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  • 第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)

    第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)、碳化硅(Silicon Carbide， SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide， ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride， AlN)和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。與硅(Silicon， Si)、GaAs等半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其中氮化物材料是第三代半導(dǎo)體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN(氮化鎵)基光電子器件在白光照明領(lǐng)域非常成功。然而藍(lán)光LED(發(fā)光二極管)的技術(shù)專利受制于歐美日等從事該行業(yè)較早的國(guó)家。因此處于發(fā)展初期的基于AlGaN(鋁鎵氮)材料的紫外LED成為突破專利壟斷的最佳領(lǐng)域。另外，紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)，擁有廣闊的應(yīng)用前景。 目前全球紫外光源市場(chǎng)規(guī)模約為4億2700萬美元，不過傳統(tǒng)紫外汞燈仍然占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位。和汞燈相比，近年發(fā)展迅速的紫外光LED光源，被公認(rèn)具有8大優(yōu)勢(shì)。一是體積小，在便攜式、高集成度產(chǎn)品方面有巨大潛力。二是堅(jiān)固耐用，LED比石英玻璃外殼的汞燈耐沖擊，不易發(fā)生破損。三是能源效率高，與汞燈相比，紫外光LED能量消耗最多可以低70%。四是環(huán)保，紫外LED不含有害物質(zhì)汞，通過ROHS認(rèn)證。五是工作電壓低，紫外LED工作電壓僅3-5伏左右，和高壓汞燈相比，既提高了安全性，也降低了驅(qū)動(dòng)電路成本。六是功率更易調(diào)節(jié)。七是散熱系統(tǒng)要求低，進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。八是光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單，更符合實(shí)際應(yīng)用需要，紫外LED不需要外加透鏡就能得到緊湊的光束角和均勻的光束圖，從而降低成本，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。正因?yàn)檫@些優(yōu)勢(shì)，紫外LED技術(shù)正在成為固態(tài)紫外光源行業(yè)極具吸引力的選擇方案。 同時(shí)，與傳統(tǒng)紫外光源汞蒸汽燈、準(zhǔn)分子激光器相比，固態(tài)紫外光源具有小巧便攜、綠色環(huán)保、波長(zhǎng)易調(diào)諧、電壓低、功耗小、可集成等諸多優(yōu)點(diǎn)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，必將成為未來紫外光源的主流。在信息光存儲(chǔ)中，數(shù)據(jù)密度由讀寫的光源波長(zhǎng)決定。深紫外激光二極管由于極短的波長(zhǎng)，相比于基于藍(lán)光激光器的藍(lán)光存儲(chǔ)(blue-ray)技術(shù)，有望可將信息容量提升數(shù)十倍。在生化分析中，大多數(shù)生物分子含有的化學(xué)鍵在紫外光波段(270-350nm )有很強(qiáng)的光學(xué)共振，小型高效的紫外光源可以為生物探測(cè)和光電子學(xué)之間提供橋梁，使生物光子學(xué)的應(yīng)用成為可能，例如基于熒光的bioagent識(shí)別等;光學(xué)檢測(cè)也是研究蛋白質(zhì)結(jié)構(gòu)極為有效的方法，光學(xué)激發(fā)色氨酸和酪氨酸這兩種極為重要的氨基酸需要275 nm 紫外光源。深紫外LED 是理想的新一代光源，市場(chǎng)潛力巨大，同時(shí)對(duì)智能制造和提升人民生活品質(zhì)也將起到重要作用。 為了加快國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的發(fā)展，國(guó)家科技部實(shí)施了重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)，開展第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究工作。該項(xiàng)目由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭，集結(jié)了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)研究院所、高校及行業(yè)龍頭和應(yīng)用企業(yè)，集中專業(yè)技術(shù)力量對(duì)固態(tài)紫外光源進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，以期在5-10年內(nèi)追趕國(guó)際先進(jìn)水平，同時(shí)盡快實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的市場(chǎng)化應(yīng)用，以市場(chǎng)促發(fā)展，帶動(dòng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 中科院半導(dǎo)體所是國(guó)內(nèi)最早開展氮化物材料研究的單位之一，承擔(dān)并出色完成了多項(xiàng)國(guó)家重大研究任務(wù)。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人“十一五”期間承擔(dān)國(guó)家 863 前沿探索類課題“紫外 LED 用AlGaN材料生長(zhǎng)研究”，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)波長(zhǎng)短于 300nm 的深紫外 LED 器件毫瓦級(jí)光功率輸出，研究成果成為“十一五”863 計(jì)劃新材料領(lǐng)域研究亮點(diǎn)，并獲得“十一五”二期國(guó)家專項(xiàng)的進(jìn)一步支持，承擔(dān) 863 課題“深紫外 LED 制備和應(yīng)用技術(shù)研究”，在基于AlN模板的 MOCVD 外延技術(shù)等方面取得了一系列成果，將深紫外 LED 性能提升近一倍。“十二五”承擔(dān)國(guó)家 863 課題“深紫外 LED 外延生長(zhǎng)及應(yīng)用技術(shù)研究”，成果經(jīng)專家組鑒定達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。目前承擔(dān) 863 課題“高鋁組分氮化物材料制備技術(shù)研究”，國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)室溫近紫外 377nm 和深紫外 288nm 半導(dǎo)體激光器光泵浦激射。 本項(xiàng)目與以前的深紫外 LED 研究課題一脈相承，并由前期的前沿技術(shù)探索階段轉(zhuǎn)向共性關(guān)鍵技術(shù)突破階段。半導(dǎo)體所材料和器件綜合指標(biāo)一直保持國(guó)內(nèi)最好水平，高 Al組分材料質(zhì)量位于國(guó)際最好水平;研發(fā)出國(guó)內(nèi)第一支深紫外毫瓦級(jí) LED 并始終保持效率領(lǐng)先;國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了GaN基藍(lán)光激光器，首次實(shí)現(xiàn)室溫近紫外 377nm 和深紫外 288nm的激光器光泵浦激射，保持著紫光激光器的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì);相關(guān)成果獲得“國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”1 項(xiàng)，“國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)”1 項(xiàng)，“北京市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)”1 項(xiàng)。為項(xiàng)目的順利實(shí)施提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。 研究機(jī)構(gòu)Yole Development于2015年2月發(fā)布了最新的市場(chǎng)研究報(bào)告，市場(chǎng)在2015年之后將打破平靜開始加速增長(zhǎng)，在2018年將出現(xiàn)跨越式地增長(zhǎng)，同時(shí)該機(jī)構(gòu)認(rèn)為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)第一輪增長(zhǎng)的主要因素是始于2012年的光固化應(yīng)用，UV-LED取代汞燈的大趨勢(shì)是這一輪增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?，而殺菌消毒及凈化領(lǐng)域的應(yīng)用將成為產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的第二輪驅(qū)動(dòng)力，這一輪增長(zhǎng)將從2017年開始。在不遠(yuǎn)的將來，光催化、殺菌消毒都有可能成長(zhǎng)為數(shù)百億級(jí)的市場(chǎng)，而用于治療皮膚病的光療則可能讓UV-LED的應(yīng)用系統(tǒng)成為千億級(jí)的市場(chǎng)。 結(jié)合國(guó)際上半導(dǎo)體紫外固態(tài)光源研究的主要發(fā)展趨勢(shì)，通過本項(xiàng)目的實(shí)施，依托我們的既有工作基礎(chǔ)和優(yōu)勢(shì)，系統(tǒng)開展AlGaN基深紫外LED結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)、器件制備及封裝工藝的研究。本項(xiàng)目科學(xué)意義在于從國(guó)家經(jīng)濟(jì)、社會(huì)發(fā)展和國(guó)防安全對(duì)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件的重大需求出發(fā)，建立相關(guān)的高Al組分材料機(jī)理理論和原始技術(shù)創(chuàng)新體系，攻克一系列相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)，獲得高質(zhì)量材料，研制出高性能器件，開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品并開展應(yīng)用示范。同時(shí)培育和凝聚一支具有國(guó)際水平的研究隊(duì)伍，為 III 族氮化物半導(dǎo)體紫外LED在面向空氣和水凈化、其它殺菌領(lǐng)域等方面的重大應(yīng)用奠定重要的科學(xué)基礎(chǔ)，并為國(guó)家安全和促進(jìn)相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。 具體來看，首先可以促進(jìn)國(guó)內(nèi)固態(tài)紫外光源制造裝備的發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)外均沒有成熟的紫外光源制造的商業(yè)生長(zhǎng)設(shè)備，可以說，大家處在同一個(gè)起跑線上，任何一個(gè)技術(shù)的突破都會(huì)帶來產(chǎn)業(yè)的巨大發(fā)展。通過發(fā)展高溫MOCVD裝備制造技術(shù)，可以帶動(dòng)國(guó)內(nèi)基礎(chǔ)制造業(yè)的發(fā)展。 其次可以促進(jìn)國(guó)內(nèi)材料、芯片等上游企業(yè)的發(fā)展。目前，藍(lán)光LED上游企業(yè)已處于飽和狀態(tài)，通過紫外光源的發(fā)展，可以促進(jìn)上游LED企業(yè)的轉(zhuǎn)型和升級(jí)，帶動(dòng)國(guó)內(nèi)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 最后通過應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)，可以促進(jìn)國(guó)內(nèi)封裝、應(yīng)用等下游應(yīng)用企業(yè)的發(fā)展。利用紫外LED的殺菌功效，就可以在白色家電產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，例如冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)、空氣凈化器、飲水機(jī)等等都會(huì)采用紫外LED來殺菌消毒，這些產(chǎn)品中的殺菌功能將會(huì)成為產(chǎn)品的標(biāo)配功能。僅中國(guó)的冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)、空氣凈化器、飲水機(jī)等產(chǎn)品，每種產(chǎn)品每年的產(chǎn)銷量就達(dá)到幾千萬、甚至上億臺(tái)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2013年我國(guó)冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、空氣凈化器、飲水機(jī)的總產(chǎn)量為30，486萬臺(tái)。如果在這些產(chǎn)品中都使用紫外LED燈進(jìn)行殺菌消毒，將會(huì)是一個(gè)廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)，這些原有市場(chǎng)的替代和新市場(chǎng)應(yīng)用的產(chǎn)生必將極大提高人民的生活水平，為任何時(shí)候任何地點(diǎn)提供清潔的空氣，清潔的水，改善生活環(huán)境讓更多的人享有健康。同時(shí)LED的長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)鏈和人才技術(shù)密集特點(diǎn)也將產(chǎn)生成千上萬的就業(yè)機(jī)會(huì)，對(duì)社會(huì)產(chǎn)生積極影響，獲得良好的社會(huì)效益。 “第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)的實(shí)施，是國(guó)家科技體制改革的重要變化之一，通過集中國(guó)內(nèi)最優(yōu)勢(shì)的團(tuán)隊(duì)進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，重點(diǎn)突出，以點(diǎn)帶面，全面促進(jìn)國(guó)內(nèi)科技創(chuàng)新和技術(shù)突破。

