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  • 漲漲漲！蘋果將采用NOR Flash,Cypress發(fā)布漲價通知

    蘋果新手機(jī)iPhone 8將導(dǎo)入采用編碼型快閃存儲器(NOR Flash)，已讓NOR芯片缺貨更為嚴(yán)重。存儲器業(yè)者透露，今年NOR芯片供給缺口將擴(kuò)大至20%，主要供應(yīng)大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發(fā)出漲價通知，業(yè)者估計今年漲幅可能擴(kuò)大至逾60%。 存儲器渠道商透露，去年下半年以來，市場焦點一直以DRAM和存儲型快閃存儲器(NAND Flash)缺貨為重心，兩大主流存儲器也從去年下半年迄今，價格上漲近六成。 但今年在蘋果iPhone 8將跟進(jìn)三星導(dǎo)入主動矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)面板，華為、OPPO及VIVO等大陸品牌手機(jī)也將跟進(jìn)，加上車用及物聯(lián)網(wǎng)也都大舉導(dǎo)入NOR芯片，讓NOR缺貨也浮出臺面，且如滾雪球般擴(kuò)大。 集邦咨詢光電研究中心(WitsView)分析，NOR Flash應(yīng)用在AMOLED面板上的功能，主要是記憶狀態(tài)跟補償AMOLED的電流、亮度，AMOLED面板中的藍(lán)色光會隨使用時間增加，逐步分解消退，要藉由NOR Flash來維持AMOLED的持續(xù)性。 Witsview預(yù)估，今年AMOLED面板在智能手機(jī)市占率將接近三成。其中蘋果iPhone系列手機(jī)就需要7,500萬片，加速今年NOR Flash產(chǎn)品價格上漲。 據(jù)了解，臺灣電子代工大廠已接受旺宏首季調(diào)漲NOR Flash報價10%。 市場排名第二的賽普拉斯和第三的美光，日前也正式發(fā)出漲價通知，甚至要求首季的報價作廢，凸顯NOR Flash缺貨問題愈來愈嚴(yán)重。 雖然賽普拉斯和美光未對第2季NOR芯片漲幅做任何說明，但強調(diào)相關(guān)價格得在下月27日前重新議定。 存儲器渠道商透露，推估今年NOR芯片供給缺口在各大手機(jī)廠及車用電子等導(dǎo)入下，缺口將比預(yù)期還嚴(yán)重，恐達(dá)20%。 至于第2季NOR芯片價格，旺宏、華邦電將調(diào)漲逾20%;賽普拉斯因很多NOR芯片是自用作為嵌入式多芯片封裝(eMCP)存儲器，導(dǎo)入車用，外賣有限;美光則打算淡出，預(yù)料漲幅也是跟進(jìn)臺廠。

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  • 真正的“Grow Getter”？還是與業(yè)務(wù)增長失之交臂

     如果企業(yè)管理者不注重實現(xiàn)業(yè)務(wù)增長，那么企業(yè)就不可能獲得增長。隨著新興市場的擴(kuò)張，全球化成為常態(tài)，增長的機(jī)會越來越有限，即便是細(xì)分市場領(lǐng)域也可能呈現(xiàn)飽和狀態(tài)。經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不確定性以及專家和預(yù)測師們的觀點分歧讓許多市場變得前景不明朗，而日趨白熱化的競爭和復(fù)雜化的經(jīng)營則使得企業(yè)的境況雪上加霜。 如何讓企業(yè)獲得增長?這個問題并沒有正確或錯誤的答案，因此我們的最新研究主要側(cè)重于影響企業(yè)增長的各個變量。 利潤的“圣杯” 利潤通常被認(rèn)為是衡量企業(yè)增長的基本標(biāo)準(zhǔn)，因此也成為企業(yè)目標(biāo)中的“圣杯”。增長還有許多不同的衡量方式，例如發(fā)展軌跡、員工人數(shù)和產(chǎn)品范圍等，這些因素對企業(yè)的整體發(fā)展都有著切實的影響。這些要素通常需要先行增長才能實現(xiàn)利潤增長，因此企業(yè)必須制定相應(yīng)的策略來為增長鋪平道路。 所有企業(yè)都有自己的增長之路要走。截至目前，在全球范圍內(nèi)追蹤企業(yè)增長以及相關(guān)衡量標(biāo)準(zhǔn)的研究還相當(dāng)有限。我們的最新研究試圖改變這個現(xiàn)狀，意在向世人揭示全球企業(yè)的增長情況以及商業(yè)環(huán)境的演進(jìn)方向。 獲得增長已成為全球趨勢 我們的研究從個體企業(yè)的發(fā)展道路中總結(jié)出了一些全球趨勢。研究表明，全球超過三分之一(36%)的企業(yè)在過去一年里沒有實現(xiàn)利潤增長。我們不禁要問，這些企業(yè)在他們的增長之路上走到了哪一步?他們有沒有“獲得”增長?他們的目標(biāo)是什么?利潤對他們來說是唾手可得還是遙不可及? 沒有實現(xiàn)利潤的病根可能出在戰(zhàn)略決策上。例如，企業(yè)的資金可能投向了別處，或者用于其他增長方式，因而暫時沒有實現(xiàn)利潤增長。 利潤增長強勁的企業(yè)無一不是采取了一種“Grow Getter”(有計劃為企業(yè)的高增長做好準(zhǔn)備，樂于大力投資科技、經(jīng)常尋找新機(jī)遇的人)的方法。當(dāng)機(jī)會來臨的時候他們總能牢牢把握， 例如來自印度和墨西哥等新興經(jīng)濟(jì)體的企業(yè)。“Grow Getter”企業(yè)通常會利用有前瞻性的技術(shù)投資來提高生產(chǎn)率，從而有能力進(jìn)軍新市場并靈活適應(yīng)變幻莫測的宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境。 采用這種“Grow Getter”方法的企業(yè)通常能夠?qū)崿F(xiàn)較高的利潤增長率和投資回報率。過去一年，印度企業(yè)中實現(xiàn)利潤增長的比例高達(dá) 80%，而其他地區(qū)的企業(yè)則仍然處于規(guī)劃和準(zhǔn)備階段。他們也許在其他領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了增長，但是利潤增長指標(biāo)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。 我們的最新研究得出了有趣而寶貴的成果，這些信息對于現(xiàn)代企業(yè)界的未來發(fā)展具有重要意義。有鑒于此，我們將繼續(xù)報道全球商業(yè)環(huán)境的變化。 你是“Grow Getter”嗎? 你的企業(yè)在“Grow Getter”的版圖上處于什么位置?你會看這篇文章就表明你具備成為“Grow Getter”的潛質(zhì)，但是你為企業(yè)制定了怎樣的增長策略?面對躊躇滿志、急于實施最新技術(shù)和系統(tǒng)的全球企業(yè)，你是否做好了和他們競爭的準(zhǔn)備? 如果覺得自己還沒有準(zhǔn)備好，不妨仔細(xì)研究一下如何利用最新企業(yè)技術(shù)來提高你的生產(chǎn)率。我們很樂意幫助你在“創(chuàng)造”增長的道路上加快腳步。

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  • 美高森美航天太空產(chǎn)品支持Iridium NEXT衛(wèi)星項目

     致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司祝賀Iridium Communications Inc.、Thales Alenia Space、SpaceX及其項目分包商成功發(fā)射首批10顆Iridium NEXT衛(wèi)星。Iridium NEXT是Iridium新一代衛(wèi)星群，代替及增強其覆蓋全球的現(xiàn)有近地軌道衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)。該項目采用了美高森美20多萬個非常適合衛(wèi)星通信應(yīng)用的器件。 Iridium NEXT作為太空中最大的商業(yè)衛(wèi)星群，采用包括RTSX32SU、RTAX1000S和RT3PE3000L 在內(nèi)的2000多件抗輻射的美高森美可編程邏輯器件(FPGA)，及公司許多JANS和JANTXV二極管，比如流行的1N6638、1N5806 和1N6640無隙密封型二極管。這些美高森美器件部署用于Iridium NEXT衛(wèi)星所搭載的各種衛(wèi)星總線和有效載荷應(yīng)用，而美高森美商業(yè)FPGA則用于SpaceX的運載火箭。 美高森美航空航天營銷總監(jiān)Ken O’Neill稱：“我們熱烈祝賀Iridium NEXT團(tuán)隊成功發(fā)射首批10顆衛(wèi)星，該項目利用我們60年豐富的太空傳承和廣泛的太空產(chǎn)品，我們感到非常自豪。美高森美可靠性高的創(chuàng)新FPGA、電源分立、系統(tǒng)和電源模塊在這些新一代商業(yè)通信衛(wèi)星中起著十分重要的作用，對此，我們感到很榮幸。我們將繼續(xù)實現(xiàn)對航空和國防市場的承諾，為客戶提供可信賴的產(chǎn)品，幫助他們在最苛刻環(huán)境完成任務(wù)。” 美高森美的分立產(chǎn)品包括8000多種認(rèn)證產(chǎn)品清單(QPL)/認(rèn)證制造商清單(QML)器件，占美國國防后勤局(DLA)QPL/QML清單全部認(rèn)證產(chǎn)品的60%。據(jù)Databeans, Inc.標(biāo)題為“2016軍事和航空電子半導(dǎo)體”的研究報告稱，美高森美是國防和航空半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先供應(yīng)商，約占20%市場份額。 美高森美的航空級產(chǎn)品包括二極管、整流器、齊納二極管、瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)和MOSFET。此外，其FPGA可提供幾種不同的密度和性能水平選擇，使客戶能夠靈活選擇適合應(yīng)用的最佳尺寸。這些范圍廣泛的器件反映了公司重視向市場提供差異化解決方案，其中商業(yè)衛(wèi)星通信是其持續(xù)承諾的一部分。除分立產(chǎn)品、電源DC至DC、混合、FPGA組合外，公司的振蕩器、電機(jī)控制和遙測器件也理想用于特定的衛(wèi)星應(yīng)用。 美高森美領(lǐng)先太空創(chuàng)新超過六十年 美高森美擁有業(yè)界最全面的太空產(chǎn)品產(chǎn)品組合之一，提供耐輻射FPGA、抗輻射混合信號IC、抗輻射DC-DC轉(zhuǎn)換器、精密定時和頻率解決方案、線性和POL混合電路、定制混合解決方案以及抗輻射分立器件，包括最廣泛的JANS Class二極管和雙極產(chǎn)品組合。美高森美致力于在客戶項目的整個產(chǎn)品生命周期中支持產(chǎn)品。公司繼續(xù)進(jìn)行創(chuàng)新并擴(kuò)展產(chǎn)品組合，最近增添新型LX7730耐輻射遙測控制器IC，提供用于傳感器監(jiān)控、姿態(tài)和有效載荷控制的重點功能，以及RTG4™高速信號處理耐輻射FPGA系列。RTG4的可重編程快閃技術(shù)在最嚴(yán)苛的輻射環(huán)境中提供了全面的輻射引發(fā)配置翻轉(zhuǎn)免疫能力，與SRAM FPGA技術(shù)不同，無需配置清洗。

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  • 半導(dǎo)體行業(yè)想自主，還得靠中國自己！

     為什么說“核心技術(shù)受制于人是我們最大的隱患”?中國工程院院士倪光南在近召開的2017中國半導(dǎo)體市場年會上表示，我國網(wǎng)信領(lǐng)域已經(jīng)用幾十年的發(fā)展實踐證明，真正的核心技術(shù)是買不來的，是市場換不到的。“中國發(fā)展到了現(xiàn)在這個階段，連比較重要的技術(shù)人家都不會給你，更不要說核心技術(shù)了。”倪光南說，“因為這類技術(shù)關(guān)系到一個國家的核心競爭力，被所擁有的國家奉作‘定海神針’、‘國之重器’，不能隨意開放、隨意買賣，所以最關(guān)鍵最核心的技術(shù)必須靠自己研發(fā)、自己發(fā)展。”     真正的核心技術(shù)是買不來的 有觀點認(rèn)為，那些世界市場上通用的軟硬件不可能存在后門。倪光南用維基解密網(wǎng)站日前發(fā)布的相關(guān)文件否定了這一觀點。 該網(wǎng)站披露了據(jù)稱是美國中央情報局(CIA)黑客項目的大量文件，其中詳細(xì)列明了當(dāng)局如何利用黑客科技侵入智能手機(jī)、智能電視、手機(jī)應(yīng)用等等。文件顯示了CIA如何利用硬件和軟件系統(tǒng)的漏洞，包括美國公司的系統(tǒng)漏洞來進(jìn)行入侵行動，卻并未通知這些公司其系統(tǒng)存在問題。 倪光南表示，對于這類復(fù)雜的軟硬件，設(shè)計者僅僅為了測試或維護(hù)，就要設(shè)置許多不公開說明的功能，如有需要，其中的一些就可以用作入侵的“后門”?？傊?，那些世界市場上通用的軟硬件是存在后門的。 倪光南還援引“中興被罰”事件強調(diào)我國應(yīng)自主研發(fā)核心技術(shù)的必要性。近日，中興通訊因“違反美國的出口禁令”而被美國司法部等課以8.9億美元巨額罰款。而由于目前中興在芯片等核心技術(shù)上還依賴于美國方面，眼下只能咽下這一苦果。 在倪光南看來，近年來中國在掌握包括CPU、操作系統(tǒng)等在內(nèi)的網(wǎng)信核心技術(shù)方面有了很大進(jìn)展，但總體說來核心技術(shù)仍受制于人，還未構(gòu)成自己的技術(shù)體系和生態(tài)系統(tǒng)，尤其是存在著某些短板(如芯片制造等)，這在“中興被罰” 事件中暴露無遺。 目前，由于中國與發(fā)達(dá)國家的差距已經(jīng)不是很大，而且追趕很快，一些外國跨國公司就開始調(diào)整策略，從對中國實施封鎖禁運轉(zhuǎn)變?yōu)橥菩?ldquo;技術(shù)合作”。但是眾多事實表明，這種“技術(shù)合作”往往是徒有其名，實際上只是為了給外國產(chǎn)品穿上“中國國產(chǎn)”的馬甲以打入中國市場，并以此誘使中國放棄繼續(xù)追趕的努力。 倪光南強調(diào)，希望“中興被罰”能夠促使人們認(rèn)清“真正的核心技術(shù)是買不來的，是市場換不到的”這一歷史教訓(xùn)，在發(fā)展核心技術(shù)上堅持走自己研發(fā)、自己發(fā)展的道路，不要因受到誘惑而轉(zhuǎn)向，導(dǎo)致功虧一簣。

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  • 聯(lián)芯獲聯(lián)電28nm技術(shù)授權(quán)，內(nèi)地芯片又將遭受創(chuàng)擊

     晶圓代工廠聯(lián)電獲準(zhǔn)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國子公司聯(lián)芯集成電路制造(廈門)，聯(lián)芯28 納米預(yù)計第二季導(dǎo)入量產(chǎn)，將搶攻中國手機(jī)芯片市場。 聯(lián)芯甫于去年底投產(chǎn)，目前以40 納米制程技術(shù)為主，月產(chǎn)能約1.1 萬片規(guī)模。 聯(lián)電近日公告，獲準(zhǔn)技術(shù)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國子公司聯(lián)芯，技術(shù)授權(quán)金額2 億美元。聯(lián)電表示，聯(lián)芯將盡快導(dǎo)入28 納米制程，預(yù)計第二季可進(jìn)入量產(chǎn)，將搶攻中國手機(jī)芯片市場;聯(lián)芯預(yù)計至今年底月產(chǎn)能將擴(kuò)增至1.6 萬片規(guī)模。 至于2 億美元技術(shù)授權(quán)金，聯(lián)電指出，將依進(jìn)度認(rèn)列，只因與聯(lián)芯為母子公司關(guān)系，對損益無影響，僅有現(xiàn)金收入。 N-1規(guī)則，14nm量產(chǎn)后的推進(jìn) 根據(jù)臺灣規(guī)定，投資大陸的技術(shù)要比臺灣的落后一代，也就是所謂的“N-1”規(guī)則，聯(lián)電這次進(jìn)入大陸，是因為其14nm正式投入量產(chǎn)。 23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管(FinFET)制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。 聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達(dá)成14nm量產(chǎn)的里程碑，象征聯(lián)電成功攜手客戶，將先進(jìn)技術(shù)導(dǎo)入市場，同時與其他客戶的合作也在順利進(jìn)行中，將持續(xù)優(yōu)化此制程，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢，以驅(qū)動次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò)、人工智能和各類消費產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用。 聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競爭力已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)，速度較28nm增快55%，閘密度則達(dá)兩倍，此外，功耗亦較28納米減少約50%。 此14nm客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來將因應(yīng)客戶需求，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能。 聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程技術(shù)， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門聯(lián)芯的晶圓制程推進(jìn)到28nm量產(chǎn)，搶食在大陸制造最大一塊的手機(jī)和網(wǎng)通芯片代工商機(jī)。 顏博文強調(diào)，14納米FinFET制程效能競爭力已達(dá)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，速度比28 nm增快55%，閘密度達(dá)兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50%。 28nm進(jìn)攻大陸，中芯國際受沖擊? 聯(lián)芯集成電路是聯(lián)電和廈門政府合作的12寸晶圓廠，計劃開始于2015年，而到2016年6月，該工廠已經(jīng)交付投產(chǎn)，并在7月底投入試產(chǎn)，良率也高達(dá)98%。在產(chǎn)能布建上，2016第4季月產(chǎn)能約達(dá)3千片，從2017年開始，逐季擴(kuò)充產(chǎn)能，2018年第二季平均月產(chǎn)能就可達(dá)到2.5萬片規(guī)模。 業(yè)界人士認(rèn)為，聯(lián)芯55/40納米制程可用來生產(chǎn)嵌入式芯片、CMOS影像感測器、通訊芯片等，高通將成為聯(lián)芯主要客戶之一。 目前，聯(lián)電28納米制程采用嶄新的應(yīng)力技術(shù)(SMT， t-CESL， c-CESL) 與嵌入式SiGe，以強化電子遷移率的表現(xiàn)，專為需要高效能與低功耗之應(yīng)用產(chǎn)品所開發(fā)。目前已采用28HLP SiON 與28HPM/HPC HK/MG 制程量產(chǎn)多家客戶產(chǎn)品。聯(lián)電現(xiàn)正積極擴(kuò)增28納米產(chǎn)能，以滿足客戶對此廣受歡迎制程的高度需求。 28HLP-采用強化的SiON技術(shù) 聯(lián)電高效能低功耗(HLP) 制程為40納米平順的制程移轉(zhuǎn)途徑，具備了便于設(shè)計采用，加速上市時程，以及優(yōu)異的效能/成本比。針對有高速要求的客戶應(yīng)用產(chǎn)品，此制程提供了大幅提升的效能與功耗，速度可較業(yè)界其他晶圓專工廠提供的28nm SiON制程提升10%。 28HPM/HPC -采用高介電系數(shù)/金屬閘極堆疊技術(shù) 聯(lián)電28HPM/HPC 技術(shù)廣泛支援各種元件選項，以提升彈性及符合效能需求，同時針對多樣的產(chǎn)品系列，例如應(yīng)用產(chǎn)品處理器、手機(jī)基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網(wǎng)通IC等。具備高介電系數(shù)/金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項、記憶體位元組及降頻/超頻功能，有助于系統(tǒng)單芯片設(shè)計公司推出效能及電池壽命屢創(chuàng)新高的產(chǎn)品。 在聯(lián)芯進(jìn)入28nm之后，因為聯(lián)電的良率明顯比中芯國際的穩(wěn)定，而這個制程更是中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片的必備制程，他們進(jìn)入大陸，勢必會給中芯國際造成沖擊。對于中芯來說，需要應(yīng)對的問題又多了一個。

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  • 一張圖帶你了解驍龍835：最牛SoC不是吹的

     幾乎每一代高通驍龍?zhí)幚砥鞫荚诎雽?dǎo)體工藝上有所進(jìn)步。從去年14納米工藝的高通驍龍820到今天10納米工藝的高通驍龍835，高通用實力演繹了什么叫每一步都有驚喜! 近日，繼高通835芯片在世界移動大會上首次亮相之后，在北京迎來了其亞洲首秀 作為業(yè)界第一款商用10納米FinFET制程的移動平臺，驍龍835擁有更為強大的性能與能效、快如光纖的千兆級LTE、沉浸式體驗等諸多先進(jìn)特性。 搭載驍龍835平臺的終端將于今年上半年面市，全球范圍內(nèi)第一批驍龍835手機(jī)應(yīng)該是月底發(fā)布的Galaxy S8家族，而國內(nèi)首發(fā)該SoC的廠商應(yīng)該是小米，官方已經(jīng)確認(rèn)小米6會基于該平臺研發(fā)。 下面，一起來看看太平洋電腦網(wǎng)制作的圖片吧，了解一下驍龍835到底有哪些過人之處。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 驍龍835

  • 高通驍龍835芯片引領(lǐng)移動芯片市場，未來不是高通自己的戲。

     幾乎占據(jù)安卓手機(jī)主導(dǎo)地位的美國高通公司，每一次發(fā)布旗艦處理器都成為業(yè)界關(guān)注的焦點。日前，高通旗艦級芯片驍龍835在中國亮相，10納米的制造工藝讓這家美國公司繼續(xù)稱霸移動芯片市場。 今年年初，高通驍龍835在CES展上首次亮相。與上幾代驍龍820、821相比，835的10nm工藝相比14nm使得芯片速度快27%，效率提升40%，而芯片面積也變得更小。 目前，驍龍835已經(jīng)開始進(jìn)行生產(chǎn)，不過它要等到今年上半年才能正式出貨。據(jù)悉，下周將發(fā)布的三星S8將鎖定驍龍835的首發(fā)，還有外界猜測，4月將要發(fā)布的小米6也將搭載驍龍835。 在業(yè)界看來，芯片廠商之所以如此積極采用10納米工藝，有著技術(shù)上的迫切需求。因為先進(jìn)的工藝是降低產(chǎn)品功耗、縮小尺寸的重要手段。這可以讓高端芯片更輕薄省電，將有助于提升手機(jī)廠商的產(chǎn)品均價與競爭力。 例如大屏、超薄、超高像素、大內(nèi)存、大電池容量再到去年的雙攝，這幾年已逐漸成為用戶和手機(jī)廠商最關(guān)注的功能，而這些功能之所以能實現(xiàn)離不開有著先進(jìn)工藝制程的芯片。 據(jù)了解，今年估計會有5顆10nm芯片先后問世，除了高通的835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、海思的Kirin 970、還有蘋果用于iPad的A10X以及三星的Exynos 8895。 相比之下，高通835優(yōu)勢在于更廣泛的應(yīng)用場景，以至于高通此番對外宣傳時把835稱作一個移動平臺而非芯片。除了智能手機(jī)和平板電腦，該公司表示，該芯片也是專門為VR構(gòu)建而成。 據(jù)高通介紹，驍龍835的設(shè)計在熱限與功率效率可滿足AR/VR的需求，同時支持了Google mobile VR平臺Daydream，以及在聲音與視覺品質(zhì)的提升。這對手機(jī)廠商而言，一顆芯片便解決了手機(jī)和VR兩套產(chǎn)品設(shè)計，提升效率同時也大幅減少成本。 除此之外，驍龍835還將用于低處理能力的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、云計算和機(jī)器學(xué)習(xí)。最近數(shù)年，高通越來越專注于在一個芯片中提供完整的系統(tǒng)解決方案，例如驍龍系列芯片中就直接集成有ISP、DSP和傳感器技術(shù)。 不管什么場景，如何集成，可以確定的是，移動芯片在2017年真正進(jìn)入了10納米時代。 華為小米攪局芯片戰(zhàn)爭 在手機(jī)芯片領(lǐng)域，高通盤踞霸主之位已多年，背后離不開其持續(xù)的投入和創(chuàng)新，但隨著智能手機(jī)市場競爭激烈和上游原材料緊缺的局面，芯片市場陸續(xù)涌入了不少玩家，對高通的影響自然是與日俱增。 老對手聯(lián)發(fā)科從來沒有放棄蠶食高通的市場份額。2016年，聯(lián)發(fā)科就靠著Helio P10、X20、X25在千元機(jī)里表現(xiàn)相當(dāng)不錯，像魅藍(lán)系列、MX6 、Pro 6、360N4等等。聯(lián)發(fā)科也一直希望打入高通的高端市場。 據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科今年推出的Helio X30芯片也引入臺積電的10nm工藝。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計在下半年規(guī)模上市，雖然比高通的835晚些，但聯(lián)發(fā)科的成本優(yōu)勢依然是眾多國產(chