www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

  • 貿(mào)澤供貨Amphenol ZnNi 圓形軍工規(guī)格金屬連接器登陸貿(mào)澤

    專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) ，宣布即日起開售Amphenol Industrial的Amphe-Lite灰色鋅鎳(ZnNi)金屬連接器。 這些符合RoHS標準的連接器屬于Amphe-Lite超小型商用連接器系列的一部分，在無電鍍鎳底層上方覆蓋了灰色鋅 ，適用于各種嚴苛環(huán)境。 貿(mào)澤電子供應的Amphenol Amphe-Lite 灰色ZnNi金屬連接器100%防斜插，采用高密度觸點布局，其設計包含金屬對金屬耦合，具有出色的EMI屏蔽能力。 這些連接器提供自鎖、快速斷開螺紋接口以及l(fā)ocksmith鍵控功能，具有五種鍵槽極化。 這些連接器的防腐蝕鍍層可耐受500小時的鹽霧環(huán)境，并與其他標準電鍍方式兼容。此外，通過改進的接口密封設計實現(xiàn)了防潮效果，可防止觸點遭受電解腐蝕?；疑玓nNi連接器符合MIL-DTL-38999 系列III規(guī)范，可在- 65℃到+200℃的溫度范圍內(nèi)工作。 灰色ZnNi金屬連接器現(xiàn)在提供多種配置、安裝類型和嵌入件，適用于電動車、工業(yè)和發(fā)電等應用。 貿(mào)澤電子庫存有種類豐富的Amphenol工業(yè)產(chǎn)品，包括適用于各種應用的連接器、插座和端子。貿(mào)澤曾多次榮獲Amphenol Industrial頒發(fā)的多項優(yōu)秀分銷商大獎，包括2012、2013和2015年度分銷商獎和2014、2015年的全球最佳表現(xiàn)獎，同時獲獎的還有TTI公司。

    半導體 貿(mào)澤電子 金屬連接器

  • Allegro MicroSystems，LLC推出具有用戶可配置的雙重故障功能的差動式、高精度、高隔離度電流傳感器

     美國馬薩諸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems，LLC宣布推出一款全新高精度霍爾效應電流傳感器IC ACS720，它具有多種可編程故障級別，適用于工業(yè)和消費類應用，尤其是電機控制和電源逆變器級等相關(guān)應用。Allegro ACS720的一個主要優(yōu)勢是通過專有的IC SOIC-16W封裝能夠以較少的物料清單提供所需的高隔離度。ACS720采用5V單電源供電，能夠保持輸出電壓擺幅為0至3V，并具有穩(wěn)定的零電流輸出1.5V。這樣，ACS720在以5V電源工作時，其輸出能夠支持許多MCU上的典型3.3V ADC。此外，ACS720的高電源抑制比(PSRR)能夠抑制PCB或系統(tǒng)中電源的噪聲，從而在高噪聲環(huán)境下也能保持高精度。 ACS720器件具有用戶可配置的雙重故障功能，快速和慢速故障輸出可以進行短路和過流故障檢測。來自ACS720電源的用戶創(chuàng)建電阻分壓器可用于設置故障級別，故障輸出為開路漏極，允許用戶將其上拉至MCU兼容電壓。開路漏極輸出還允許實現(xiàn)多個傳感器故障輸出的簡單邏輯OR。 ACS720還集成有差動式電流檢測，能夠抑制外部磁場，大大簡化了三相電機應用中的電路板布局。由于采用了Allegro專利的數(shù)字溫度補償技術(shù)，因而在此開環(huán)傳感器IC中能夠?qū)崿F(xiàn)接近閉環(huán)的精度，為那些傳統(tǒng)上依賴于閉環(huán)技術(shù)傳感器的電流傳感應用提供了一種體積更小、更經(jīng)濟實惠的解決方案。 ACS720采用小型表面貼裝SOIC16封裝，引腳框為100%霧錫電鍍，并與標準無鉛印刷電路板組裝工藝兼容。在器件內(nèi)部，除了RoHS免除的倒裝芯片高溫鉛基焊球，器件也是采用無鉛設計。ACS720器件在出廠前已經(jīng)完全校準。 欲了解ACS720的價格和其他信息，請聯(lián)系A(chǔ)llegro上海分公司。

    半導體 電流傳感器 llc

  • 這次瞄準中端市場：聯(lián)發(fā)科即將推出兩款P系列芯片

     聯(lián)發(fā)科將在本月底發(fā)布Helio P23、Helio P30新兩款P系列產(chǎn)品，帶來了全新Modem的加入，大幅提高網(wǎng)絡性能，重點發(fā)展中端市場。 據(jù)消息了解，來自counterpoint調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)，目前國內(nèi)智能手機市場成長速度最快的還是2000左右價位段的中端手機，OPPO/vivo兩家更是依靠穩(wěn)健的產(chǎn)品策略實現(xiàn)上億的年出貨量。在消費升級的大勢下，中端市場無疑是未來競爭的核心陣地，市場對于中端處理器的需求日漸明顯。據(jù)目前消息來看，在本月底，聯(lián)發(fā)科可能將會發(fā)布Helio P23、Helio P30兩款P系列產(chǎn)品。對于這兩款新品，整合新成本架構(gòu)的Modem，并且持續(xù)升級Modem性能。 據(jù)爆料了解，Helio P23將采用16nm工藝制程，八核心Cortex A53架構(gòu)，GPU可能直接采用自家旗艦處理器X30上同款I(lǐng)MG PowerVR 7XTP(主頻為850MHz)，性能上相較與X20提升了2.4倍，功耗降低60%，支持最新的LPDDR4X內(nèi)存，2K分辨率屏幕, 支持雙卡雙Volte以及Cat.7級別的連接性。而Helio P30采用的是臺積電12nm制程工藝，擁有2.4GHz四核A72+1.5GHz四核A53的CPU架構(gòu)，并且搭配Mali-G71處理器，支持雙通道LPDDR4內(nèi)存規(guī)格，存儲采用eMMC 5.1及UFS 2.0規(guī)格, 無線連接能力提升至Cat.10，達到最高下行速率600Mbps。這兩款處理器均會支持雙攝，內(nèi)嵌視像處理器(VPU)并搭配圖像信號處理器(ISP)，實現(xiàn)了實時景深廣角變焦鏡頭、快速自動曝光、弱光實時降噪等高級功能。 最后，最主要的是聯(lián)發(fā)科做到了支持雙卡雙Volte的芯片解決方案，實現(xiàn)通話的時候仍然保持數(shù)據(jù)連接，在玩游戲的時候即使突然有電話，也不會掉線?？磥砺?lián)發(fā)科重新發(fā)力中端手機市場，今年聯(lián)發(fā)科會不會有機會咸魚翻身呢?就看聯(lián)發(fā)科推出最新P系列芯片是否贏得中端市場的青睞呢?讓我們拭目以待吧。