    半導(dǎo)體 LED 半導(dǎo)體材料

  • 大規(guī)模并購(gòu)改變半導(dǎo)體格局 大者恒大趨勢(shì)確立

    市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告指出，2015與2016年發(fā)生的大規(guī)模并購(gòu)(M&A)活動(dòng)已經(jīng)改變了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局，大型廠商在市場(chǎng)占據(jù)的比例越來越大。 IC Insights預(yù)測(cè)，全球排名前五大的半導(dǎo)體供貨商英特爾(Intel)、三星(Samsung)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)與SK海力士(Hymox)，在2016年的全球市占率總和將達(dá)到41%;該數(shù)字比十年前的32%增加了9個(gè)百分點(diǎn)。 此外估計(jì)2016年全球前十大半導(dǎo)體供貨商的市占率總和56%，較2006年的45%增加了11%;至于全球前二十五大半導(dǎo)體供貨商今年的全球市占率總和則超過四分之三的市場(chǎng)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼2015年發(fā)生史上規(guī)模最大的M&A風(fēng)潮之后，2016上半年稍微平息;不過2016年預(yù)期將會(huì)是IC產(chǎn)業(yè)M&A規(guī)模第二大的年份，因?yàn)榻刂恋谌居腥龢犊偨痤~達(dá)510億美元的收購(gòu)案發(fā)生，包括軟銀(Softbank)收購(gòu)ARM、ADI宣布收購(gòu)凌力爾特(Linear)，以及瑞薩(Renesas)收購(gòu)Intersil。 隨著接下來幾年產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮持續(xù)延燒，IC Insights預(yù)期大型半導(dǎo)體廠商在全球市場(chǎng)占據(jù)的比例將持續(xù)增加，甚至將邁向新高水平。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  • 蔣尚義：中芯不會(huì)因他縮短與臺(tái)積電差距

    臺(tái)積電前營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義近日表示，他出任中芯國(guó)際獨(dú)立董事后，不會(huì)倍增中芯的實(shí)力，他也沒這么大的本事。 大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際于2016年12月21日證實(shí)，蔣尚義出任中芯獨(dú)董，震撼半導(dǎo)體業(yè)界。中芯強(qiáng)調(diào)，蔣尚義并未在中芯擔(dān)任任何職位，也未在公司其它成員公司擔(dān)任任何職位，單純只是出任中芯董事會(huì)的獨(dú)立董事。 臺(tái)積電曾對(duì)此表示，蔣尚義前往中芯擔(dān)任獨(dú)董，事先有告知董事長(zhǎng)張忠謀。 蔣尚義接受中央社記者訪問時(shí)表示，雖然中芯為中國(guó)最大晶圓代工廠，但與臺(tái)積電無論在技術(shù)、公司規(guī)模及業(yè)績(jī)的差距都不小，目前中芯營(yíng)業(yè)額約為臺(tái)積電的1/10， 獲利則連1/10都不到，技術(shù)落后二代。 蔣尚義強(qiáng)調(diào)，2家公司的差距不會(huì)因他一年參加4次董事會(huì)就可以立刻縮短。他笑著說：“大家太看得起我了，我本事沒那么大。” 蔣尚義也指出，他絕對(duì)不會(huì)做傷害臺(tái)積電的事。在與中芯的合約中明白指出，獨(dú)董不能參與公司經(jīng)營(yíng)，也不能擔(dān)任公司顧問，對(duì)他這樣退休的人是一個(gè)很合適的工作。

    半導(dǎo)體 中芯 臺(tái)積電

  • 高通CFO：中國(guó)芯片業(yè)務(wù)疲軟沖擊利潤(rùn)

    高通26日發(fā)布2017最新財(cái)報(bào)顯示季度營(yíng)收符合分析師的預(yù)期，3G和4G裝置增長(zhǎng)8%，使專利授權(quán)飛速增長(zhǎng)。但高通在獲利部分低于預(yù)期，高通財(cái)務(wù)長(zhǎng)GeorgeDavis告訴外國(guó)媒體CNBC：中國(guó)業(yè)務(wù)疲軟，特別是晶片部門。高通第一季度每股利益(EPS)為1.19美元。季獲利來到59.9億美元，相較于去年同期美股利益97分美元，以及58億美元的獲利。 其中一個(gè)中國(guó)客戶和高通發(fā)生信用問題，高通財(cái)務(wù)長(zhǎng)稱，不確定中國(guó)的疲軟是否是淡季造成。 有分析師表示并不認(rèn)為是淡季問題，而是因?yàn)橹袊?guó)手機(jī)市場(chǎng)表現(xiàn)不優(yōu)異，才是沖擊高通的原因。預(yù)期由華為和OPPO主導(dǎo)市占率的情況下，產(chǎn)業(yè)其他從業(yè)者也能感受到手機(jī)市場(chǎng)的低迷。 還有分析師評(píng)論，近期的訴訟比預(yù)期來得強(qiáng)烈和廣泛?？紤]到近期與QTL的爭(zhēng)議，他相信能合理推測(cè)美國(guó)、歐洲、亞洲的監(jiān)管機(jī)構(gòu)將花費(fèi)更多的時(shí)間來核準(zhǔn)恩智普的交易。 至于高通并購(gòu)恩智普半導(dǎo)體，高通表示將預(yù)期在2017年底結(jié)算。 2017年CES展會(huì)上，史蒂夫·莫倫科夫(Steve Mollenkopf)展示了高通的最新處理器龍驍龍835，將搭配在三星Galaxy S7 edge，黑莓安卓裝置，和Google Pixel中。高通推出新的5G芯片預(yù)期將推進(jìn)產(chǎn)業(yè)包括虛擬現(xiàn)實(shí)、串流視頻、無人機(jī)和物連網(wǎng)。 北京時(shí)間近日消息，高通今天發(fā)布了2017財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，高通第一財(cái)季凈利潤(rùn)為7億美元，比去年同期的15億美元下滑54%;營(yíng)收為60億美元，比去年同期的58億美元增長(zhǎng)4%。高通第一財(cái)季業(yè)績(jī)超出華爾街分析師預(yù)期，對(duì)第二財(cái)季業(yè)績(jī)的展望也同樣超出預(yù)期，但其盤后股價(jià)仍下跌逾2%。

    半導(dǎo)體 中國(guó)芯片

  • 未來四年中國(guó)新建晶圓廠數(shù)量將超美國(guó) 獨(dú)占鰲頭

    中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積極，近期產(chǎn)能大開、擴(kuò)廠消息頻繁，先前國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)估，未來兩年新建的 19 座晶圓廠有 10 座就建于中國(guó)，今 14 日 SEMI 再發(fā)布最新報(bào)告，預(yù)測(cè)至 2020 未來四年間將有 62 座晶圓廠，而中國(guó)大陸地區(qū)就將占 26 座，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)也有望迎來大好年。 據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SEMI)最新數(shù)據(jù)，預(yù)估 2017 年到 2020 年未來四年將有 62 座新晶圓廠投產(chǎn)，其中將有四成晶圓廠共 26 座新晶圓廠座落中國(guó)，美國(guó)將有 10 座位居第二，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)估計(jì)也會(huì)有 9 座。SEMI 估計(jì)，新晶圓廠中將有 32% 用于晶圓制造、21% 生產(chǎn)內(nèi)存、11% 與 LED、MEMS、光學(xué)、邏輯與模擬芯片等相關(guān)。 而全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)也有望蓬勃發(fā)展，據(jù) SEMI 日本估計(jì)，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年將達(dá)到 397 億美元，較去年同期成長(zhǎng) 8.7%，其中占比最高的晶圓加工設(shè)備 2016 年產(chǎn)值將達(dá) 312 億美元，年成長(zhǎng)約 8.2%，封測(cè)設(shè)備市場(chǎng)產(chǎn)值約 29 億美元，也有 14.6% 的成長(zhǎng)，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備產(chǎn)值則在 39 億美元，年成長(zhǎng)約 16%。 SEMI 也預(yù)測(cè)至 2017 年總體產(chǎn)值將進(jìn)一步成長(zhǎng)至 434 億美元，年成長(zhǎng)率約 9.3%。 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)與韓國(guó)同樣為半導(dǎo)體設(shè)備支出最主要區(qū)域，值得關(guān)注的是，2016 年中國(guó)大陸擠下日本，首次成為半導(dǎo)體設(shè)備支出第三大區(qū)域。SEMI 預(yù)期，2017 年半導(dǎo)體設(shè)備銷售成長(zhǎng)力道主要在歐洲，估計(jì)銷售額將有 51.7% 的成長(zhǎng)，來到 280 億美元。而中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)、中國(guó)大陸同樣將為半導(dǎo)體設(shè)備支出最多的區(qū)域。

    半導(dǎo)體 中國(guó)半導(dǎo)體 晶圓廠

  • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步出小低潮 2017年可望成長(zhǎng)7.2%

    Gartner日前發(fā)布最新預(yù)估報(bào)告指出，經(jīng)過2015、2016年的小低潮后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在2017年再度出現(xiàn)高達(dá)7.2%的成長(zhǎng)，總市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)到3,641億美元。 依應(yīng)用領(lǐng)域別來看，汽車電子、工業(yè)與儲(chǔ)存是三個(gè)最值得關(guān)注的市場(chǎng);這三個(gè)市場(chǎng)雖然目前規(guī)模不大，但成長(zhǎng)速度卻非常快速。 至于半導(dǎo)體傳統(tǒng)上最主要的應(yīng)用出?？?-PC及智能型手機(jī)，則仍將維持緩慢成長(zhǎng)的格局。

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  • 操刀并購(gòu)華亞科 美光CEO將退休

    美光執(zhí)行長(zhǎng)鄧肯(Mark Durcan)宣布即將退休，美光宣布董事會(huì)已組成監(jiān)督接班程序的特別委員會(huì)，并且在高管搜尋咨詢公司的協(xié)助下尋找與審查適合人選。 美光合并華亞科后，臺(tái)灣部分也在新年度展開高層人事調(diào)整，原華亞科總經(jīng)理牟瑞德在春節(jié)后轉(zhuǎn)調(diào)日本，另調(diào)派一位新加坡籍華人來臺(tái)接任。 外界關(guān)注美光是否會(huì)啟動(dòng)收購(gòu)東芝半導(dǎo)體部門及出售編碼型閃存(NOR Flash)事業(yè)，以及是否重啟和大陸的內(nèi)存合作。 美光表示，董事會(huì)還未針對(duì)鄧肯退休有明確時(shí)間表，但強(qiáng)調(diào)會(huì)慎重對(duì)候選人進(jìn)行審查，為美光開創(chuàng)美好未來。 在未找到人選接棒前，鄧肯仍將以執(zhí)行長(zhǎng)身分帶領(lǐng)美光，并協(xié)助尋找接替人選和后續(xù)的交棒事宜。 據(jù)了解，鄧肯在完成收購(gòu)華亞科后，仍計(jì)劃出售旗下的編碼型內(nèi)存事業(yè)，專注沖刺儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)及在臺(tái)灣擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能和后段先進(jìn)3D DRAM事業(yè)，并暫時(shí)停止和大陸的內(nèi)存合作事宜。 未來鄧肯退休后，相關(guān)后續(xù)計(jì)劃進(jìn)度，將備受關(guān)注。   尤其近期東芝計(jì)劃出售最賺錢的閃存事業(yè)，據(jù)傳美光也有興趣收購(gòu)。 鄧肯宣布將退休的消息，并未對(duì)美光股價(jià)帶來重大沖擊，美光上周五股價(jià)一度沖上廿五點(diǎn)二五美元，創(chuàng)二年半來新高，最后收廿四點(diǎn)六美元，小跌百分之零點(diǎn)七七。

    半導(dǎo)體 閃存 東芝半導(dǎo)體

  • 東芝閃存子公司擬發(fā)優(yōu)先股融資27億美元 拯救母公司

    日本東芝公司計(jì)劃通過發(fā)行優(yōu)先股的方式，融資27億美元，擺脫美國(guó)核電資產(chǎn)減記帶來的危機(jī)。 之前，東芝已經(jīng)決定將其優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)閃存業(yè)務(wù)分拆為獨(dú)立公司。東芝將利用這家公司發(fā)行不具有投票權(quán)的優(yōu)先股，總額為3000億日元，相當(dāng)于26.6億美元。 據(jù)報(bào)道，東芝公司目前已經(jīng)陷入困境，如果利用母公司發(fā)行股權(quán)，預(yù)期沒有外部公司有興趣購(gòu)買。 之前，東芝公司旗下的美國(guó)核電業(yè)務(wù)出現(xiàn)了資產(chǎn)高估問題，將面臨幾十億美元的重大資產(chǎn)減記，具體金額將會(huì)在二月份出臺(tái)。為了避免陷入資不抵債，東芝急需要引入外部資金。 據(jù)悉，愿意入股東芝閃存公司的外部企業(yè)包括日本佳能公司，西部數(shù)據(jù)公司。 東芝閃存業(yè)務(wù)僅次于三星電子，是全球第二大閃存芯片制造商。

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  • 臺(tái)積電接班人選 引發(fā)市場(chǎng)聯(lián)想

    1.臺(tái)積電接班人選 引發(fā)市場(chǎng)聯(lián)想; 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)將在下月底改選理監(jiān)事，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀欽點(diǎn)，現(xiàn)任臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家出任下屆理事長(zhǎng)。 由于張年假期間在家中不慎跌倒，引起各界關(guān)注其健康及后續(xù)接班規(guī)劃，此安排是否為接班鋪路，引發(fā)聯(lián)想。 臺(tái)積電內(nèi)部證實(shí)，魏哲家將任角逐下屆理事長(zhǎng)改選，但不對(duì)相關(guān)布局做進(jìn)一步評(píng)論。 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)成立于1996年，是一個(gè)以「關(guān)心產(chǎn)業(yè)發(fā)展」為出發(fā)點(diǎn)的民間團(tuán)體，希望透過協(xié)會(huì)的活動(dòng)凝聚業(yè)界對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共識(shí)，以促成競(jìng)爭(zhēng)中的合作，促進(jìn)整體產(chǎn)業(yè)的健全發(fā)展。 魏哲家 張忠謀目前是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的名譽(yù)理事長(zhǎng)，但據(jù)了解，由于他在臺(tái)灣、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都執(zhí)牛耳，因此近年來歷任理事長(zhǎng)人選，幾乎都要他點(diǎn)頭。 在張忠謀后接任臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)的人選，包括現(xiàn)任力晶集團(tuán)執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁、前臺(tái)積電總經(jīng)理蔡力行、鈺創(chuàng)科技董事長(zhǎng)盧超群等。 由于盧超群任期將于下月底屆滿，消息人士透露，張已欽點(diǎn)魏哲家出任下屆理事長(zhǎng)，也是經(jīng)過七年后，臺(tái)積電決定再派核心決策人士出任理事長(zhǎng)，代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)界與政府，甚至和快速崛起的中國(guó)大陸展開對(duì)話。 根據(jù)臺(tái)灣半導(dǎo)體協(xié)會(huì)官網(wǎng)，魏哲家已是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)現(xiàn)任常務(wù)理事，且又獲張忠謀欽點(diǎn)，加上臺(tái)積電是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍點(diǎn)，預(yù)料魏哲家角逐下屆理事長(zhǎng)，可望順利當(dāng)選。 至于張忠謀欽點(diǎn)魏哲家出任下屆臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)，是否為他未來的接班鋪路，也引發(fā)聯(lián)想。 張忠謀年假期間在家中不慎絆倒，顏面有小擦傷，引起各界驚恐，密切關(guān)注張忠謀的健康及后續(xù)接班規(guī)劃，張此刻拋出欽點(diǎn)魏哲家接掌帶領(lǐng)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大旗，也被外界視為一種風(fēng)向球。 不過，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士分析，臺(tái)積電近來大舉在臺(tái)灣擴(kuò)充，都需要政府的協(xié)助和幫忙，必須借重協(xié)會(huì)的角色，做為發(fā)話的窗口，而魏哲家做事沉穩(wěn)，善于溝通，是張推他上陣的關(guān)鍵，至于接棒臺(tái)積電，恐還為時(shí)過早。 2.誰是臺(tái)積電接班人? 魏哲家劉德音 各擅勝場(chǎng); 被視為臺(tái)積電接班人選之一的臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家，個(gè)性爽朗，和另一個(gè)執(zhí)行長(zhǎng)劉德音個(gè)性內(nèi)斂，是兩個(gè)完全不同性格。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀上周主動(dòng)露臉，直接打臉外傳他跌倒傷重的不實(shí)傳言，今日上班，外界更高度關(guān)切他的健康和未來的接班規(guī)劃。 觀察臺(tái)積電接班規(guī)劃的半導(dǎo)體界人士分析，張忠謀交棒給誰，還是讓外界霧里看花。 例如有關(guān)和政府打交道的公共事務(wù)，大多委由魏哲家出面，但臺(tái)積電供貨商管理大會(huì)，卻多半是由劉德音出面。 在法說會(huì)時(shí)，張忠謀丟出由兩人回答問題時(shí)，也是劉德音針對(duì)未來前瞻規(guī)劃的多;魏哲家則回答臺(tái)積電目前現(xiàn)況的多。 某種程度也可看出在決策前瞻規(guī)劃，張忠謀認(rèn)為劉德音特質(zhì)勝于魏哲家。 不過，在出席SEMI舉辦的活動(dòng)時(shí)，魏哲家多半出席在SEMI China的論壇，劉德音則擔(dān)任SEMI Taiwan的專題演講關(guān)鍵人物，讓外界摸不清何者才是張矚意的接班人。經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 3.臺(tái)灣半導(dǎo)體協(xié)會(huì)理事長(zhǎng) 張忠謀欽點(diǎn)魏哲家; 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)下月底改選，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀欽點(diǎn)現(xiàn)任臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家出任下屆理事長(zhǎng)，是否為接班鋪路，引發(fā)聯(lián)想。 張忠謀年假期間在家中不慎絆倒，眼睛附近擦傷，引起外界密切關(guān)注張忠謀的健康及后續(xù)接班規(guī)畫，張忠謀今天恢復(fù)上班，此刻拋出欽點(diǎn)魏哲家接掌帶領(lǐng)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大旗，被外界視為一種風(fēng)向球。 臺(tái)積電內(nèi)部證實(shí)魏哲家將任角逐下屆理事長(zhǎng)改選，但不對(duì)相關(guān)布局做進(jìn)一步評(píng)論。 現(xiàn)任臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)由鈺創(chuàng)科技董事長(zhǎng)盧超群出任，他的任期下月底屆滿。 消息人士透露，張忠謀欽點(diǎn)魏哲家出任下屆理事長(zhǎng)，也是經(jīng)過七年后，臺(tái)積電再派核心決策人士出任理事長(zhǎng)，代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)界與政府，甚至和快速崛起的中國(guó)大陸展開對(duì)話。 張忠謀現(xiàn)任臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)名譽(yù)理事長(zhǎng)，據(jù)了解，張?jiān)谂_(tái)灣、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都執(zhí)牛耳，近年來歷任理事長(zhǎng)人選，幾乎都需張點(diǎn)頭。 魏哲家現(xiàn)任臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)現(xiàn)任常務(wù)理事，又獲張忠謀欽點(diǎn)，加上臺(tái)積電是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍頭，預(yù)料魏哲家可望順利當(dāng)選下屆理事長(zhǎng)。 魏哲家個(gè)性爽朗，臺(tái)積電另一位共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音個(gè)性內(nèi)斂，兩人風(fēng)格完全不同。 張忠謀先前在臺(tái)積電運(yùn)動(dòng)會(huì)和媒體侃侃而談，已不再堅(jiān)持十年交棒計(jì)劃，也贊賞兩位接班人在管理臺(tái)積電表現(xiàn)大有進(jìn)步，是他首度釋出可能會(huì)提早交棒的訊息。 觀察臺(tái)積電接班規(guī)畫的半導(dǎo)體界人士分析，張忠謀交棒給誰，還是讓外界霧里看花。 例如有關(guān)和政府打交道的公共事務(wù)大多由魏哲家出面，但臺(tái)積電供貨商管理大會(huì)卻多半是劉德音出面。 在法說會(huì)時(shí)，也是劉德音針對(duì)未來前瞻規(guī)畫的多，魏哲家回答臺(tái)積電目前現(xiàn)況的多。 某種程度可看出在決策前瞻規(guī)畫，張忠謀認(rèn)為劉德音特質(zhì)勝于魏哲家。 產(chǎn)業(yè)人士指出，臺(tái)積電近來大舉在臺(tái)灣擴(kuò)充，包括后續(xù)的五奈米和三奈米投資案，都需要政府的協(xié)助，加上大陸快速崛起，若直接由臺(tái)積電和兩邊政府直接對(duì)話，可能會(huì)引發(fā)相關(guān)后遺癥，必須借重協(xié)會(huì)的角色，做為對(duì)話窗口。 魏哲家做事沈穩(wěn)，為人風(fēng)趣，善于溝通，是張忠謀推他上陣的關(guān)鍵;至于接棒臺(tái)積電，恐還為時(shí)過早。 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)一九九六年成立，是一個(gè)以「關(guān)心產(chǎn)業(yè)發(fā)展」為出發(fā)點(diǎn)的民間團(tuán)體，希望透過協(xié)會(huì)的活動(dòng)凝聚業(yè)界對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共識(shí)，以促成競(jìng)爭(zhēng)中的合作，促進(jìn)整體產(chǎn)業(yè)的健全發(fā)展。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 臺(tái)積電

  • 中國(guó)將成為前景廣闊的半導(dǎo)體投資市場(chǎng)

    據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner最新研究結(jié)果，中國(guó)國(guó)有企業(yè)將成為全球最活躍的投資者，竭力在增長(zhǎng)緩慢的半導(dǎo)體市場(chǎng)內(nèi)躋身為世界級(jí)廠商。因此，各半導(dǎo)體企業(yè)技術(shù)業(yè)務(wù)部的領(lǐng)導(dǎo)者們應(yīng)針對(duì)未來在華業(yè)務(wù)制訂新計(jì)劃。 Gartner對(duì)于半導(dǎo)體投資市場(chǎng)的預(yù)測(cè)具體如下： 1000多億美元的投資將令中國(guó)本土半導(dǎo)體企業(yè)的營(yíng)收到2025年提升3倍 中國(guó)政府擁有強(qiáng)大的力量，以引導(dǎo)國(guó)內(nèi)資本重點(diǎn)流向由國(guó)有或國(guó)家持股公司所運(yùn)營(yíng)的特定行業(yè)。對(duì)于需大規(guī)模投資的行業(yè)(如：LCD面板、高速鐵路、太陽能和LED市場(chǎng))，中國(guó)政府的指導(dǎo)模式一直卓有成效。為了實(shí)現(xiàn)指導(dǎo)方針中的既定目標(biāo)，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(CICIIF)的首輪基金約為200億美元，但據(jù)市場(chǎng)估算，當(dāng)?shù)卣c國(guó)有企業(yè)的投資總額將首輪超過1000億美元。截至2016年9月，在CICIIF批準(zhǔn)的100億美元基金中，約60%投向芯片制造，27%投向芯片設(shè)計(jì)，8%投向封裝與測(cè)試，3%投向設(shè)備，物料投資則占比為2%。 在此輪投資中，半導(dǎo)體設(shè)備提供商將會(huì)看到中國(guó)市場(chǎng)對(duì)于新的晶圓加工廠需求不斷增加。我們認(rèn)為大部分晶圓加工廠將于2020年之前正式投產(chǎn)。雖然大部分廠家的工藝無法在近期內(nèi)達(dá)到世界領(lǐng)先水平，但12英寸與8英寸晶圓廠的新增產(chǎn)能將在2020年之前對(duì)現(xiàn)有的晶圓代工廠市場(chǎng)造成一定影響。截至2025年的第二輪投資將基于市場(chǎng)的成功經(jīng)驗(yàn)重點(diǎn)注入更加先進(jìn)的技術(shù)工藝。 為了實(shí)現(xiàn)2025年甚至2030年的宏偉目標(biāo)，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行大規(guī)模投資應(yīng)是中國(guó)政策的一貫戰(zhàn)略。在中國(guó)企業(yè)有能力提供設(shè)備、服務(wù)或工業(yè)生產(chǎn)之前，上游供應(yīng)鏈的供應(yīng)商們將是主要的受益者。 中國(guó)晶圓代工廠未來5年將總體實(shí)現(xiàn)最低20%的年度收入增長(zhǎng) 隨著中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)在過去10年內(nèi)得到顯著改進(jìn)(或升級(jí))，中國(guó)無廠半導(dǎo)體企業(yè)的收入在過去幾年內(nèi)每年增長(zhǎng)20%。而這一趨勢(shì)將延續(xù)下去，使得未來5年內(nèi)中國(guó)代工廠對(duì)于晶圓的采購(gòu)量增加20%。 由于中國(guó)政府大力扶持半導(dǎo)體行業(yè)，全球半導(dǎo)體公司都主動(dòng)將各自的中國(guó)戰(zhàn)略確定為與中國(guó)廠商開展協(xié)作，以免被排除在外。未來5年內(nèi)，一些國(guó)際化無廠半導(dǎo)體企業(yè)可能將多達(dá)50%的晶圓采購(gòu)需求轉(zhuǎn)向中國(guó)代工廠。 在過去兩年間，中國(guó)代工廠在開發(fā)與量產(chǎn)28納米(nm)邏輯電路工藝方面一直進(jìn)展緩慢，而與此同時(shí)，其他領(lǐng)先的代工廠在2015年轉(zhuǎn)至14nm，并將于2017年開始10nm工藝的生產(chǎn)。未來5年內(nèi)，中國(guó)代工廠將繼續(xù)與最領(lǐng)先的邏輯電路技術(shù)公司展開艱難競(jìng)爭(zhēng)。強(qiáng)勁的收入增長(zhǎng)將局限于不具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的工藝領(lǐng)域。 到2025年，30%面向本地PC和服務(wù)器的處理器將通過現(xiàn)有處理器廠商簽訂許可證協(xié)議的形式在中國(guó)境內(nèi)設(shè)計(jì)與制造 為了確保IT基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備自立自足，中國(guó)政府多年來一直投資開發(fā)不同架構(gòu)的高性能處理器——包括：x86、ARM、Power和Alpha——但依然難以使之商業(yè)化并推向主流市場(chǎng)。 通過合資與許可證授權(quán)的方式，中國(guó)企業(yè)可以獲得設(shè)計(jì)與生產(chǎn)先進(jìn)處理器的能力，而成熟的國(guó)際化企業(yè)也能確保在中國(guó)市場(chǎng)的商業(yè)機(jī)會(huì)。 中國(guó)本土晶圓加工廠計(jì)劃于2020年獲得14nm節(jié)點(diǎn)制造能力，到2030年達(dá)到世界領(lǐng)先水平，從而在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)主流處理器。

    半導(dǎo)體 中國(guó)半導(dǎo)體

  • 英特爾今年底就將開始導(dǎo)入 7 納米晶圓制程

    根據(jù)Computer World報(bào)導(dǎo)，英特爾今年底就將開始導(dǎo)入 7 納米晶圓制程，時(shí)間提前于臺(tái)積電與三星等競(jìng)爭(zhēng)者，鞏固其半導(dǎo)體龍頭的位置。日前，英特爾在盈余電話會(huì)議上宣布，為了進(jìn)一步探索芯片生產(chǎn)工藝，公司將在今年建立一座 7nm 試驗(yàn)工廠。   臺(tái)積電與三星今年均在努力提高 10 納米制程良率，不過一般認(rèn)為 10 納米只是過渡，7 納米才是主戰(zhàn)場(chǎng)，包含 AMD、Nvidia 等大客戶此前均曾暗示跳過 10 納米、直接晉升 7 納米，而臺(tái)積電、三星還要等到 2018 年才會(huì)開始試產(chǎn) 7 納米制程。   英特爾擁有最先進(jìn)的晶圓廠，長(zhǎng)久以來，英特爾一直都是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)頭羊，直至近幾年才被亞洲后輩超前，但無論如何姜還是老的辣，看來英特爾已準(zhǔn)備好搶回領(lǐng)先位置。   不過制程微縮越精細(xì)越難生產(chǎn)，因此 7 納米初期的良率應(yīng)該不會(huì)太好，預(yù)料英特爾剛開始只會(huì)少批量試作樣本，借以了解制程瓶頸，并作為改進(jìn)良率的依據(jù)。英特爾目前也還沒公布 7 納米產(chǎn)品的時(shí)間表，實(shí)際量產(chǎn)還有待后續(xù)追蹤。   目前英特爾已經(jīng)不再憂慮于在每一代芯片當(dāng)中把晶體管數(shù)量翻倍了，他們現(xiàn)在對(duì)于摩爾定律的詮釋更符合每晶體管成本相關(guān)的經(jīng)濟(jì)學(xué)，它可在產(chǎn)量提升之后降低。對(duì)于摩爾定律而言，這也是非常重要的一部分。   英特爾表示，他們將視圖憑借著7nm工藝回到2年生產(chǎn)周期，同時(shí)使用更智能的芯片設(shè)計(jì)。7nm工藝將為芯片帶來更大的設(shè)計(jì)變化，使其變得更小也更節(jié)能。英特爾計(jì)劃使用奇特的III-V材料（比如氮化鎵）來進(jìn)行芯片生產(chǎn)，在提高性能速度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)續(xù)航。

    半導(dǎo)體 英特爾 7nm

  • 東芝為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)啟動(dòng)招標(biāo)程序 出售股份少于兩成

     據(jù)共同社報(bào)道，處于重組期的東芝3日為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正式啟動(dòng)了招標(biāo)程序。為獲得股份的首輪報(bào)價(jià)已進(jìn)入最后階段，由于出售的股份少于兩成，擬參與投標(biāo)陣營(yíng)的部分企業(yè)出現(xiàn)觀望情緒，東芝能否如期推進(jìn)變得撲朔迷離。 東芝將拆分半導(dǎo)體主力產(chǎn)品“閃存”業(yè)務(wù)另外建立公司。19.9%的股份預(yù)計(jì)將賣出2000億至3000億日元(約合人民幣121億至182億元)。東芝的美國(guó)核電業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)最大損失達(dá)7000億日元，此舉旨在避免陷入資不抵債的境地。 由于獲得不足兩成的股份幾乎無法參與經(jīng)營(yíng)，除最初有意競(jìng)標(biāo)的佳能表示暫不投資外，也有基金相關(guān)人士透露稱“條件太差”，可能還會(huì)讓東芝附上增加股份出讓等條件。 如果東芝在財(cái)年結(jié)束的3月底出現(xiàn)資不抵債，其股票將從東京證券交易所主板降至二板。拆分業(yè)務(wù)需要在3月下旬的臨時(shí)股東大會(huì)上獲得批準(zhǔn)。由于時(shí)間有限，緊張的協(xié)調(diào)工作或還將繼續(xù)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 東芝

  • 從一場(chǎng)集成電路領(lǐng)域最高逼格的國(guó)際會(huì)議看中國(guó)半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)力現(xiàn)狀

     每年的1月或2月，正是中國(guó)人歡慶春節(jié)的時(shí)候。而在大洋彼岸的美國(guó)，全球半導(dǎo)體人士也聚集加州舊金山，參加ISSCC(國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議)。 今年2月5日--9日將在美國(guó)加州舊金山萬豪酒店召開。 1、什么是ISSCC？ ISSCC(國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議)是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫，是國(guó)際學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域最高級(jí)別會(huì)議，被認(rèn)為是集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的“世界奧林匹克大會(huì)”。每年吸引了超過3000名來自世界各地工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的參加者。 ISSCC始于1954年，每年一屆，是由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(huì)(SSCS)主辦的最著名的半導(dǎo)體集成電路國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議。ISSCC也是世界上規(guī)模最大、水平最高的固態(tài)電路國(guó)際會(huì)議，歷屆都有遍及世界各地的數(shù)千名學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界人士參加。 在ISSCC60年的歷史里，眾多集成電路歷史上里程碑式的發(fā)明都是在這上面上首次披露。比如世界上第一個(gè)TTL電路 (1962年),世界上第一個(gè)集成模擬放大器電路(1968年), 世界上第一個(gè)1kb的DRAM (1970年), 世界上第一個(gè)CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一個(gè)8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一個(gè)32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一個(gè)1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一個(gè)1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一個(gè)集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一個(gè)GHz的微處理器 (2002), 世界上第一個(gè)多核處理器 (2005年)等等。 2、ISSCC的起源 1954年首次會(huì)議的早期參與者屬于無線電工程師協(xié)會(huì)(IRE)電路理論小組和IRE晶體管電路委員會(huì)。會(huì)議在費(fèi)城舉行。后來在AIEE和IRE合并成為當(dāng)今的IEEE。 第一次會(huì)議包括六個(gè)組織的論文：Bell Telephone Laboratories, General Electric, RCA, Philco, Massachusetts Institute of Technology and the University of Pennsylvania。注冊(cè)費(fèi)為4美元(提前注冊(cè)為3美元)，注冊(cè)的人數(shù)為601人。 1954年會(huì)議的名稱出現(xiàn)在各種出版物和文件中：“晶體管會(huì)議”，“晶體管電路會(huì)議”，“費(fèi)城會(huì)議”或“國(guó)家晶體管電路會(huì)議”。 1960年會(huì)議名稱固定為“國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議”。 雖然ISSCC成立于費(fèi)城，在20世紀(jì)60年代中期，美國(guó)半導(dǎo)體開發(fā)中心向西移動(dòng)。 1978年，該會(huì)議在紐約的替代海岸舉行，很快取代費(fèi)城。 1990年，舊金山成為會(huì)議的永久之家。 2011年，ISSCC的會(huì)期固定為五天。 3、ISSCC涉及的電路領(lǐng)域 近年來，ISSCC的論文涉及的集成電路領(lǐng)域包括九個(gè)Track： 模擬電路(傳統(tǒng)模擬電路、模擬電源管理); 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC/TDC); 數(shù)字架構(gòu)與系統(tǒng)(處理器、通信與多媒體電路、人工智能); 數(shù)字電路(時(shí)鐘、數(shù)字電源管理); IMMD(圖像、MEMS、生物醫(yī)學(xué)、顯示); 存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)單元、控制器); 射頻與無線系統(tǒng)(收發(fā)機(jī)、毫米波、太赫茲); 有線通信(SerDes/2.5/3D互聯(lián)); 前沿工藝設(shè)計(jì)(非硅集成電路、量子、柔性材料)。 page 4、今年ISSCC的議程 最近幾年的ISSCC都是從周日開始，周四下午結(jié)束。今年同樣如此。 今年周日白天是課程和論壇，可以從10個(gè)課程中最多選擇4個(gè)(有四個(gè)時(shí)間點(diǎn)可選);或從2個(gè)全天的高級(jí)論壇中選擇1個(gè)。 晚上是有兩個(gè)活動(dòng)，一個(gè)是以“智能機(jī)器”為主題的專題會(huì)議;一個(gè)是學(xué)生研究預(yù)覽(Student-Research Preview)。 周一上午是四個(gè)主題報(bào)告，分別是臺(tái)積電(TSMC)的研發(fā)副總裁Cliff Hou(《A Smart Design Paradigm for Smart Chips》，演講內(nèi)容是結(jié)合3D封裝和SoC技術(shù)的智能芯片設(shè)計(jì)新模式)，德州儀器(TI)的首席技術(shù)官Ahmad Bahai (《Dynamics of Exponentials in Circuits and Systems》，演講主題是集成電路業(yè)的多維創(chuàng)新模式)， 耶魯醫(yī)學(xué)院教授Jonathan Rothberg(《The Development of High-Speed DNA Sequencing: Jurassic Park, Neanderthal, Moore, and You》，演講主題是有關(guān)DNA測(cè)序)以及TU Delft的教授Lieven Vandersypen(《Quantum Computing-The Next Challenge in Circuit and System Design》，演講主題是關(guān)于量子計(jì)算)。 周一下午到周三下午，共計(jì)安排有28個(gè)Session 論文報(bào)告賣場(chǎng)。 周四安排有一個(gè)短期課程和4個(gè)專業(yè)論壇，要單獨(dú)付費(fèi)。 5、我國(guó)在ISSCC的入選論文情況 一般在學(xué)界，每年有穩(wěn)定的ISSCC paper發(fā)表可以很好地代表了一所學(xué)校、一個(gè)實(shí)驗(yàn)室或是一位教授在本領(lǐng)域所具有的世界級(jí)研究水平。 記得2014年清華大學(xué)微電子學(xué)研究所教授王志華說過，在ISSCC上發(fā)表論文，至少要滿足四個(gè)條件：一是設(shè)計(jì)的電路要最好或是首個(gè)設(shè)計(jì)電路;二是要從原理上說明為什么你提交的電路論文是最好的;三是設(shè)計(jì)的IC有什么功能，會(huì)產(chǎn)生什么樣的影響力;四是要經(jīng)流片驗(yàn)證確實(shí)可實(shí)現(xiàn)運(yùn)行。 由于受國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的限制，長(zhǎng)期以來，ISSCC都與我們無緣，直到2005年，51歲的ISSCC才第一次聽到來自中國(guó)大陸的聲音。 我國(guó)自2005年在ISSCC上實(shí)現(xiàn)零的突破，至2017年，我國(guó)共有19篇論文入選，主要集中在模擬和處理器方面。 19篇論文中，清華大學(xué)6篇，復(fù)旦大學(xué)6篇，中科院3篇，產(chǎn)業(yè)界有4篇(3篇是外資公司撰寫)。 值得慶賀的是清華大學(xué)王志華教授和李宇根教授團(tuán)隊(duì)3年共入選5篇，2008年、2009年連續(xù)兩年入選，2014年更為驚人，一年3篇入選。 而復(fù)旦大學(xué)連續(xù)四年(2011、2012、2013、2014)都有論文入選。 圖： 我國(guó)從2005-2017年在ISSCC上發(fā)表的文章數(shù)變化(趙元闖整理制圖) 圖：2005-2017年我國(guó)在ISSCC發(fā)表的論文情況(趙元闖整理制圖) page 6、思考 我國(guó)在ISSCC上平均每年入選僅有1.5篇，其中16篇來自大學(xué)和研究所等學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)，我國(guó)產(chǎn)業(yè)界只有4篇入選(3篇為外資企業(yè)撰寫)，2017年還依靠ADI北京公司論文才避免再次掛零的情況。我國(guó)本土產(chǎn)業(yè)界只有1篇文章在ISSCC發(fā)表，這說明我國(guó)產(chǎn)業(yè)界在原始創(chuàng)新方面，還有很長(zhǎng)的路要走。 實(shí)際上不管是從投稿數(shù)還是入選數(shù)量上，我們都處于在很低的數(shù)量級(jí)上，表明在集成電路設(shè)計(jì)方面的水平和世界最頂尖水平還是存在明顯的差距。 針對(duì)國(guó)內(nèi)有網(wǎng)友評(píng)論說目前產(chǎn)業(yè)界不一定要在ISSCC上發(fā)表論文來證明自己，有業(yè)界專家表示，近年來，產(chǎn)業(yè)界在ISSCC上發(fā)表的論文數(shù)量數(shù)量有所下降，但仍占有每年一半的數(shù)量。一半被錄用的稿件來自產(chǎn)業(yè)界，很難下結(jié)論說這是或者不是一件好事。大多數(shù)企業(yè)對(duì)于技術(shù)研發(fā)和宣傳的態(tài)度，是以商業(yè)驅(qū)動(dòng)為主導(dǎo)，不排除部分企業(yè)借ISSCC這一平臺(tái)來擴(kuò)大自身的影響力。但I(xiàn)SSCC對(duì)于文章的錄用是有嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)的，其九大委會(huì)員的委員可不是白吃飯的，如果企業(yè)投稿不能詳細(xì)說明令人認(rèn)同的技術(shù)細(xì)節(jié)，是不可能被錄用的。對(duì)于在ISSCC上發(fā)表論文，產(chǎn)業(yè)界不可太看重，但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄，而不是葡萄酸不酸的問題。 另外在我國(guó)一個(gè)較迫切的問題是要堅(jiān)定的走產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的道路。今天，由政府資金推動(dòng)的大量科研項(xiàng)目，取得了豐富的科研成果，但總體上技術(shù)轉(zhuǎn)化率可能并不高。只有企業(yè)在高?？蒲许?xiàng)目上投入巨額資金時(shí)，對(duì)于技術(shù)成果轉(zhuǎn)化的要求才會(huì)更迫切，高校所受到壓力和推動(dòng)力也更大，也將更務(wù)實(shí)高效。

