生態(tài)系統(tǒng)(Accelerate Ecosystem)的一部分，該加速生態(tài)系統(tǒng)的目的是縮短終端客戶的上市時(shí)間，及縮短生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴實(shí)現(xiàn)盈利實(shí)現(xiàn)獲利所需的時(shí)間。美高森美的加速生態(tài)系統(tǒng)組合提供領(lǐng)先的硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)、系統(tǒng)、軟件和設(shè)計(jì)專(zhuān)家，為終端客戶提供經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的主板和系統(tǒng)級(jí)解決方案。 關(guān)于美高森美的SparX-IV L2/L3企業(yè)交換機(jī)VSC7448 VSC7448 SparX-IV-80™器件是80G SMB/中小型企業(yè) (SME) 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)，擁有高達(dá)52個(gè)端口，支持1G、2.5G和10G以太網(wǎng)端口組合，提供豐富的企業(yè)以太網(wǎng)交換功能特性。它采用多級(jí)通用內(nèi)容感知處理(VCAP™) 以提供虛擬局域網(wǎng)(VLAN)和服務(wù)質(zhì)量(QoS) 處理，從而實(shí)現(xiàn)差異化服務(wù)、智能幀處理安全和出口幀操作。 為了實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，VSC7448集成了美高森美正在申請(qǐng)專(zhuān)利的計(jì)時(shí)技術(shù)VeriTime™，可提供高度準(zhǔn)確的IEEE 1588 網(wǎng)絡(luò)計(jì)時(shí)和同步實(shí)施。強(qiáng)大的500 MHz中央處理器(CPU)實(shí)現(xiàn)全面的2層和3層以太網(wǎng)交換解決方案管理，全面的API和軟件開(kāi)發(fā)包則可加速管理以太網(wǎng)應(yīng)用的上市時(shí)間。軟件API包還可無(wú)縫集成第三方軟件，保留了現(xiàn)有的軟件投資。 關(guān)于美高森美的PD69208MPoE PSE管理器和時(shí)鐘管理IC PD69208M PoE PSE管理器支持高達(dá)10G數(shù)據(jù)率，面向IEEE 802.3bt的未來(lái)發(fā)展。美高森美的時(shí)鐘管理產(chǎn)品組合提供超低抖動(dòng)器件，用于時(shí)鐘合成、頻率轉(zhuǎn)換、抖動(dòng)衰減和扇出緩沖，以降低材料清單成本和主板空間要求，并可改善性能可靠性和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。 關(guān)于Aquantia的AQrate AQR409 AquantiaAQrate AQR409是采用19 x19mm覆晶式球柵陣列(BGA)封裝的低功耗、高性能、三速四端口PHY。AQrate技術(shù)填補(bǔ)了1 Gbps數(shù)據(jù)率舊電纜基礎(chǔ)設(shè)施與帶寬1Gbps以上的新興802.11ac WLAN技術(shù)之間的帶寬空白。AQR409通過(guò)100米Cat 5e或Cat 6電纜提供2.5 Gbps、1Gbps和100 Mbps線率速度，使得企業(yè)不需更換舊有電纜也能夠發(fā)展802.11ac WLAN基礎(chǔ)設(shè)施。 所有AQrate PHY都與NBASE-T Alliance PHY規(guī)范及IEEE® 802.3bz標(biāo)準(zhǔn)兼容，以執(zhí)行100米雙絞電纜傳輸所需的所有物理層功能。它們還支持IEEE 802.1AE MAC層安全(MACsec) 協(xié)議、IEEE 1588 v.2、用于同步實(shí)時(shí)時(shí)鐘且準(zhǔn)確度精確到亞微秒的精確時(shí)間協(xié)議(PTP)、降低工作功率的節(jié)能以太網(wǎng)(EEE)及高達(dá)60W以太網(wǎng)(PoE)供電。 關(guān)于美高森美通信產(chǎn)品組合 美高森美提供以性能、功率可靠性和安全性脫穎而出的半導(dǎo)體、系統(tǒng)和業(yè)務(wù)，是卓越的供應(yīng)商，使客戶能夠?yàn)閺V泛應(yīng)用打造解決方案，包括以太網(wǎng)交換機(jī)，100G 以太網(wǎng)和光傳輸網(wǎng)絡(luò)(OTN)，以及包括 LTE- Advanced和 5G、小蜂窩在內(nèi)的蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施， 和微波和毫米波系統(tǒng)，Wi-Fi接入點(diǎn)，基于XGS PON 或NGPON2的聚合線纜接入，包括光纖/PON、G.fast 和DOCSIS3.1的寬帶網(wǎng)關(guān)，以及家庭/內(nèi)部的安全/監(jiān)視。美高森美的通信產(chǎn)品包括高精度時(shí)間和同步器服務(wù)器，比如 IEEE1588 PTP和 NTP服務(wù)器、軟件和組件、低抖動(dòng) PLL和高扇出緩沖器，以及企業(yè)和在運(yùn)營(yíng)商及以太網(wǎng)交換機(jī)和PHY、包括 AEC和ASR的語(yǔ)音和音頻智能, 及具有高安全性和可靠性最低功率的 FPGA;還有PCI高速交換機(jī)、OTN PHY和處理器、光驅(qū)動(dòng)器、集成Wi-Fi前端模塊 (FEM)，以及高能效和多制式 Power-over-Ethernet (PoE) IC和系統(tǒng)， 及G.hn、 G.fast 和xDSL線驅(qū)動(dòng)器。 關(guān)于Aquantia Aquantia是高速半導(dǎo)體連接性解決方案的領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商和全球供應(yīng)商。擁有10多年技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和執(zhí)行實(shí)力的強(qiáng)大支持，Aquantia的市場(chǎng)領(lǐng)先產(chǎn)品組合使能世界最創(chuàng)新的計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。Aquantia提供基于架構(gòu)創(chuàng)新的廣泛的產(chǎn)品系列，為客戶提供高性能、低功耗、高密度和高質(zhì)量的硅解決方案，以滿足市場(chǎng)不斷變化的需求。Aquantia的總部位于美國(guó)加利福尼亞州硅谷，擁有實(shí)力雄厚的風(fēng)險(xiǎn)資本和戰(zhàn)略投資者。

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  • 高通搶了聯(lián)發(fā)科生意：P30獲OPPO和vivo認(rèn)可

    去年下半年至今，幫助聯(lián)發(fā)科的芯片出貨量創(chuàng)下新高的OPPO和vivo轉(zhuǎn)而與高通密切合作并達(dá)成專(zhuān)利授權(quán)合作，這導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科去年四季度和今年一季度的業(yè)績(jī)都表現(xiàn)不佳，近期臺(tái)媒傳OV下半年將采用聯(lián)發(fā)科的helio P30芯片。 OPPO和vivo與聯(lián)發(fā)科的深厚友誼。OPPO和vivo在2014年曾與高通密切合作，全面采用它的芯片推出4G手機(jī)，在當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)開(kāi)始商用4G的情況下取得了不錯(cuò)的業(yè)績(jī)，不過(guò)之后考慮到芯片的成本問(wèn)題，OV兩家轉(zhuǎn)而與聯(lián)發(fā)科合作大量采購(gòu)它的芯片。 2015年和2016年，OPPO和vivo憑借在三四五線城市和農(nóng)村鄉(xiāng)鎮(zhèn)市場(chǎng)所擁有的強(qiáng)大線下渠道優(yōu)勢(shì)，出貨量不斷攀升，去年上半年OV進(jìn)入全球前五大手機(jī)品牌的位置，當(dāng)時(shí)OV兩家大量采用聯(lián)發(fā)科的MT6755芯片，這幫助聯(lián)發(fā)科的季度業(yè)績(jī)連連創(chuàng)下新高。 不過(guò)OPPO和vivo帶給聯(lián)發(fā)科的也并不全是好消息，在它們幫助聯(lián)發(fā)科連連創(chuàng)下季度營(yíng)收新高的情況下，毛利率卻不斷創(chuàng)下新低，這不禁讓人思考OV兩家大量采用聯(lián)發(fā)科芯片的情況下卻在不斷壓低其芯片的價(jià)格。這倒也與OPPO和vivo的營(yíng)銷(xiāo)策略相關(guān)，它們偏向于采購(gòu)中低端芯片，獲得更高的毛利，以與渠道分享利潤(rùn)從而獲得渠道的支持，而它們瘋狂的廣告營(yíng)銷(xiāo)也需要大筆的費(fèi)用。 在OPPO和vivo的出貨量不斷沖高的情況下，它們占優(yōu)勢(shì)的三四五線城市和農(nóng)村鄉(xiāng)鎮(zhèn)市場(chǎng)開(kāi)始逐漸飽和，這就要求它們開(kāi)始進(jìn)入一線城市。不過(guò)一線城市在華為和小米等的培養(yǎng)下，用戶對(duì)手機(jī)的性能相當(dāng)熟悉，OPPO和vivo的“低配高價(jià)”在這里要贏得用戶支持并不容易，于是去年下半年開(kāi)始OPPO和vivo開(kāi)始轉(zhuǎn)向于品牌形象和產(chǎn)品性能都更高的高通合作。 2016年10月，國(guó)內(nèi)最大運(yùn)營(yíng)商中國(guó)移動(dòng)要求手機(jī)企業(yè)和芯片企業(yè)支持LTE Cat7技術(shù)，由于中國(guó)移動(dòng)占有國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)的六成市場(chǎng)份額，對(duì)市場(chǎng)具有強(qiáng)大的影響力，而聯(lián)發(fā)科直到去年底都沒(méi)有芯片可以支持LTE Cat7技術(shù)，這成為OPPO和vivo放棄聯(lián)發(fā)科芯片的又一個(gè)因素。 臺(tái)媒指OPPO和vivo將會(huì)再次采用聯(lián)發(fā)科芯片倒也不是不可能，聯(lián)發(fā)科下半年發(fā)布的helio P30芯片性能接近高通的驍龍660，應(yīng)該會(huì)支持LTE Cat7及以上技術(shù)，當(dāng)然更重要的是性價(jià)比高。由于聯(lián)發(fā)科當(dāng)下市場(chǎng)表現(xiàn)不佳，OPPO和vivo作為全球前五大手機(jī)品牌，采購(gòu)規(guī)模當(dāng)然不會(huì)小，在這樣的情況下相信聯(lián)發(fā)科會(huì)給予OV讓利。 OPPO和vivo引入聯(lián)發(fā)科芯片也有利于它們平衡與高通的關(guān)系，畢竟任何手機(jī)企業(yè)都不希望完全受制于一家手機(jī)芯片企業(yè)，那樣不利于企業(yè)降低成本，在芯片供應(yīng)方面也更有可能受制于人。 當(dāng)前OPPO和vivo無(wú)法擺脫對(duì)高通的依賴，它們正努力開(kāi)拓國(guó)際市場(chǎng)，不過(guò)這兩家手機(jī)企業(yè)缺乏專(zhuān)利，也正是這個(gè)原因它們?nèi)ツ昱c高通達(dá)成了專(zhuān)利授權(quán)合作，希望憑借后者的專(zhuān)利優(yōu)勢(shì)為它們走向海外市場(chǎng)保駕護(hù)航。小米早在2014年底被愛(ài)立信以專(zhuān)利侵權(quán)為由被愛(ài)立信起訴，隨后借助高通的專(zhuān)利獲得暫時(shí)解禁，不過(guò)采用聯(lián)發(fā)科芯片的手機(jī)卻被禁售，這是值得OPPO和vivo吸取的教訓(xùn)。 因此，在考慮眾多因素后，OPPO和vivo采用聯(lián)發(fā)科芯片的可能性是相當(dāng)大的，不過(guò)迫于性能和專(zhuān)利等方面的影響其采購(gòu)聯(lián)發(fā)科芯片的量方面應(yīng)該會(huì)有限，聯(lián)發(fā)科想再靠這兩家手機(jī)企業(yè)的支持重演去年上半年的輝煌已不可能。