    半導體 聯(lián)發(fā)科 GPU p系芯片

  • 關(guān)鍵時期—中國半導體發(fā)展的加速期

    半導體的發(fā)展決定了一個國家工業(yè)信息化的進程，我國高度重視鼓勵新技術(shù)半導體的發(fā)展和應用，此時，正處在半導體發(fā)展的關(guān)鍵加速期。  雖然目前國內(nèi)LED企業(yè)和國際巨頭相比還存在一定差距，但是可以看出，國家未來將力推業(yè)內(nèi)龍頭標桿企業(yè)的出現(xiàn)，從而與國際知名企業(yè)抗衡。 為進一步提升產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展水平，引導產(chǎn)業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展，近日，國家發(fā)改委、教育部、科技部等13個部委聯(lián)合印發(fā)關(guān)于《半導體照明產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》(以下簡稱《規(guī)劃》)的通知，旨在引導我國半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展，培育經(jīng)濟新動能，推進照明節(jié)能工作，積極應對氣候變化，促進生態(tài)文明建設。 《規(guī)劃》的提出對于推動半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展將起到怎樣的作用?我國半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨哪些機遇與挑戰(zhàn)?對此，中國經(jīng)濟時報記者專訪了賽迪智庫集成電路研究所副主任葛婕。 堅持創(chuàng)新引領(lǐng)半導體照明產(chǎn)業(yè)成效顯著 中國經(jīng)濟時報：目前，我國在半導體照明技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展等方面取得了哪些成效? 葛婕：正如《規(guī)劃》中提到的，“十二五”期間，我國多部門、多舉措共同推進半導體照明技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、企業(yè)、應用等方面都取得了明顯成效。 一是從產(chǎn)業(yè)方面來看，隨著全球禁止白熾燈計劃的逐步推進，我國半導體照明行業(yè)總體呈現(xiàn)出穩(wěn)定增長的態(tài)勢，2016年超過5000億元，近五年來年均復合增長率超過20%。特別是去年以來，上中游芯片、器件價格整體上漲，LED芯片產(chǎn)品上漲平均幅度約為10-15%，中游封裝器件價格上漲5-10%。進出口方面，2011年以來我國整體照明產(chǎn)品的出口增長速率保持在較高水平，照明產(chǎn)品的出口增長速度保持在10%以上。 二是從技術(shù)方面來看，我國LED產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)與國際水平差距進一步縮小，已成為全球LED封裝和應用產(chǎn)品重要的生產(chǎn)和出口基地。在LED外延材料、芯片制造、器件封裝、熒光粉等方面均已顯現(xiàn)具有自主技術(shù)產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù)，形成了從上游材料、芯片制備、中游器件封裝及下游應用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系。特別是硅基LED技術(shù)作為三種技術(shù)路線不斷取得突破，研發(fā)水平國際領(lǐng)先。 三是從企業(yè)方面來看，LED上市企業(yè)表現(xiàn)突出，整體盈利情況逐漸好轉(zhuǎn)。面對應用市場需求和競爭態(tài)勢，LED企業(yè)尋求并購等途徑以求加強企業(yè)競爭力以及盈利能力。 四是從應用方面來看，細分市場受到進一步關(guān)注。小間距顯示、車用LED、手機LED閃光燈等細分市場受到關(guān)注;生物農(nóng)業(yè)光照(三安泉州植物工廠)、光醫(yī)療、通訊、安全、殺菌消毒等創(chuàng)新應用將成為替代階段之后的新增長點和長期成長動力。越來越多的LED企業(yè)將向高毛利的細分市場轉(zhuǎn)戰(zhàn)。大企業(yè)借助資本市場，通過整合并購，進一步集聚優(yōu)勢資源，繼續(xù)做大做強。中小企業(yè)則須深耕細分市場，做精做專，才能謀得出路。 同質(zhì)化趨勢有待改變標準體系有待健全 中國經(jīng)濟時報：隨著云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等快速興起，我國半導體市場需求持續(xù)快速增長，市場缺口較大。目前，半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨哪些障礙和挑戰(zhàn)? 葛婕：在半導體照明智能化、跨界融合、商業(yè)模式變革等發(fā)展趨勢的背景下，我國主要面臨兩方面挑戰(zhàn)：一是產(chǎn)品同質(zhì)化競爭，質(zhì)量有待提升。LED照明進入門檻相對較低，產(chǎn)品具有同質(zhì)化發(fā)展趨勢，且主要集中在中低端，缺乏差異化創(chuàng)新。同時，企業(yè)為了爭奪市場，用低端產(chǎn)品，犧牲性能降低成本，產(chǎn)品存在價格便宜、質(zhì)量沒有保障的現(xiàn)象，這也直接導致了整個LED行業(yè)市場產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊、價格混亂的現(xiàn)象。 二是標準亟待完善，核心知識產(chǎn)權(quán)有待加強。我國面臨標準體系不健全、執(zhí)行不到位、更新不及時等問題，LED標準大多是推薦性的標準，并非強制執(zhí)行，導致部分企業(yè)對標準缺乏重視而難以執(zhí)行。同時，雖然我國目前已經(jīng)成為全球最大的LED照明產(chǎn)品生產(chǎn)地和出口國，但是自主知識產(chǎn)權(quán)缺乏，企業(yè)專利缺乏，保護體系基本處于防御狀態(tài)，成為制約企業(yè)走出去的重大瓶頸。 政策帶動業(yè)內(nèi)龍頭標桿企業(yè)有望產(chǎn)生 中國經(jīng)濟時報：此次《規(guī)劃》的提出對于推動半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展將起到怎樣的作用?此次《規(guī)劃》有哪些亮點? 葛婕：《規(guī)劃》從創(chuàng)新引領(lǐng)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型、產(chǎn)品推廣、市場監(jiān)督、區(qū)域合作、協(xié)調(diào)管理等六大方面，為“十三五”期間我國半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明重要方向，進一步為企業(yè)營造良好的政策環(huán)境。 特別是其中有兩個重要亮點，一是在技術(shù)創(chuàng)新方面，堅持創(chuàng)新引領(lǐng)，促進跨界融合，實現(xiàn)從基礎(chǔ)前沿、重大共性關(guān)鍵技術(shù)到應用示范的全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新設計和一體化組織實施。通過國家層面組織共性關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)推廣，將極大提升我國LED企業(yè)的自主創(chuàng)新和研發(fā)實力，加快推動產(chǎn)業(yè)邁向中高端。 二是實施能效“領(lǐng)跑者”引領(lǐng)行動。2015年，國家就曾推出過“能效領(lǐng)跑者”制度，鼓勵企業(yè)進行節(jié)能環(huán)保生產(chǎn)，同時，將一批符合標準的企業(yè)納入采購清單，此次再次強調(diào)，充分說明了政府在LED照明節(jié)能環(huán)保方面的決心。如果《規(guī)劃》中的各項行動計劃都能落到實處，將對我國LED產(chǎn)業(yè)帶來重大促進作用。 中國經(jīng)濟時報：《規(guī)劃》提到，到2020年，形成1家以上銷售額突破100億元的LED照明企業(yè)，培育1到2個國際知名品牌，10個左右國內(nèi)知名品牌，為此，還需要在哪些方面下功夫? 葛婕：雖然目前國內(nèi)LED企業(yè)和國際巨頭相比還存在一定差距，但是可以看出，國家未來將力推業(yè)內(nèi)龍頭標桿企業(yè)的出現(xiàn)，從而與國際知名企業(yè)抗衡。目前，隨著國內(nèi)LED照明行業(yè)的崛起，涌現(xiàn)出三安光電、歐普照明、雷士照明、國星光電、德豪潤達、佛山照明、木林森等一大批業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。2016年三安光電已經(jīng)實現(xiàn)銷售收入63億元，同比增長29%;歐普照明也達到55億元，同比增長23%;飛樂音響銷售收入72億元，同比大幅增長42%。按照目前的增長情況，我個人對“十三五”實現(xiàn)這個產(chǎn)業(yè)目標還是比較樂觀的。 為實現(xiàn)整個產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，未來應該注重以下三個方面: 一是引導上下游企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)，實現(xiàn)產(chǎn)品協(xié)同配套。圍繞下游應用領(lǐng)域?qū)ι嫌涡酒夹g(shù)和中游封裝工藝提出的新要求，加強引導和集中支持產(chǎn)業(yè)鏈上下游骨干企業(yè)開展戰(zhàn)略協(xié)作，并進行聯(lián)合攻關(guān)，實現(xiàn)關(guān)鍵共性技術(shù)的集中突破，產(chǎn)品的協(xié)同發(fā)展。 二是推進關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新，提升全產(chǎn)業(yè)鏈核心競爭力。突破外延生長與芯片制造、器件封裝、專用材料、關(guān)鍵設備、照明產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件等核心技術(shù)，重點開發(fā)高光效、高顯色性、低色溫的LED技術(shù)和產(chǎn)品。鼓勵企業(yè)和高校共同推進新材料和新結(jié)構(gòu)器件的研發(fā)，包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅基LED技術(shù)、同質(zhì)外延技術(shù)、圖形化襯底技術(shù)等，并盡快實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 三是瞄準新型應用，搶占發(fā)展先機。開拓LED在智能照明系統(tǒng)、生態(tài)農(nóng)業(yè)、醫(yī)療保健、汽車照明等領(lǐng)域的研發(fā)工作，鼓勵企業(yè)瞄準新型應用領(lǐng)域開展技術(shù)創(chuàng)新，搶占發(fā)展先機。

    半導體 半導體 照明產(chǎn)業(yè)

  • 性能全面提升Cree新一代XLamp XHP70.2 LED在貿(mào)澤開售

     2017年8月14日 – 專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 即日起備貨Cree的XLamp® XHP70.2 LED。與第一代XHP70 LED相比，這些第二代超高功率(XHP) LED的光通量提高了9%，每瓦流明(LPW)增加了18%。 貿(mào)澤電子供應的Cree XLamp XHP70.2 LED封裝尺寸與前代產(chǎn)品相同，均為7.0 mm x 7.0 mm，使得客戶在現(xiàn)有XHP70設計基礎(chǔ)上，能夠輕松實現(xiàn)產(chǎn)品升級。XHP70.2 LED提供120°寬視角，與相同尺寸的最接近競爭對手相比，此LED的流明密度最多可提高58%，對于高流明照明應用，可以實現(xiàn)更小體積的燈具和更好的光學控制。 除了光輸出和光效的升級外，XHP70.2 LED還通過二次光學設計進一步改善了光學一致性，幫助燈具制造商提升照明性能。XHP70.2 LED的LM-80數(shù)據(jù)可即刻獲取，幫助縮短通過美國能源之星 (ENERGY STAR®)和DesignLights Consortium認證所需的時間。 貿(mào)澤電子供應的XHP70.2 LED符合ANSI(白色)標準，采用Cree先進的EasyWhite® 技術(shù)，提供2階、3階和5階麥克亞當橢圓分檔，在相關(guān)色溫 (CCT) 3000K到5700K 范圍內(nèi)提供高顯色指數(shù)(CRI)選項。此款LED可配置為6 V/4800 mA或12 V/2400 mA，在85°C結(jié)溫下接受測試與分檔。

    半導體 LED cree 貿(mào)澤 xlamp xhp70.2

  • e絡盟 推出兩款全新 ADI PulsarPMOD 主板

     Pmod(外設模塊)接口是一種與 FPGA 和微控制器配合使用的開放標準規(guī)范。在進行原型設計時，這兩款主板可與 ADICUP360(一款兼容 Arduino 外形的 ARM Cortex-M3 開發(fā)平臺)或 ADICUP3029(一款基于 Arduino 的無線開發(fā)平臺，適用于采用超低功率 ARM Cortex-M3 處理器的物聯(lián)網(wǎng)應用)結(jié)合使用。SPI 和 I2C PMOD 外設連接器也可在許多第三方 MCU 或 FPGA 開發(fā)板上找到，其中 PulsarPMOD 主板系列可以直接連接到這些系統(tǒng)中，以便您使用網(wǎng)上找到的 ADI 參考代碼來開發(fā)自己的代碼。 EVAL-ADT7420-PMDZ 是一款溫度測量 PMOD 主板(可精確到 0.25 攝氏度)。這款主板配備 I2C 連接器，可連接至 FPGA 和 MCU 平臺。 EVAL-ADXL355-PMDZ 是一款低噪聲、低漂移 3 軸加速計 PMOD 主板，具有 20 位加速度分辨率，并且可連接至 FPGA 和 MCU 平臺。 電氣和物理直接連接讓您可以快速啟動硬件和軟件，以便開發(fā)您的解決方案。 這兩款 PMOD 兼容主板現(xiàn)可在 Farnell element14(歐洲)、Newark element14(北美洲)和 e絡盟(亞太地區(qū))上訂購。 訪問 e絡盟 互動社區(qū)，了解有關(guān) EVAL-ADT7420-PMDZ 和 EVAL-ADXL355-PMDZ 的詳細信息。

    半導體 adi e絡盟 主板 pulsarpmod

  • 三星、英特爾、美光、谷歌等巨頭齊聚中國•深圳，只為CFMS2017峰會而來

     2017年9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的以“中國存儲•全球格局”為主題的中國閃存市場峰會CFMS2017(http://cfms.chinaflashmarket.com)，將在深圳華僑城洲際酒店隆重舉行，不僅邀請三星、英特爾、美光、江波龍、Marvell等國內(nèi)外存儲重量級企業(yè)嘉賓演講，中國閃存市場ChinaFlashMarket也會針對存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展進行數(shù)據(jù)分析和報告。 圖一：掃描圖片二維碼即可進入峰會報名頁面 原廠64層3D NAND增加量產(chǎn)，F(xiàn)ab工廠擴大投產(chǎn)，對產(chǎn)業(yè)影響重大 隨著技術(shù)的快速發(fā)展，2017下半年Flash原廠三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等64層/72層3D NAND紛紛進入量產(chǎn)，英特爾和美光新型3D Xpoint技術(shù)也開始投入商用。在3D技術(shù)快速迭代推動下，原廠之間技術(shù)競爭急劇升溫，數(shù)據(jù)中心、企業(yè)等領(lǐng)域數(shù)據(jù)存儲也將迎來新的挑戰(zhàn)。 此外，F(xiàn)lash原廠新Fab工廠也在擴大生產(chǎn)，比如：三星耗資150億美元新建的平澤Fab 18工廠，英特爾獨自投資升級設備的大連工廠，美光投資40億美元在Fab 10N旁新建的Fab 10X，以及SK海力士新建的M14工廠，東芝正在新建的Fab 6工廠等，這些都將對NAND Flash產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成重大影響。在以“中國存儲•全球格局”為主題的中國閃存市場峰會CFMS2017上，三星、英特爾、美光將從3D NAND和3D Xpoint創(chuàng)新技術(shù)、全球市場戰(zhàn)略布局、產(chǎn)能規(guī)劃等方面介紹NAND Flash產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 3D NAND擴大出貨，NAND Flash后續(xù)市場和價格將如何發(fā)展? 由于Flash原廠技術(shù)由2D NAND向3D NAND發(fā)展，產(chǎn)出減少造成市場供不應求，刺激NAND Flash自2016年Q2以來持續(xù)漲價。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，2017上半年消費類每GB銷售價格在高峰期已突破0.3美元，價格持續(xù)且大幅上漲已對產(chǎn)業(yè)造成很大影響，尤其是對正值增長期的SSD市場。 2017下半年，F(xiàn)lash原廠新3D NAND擴大出貨，未來市場和價格將會有怎樣的變化，NAND Flash市場供貨緊缺還會延續(xù)多久，F(xiàn)lash原廠擴產(chǎn)是否會造成后續(xù)市場供過于求，存儲企業(yè)市場機會又在哪?中國閃存市場ChinaFlashMarket將針對全球存儲市場格局變化和中國存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展進行數(shù)據(jù)分析和報告。江波龍將分享企業(yè)存儲成長之路，以及企業(yè)市場機遇和產(chǎn)品創(chuàng)新應用。 圖二：CFMS2017演講嘉賓 NAND Flash從SLC發(fā)展到MLC，再到TLC成為主流，現(xiàn)在又向3D NAND發(fā)展，在這個技術(shù)演變的過程中控制芯片廠起到了非常重要的推動作用。國際控制芯片廠Marvell，臺系控制芯片廠慧榮，國內(nèi)控制芯片廠硅格半導體將分別介紹其控制芯片技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，以及對UFS、SSD等主流產(chǎn)品的支持和在中國市場上的戰(zhàn)略布局。 大數(shù)據(jù)對SSD需求大增，車載市場存儲新生力軍崛起 數(shù)據(jù)中心、企業(yè)等領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)存儲需求與日俱增，下一個五年蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)從車聯(lián)網(wǎng)開始爆發(fā)，當下互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)谷歌、百度、阿里巴巴、騰訊等正在增加部署SSD提高數(shù)據(jù)處理、數(shù)據(jù)分析、數(shù)據(jù)快速反應的能力，中國汽車市場的存儲需求也在快速增長。在中國閃存市場峰會CFMS2017上，谷歌將介紹大數(shù)據(jù)有關(guān)的存儲應用，英偉達將講解智能汽車先進技術(shù)和車載存儲應用。 中國作為全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)最重要的市場，戰(zhàn)略地位舉足輕重，而且在國家政策扶持下，國家大基金正在大力支持集成電路制造、設計、封裝等領(lǐng)域的中國企業(yè)發(fā)展，讓更多中國存儲優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈廠商體現(xiàn)出創(chuàng)新、共享、品質(zhì)、服務等互補新模式。在中國閃存市場峰會CFMS2017上，國家大基金/華芯投資是如何支持中國存儲企業(yè)快速發(fā)展，海康存儲在行業(yè)和汽車存儲市場可提供怎樣的創(chuàng)新應用，答案就在9月6日舉行的中國閃存市場峰會CFMS2017，期待您的到來! 圖三：掃描圖片二維碼關(guān)注中國閃存市場微信公眾號，“微信菜單”進入報名

    半導體 三星 英特爾 谷歌 美光 Flash cfms

  • Xilinx可重配置存儲加速解決方案 亮相2017年閃存峰會

     近日，All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc.，(NASDAQ:XLNX))宣布，在2017 年閃存峰會上展示了可重配置存儲加速解決方案。通過一系列的演示和介紹，賽靈思及其生態(tài)系統(tǒng)重點展示了用于當前和下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用的高性能存儲解決方案。在今年的閃存峰會上首次公開亮相的賽靈思NVMe-over-Fabrics參考設計為設計人員提供了靈活的平臺，不僅可以幫助設計者實現(xiàn)可擴展的存儲解決方案，而且還能幫助他們將定制加速功能集成到其存儲陣列中。該參考設計無需專用 x86 處理器或外接網(wǎng)卡，因此能開發(fā)出高度集成、穩(wěn)健可靠的低成本解決方案。 賽靈思在展會上的演示與參與的小組討論包括 · 面向下一代NVMe平臺的可重配置存儲加速 演講者：Rakesh Cheerla，賽靈思產(chǎn)品經(jīng)理 · 用 FPGA 加速基于NVMe-over-Fabric 的存儲網(wǎng)絡 演講者：Deboleena Minz Sakalley，賽靈思高級設計工程師 · 用 FPGA 和一體化閃存存儲技術(shù)加速數(shù)據(jù)分析 演講者：HK Verma，賽靈思首席工程師 賽靈思在展會上的精彩演示： · NVMe-over-Fabric平臺 賽靈思單芯片存儲解決方案將NVMe-over-Fabric、目標 RDMA 卸載和處理子系統(tǒng)完美集成在一起，相對于需要外部主控芯片和網(wǎng)絡接口卡(NIC)的現(xiàn)有產(chǎn)品而言，更加省電且能提供更低時延。該 2x100Gb 以太網(wǎng)平臺能幫助客戶實現(xiàn)增值存儲工作負載加速如壓縮和擦寫代碼等。 · 面向數(shù)據(jù)驅(qū)動型應用的計算存儲子系統(tǒng) ScaleFlux計算存儲子系統(tǒng)(CSS)獨特地解決了計算和存儲 I/O 瓶頸問題。CSS壓縮技術(shù)能加速吞吐量實現(xiàn)數(shù)量級提升，而且不必運行軟件解決方案需要的成本不菲的 CPU 開銷，從而可以實現(xiàn)性能不減，存儲容量利用率最高。 · 支持多源閃存產(chǎn)品的的可編程控制器 Burlywood 的TrueFlash模塊化控制器架構(gòu)，不僅能加快新型 NAND 的市場采用進程，同時為云端、全閃存陣列和超融合 OEM 客戶帶來突破性的成本和性能優(yōu)勢。采用賽靈思UltraScale+™ FPGA的TrueFlash，充分利用賽靈思器件的功耗、性能和成本方面的優(yōu)勢，能幫助客戶快速優(yōu)化解決方案，滿足工作負載要求，還能運用同一控制器驗證多種 NAND 產(chǎn)品。 包括Everspin Technologies、IntelliProp、IP-Maker、Kazan Networks、MobiVeil、PLDA和Smart IOPs 等公司在內(nèi)的賽靈思生態(tài)系統(tǒng)公司，都在其 FMS 展臺演示了各自基于賽靈思技術(shù)的產(chǎn)品。 關(guān)于NVMe-Over-Fabrics： NVMe-Over-Fabrics(簡稱 NVM-oF)參考平臺實現(xiàn)在Fidus Sidewinder卡上，支持多達 4個NVMe SSD 并采用賽靈思 ZU19EG Ultrascale+ MPSoC器件。該參考平臺配套提供所需的所有必要軟件驅(qū)動程序。 賽靈思 ZU19EG 器件能把NVMe-oF和 ROCEv2 RDMA 協(xié)議工作解放出來，從而無需外部 CPU和外部 NIC。這種高度集成的平臺降低了存儲陣列控制器的構(gòu)建成本和功耗要求。 該參考設計應用廣泛，涵蓋全閃存陣列系統(tǒng)、可擴展的存儲陣列和 EJBOD 系統(tǒng)。

    半導體 半導體 智能化 存儲加速

  • 晶門科技推出突破性 TDDI IC 迎合最新18:9無邊框智能電話潮流

    晶門科技有限公司("晶門科技")，一家專門設計、開發(fā)及銷售專有集成電路IC的半導體公司，今天宣布推出新的觸控顯示集成 (TDDI) IC — SSD2023U。SSD2023U支援全高清+(FHD+)(1080 × 2160) 內(nèi)嵌式LTPS面板技術(shù)，是一個突破性的產(chǎn)品，可捕捉市場新趨勢 - 無邊框及18:9屏幕長寬比的高分辨率智能手機。 SSD2023U 驅(qū)動的FHD+內(nèi)嵌式 LTPS 面板 SSD2023U的突破性設計和功能，有助LCD制造商和智能手機生產(chǎn)商克服挑戰(zhàn)，將主畫面及指紋按鈕融入屏幕內(nèi)，實現(xiàn)顯示面積最大化： (1). 單層 COF 設計達至最佳“無邊框”顯示和成本最小化 SSD2023U 的Chip-on-Film(COF)設計，有別于傳統(tǒng)的Chip-on-Glass(COG)設計，有助實現(xiàn)最佳的“無邊框”顯示。目前市場上最高端的所謂“無邊框”智能手機只采用了傳統(tǒng)的COG設計，實際上達至兩側(cè)和頂部無邊框，而底部則有4~4.3 毫米窄邊沿。 而SSD2023U獨特的電路設計，采用了高速多任務技術(shù)，實現(xiàn)Chip-on-Film(COF)設計，有助底部邊框進一步減少至只有2.7毫米，讓終端用戶體驗更接近完全“無邊框”的顯示。此外，COF的單層設計有助達至生產(chǎn)成本最小化。 (2). 圖像可擴展達至FHD+以配合長寬比18:9 目前市場上智能手機的應用處理器(AP)，只支持高清或全高清。SSD2023U的綜合IP 引擎讓智能手機制造商可克服此挑戰(zhàn)，將圖像擴展至FHD+(1080 × 2160)以配合18:9長寬比。 (3). 前所未有的觸控體驗 “無邊框”屏幕往往有較容易產(chǎn)生誤觸的問題。SSD2023U先進的專利maXTouch® 屏幕觸控技術(shù)，可讓使用者享無與倫比的觸控經(jīng)驗： ž    智能手握抑制（Smart Grip Suppression）： 清晰區(qū)分手指、手掌和拇指，讓使用者能夠握住手機并同時進行頁面滾動的操作而避免誤觸 ž    卓越的帶水跟蹤性能︰ 可讓兩只手指進行帶水跟蹤操作 ž    無與倫比的觸屏靈敏度（Sensitivity）： 支援尺寸最小1.5 毫米的被動觸控筆   ž    優(yōu)越的觸控表現(xiàn)︰ 高信噪比（Signal-to-Noise Ratio）（超過50dB）； 超快觸控點報率（120Hz）             SSD2023U 實現(xiàn)了無邊框及18:9長寬比的FHD+智能電話 (4). 睡眠模式下超低功耗的手勢喚醒感應 SSD2023U支持在睡眠模式以超低功耗(< 2.6mW)進行手勢喚醒。 規(guī)格： 項目 規(guī)格 面板 LTPS 內(nèi)嵌式6MUX面板 分辨率 1080 RGB x 2160 長寬比 18:9；19:9；20:9 觸摸傳感器數(shù)量輸出 支援最多 648點 界面 MIPI-DSI: 4 信道, 4Gbps/4通道 MIPI-DBI C-類 (選項1及選項3), I2C 先進功能 接口 (VDDIO) 電壓：1.8 V-3.3 V 窄邊框COF設計 擴展功能 背光控制（CABC） 對比度增強和清晰度增強 陽光可讀性增強 兩指帶水 智能手握抑制

    半導體 晶門科技 tddi ssd2023u

  • 東芝芯片出售陷入僵局 中國有望實現(xiàn)3D閃存芯片國產(chǎn)化

     存儲器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件，一直是芯片行業(yè)的重要組成部分，也是我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的重點方向之一。今年以來在存儲器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中，東芝出售存儲芯片業(yè)務絕對要算在其中，且近日又有關(guān)于此事的消息傳出。詳情一起來了解。 東芝與西數(shù)“友誼的小船”徹底翻了 8月3日，東芝公司宣布，公司將在沒有合資公司伙伴西部數(shù)據(jù)參與的情況下，自主推進投資建立新存儲芯片生產(chǎn)線的計劃。這也意味著東芝和西數(shù)數(shù)據(jù)未能就投資事宜達成一致。 近些年，電子設備配置的閃存越來越多，閃存逐步淘汰電腦中的機械硬盤，這使得閃存成為一種朝陽業(yè)務。作為全球閃存的發(fā)明者和領(lǐng)先企業(yè)，東芝在市場份額上，僅次于三星電子名列全球第二。使得東芝閃存業(yè)務成為科技巨頭爭搶的“香餑餑”。 然而，此前東芝曾出售自己的芯片部門以彌補巨額虧損，沒想到此事卻成為東芝與合西部數(shù)據(jù)產(chǎn)生隔閡的原因。 東芝自主生產(chǎn)線將主打3D芯片 據(jù)悉，東芝新的生產(chǎn)線將通過下一代的3D技術(shù)生產(chǎn)儲存芯片，預計將于明年夏天正式啟用。而在今年年初也有消息稱，該生產(chǎn)線1期將于2018年夏天竣工。東芝方面稱，他們將致力于提升3D閃存芯片的使用占比，爭取在2019年3月前，將該芯片的占比提升至90%左右。 由于在存儲芯片堆疊時使用了IBM的過孔硅技術(shù)，相同面積的3D閃存芯片將獲得10倍于傳統(tǒng)芯片的存儲容量。同時，傳輸數(shù)據(jù)消耗的能量將減少70%，傳輸速度也將提升到標準DDR3芯片的15倍左右。 國產(chǎn)3D閃存2019年實現(xiàn)量產(chǎn) 目前，國內(nèi)在用的存儲器芯片幾乎全部依賴進口。不過，近年來我國一直把3D閃存芯片作為發(fā)展芯片行業(yè)的重中之中，而國家存儲芯片基地更是在萬眾矚目下迅速壯大。 據(jù)悉，由紫光主導的長江存儲最快將在2017年底正式推出32層堆棧結(jié)構(gòu)的3D閃存芯片。2019年，將實現(xiàn)量產(chǎn)3D 閃存芯片，2020年之后，長江存儲很可能在“技術(shù)上達到國際領(lǐng)先的存儲芯片供應商的水平”。 而與此同時，武漢新芯科技(XMC)也正在武漢開工建設12英寸晶圓廠，預計將在2018年推出48層堆棧的3D閃存。 客觀來看，目前國產(chǎn)3D閃存32層堆棧的起點已經(jīng)相當可以了，三星、Hynix、東芝、美光等公司第一代3D閃存也不過是24層堆棧。不過要想進一步縮小與國外的技術(shù)差距，仍需加快技術(shù)儲備推進研發(fā)速度。

    半導體 芯片 東芝 3d閃存

  • 東芝重啟與富士康出售芯片業(yè)務談判

    日本東芝公司已就出售其內(nèi)存芯片業(yè)務重啟與富士康的談判，這使得日本政府牽頭的集團不再作為優(yōu)先考慮對象。 該交易的價值可能達到200億美元。但在面臨尋找買家和獲得監(jiān)管部門批準的壓力的同時，東芝難以出售芯片業(yè)務。東芝稱，出售內(nèi)存芯片業(yè)務，才能在2018年3月的財政年度末前將東芝股東權(quán)益轉(zhuǎn)至正值，否則東芝的股票將被摘牌。 分析師與知情人士表示，由于東芝芯片業(yè)務用于電腦、智能手機和游戲設備的NAND閃存芯片在市場上頗為暢銷，出售該子公司的交易可能獲得至少2萬億日元(約合180億美元)資金。 此前西部數(shù)據(jù)稱，該公司擁有對東芝芯片子公司出售交易的否決權(quán)。東芝表示，情況并非如此，這兩家公司已訴至法院。 即使東芝達成交易，獲得全球主要國家反壟斷部門的批準還需要至少六個月。

    半導體 富士康 芯片 東芝

  • 東芝2016財年年報終獲普華永道確認 凈虧88億美元

     據(jù)外電報道，在連續(xù)推遲多次之后，東芝周四發(fā)布了該公司截至2017年3月31日的2016財年財報。東芝周四發(fā)布的這份財報，得到審計機構(gòu)的簽字確認，這也讓在經(jīng)歷了會計丑聞、大規(guī)模資產(chǎn)計提、且出售芯片業(yè)務面臨法律糾紛的東芝得到一絲喘息之機。 東芝發(fā)布的財報顯示，該公司2016財年凈虧損為9657億日元(約合88億美元)，略好于市場預期的凈虧損9774億日元，好于東芝此前預計的凈虧損1.01萬億日元。東芝預計，公司2017財年的凈利潤將達到2300億日元。 盡管財報獲得審計機構(gòu)的批準對東芝而言是一個重要里程碑，但會計師事務所普華永道也對東芝的內(nèi)部控制提出批評。東芝表示，否定意見可能會對公司的融資、利潤以及股東出售股票產(chǎn)生“嚴重負面影響”。在夸大利潤來掩蓋核電子公司數(shù)十億美元虧損的丑聞被曝光后，東芝一直處于東京證券交易所的退市觀察名單中。東芝會不會退市將取決于東芝證交所的評估，或者它能不能在2018年3月之前填補資產(chǎn)負債表中的財務漏洞。 東芝今年以來已多次推遲發(fā)布財報，原因是由于存在爭議，財報得不到其審計公司普華永道的簽字確認。雙方矛盾的焦點，主要是東芝知曉美國核電業(yè)務巨虧的時間節(jié)點。東芝此前甚至試圖更換審計機構(gòu)，一度陷入斷絕狀態(tài)，但目前與普華永道的關(guān)系似乎已趨于正常。 東芝此前通過收購西屋電氣進入美國核電建設市場。不過西屋電氣因收購美國資產(chǎn)爆出重大失誤，導致東芝減記資產(chǎn)63億美元，公司股價暴跌，并陷入資不抵債的境地。為應對西屋電氣帶來的63億美元虧損，以及為繼續(xù)出現(xiàn)的財務問題設置緩沖，東芝還在考慮出售部分或全部的閃存芯片業(yè)務。 ACE研究所分析師Hideki Yasuda表示，“東芝終于提交了財報，且獲得審計機構(gòu)的批準，這是個好消息。但是這并不意味著東芝退市的風險已經(jīng)消除，但至少已清除了最棘手的障礙。” 為避免連續(xù)第二個財年股東權(quán)益為負值，導致自動被退市的情況出現(xiàn)，東芝必須在2018年3月前出售旗下閃存芯片業(yè)務。消息人士透露，東芝可能會通過出售閃存芯片業(yè)務獲得大約2.1萬億日元資金。東芝在上月表示，電能計量公司Landis+Gyr的首次公開招股將會讓公司獲益1617億日元。東芝持有60%的Landis+Gyr AG股份。 東芝股價周四在東京證券交易所以上漲收盤。該公司股價今年以來累計上漲了4.6%。包括對沖基金綠光資本、新加坡基金公司Effissimo Capital Management、King Street Capital Management等投資公司在今年已通過公開市場買入成為東芝的股東。 東芝在財報中表示，本財年的利潤預期中包含Landis+Gyr首次公開招股的套現(xiàn)所得，但沒有計入出售芯片業(yè)務的收益。東芝預計，本財年營收將增至4.97萬億日元，運營利潤增長59%至4300億日元。 東芝發(fā)布的財報還顯示，該公司截至6月30日的第一財季運營利潤同比增長近6倍，達到967億日元;營收同比增長8.2%;凈利潤則同比下滑37%，降至503億日元。

    半導體 財報 東芝 西屋電氣

  • Vishay推出的新款磁性編碼位移傳感器具有高精度、高可靠性和更長壽命

     賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 8 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的磁性位置傳感器---RAME027，其精度可與霍爾效應器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。一次可編程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度為±0.33%，高度只有27mm。典型應用包括國防和工業(yè)用的操縱桿、電動執(zhí)行器、機械工具、紡織品制造、銑床和機器人。 可靠的性能和結(jié)構(gòu)，使RAME027成為強振動和沖擊等嚴苛工況的理想解決方案。Vishay可以根據(jù)客戶的特殊機械尺寸、輸出SSI、精度和分辨率、功能強化、針對EMC和ESD的保護功能，對RAME027進行定制。Vishay還可以提供額外功能，和溫度范圍更寬的產(chǎn)品。 RAME027的工作電壓為5V(±0.25V)，5V下的耗電小于20mA。器件的有用電角度為360°，帶模擬輸出，分辨率為12位，可在−25℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作。 RAME027現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

    半導體 傳感器 Vishay 編碼位移

  • 三星臺積電各出奇招,爭奪蘋果A12芯片訂單

    雖然三星據(jù)稱正積極爭奪明年的A系列芯片訂單，但消息人士說，即使三星能夠用OLED屏幕誘惑蘋果，也不足以讓蘋果重新將三星添加到其A系列芯片次級供應商名單。臺積電在后端封裝方面的創(chuàng)新優(yōu)勢，是該公司能夠獲得蘋果全部iPhone芯片訂單的關(guān)鍵。 臺積電是臺灣一家半導體制造公司，成立于1987年，是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務企業(yè)，擁有約56%的市場份額，也是蘋果A系列處理器代工廠，有媒體在早些時候稱，三星蘋果A系列芯片供應商行列，為蘋果代工明年iPhone使用的所謂A12芯片。然而如今，又有臺灣媒體稱，臺積電“仍然很可能”在2018年維持其蘋果A系類芯片獨家代工廠商的頭銜。 原因在于臺積電在其7納米FinFET工藝中使用的“整合扇出型”晶片級封裝技術(shù)上的先進性，若三星以較臺積電7納米ASP還要低20%的8納米搶進蘋果AP訂單，明年蘋果AP訂單毛利率可能僅有25%，意味著營業(yè)損失。雖然三星據(jù)稱正積極爭奪明年的A系列芯片訂單，但消息人士說，即使三星能夠用OLED屏幕誘惑蘋果，也不足以讓蘋果重新將三星添加到其A系列芯片次級供應商名單。 臺積電在后端封裝方面的創(chuàng)新優(yōu)勢，是該公司能夠獲得蘋果全部iPhone芯片訂單的關(guān)鍵。 臺積電連續(xù)代工了iPhone 7和iPhone 7 Plus使用的A10芯片，以及即將推出的iPhone 8、iPhone 7S和iPhone 7S Plus使用的A11芯片。如果臺積電在2018年成為A系列芯片獨家制造商，將標志著它連續(xù)第三年獨家生產(chǎn)iPhone芯片。 三星和臺積電同時為蘋果的iPhone 6s和iPhone 6s Plus提供了A9芯片，但是臺積電的芯片被發(fā)現(xiàn)能夠提供略微長一點的續(xù)航時間，這或許也是蘋果選擇臺積電的另一個原因吧。 就在前段時間，臺積電公布了其第二季度財報，財報顯示，2017年第二季度，臺積電營收為2138.6億元，較上年同期的2218.1億元下降3.6%，較第一季度的2339.1億元下降了8.6%。 其中，10納米晶圓出貨量占據(jù)了總晶圓營收的1%;16/20納米處理工藝占據(jù)了總晶圓營收的26%;28納米以及以上先進工藝占據(jù)了總晶圓營收的54%。

    半導體 三星 晶圓代工 臺積電

  • 貿(mào)澤供貨基于Intel Cyclone V FPGA 的Terasic DE10-Nano套件

     2017年8月8日 – 專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 與推動創(chuàng)新的領(lǐng)先分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布即日起備貨Terasic Technologies的DE10-Nano開發(fā)套件。DE10-Nano 套件為Intel® FPGA 設計解決方案網(wǎng)絡的鉑金成員，是基于Intel片上系統(tǒng) (SoC) FPGA的強大硬件設計平臺，在用戶可定制的器件中同時集成了處理器、多個外設和FPGA體系結(jié)構(gòu)。 貿(mào)澤電子備貨的這款Terasic DE10-Nano套件采用28 nm Intel Cyclone® V SoC FPGA，此FPGA集成了雙核ARM® Cortex®-A9 嵌入式內(nèi)核及業(yè)界領(lǐng)先的可編程邏輯，大大提升了設計靈活性。此套件允許開發(fā)人員利用與高性能、低功耗處理器系統(tǒng)相匹配的可重新配置功能。Cyclone V SoC使用高寬帶互聯(lián)主干網(wǎng)，在FPGA架構(gòu)中無縫集成了基于ARM的硬核處理器系統(tǒng) (HPS)，包括處理器、外設和存儲器接口。 DE10-Nano套件包含2個40引腳通用輸入/輸出 (GPIO) 接頭、1 GB高速DDR3存儲器、12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、千兆以太網(wǎng)和HDMI發(fā)送器。此套件還包含必要的元件，支持電路板與運行Microsoft Windows XP或更高版本操作系統(tǒng)的計算機搭配使用。 欲知更多有關(guān) DE10-Nano開發(fā)套件的信息，敬請訪問http://www.mouser.com/new/terasic-technologies/terasic-de10-nano-kit/。

    半導體 Intel FPGA cyclone v 貿(mào)澤 terasic de10-nano套件

發(fā)布文章