    半導(dǎo)體 集成電路 isscc

  • 十三五規(guī)劃期間大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)

     研究顯示，綜合大陸相關(guān)法規(guī)政策目標(biāo)與支持方式，預(yù)估，十三五規(guī)劃期間，無論晶圓代工或封裝測(cè)試，大陸IC制造產(chǎn)能將大幅成長(zhǎng)，結(jié)合“物聯(lián)網(wǎng)+”與“中國(guó)制造2025”概念，處理器、現(xiàn)場(chǎng)可程式化閘陣列(FPGA)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與信息安全相關(guān)芯片、存儲(chǔ)器等IC設(shè)計(jì)企業(yè)也將獲得政策大力支持。 十三五規(guī)劃期間，中央政府政策目標(biāo)除持續(xù)追求大陸經(jīng)濟(jì)相當(dāng)幅度的成長(zhǎng)外，提高物聯(lián)網(wǎng)普及率亦被定為重要政策目標(biāo)。也因此，十三五規(guī)劃期間，中央政府將提高4.5G/5G基地臺(tái)、光纖骨干網(wǎng)路、數(shù)據(jù)中心等網(wǎng)通基礎(chǔ)設(shè)施普及率，對(duì)大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)而言，除會(huì)提高相關(guān)IC需求外，包括4.5G/5G智能手機(jī)核心與基地臺(tái)相關(guān)芯片、服務(wù)器相關(guān)處理器、存儲(chǔ)器等IC產(chǎn)品都將是十三五規(guī)劃期間重要支持方向。 十三五規(guī)劃期間，中央政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于財(cái)稅優(yōu)惠相關(guān)政策主要延續(xù)十二五規(guī)劃期間的國(guó)發(fā)(2011)4號(hào)文與財(cái)稅(2012)27號(hào)文。然十三五規(guī)劃期間，中央政府在IC企業(yè)資格認(rèn)定與支持領(lǐng)域較十二五規(guī)劃期間都出現(xiàn)限縮，取而代之的是通過以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱為大基金)以直接入股方式，對(duì)大陸半導(dǎo)體企業(yè)給予財(cái)政支持或協(xié)助購(gòu)并國(guó)際大廠。 十三五規(guī)劃期間中央政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策相關(guān)法規(guī)架構(gòu) 十三五規(guī)劃期間 大陸以提高網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)普及率為重要政策目標(biāo) 由《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要》觀察與分析，十三五規(guī)劃期間，中央政府仍將延續(xù)十一五與十二五規(guī)劃政策目標(biāo)，追求經(jīng)濟(jì)持續(xù)成長(zhǎng)。然而，因大陸經(jīng)濟(jì)基期相對(duì)偏高，加上全球景氣不確定性攀升等因素干擾，大陸生產(chǎn)總值從2015至2020年的復(fù)合增長(zhǎng)率定在6.5%，意即由2015年人民幣67.6萬億元成長(zhǎng)至2020年92.7萬億元，成長(zhǎng)動(dòng)能較十二五規(guī)劃期間7%略緩。 中央政府著眼于未來將于物聯(lián)網(wǎng)、云運(yùn)算、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域占有一席之地，加上將制造業(yè)數(shù)字化、網(wǎng)路化、智能化亦為中央政府重要戰(zhàn)略目標(biāo)，有別于過去數(shù)個(gè)5年規(guī)劃，十三五規(guī)劃期間，大陸亦新增提升物聯(lián)網(wǎng)普及率為重要政策目標(biāo)，其中，固網(wǎng)寬頻家庭普及率計(jì)劃于2020年提升至70%，移動(dòng)寬頻用戶普及率則規(guī)劃提升至85%。 十三五規(guī)劃期間重要政策目標(biāo) 數(shù)據(jù)來源：中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要 結(jié)合“物聯(lián)網(wǎng)+”與“中國(guó)制造2025”的概念，一方面為提升物聯(lián)網(wǎng)普及率，普及網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)就成為十三五規(guī)劃期間重要國(guó)家建設(shè)與政策發(fā)展方向。除智能手機(jī)、數(shù)字電視，乃至個(gè)人電腦與個(gè)人云等終端產(chǎn)品普及率將持續(xù)提升外，包括4G、4.5G，至5G基地臺(tái)、光纖骨干網(wǎng)路、交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心與企業(yè)機(jī)房服務(wù)器等基礎(chǔ)建設(shè)也將逐步增加與普及。 另一方面，“中國(guó)制造2025”最重要的政策目標(biāo)為2020年大陸核心基礎(chǔ)零組件與關(guān)鍵基礎(chǔ)材料自給率達(dá)40%，2025年進(jìn)一步提升至70%。以2015年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)自給率尚不及20%觀察，十三五規(guī)劃期間，除晶圓代工與封裝測(cè)試產(chǎn)能必須大幅擴(kuò)充外，大陸IC設(shè)計(jì)企業(yè)于關(guān)鍵核心產(chǎn)品亦需投入更多研發(fā)。 由普及網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)的角度反應(yīng)至大陸IC設(shè)計(jì)企業(yè)研發(fā)方向，包括4.5G/5G智能手機(jī)核心芯片、數(shù)字電視芯片、4.5G/5G基地臺(tái)相關(guān)芯片、服務(wù)器與個(gè)人電腦的中央處理器、有線/無線連接芯片、電源管理芯片、存儲(chǔ)器相關(guān)芯片等IC產(chǎn)品都將是十三五規(guī)劃期間，中央政府對(duì)IC設(shè)計(jì)企業(yè)研發(fā)重要支持方向。 大陸IC制造業(yè)者除產(chǎn)能的提升外，在低功耗與性能兼顧的IC產(chǎn)品發(fā)展方向下，28納米及其以下先進(jìn)制程與電源管理、傳感器等部分特殊制程的研發(fā)，亦將成為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持方向。 “互聯(lián)網(wǎng)+”與“中國(guó)制造2025” 普及網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)為十三五規(guī)劃期間重要政策方向 延續(xù)十二五規(guī)劃期間所推動(dòng)七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，十三五規(guī)劃期間，中央政府也將包括新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、生物產(chǎn)業(yè)倍增、空間信息智能感知、儲(chǔ)能與分布式能源、高端材料、新能源汽車列為六大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，其中差異僅少了環(huán)保節(jié)能領(lǐng)域。 與十二五規(guī)劃期間相同，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被歸類于新一代信息技術(shù)下基礎(chǔ)建設(shè)中的一環(huán)，意即只要符合條件的相關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)皆可獲得政策支持，其中，包括人工智能、新型顯示器、移動(dòng)智能終端裝置、5G相關(guān)核心芯片、先進(jìn)感知芯片、可穿戴式裝置等相關(guān)芯片，皆會(huì)成為十三五規(guī)劃期間中央政府所規(guī)劃對(duì)IC產(chǎn)業(yè)所支持的項(xiàng)目。 十三五規(guī)劃期間六大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè) 國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要 因大陸IC產(chǎn)業(yè)面對(duì)IC內(nèi)需市場(chǎng)自給率偏低、IC制造與IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)技術(shù)能力不足、產(chǎn)業(yè)集中度不足難以打造產(chǎn)業(yè)鏈，以及欲解決大陸IC制造業(yè)者資金不足問題，國(guó)務(wù)院于2014年6月發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》。 其中，對(duì)整體大陸IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)，2014年至2020年產(chǎn)值年復(fù)合成長(zhǎng)率需超過20%。若以2015年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值人民幣3，500億元推算，至2020年若達(dá)成年成長(zhǎng)目標(biāo)，則大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)8，710億元，不僅產(chǎn)值將較十二五規(guī)劃期末(即2015年底)成長(zhǎng)1倍以上，若以2015年至2020年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率8%假設(shè)計(jì)算，至2020年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)自給率將提升至55%。 大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)則是除持續(xù)發(fā)展移動(dòng)通訊與網(wǎng)路通訊的IC設(shè)計(jì)技術(shù)外，并以此為基礎(chǔ)，跨入云運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域。 至于大陸IC制造政策目標(biāo)則是晶圓代工制程技術(shù)在2020年前能將16/14納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)，封裝測(cè)試技術(shù)則能與日月光、艾爾克(Amkor)等國(guó)際一線大廠齊平。至于半導(dǎo)體設(shè)備材料領(lǐng)域，則是希望能在2020年前打入國(guó)際采購(gòu)供應(yīng)鏈。 《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》最重要的政策目標(biāo)不僅要打造從半導(dǎo)體設(shè)備、IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、封裝測(cè)試等IC完整產(chǎn)業(yè)鏈，更要進(jìn)一步延展至軟件、整機(jī)、系統(tǒng)，乃至信息服務(wù)，打造一個(gè)從IC到終端市場(chǎng)、甚至是系統(tǒng)平臺(tái)服務(wù)的產(chǎn)業(yè)鏈。 要達(dá)到政策目標(biāo)，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》亦對(duì)IC產(chǎn)業(yè)給予政策支持，除既有重大科技專項(xiàng)、財(cái)稅優(yōu)惠、擴(kuò)大金融支持外，最重要者即在于大基金的設(shè)立，及對(duì)國(guó)際合作、兩岸合作的支持。 大基金的設(shè)立除可改善大陸IC制造業(yè)者在擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能上資金不足的問題外，大陸IC業(yè)者亦有機(jī)會(huì)通過大基金的協(xié)助，購(gòu)并國(guó)際大廠，或與國(guó)際大廠透過合資設(shè)立新公司方式進(jìn)行合作。研究認(rèn)為，以大基金為主，乃至于清華紫光、武岳峰等相關(guān)投資基金，通過股權(quán)投資的途徑，將成為十三五規(guī)劃期間帶動(dòng)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽堋? 《國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的政策目標(biāo)與政策支持 中國(guó)制造2025 著眼于未來能夠在3D打印、云運(yùn)算、大數(shù)據(jù)、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域占有一席之地，打造具國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的制造業(yè)為重要政策目標(biāo)，國(guó)務(wù)院于2015年5月發(fā)布國(guó)發(fā)(2015)28號(hào)文，也正是“中國(guó)制造2025”。 實(shí)際上，“中國(guó)制造2025”普遍適用于各類型制造業(yè)，對(duì)于IC產(chǎn)業(yè)討論篇幅相當(dāng)有限，主要著重在IC設(shè)計(jì)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)與設(shè)計(jì)工具的取得、核心通用芯片的開發(fā)能力、封裝測(cè)試業(yè)在高密度封裝與3D IC封裝技術(shù)及測(cè)試技術(shù)的掌握，整個(gè)政策目的即在于在關(guān)鍵半導(dǎo)體元器件的供貨能力。 然而，通過“中國(guó)制造2025”對(duì)核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料和產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)(四基)的政策目標(biāo)，對(duì)應(yīng)到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步分析，在IC設(shè)計(jì)部分，至2020年大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)自給率目標(biāo)達(dá)40%，2025年將更進(jìn)一步提高至70%。 為滿足提升自給率政策目標(biāo)，對(duì)IC制造產(chǎn)業(yè)而言，中央政府也將支持晶圓代工與封裝測(cè)試業(yè)者于產(chǎn)能上的擴(kuò)充;對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備與材料業(yè)而言，則將以提高設(shè)備與材料供貨能力為目標(biāo);至于IP與設(shè)計(jì)工具業(yè)，則以持續(xù)豐富知識(shí)產(chǎn)權(quán)與設(shè)計(jì)工具為政策目標(biāo)。 為達(dá)IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)，“中國(guó)制造2025”亦提出多項(xiàng)政策支持，其中值得注意的政策支持為“加強(qiáng)監(jiān)管，嚴(yán)懲市場(chǎng)壟斷與不正常競(jìng)爭(zhēng)。”這也意味在十三五規(guī)劃期間，甚至十四五規(guī)劃期間，中央政府依然會(huì)對(duì)IC產(chǎn)業(yè)實(shí)施保護(hù)主義政策，高通涉嫌壟斷的案例也可能再次發(fā)生。 在大基金與各地方政府半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金相繼設(shè)立后，運(yùn)用PPP (Public-Private-Partnership，公共私營(yíng)合作制)模式，將政府資金與民間企業(yè)合資入股設(shè)立新公司，協(xié)助大陸IC制造業(yè)者擴(kuò)充產(chǎn)能，以取代過去直接補(bǔ)貼模式，將為十三五規(guī)劃期間中央政府對(duì)IC業(yè)者擴(kuò)充產(chǎn)能與購(gòu)并的最主要政策支持。 此外，加強(qiáng)海外購(gòu)并將列入“中國(guó)制造2025”政策支持項(xiàng)目，這也說明除星科金朋、豪威科技外，十三五規(guī)劃期間大陸將有更多海外購(gòu)并案會(huì)發(fā)生。 對(duì)大陸IC產(chǎn)業(yè)，乃至電子產(chǎn)業(yè)而言，“中國(guó)制造2025”最終政策目標(biāo)即是希望打造如同韓國(guó)三星一樣，從半導(dǎo)體設(shè)備與材料、IC設(shè)計(jì)與制造、電子零組件、終端產(chǎn)品都能加以整合的國(guó)際品牌巨頭。 “中國(guó)制造2025”大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持 “中國(guó)制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖 繼2015年5月國(guó)務(wù)院發(fā)布“中國(guó)制造2025”后，更進(jìn)一步設(shè)立國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會(huì)，并于同年10月發(fā)布“中國(guó)制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖，針對(duì)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高端數(shù)字控制車床與機(jī)械人、航空設(shè)備與機(jī)械、新材料、新農(nóng)業(yè)、新能源汽車等十大重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展目標(biāo)、重點(diǎn)方向、發(fā)展時(shí)程進(jìn)行規(guī)劃，其中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被規(guī)劃在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的項(xiàng)目之一。 “中國(guó)制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖對(duì)IC制造產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃，產(chǎn)能擴(kuò)充與先進(jìn)制程的發(fā)展是最重要兩大政策目標(biāo)，其中，在產(chǎn)能擴(kuò)充上，全大陸晶圓代工月產(chǎn)能規(guī)劃由2015年70萬片12吋晶圓擴(kuò)充至2025年100萬片，2030年更進(jìn)一步擴(kuò)充至150萬片。在先進(jìn)制程發(fā)展上，大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)將以2025年14納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)為目標(biāo)。 大陸IC制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)則鎖定新型態(tài)3D電晶體、下一代顯影技術(shù)，及超大尺寸晶圓為發(fā)展方向，目標(biāo)則是希望于2030年大陸IC制造技術(shù)能力能與臺(tái)積電、英特爾、三星電子等世界級(jí)大廠齊平。 2015~2030年大陸IC制造產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn) “中國(guó)制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖對(duì)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃，于全球市占率的擴(kuò)張與IC設(shè)計(jì)能力的提升為最主要政策目標(biāo)，其中，2030年大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值規(guī)劃達(dá)600億美元，以于全球市占率提升至35%，大陸主要IC設(shè)計(jì)企業(yè)將以具備14納米及其以下先進(jìn)制程為政策目標(biāo)。 大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)則鎖定運(yùn)算核心芯片與存儲(chǔ)器為主要目標(biāo)，其中，中央政府規(guī)劃2030年大陸IC設(shè)計(jì)公司具備PC與服務(wù)器應(yīng)用多核心CPU與移動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用超低功耗多核心CPU等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)能力，在存儲(chǔ)器方面，也規(guī)劃2030年前，大陸存儲(chǔ)器相關(guān)IC企業(yè)在包括eDRAM(嵌入式DRAM)與3D V-NAND Flash(Vertical NAND Flash)等存儲(chǔ)器具設(shè)計(jì)與量產(chǎn)能力。 為達(dá)成“中國(guó)制造2025”重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖的政策目標(biāo)，除通過科技專項(xiàng)補(bǔ)貼、加強(qiáng)人力資源培養(yǎng)等政策支持外，中央政府亦計(jì)劃逐步擴(kuò)大大基金規(guī)模，亦不排除設(shè)立第二期與第三期半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金。 2015~2030年大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn) 十三五規(guī)劃期間 中央政府財(cái)稅優(yōu)惠政策出現(xiàn)限縮 十三五規(guī)劃期間，中央政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于財(cái)稅優(yōu)惠相關(guān)政策主要延續(xù)十二五規(guī)劃期間的國(guó)發(fā)(2011)4號(hào)文與財(cái)稅(2012)27號(hào)文。 中央政府對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)財(cái)稅優(yōu)惠上，在IC設(shè)計(jì)方面，符合條件的IC設(shè)計(jì)公司除免征營(yíng)業(yè)稅外，大陸境內(nèi)新設(shè)IC設(shè)計(jì)企業(yè)也能享有企業(yè)所得稅兩免三減半的優(yōu)惠，員工培訓(xùn)費(fèi)用亦能抵減應(yīng)繳納企業(yè)所得稅，至于無形資產(chǎn)與固定資產(chǎn)的折舊或攤提時(shí)限亦可縮短為2年。 在IC制造的財(cái)稅優(yōu)惠方面，則包括符合條件IC制造的企業(yè)所得稅優(yōu)惠及折舊時(shí)限的縮減。 2016年中央政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)租稅優(yōu)惠的政策支持上，相繼發(fā)布財(cái)稅(2016)49號(hào)文與發(fā)改高技(2016)1056號(hào)文。其中，財(cái)稅(2016)49號(hào)的重點(diǎn)在于對(duì)能夠接受國(guó)家財(cái)稅支持半導(dǎo)體企業(yè)資格認(rèn)定予以明確規(guī)范，發(fā)改高技(2016)1056號(hào)文則是對(duì)大陸IC設(shè)計(jì)企業(yè)產(chǎn)品與研發(fā)范圍認(rèn)定做了更進(jìn)一步規(guī)范。 在IC企業(yè)資格認(rèn)定上，IC設(shè)計(jì)企業(yè)與IC制造企業(yè)皆需在大陸成立，并經(jīng)過認(rèn)定取得資格的獨(dú)立法人，排除于臺(tái)、港、澳地區(qū)設(shè)立的半導(dǎo)體企業(yè)。此外，財(cái)稅(2016)49號(hào)文也對(duì)包括高學(xué)歷員工與研發(fā)人員占總員工數(shù)、來自IC制造或IC設(shè)計(jì)本業(yè)營(yíng)收占總營(yíng)收金額比重、研發(fā)金額占營(yíng)收比重與用于大陸境內(nèi)研發(fā)費(fèi)用占研發(fā)費(fèi)用比重皆有明確規(guī)范。 在IC設(shè)計(jì)企業(yè)產(chǎn)品與研發(fā)領(lǐng)域的規(guī)范上，發(fā)改高技(2016)1056號(hào)文則明文中央政府將對(duì)高性能處理器、FPGA、物聯(lián)網(wǎng)與信息安全相關(guān)芯片、存儲(chǔ)器、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)及IC設(shè)計(jì)服務(wù)、工業(yè)芯片等六大領(lǐng)域的IC設(shè)計(jì)企業(yè)給予財(cái)稅上的支持。 十三五規(guī)劃期間中央政策對(duì)IC產(chǎn)業(yè)財(cái)稅政策支持 結(jié)語 觀察十三五規(guī)劃期間中央政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策支持，相關(guān)法規(guī)架構(gòu)可分為十三五規(guī)劃、大基金、中國(guó)制造2025、財(cái)稅補(bǔ)貼等四大部分。 十三五規(guī)劃期間，中央政府著眼于來自物聯(lián)網(wǎng)、云運(yùn)算、大數(shù)據(jù)的巨大商機(jī)與成長(zhǎng)動(dòng)能，將提升互聯(lián)網(wǎng)普及率定為新增重要政策目標(biāo)。為達(dá)此目標(biāo)，普及包括4.5G/5G基地臺(tái)、光纖骨干網(wǎng)路、電信商交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心等網(wǎng)通基礎(chǔ)建設(shè)就成為十三五規(guī)劃期間重要國(guó)家建設(shè)與政策發(fā)展方向。 預(yù)估，提升互聯(lián)網(wǎng)普及率政策方向?qū)?dòng)大陸包括4.5G/5G智能手機(jī)核心芯片、4.5G/5G基地臺(tái)相關(guān)芯片、服務(wù)器與個(gè)人電腦的中央處理器、有線無線網(wǎng)通芯片、電源管理芯片、存儲(chǔ)器等芯片的需求，相關(guān)IC企業(yè)也將成為十三五規(guī)劃期間中央政府支持對(duì)象。 此外，提升大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)自給率則為十三五規(guī)劃期間中央政府另一項(xiàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策重大目標(biāo)，為此，大陸IC制造業(yè)者在先進(jìn)制程產(chǎn)能與部分特殊制程產(chǎn)能提升將獲得中央政府財(cái)政支持，大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者也將在高性能處理器、FPGA、物聯(lián)網(wǎng)與信息安全相關(guān)芯片、存儲(chǔ)器、EDA及IC設(shè)計(jì)服務(wù)、工業(yè)芯片等六大領(lǐng)域獲得財(cái)稅上的支持。 對(duì)于十三五規(guī)劃期間中央政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶植政策分析，來自01專項(xiàng)與02專項(xiàng)等重大科技專項(xiàng)直接財(cái)政補(bǔ)貼已進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)階段，財(cái)稅優(yōu)惠政策則在IC企業(yè)資格認(rèn)定與支持領(lǐng)域方面較十二五規(guī)劃期間都出現(xiàn)限縮。 取而代之則是通過大基金直接入股的途徑，對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)給予財(cái)政上的支持，或?qū)?guó)外企業(yè)進(jìn)行購(gòu)并。預(yù)估，以大基金與清華紫光為主的相關(guān)投資基金，將成為十三五規(guī)劃期間帶動(dòng)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)恿Α?/p>

    半導(dǎo)體 中國(guó)半導(dǎo)體 中國(guó)制造2025

  • 2016全球最大半導(dǎo)體買家中國(guó)首度三廠進(jìn)前10

    中國(guó)大陸進(jìn)口半導(dǎo)體金額超過原油，近年視半導(dǎo)體為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，但誰才是全球半導(dǎo)體的大買家? 國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner表示，2016年三星電子(Samsung Electronics)與蘋果(Apple)仍為全球半導(dǎo)體最大買家，占市場(chǎng)整體需求 18.2%。 其次依序?yàn)榇鳡?、?lián)想、華為。 2016年三星與蘋果一共消費(fèi)了價(jià)值617億美元的半導(dǎo)體，較2015年增加4億美元。 2015年全球前10大半導(dǎo)體買家中有9家在2016年仍名列前10，其中2015年位居第10位的思科(Cisco Systems)在2016年因中國(guó)智能手機(jī)廠商步步高通訊設(shè)備的快速增長(zhǎng)，排名被取代。步步高去年半導(dǎo)體買家排名，從前年第 21 名，躍升到第 9 名。 2016年前10大業(yè)者中包含4家美國(guó)公司，3家中國(guó)公司，2家韓國(guó)公司和1家日本公司。 這是第一次3家中國(guó)公司排名前10，證明即使中國(guó)的總體經(jīng)濟(jì)情況放緩，其電子市場(chǎng)的重要性仍在成長(zhǎng)。 Gartner 統(tǒng)計(jì)，去年前 10 大半導(dǎo)體買家，三星、蘋果排名穩(wěn)居居冠、亞軍，其后依序是戴爾 (DELL-US)、聯(lián)想 (0992-HK)、華為、惠普 (HPQ-US)、HPE、SONY、步步高及 LG ，各廠商消費(fèi)金額至少在 51.7 億美元以上。 Gartner首席分析師山路正恒表示，三星電子與蘋果已連續(xù)第六年稱霸半導(dǎo)體消費(fèi)領(lǐng)域，雖然兩家公司在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和價(jià)格趨勢(shì)持續(xù)發(fā)揮相當(dāng)大的影響力，由于未來成長(zhǎng)預(yù)期下滑，影響也已減弱。 他說，半導(dǎo)體芯片供貨商已不能再通過依靠少數(shù)大客戶來確保他們的業(yè)務(wù)，特別是在近期市場(chǎng)的變化益發(fā)迅速。 例如步步高通訊設(shè)備于2016年的成長(zhǎng)十分快速，這種非?？焖俚脑鲩L(zhǎng)也突顯中國(guó)商業(yè)的多變性。 盡管如此，前十大業(yè)者的綜合設(shè)計(jì)總體有效市場(chǎng)(total available market，TAM)仍超過2016年半導(dǎo)體市場(chǎng)的平均成長(zhǎng)率。 中國(guó)廠商中，聯(lián)想與華為去年與前年排名分別上下挪移 ， 聯(lián)想 排名從前年第 3 名掉到第 4 名，遭戴爾擠掉一名，但消費(fèi)金額仍有 128.47 億美元，年減 5.1%，占整體消費(fèi)市場(chǎng)比重約 3.8%。 華為排名則從前年第 6 名進(jìn)步到第 5 名，消費(fèi)金額達(dá) 98.86 億美元，逼近百億美元關(guān)卡，年增 30.1%，占有率也達(dá) 2.9%。 總計(jì)去年中國(guó)三家廠商的半導(dǎo)體消費(fèi)金額達(dá) 285.51 億美元，占整體市場(chǎng)比重約 8.4%。 整體半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)金額去年達(dá) 3396.84 億美元，較前年 3347.68 億美元增加 1.5%。

    半導(dǎo)體 三星 蘋果 中國(guó)半導(dǎo)體

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