    半導(dǎo)體 聯(lián)發(fā)科 oppo vivo

  • 國(guó)內(nèi)晶圓制造28納米制程再獲突破

    據(jù)報(bào)道，近日聯(lián)芯集成電路制造(廈門(mén))有限公司(下稱“聯(lián)芯”)順利導(dǎo)入28納米制程并量產(chǎn)。聯(lián)芯是由廈門(mén)市政府、聯(lián)電以及福建省電子信息集團(tuán)三方合資新建的12寸晶圓代工廠，其28納米制程技術(shù)就來(lái)源于聯(lián)電。 今年一季度，聯(lián)電正式量產(chǎn)旗下最新的14納米制程技術(shù)，按照相關(guān)規(guī)定，可以向子公司聯(lián)電輸出28納米技術(shù)。 所以在今年三月底，聯(lián)電就表示，將盡快推動(dòng)聯(lián)芯導(dǎo)入28納米制程。 沒(méi)想到布局速度這么快，剛過(guò)去一個(gè)多月，聯(lián)芯就實(shí)現(xiàn)了28納米技術(shù)的量產(chǎn)。 據(jù)悉，聯(lián)芯目前的量產(chǎn)良率高達(dá)94%，剛導(dǎo)入就能取得這么高的良率確屬不易，也證明了聯(lián)電28納米制程的穩(wěn)定性。 目前，聯(lián)芯月產(chǎn)能為6000片，預(yù)計(jì)今年年底月產(chǎn)能可達(dá)1.6萬(wàn)片。 隨著聯(lián)芯28納米制程工藝順利量產(chǎn)，未來(lái)將快速帶動(dòng)廈門(mén)甚至福建集成電路產(chǎn)業(yè)集群的形成，也將增加國(guó)內(nèi)28納米晶圓出貨量在全球市場(chǎng)的出貨占比。 根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究院資料顯示，此前中國(guó)大陸本土純晶圓代工廠商只有中芯國(guó)際量產(chǎn)了28納米制程晶圓，但其28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，與臺(tái)積電(66.7%)、格羅方德(16.1%)、聯(lián)電(8.4%)仍有較大差距。 預(yù)計(jì)聯(lián)芯28納米制程的快速量產(chǎn)未來(lái)可能會(huì)對(duì)中芯國(guó)際28納米的布局產(chǎn)生較大影響。 雖然中芯國(guó)際28納米制程工藝已在這之前開(kāi)始量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來(lái)看，中芯更多偏向中低端的28納米Ploy/SiON技術(shù)，對(duì)于高端的28納米HKMG制程工藝涉足并不深，而聯(lián)電授權(quán)聯(lián)芯的28納米在量產(chǎn)時(shí)間上領(lǐng)先中芯國(guó)際兩年，技術(shù)水準(zhǔn)也相對(duì)更加全面和穩(wěn)定。

    半導(dǎo)體 集成電路 晶圓 納米 制程

  • 都是套路！AMD為何做8核16線程的Ryzen

    AMD的Ryzen處理器已經(jīng)發(fā)布了Ryzen 7和Ryzen 5系列,已經(jīng)有8核、6核及4核型號(hào),不過(guò)我們之前已經(jīng)從AMD官方那邊確認(rèn)了目前的Ryzen處理器都是原生8核的,其他核心都是屏蔽部分核心、緩存閹割而來(lái)的,未來(lái)的Ryzen 3也不例外。 原生8核閹割到4核未免有些浪費(fèi),AMD難道不心疼嗎?但是AMD這么做也是有好處的,更關(guān)鍵的是Ryzen 8核的良率非常高,達(dá)到80%以上。 我們之前提過(guò)AMD要是出個(gè)原生4核8線程的處理器就更好了,這樣在中低端市場(chǎng)很有意義,省得用原生8核閹割到4核這么浪費(fèi),不過(guò)Zen架構(gòu)的處理器對(duì)AMD來(lái)說(shuō)不止是桌面處理器,他們更看重的是高性能服務(wù)器市場(chǎng),AMD推出了32核64線程、128個(gè)PCI-E通道、8通道DDR4內(nèi)存的Naples跟Intel競(jìng)爭(zhēng),Zen架構(gòu)必須要考慮到這一點(diǎn)。 從前幾天AMD展示的數(shù)據(jù)中心品牌EPYC來(lái)看,每個(gè)32核Naples處理器內(nèi)部是有4個(gè)Ryzen處理器組成,正好是8核16線程,當(dāng)時(shí)我們也分析了AMD為何做8核16線程的Ryzen了——4x8核的組合做32核處理器要比8x4核更簡(jiǎn)單。 AMD做原生8核可能還有更深的問(wèn)題,那就是良率,在同樣的300mm晶圓下,芯片成本不僅跟芯片面積有關(guān),良率也非常重要。意大利bitchips網(wǎng)站爆料稱Ryzen 8核的良率達(dá)到80%以上,而良率越高,成本就越低,所以AMD能以非常低的價(jià)格制造出32核處理器。 原文還提到了AMD Naples處理器已經(jīng)吸引到了廠商注意,Dropbox就對(duì)Naples和ThreadRipper很感興趣,表示內(nèi)部評(píng)估對(duì)EPYC處理器印象深刻,核心性能、內(nèi)存帶寬及I/O的組合使它獨(dú)一無(wú)二,Dropbox將持續(xù)評(píng)估EPYC作為他們基礎(chǔ)設(shè)施的可能性。 他們還提到有家大公司將購(gòu)買(mǎi)數(shù)量龐大的Naples處理器,很快就會(huì)公布名字了。良率確實(shí)是影響處理器成本的一個(gè)重要問(wèn)題,越復(fù)雜的芯片良率會(huì)越低,成本也會(huì)更高,具體到每家公司的產(chǎn)品來(lái)說(shuō),良率都是不同的,也是各家的機(jī)密,所以我們無(wú)法從公開(kāi)數(shù)據(jù)去對(duì)比Ryzen 8核的80%良率到底是什么水平,Bitchips這里認(rèn)為80%的良率是很高了,有助于降低32核Naples的成本,所以AMD可以只搞已成原生8核的Ryzen,通過(guò)它來(lái)實(shí)現(xiàn)高中低端桌面及服務(wù)器處理器產(chǎn)品線劃分。 不過(guò)原生4核Ryzen對(duì)消費(fèi)者來(lái)說(shuō)依然很有意義,可惜這一代的Ryzen上是見(jiàn)不到了,不過(guò)Ryzen APU中有4核8線程的,還有Vega架構(gòu)顯卡,預(yù)計(jì)在今年下半年發(fā)布。

    半導(dǎo)體 AMD ryzen 16線程

  • 國(guó)人榮耀！我國(guó)研發(fā)成功全球首款二維雷達(dá)

    根據(jù)相關(guān)新聞報(bào)道，近日中航機(jī)載雷達(dá)研究所(607所)完成了世界首部風(fēng)冷機(jī)載兩維有源相控陣火控雷達(dá)研制，并且經(jīng)過(guò)了試飛，取得了重大技術(shù)突破。 中國(guó)研制成功風(fēng)冷機(jī)載有源相控陣火控雷達(dá)，可以方便對(duì)現(xiàn)有戰(zhàn)斗機(jī)進(jìn)行升級(jí)對(duì)于戰(zhàn)斗機(jī)來(lái)說(shuō)，沒(méi)有配備有源相控陣火控雷達(dá)，可能就難以適應(yīng)2020年之后空戰(zhàn)環(huán)境。 這部雷達(dá)研制成功表明國(guó)產(chǎn)現(xiàn)役戰(zhàn)斗機(jī)可以方便用有源相控陣?yán)走_(dá)替代現(xiàn)有機(jī)械掃描雷達(dá)，從而提高戰(zhàn)斗能力，并且這種雷達(dá)也可以用于國(guó)外戰(zhàn)斗機(jī)升級(jí)改造，成為中國(guó)防務(wù)出口一個(gè)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。 我們知道有機(jī)載源相控陣火控雷達(dá)與現(xiàn)役機(jī)械掃描雷達(dá)相比，探測(cè)性能、多目標(biāo)跟蹤/攻擊能力、多用途性能、抗電子干擾能力更強(qiáng)，已經(jīng)成為現(xiàn)代作戰(zhàn)飛機(jī)主流配置，因此有人認(rèn)為戰(zhàn)斗機(jī)如果不配備有源相控陣?yán)走_(dá)，可能就無(wú)法適應(yīng)2020年之后空戰(zhàn)環(huán)境。 有源相控陣?yán)走_(dá)并不是沒(méi)有自己缺點(diǎn)，其中一個(gè)主要缺點(diǎn)就是T/R模塊能量轉(zhuǎn)換效率偏低，我們知道有源相控陣依靠天線上的T/R模塊將電能轉(zhuǎn)換成電磁波輻射出去，受到現(xiàn)有電子技術(shù)限制，目前有源相控陣T/R模塊轉(zhuǎn)換效率還比較低，一般在30%左右，也就是輸入進(jìn)來(lái)電能只有一小部分能夠轉(zhuǎn)換成電磁波，大部分都轉(zhuǎn)變成了熱能，我們知道高溫是電子設(shè)備大敵，對(duì)于半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)，工作環(huán)境溫度不能超過(guò)30度，如果這些熱能無(wú)法及時(shí)散發(fā)出去，就會(huì)讓環(huán)境溫度迅速上升，從而影響雷達(dá)和其他航空電子系統(tǒng)工作，這樣就需要高效制冷系統(tǒng)配合有源相陣?yán)走_(dá)工作。 另外中國(guó)還可以把這型有源相控陣?yán)走_(dá)推向國(guó)際市場(chǎng)，用于其他國(guó)家戰(zhàn)斗機(jī)升級(jí)改造，上世紀(jì)90年代以后，許多國(guó)家引進(jìn)了米格-29、F-16這樣三代作戰(zhàn)飛機(jī)，這些飛機(jī)同樣配備機(jī)械掃描雷達(dá)，也到了升級(jí)時(shí)候，這是一個(gè)非常有潛力市場(chǎng)，實(shí)際上中國(guó)已經(jīng)涉足相關(guān)領(lǐng)域，根據(jù)相關(guān)資料，中國(guó)相關(guān)單位曾經(jīng)將國(guó)外空軍F-5戰(zhàn)斗機(jī)升級(jí)為綜合火控系統(tǒng)，因此在前期項(xiàng)目基礎(chǔ)上，可以向潛在用戶提供一套完整有源相控陣火控雷達(dá)升級(jí)方案，避免對(duì)戰(zhàn)斗機(jī)進(jìn)行較大改進(jìn)，節(jié)省費(fèi)用，這對(duì)于許多發(fā)展中國(guó)家來(lái)說(shuō)是非常有吸引能力的。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 二維雷達(dá)

  • 華為麒麟970將采用10nmFinFET工藝

    10nm工藝的高通驍龍835、三星Exynos 8895、聯(lián)發(fā)科Helio X30已經(jīng)陸續(xù)出爐，傳說(shuō)中的華為麒麟970又在哪兒呢?據(jù)說(shuō)它也會(huì)上10nm FinFET工藝，并且會(huì)在華為下一代旗艦Mate 10中首發(fā)。 隨著10nm工藝的驍龍835處理器新機(jī)陸續(xù)問(wèn)世，華為海思麒麟970何時(shí)推出也成了不少網(wǎng)友關(guān)心的話題。根據(jù)網(wǎng)友@草Grass草在微博上的最新爆料稱，華為下代麒麟970處理器將采用10nm FinFET工藝，GPU則或?qū)⑹装l(fā)ARM Heimdallr MP (北歐神話人物海姆達(dá)爾)。這意味相比現(xiàn)在16nm工藝的麒麟960處理器無(wú)論在功耗還是發(fā)熱控制等方面都會(huì)有更好的表現(xiàn)。 假如網(wǎng)友@草Grass草在微博上的爆料屬實(shí)，那么和驍龍835還有獵戶座8895相比，麒麟970的參數(shù)一點(diǎn)都不差，甚至性能還要更為強(qiáng)大! 此外，消息表示這款處理器仍然沿用目前的4*A72+4*A53的架構(gòu)，據(jù)說(shuō)GPU或許會(huì)良心發(fā)現(xiàn)地升級(jí)到MP8，也就是八核心級(jí)別。這么看來(lái)對(duì)比自家產(chǎn)品的上一代來(lái)說(shuō)，提升也是非常巨大的了。 雖然麒麟960在性能上已經(jīng)夠好了，但是和驍龍835比起來(lái)還是落后了太多，所以今年的麒麟970那是勢(shì)在必行的! 在網(wǎng)絡(luò)制式方面，該款處理器將集成基帶，支持全網(wǎng)通網(wǎng)絡(luò)以及全球大部分的頻段，支持5載波聚合、256-QAM調(diào)制，并且還將提前支持5G網(wǎng)絡(luò)的一些特性。 懟驍龍845已經(jīng)沒(méi)有“隔代差”優(yōu)勢(shì) 盡管以上消息的真實(shí)性還有待證實(shí)，但如果爆料屬實(shí)的話，那么麒麟970處理器還是完美解決了當(dāng)前麒麟960所存在的一些不足，包括工藝帶來(lái)的功耗和發(fā)熱問(wèn)題，以及GPU表現(xiàn)較為遜色等等。 麒麟970無(wú)疑會(huì)在華為下一代旗艦Mate 10中首發(fā)，而發(fā)布時(shí)間還是老規(guī)矩，也就是今年10月份發(fā)布麒麟970、11月份再發(fā)布Mate 10。 根據(jù)華為一貫的戰(zhàn)略，其將會(huì)打田忌賽馬的時(shí)間差，比驍龍835高那么點(diǎn)，搶占驍龍845登場(chǎng)前的時(shí)間制霸。不過(guò)，由于今年第四季傳出高通還有驍龍845處理器推出的消息，所以麒麟970以往的“隔代差”優(yōu)勢(shì)將不復(fù)存在，由此可見(jiàn)高通已經(jīng)掌握了華為麒麟的節(jié)奏，年底的處理器大戰(zhàn)將會(huì)變得更加的精彩。 當(dāng)然根據(jù)華為的特性，或許這枚處理器在發(fā)布時(shí)會(huì)美如畫(huà)，在實(shí)際終端搭載會(huì)有功能上的閹割吧。 而在此前，德國(guó)網(wǎng)站W(wǎng)in Future曾經(jīng)在高通官網(wǎng)上發(fā)現(xiàn)驍龍845和驍龍660、驍龍630等處理器同時(shí)出現(xiàn)在一個(gè)表單中。雖然該款處理器的信息很快便被刪除，但據(jù)稱將在今年第四季推出，并采用臺(tái)積電的7nm工藝，可以封裝在更小的體積中，同時(shí)性能將提升25%-30%。

    半導(dǎo)體 10nm 華為麒麟970

  • 富士康等4家蘋(píng)果代工廠拒付專(zhuān)利費(fèi) 遭高通起訴

     高通與蘋(píng)果之間的專(zhuān)利戰(zhàn)此前一直處于僵持狀態(tài)，日前有消息稱，高通表示，已起訴富士康(鴻海)集團(tuán)等4家蘋(píng)果代工廠拒付專(zhuān)利費(fèi)。高通與蘋(píng)果之間的專(zhuān)利戰(zhàn)升級(jí)，有評(píng)價(jià)稱這樣會(huì)間接給蘋(píng)果施壓。這一舉措使兩家公司之間的緊張關(guān)系嚴(yán)重升級(jí)，無(wú)論結(jié)果如何都會(huì)造成市場(chǎng)紊亂。 專(zhuān)利戰(zhàn)升級(jí) 代工廠被起訴 其它被高通起訴的蘋(píng)果代工廠還包括：和碩、緯創(chuàng)和仁寶。 高通稱，已在加州南區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟，指控為蘋(píng)果公司制造其在全球銷(xiāo)售的iPhone 和iPad的四家制造商——富智康集團(tuán)有限公司和鴻海精密工業(yè)有限公司(合稱為富士康)、和碩聯(lián)合科技股份有限公司、緯創(chuàng)資通股份有限公司和仁寶電腦工業(yè)有限公司——違反了他們與高通之間的許可協(xié)議和其它承諾，并拒絕就使用高通向其許可的技術(shù)付費(fèi)。 由于高通有關(guān)iPhone和iPad的許可協(xié)議不是直接與蘋(píng)果簽署，而是與生產(chǎn)這些設(shè)備的代工廠商簽署的，因此它無(wú)法直接起訴蘋(píng)果拒不支付專(zhuān)利使用費(fèi)。 在起訴中，高通指控蘋(píng)果“精心導(dǎo)演”了其代工廠商拒絕支付專(zhuān)利使用費(fèi)的行為。起訴書(shū)稱，“除不向被告支付應(yīng)當(dāng)支付給高通的專(zhuān)利使用費(fèi)外，蘋(píng)果還唆使被告不向高通支付專(zhuān)利使用費(fèi)。更有甚者，蘋(píng)果還同意為代工廠商因違背與高通的協(xié)議而蒙受的損失買(mǎi)單，進(jìn)一步表明了蘋(píng)果的強(qiáng)勢(shì)。” 兩家公司間的糾紛起始于1月份。蘋(píng)果在2017年透過(guò)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)(FTC)向高通求償10億美元，并發(fā)表聲明表示高通收取的權(quán)利金，是其它移動(dòng)通訊專(zhuān)利授權(quán)者加總金額的5倍。高通則辯稱，蘋(píng)果如果沒(méi)有采用高通提供的快速移動(dòng)通訊連線功能，就不可能打造出大獲成功的商業(yè)產(chǎn)品。 蘋(píng)果于4月底表示在雙方解決法律糾紛之前，將停止支付高通與iPhone有關(guān)的權(quán)利金。 蘋(píng)果拒付權(quán)利金導(dǎo)致高通被迫下修2017會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)務(wù)展望，高通坦言，由于蘋(píng)果扣留應(yīng)付給合約制造商的權(quán)利金，致使合約制造商無(wú)法支付高通相關(guān)權(quán)利金。 有分析認(rèn)為，蘋(píng)果與高通的爭(zhēng)議之所以現(xiàn)在才爆發(fā)，原因與5G即將推出脫不了關(guān)系，因?yàn)樘O(píng)果與其它手機(jī)廠都希望在5G普及之前，與高通協(xié)議新的授權(quán)費(fèi)用。 利益攸關(guān)寸步不讓 比拼雙方?jīng)Q心 實(shí)際上，此次爭(zhēng)議對(duì)雙方可謂都是利益攸關(guān)。 在高通而言，專(zhuān)利費(fèi)是其利潤(rùn)的重要來(lái)源。現(xiàn)階段高通專(zhuān)利授權(quán)業(yè)務(wù)利潤(rùn)比芯片銷(xiāo)售還高出3倍，高通估算全球約有13.7億臺(tái)采用3G和4G的裝置必須向其支付權(quán)利金。 全球?qū)⒂?018年開(kāi)始部署5G，而高通幾乎與所有主要5G電信商建立緊密的聯(lián)盟關(guān)系。另外，高通將3萬(wàn)多項(xiàng)專(zhuān)利列為必要智能財(cái)產(chǎn)權(quán)，蘋(píng)果無(wú)法具體得知哪些專(zhuān)利已獲得授權(quán)，目前有爭(zhēng)議的專(zhuān)利便有20項(xiàng)，以蘋(píng)果在移動(dòng)通訊領(lǐng)域的處境來(lái)看，應(yīng)仍會(huì)繼續(xù)向高通、諾基亞(Nokia)、愛(ài)立信(Ericsson)等支付權(quán)利金。 在蘋(píng)果而言，iPhone的高利潤(rùn)是蘋(píng)果每年利潤(rùn)的核心，所以它奮力反抗避免任何情況的利潤(rùn)減少。而專(zhuān)利費(fèi)確實(shí)是其一筆龐大的支出。 蘋(píng)果稱，過(guò)去數(shù)年高通向它多收了“數(shù)十億美元”的專(zhuān)利使用費(fèi)，與其無(wú)線通信技術(shù)專(zhuān)利相比，高通收取了“過(guò)高的專(zhuān)利使用費(fèi)”。蘋(píng)果執(zhí)行長(zhǎng)Tim Cook日前針對(duì)與高通的專(zhuān)利爭(zhēng)議表示，蘋(píng)果不否認(rèn)高通在標(biāo)準(zhǔn)必要專(zhuān)利方面的貢獻(xiàn)，但高通的元件只占iPhone一小部分，卻以iPhone售價(jià)的百分比收取權(quán)利金。在雙方各自認(rèn)為有理情況下，只好訴請(qǐng)法院裁決。 如果法院判定高通必須根據(jù)元件而非手機(jī)價(jià)格計(jì)算費(fèi)用，這對(duì)手機(jī)廠來(lái)說(shuō)可謂是一大勝利。但高通、諾基亞、愛(ài)立信等行之有年、仰賴專(zhuān)利授權(quán)獲利的商業(yè)模式恐將遭到破壞。 也因此，雙方此次力戰(zhàn)寸步不讓?zhuān)萦摇? 有分析指出，高通是否會(huì)通過(guò)美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)尋求禁令還有待觀察。蘋(píng)果可能會(huì)選擇解決問(wèn)題，如果iPhone 8因?yàn)檫M(jìn)口禁令推遲發(fā)布，無(wú)論推遲時(shí)間多短暫，蘋(píng)果的股價(jià)可能會(huì)面臨巨大打擊。 知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師游云庭在與《證券日?qǐng)?bào)》記者交流時(shí)表示，根據(jù)專(zhuān)利法規(guī)的規(guī)定，生產(chǎn)是法定的侵權(quán)專(zhuān)利的方式之一。對(duì)于這些訴訟，如果高通的專(zhuān)利確實(shí)成立，勝訴應(yīng)該沒(méi)有什么懸念。但對(duì)于蘋(píng)果方面來(lái)說(shuō)，這些訴訟可以看作是高通對(duì)蘋(píng)果的敲打。“如果蘋(píng)果鐵心承受損失也要將專(zhuān)利費(fèi)砍下來(lái)，我個(gè)人覺(jué)得他們可以挺下去。”

    半導(dǎo)體 富士康 蘋(píng)果

  • 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)趨向集中購(gòu)并業(yè)者

    根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner最新公布的2016年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模最終統(tǒng)計(jì)報(bào)告，當(dāng)年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3,435.14億美元，較2015年3,349.34億美元，成長(zhǎng)2.6%。 Gartner研究總監(jiān)James Hines表示，2016年半導(dǎo)體市場(chǎng)，由于一開(kāi)始時(shí)的庫(kù)存調(diào)整，使得市場(chǎng)需求疲弱，而引發(fā)不少擔(dān)憂。他指出，全球半導(dǎo)體營(yíng)收成長(zhǎng)主要受惠于諸多電子設(shè)備領(lǐng)域產(chǎn)能增加、NAND Flash存儲(chǔ)器價(jià)格改善，以及相對(duì)有利的匯率走勢(shì)，因此2016全年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)整體表現(xiàn)大幅優(yōu)于2015年。 然而隨著各半導(dǎo)體業(yè)者彼此間的收購(gòu)或整并案不斷，2016年全球營(yíng)收前25大半導(dǎo)體業(yè)者合計(jì)營(yíng)收，較2015年前25大增加了10.5%。相較而言，當(dāng)年?duì)I收前25大以外的所有業(yè)者合計(jì)營(yíng)收，則是大幅下滑了15.6%。這意味，全球半導(dǎo)體業(yè)市場(chǎng)，正在趨向主要業(yè)者集中。 資料顯示，2016年全球營(yíng)收前25大半導(dǎo)體業(yè)者合計(jì)營(yíng)收，已占當(dāng)年整體半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的74.9%。 而在2016年前十大半導(dǎo)體業(yè)者中，英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronics)營(yíng)收分別年增4.6%，與5.9%，以540.91億美元與401.04億美元續(xù)居全球前二大。 高通(Qualcomm)與SK海力士(SK Hynix)營(yíng)收雖然分別年減4.1%，與10.2%，但仍以154.15億美元與147.00億美元，位居全球第三與四名。2015年SK海力士排名為第三，高通為第四。 至于2016年全球營(yíng)收排名第五的業(yè)者，則是由原名為安華高科技(Avago)的新加坡半導(dǎo)體業(yè)者博通(Broadcom)取得。安華高于2016年初完成對(duì)美國(guó)芯片設(shè)計(jì)業(yè)者博通購(gòu)并作業(yè)后，將合并后的新公司仍命名為博通。 新成立的博通2016年?duì)I收大幅年增191.1%，達(dá)132.23億美元。營(yíng)收排名也由2015年的17，跳升為2016年的第五。 2016年?duì)I收排名因購(gòu)并案而攀升的業(yè)者尚包括，如購(gòu)并快捷半導(dǎo)體(Fairchild)的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，以及購(gòu)并新帝(SanDisk)的威騰(WD)等。 Gartner表示，如果將各收購(gòu)案中的收購(gòu)者與被收購(gòu)者營(yíng)收回歸至原個(gè)別業(yè)者來(lái)計(jì)算的話，那么2016年?duì)I收前25大半導(dǎo)體業(yè)者合計(jì)營(yíng)收，僅較2015年前25大成長(zhǎng)1.9%，前25大以外所有業(yè)者合計(jì)營(yíng)收，則會(huì)較2015年成長(zhǎng)4.6%。 資料顯示，臺(tái)灣地區(qū)芯片設(shè)計(jì)業(yè)者聯(lián)發(fā)科2016年?duì)I收為87.25億美元，年增30.1%。該公司2015年與2016年?duì)I收排名均為第十。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 市場(chǎng)

  • 安森美半導(dǎo)體打造行業(yè)首款支持快充的智能單芯片移動(dòng)電源方案

    當(dāng)下的碎片化信息時(shí)代，隨著碎片式內(nèi)容的日益豐富，移動(dòng)設(shè)備的使用頻次越來(lái)越密集，一款集時(shí)尚輕薄的外形與快速充電于一身的充電設(shè)備，自然更得消費(fèi)者青睞。所以， 更智能且支持快充的移動(dòng)電源方案便應(yīng)運(yùn)而生。 用戶通常都是在遠(yuǎn)離電源的場(chǎng)合使用移動(dòng)設(shè)備如玩游戲、看視頻、發(fā)微信等，需要隨時(shí)隨處頻繁為移動(dòng)設(shè)備充電，這種需求促進(jìn)移動(dòng)電源市場(chǎng)的增長(zhǎng)。根據(jù)有關(guān)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)，移動(dòng)電源的出貨量將從2016年的不到5億只增加到2019年的超過(guò)9億只，從而使得市場(chǎng)年均增長(zhǎng)率高達(dá)17.5%。TMR最新研究報(bào)告指出，預(yù)計(jì)到2022年，全球移動(dòng)電源市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)361億美元，2014-2022期間年復(fù)合增率高達(dá)25.9%。   圖1：移動(dòng)電源市場(chǎng)趨勢(shì) 在市場(chǎng)發(fā)展的不斷推動(dòng)下，僅僅具備簡(jiǎn)單的充電功能的移動(dòng)電源，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足消費(fèi)者的期望， 而更智能的特性和更前沿的設(shè)計(jì)則是消費(fèi)者的普遍期待，尤其是能使電池盡快充滿電的移動(dòng)電源，可將不便減至最小。安森美半導(dǎo)體高度集成的單芯片移動(dòng)電源方案LC709501F，可實(shí)現(xiàn)功能豐富且更具差異化特性的智能移動(dòng)電源產(chǎn)品，更智能且支持快充，幫助移動(dòng)電源供應(yīng)商在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中處于有利地位。 開(kāi)創(chuàng)的功能：與移動(dòng)設(shè)備通信，于移動(dòng)設(shè)備顯示電池信息數(shù)據(jù) 相信很多消費(fèi)者都有過(guò)因攜帶的移動(dòng)電源電量不足而無(wú)法為移動(dòng)設(shè)備充電的惱人經(jīng)歷。安森美半導(dǎo)體的智能充電控制器LC709501支持通過(guò)USB 2.0 全速主機(jī)控制器獲取移動(dòng)電源電池信息如1% 步進(jìn)剩余電量、電池溫度、電池電流及電池健康指標(biāo)(電池充放電周期數(shù))，提供行業(yè)首款電池信息數(shù)據(jù)顯示App用于移動(dòng)設(shè)備，讓消費(fèi)者通過(guò)移動(dòng)設(shè)備隨時(shí)知悉所攜帶的移動(dòng)電源的各項(xiàng)指標(biāo)，大大提高用戶體驗(yàn)。 如圖2所示，只要基于LC709501的移動(dòng)電源被連接到移動(dòng)設(shè)備如智能手機(jī)，創(chuàng)新的移動(dòng)電源應(yīng)用程序就自動(dòng)啟動(dòng)，移動(dòng)電源的詳細(xì)運(yùn)行信息及關(guān)鍵參數(shù)將顯示在智能手機(jī)的屏幕，如移動(dòng)電源電池剩余電量及動(dòng)畫(huà)運(yùn)行、移動(dòng)電源電池使用時(shí)間、剩下的充電時(shí)間、電池溫度、快充開(kāi)關(guān)按鈕等等，并且該方案還支持移動(dòng)電源供應(yīng)商在該App界面顯示其公司Logo。 圖2：與智能手機(jī)的通信顯示電池健康和充電信息 系統(tǒng)架構(gòu)簡(jiǎn)單且高度集成 傳統(tǒng)的移動(dòng)電源方案通常包括微控制器(MCU)、低壓降穩(wěn)壓器(LDO)、USB檢測(cè)模塊和充電穩(wěn)壓模塊等多個(gè)元件，需要大量的設(shè)計(jì)整合時(shí)間，以及軟件開(kāi)發(fā)時(shí)間來(lái)處理邏輯和控制功能。安森美半導(dǎo)體新的單芯片方案LC709501F 將多個(gè)元件集成到單個(gè)封裝，減少元件數(shù)，節(jié)省約20%的空間，實(shí)現(xiàn)緊湊的、超薄的高性能系統(tǒng)，支持平臺(tái)設(shè)計(jì)，外置的FET還可擴(kuò)展充電能力。該單芯片方案包括集成的電量計(jì)功能、可配置的I/O、LED驅(qū)動(dòng)器、I2C接口、USB 2.0全速主機(jī)控制器，和用于外部功率MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器，提供領(lǐng)先業(yè)界的功率密度。 圖3：移動(dòng)電源之傳統(tǒng)方案架構(gòu)對(duì)比安森美半導(dǎo)體方案架構(gòu) 支持最新的快充標(biāo)準(zhǔn) 為加快充電速度，縮短充電時(shí)間，市場(chǎng)上產(chǎn)生了各種快速充電標(biāo)準(zhǔn)，其規(guī)格和充電速度及輸出功率如圖4所示。一般而言，輸出電流和輸出電壓越高，充電越快。安森美半導(dǎo)體的移動(dòng)電源方案LC709501可自動(dòng)檢測(cè)移動(dòng)設(shè)備的電池標(biāo)準(zhǔn)，并集成最佳充電方式選擇功能，通過(guò)更新固件支持最新的快速充電標(biāo)準(zhǔn)，如高通快速充電QC2.0和QC3.0等專(zhuān)有充電協(xié)議，并可通過(guò)額外的軟件支持USB PD和Type-C連接，資深用戶甚至可對(duì)LC709501F重新編程以實(shí)現(xiàn)定制的充/放電協(xié)議，通過(guò)改變外部MOSFET支持最大12V、2.5A(30W)的輸出功率等級(jí)。 圖4：快速充電標(biāo)準(zhǔn)概覽及比較 豐富的保護(hù)機(jī)制 移動(dòng)電源的安全問(wèn)題不容忽視，如若其保護(hù)機(jī)制的設(shè)計(jì)不合理，將有可能引發(fā)火災(zāi)、爆炸等安全事故。安森美半導(dǎo)體的LC709501F提供過(guò)流檢測(cè)、過(guò)壓檢測(cè)、安全計(jì)時(shí)器和冗余電池保護(hù)等全面的保護(hù)機(jī)制，并采用一個(gè)熱敏電阻用于溫度監(jiān)測(cè)，增強(qiáng)安全性。此外，其自適應(yīng)充電算法能在兼顧電池健康狀態(tài)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)最大化的電荷存儲(chǔ)容量，確保更長(zhǎng)的電池使用壽命。 能效測(cè)試 安森美半導(dǎo)體對(duì)LC709501F作了6組能效測(cè)試，6組數(shù)據(jù)的能效都超過(guò)90%，如圖5所示。 圖5：能效測(cè)試曲線 總結(jié) 安森美半導(dǎo)體打造的行業(yè)首款支持快充的智能單芯片移動(dòng)電源方案LC709501F，開(kāi)創(chuàng)了移動(dòng)電源與移動(dòng)設(shè)備通信的功能，可準(zhǔn)確可靠地于屏幕顯示電池信息數(shù)據(jù)，提供全新的用戶體驗(yàn)，具備智能特性以及同類(lèi)最佳的集成度，系統(tǒng)架構(gòu)簡(jiǎn)單，有利于實(shí)現(xiàn)緊湊的、時(shí)尚輕薄的移動(dòng)電源，支持平臺(tái)設(shè)計(jì)，并兼容最新的快速充電標(biāo)準(zhǔn)，滿足消費(fèi)者對(duì)隨時(shí)隨地為便攜式電子產(chǎn)品充電的需求，提供寬廣的功率和5 V、9 V甚或12 V工作的電壓輸出范圍，通過(guò)簡(jiǎn)單的FET選擇，最大充放電能力達(dá)30 W，全面的保護(hù)機(jī)制增強(qiáng)安全性并確保電池使用壽命。此外，為幫助移動(dòng)電源制造商加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，安森美半導(dǎo)體還提供參考設(shè)計(jì)套件，最大限度地縮減設(shè)計(jì)人員重設(shè)計(jì)硬件的時(shí)間。

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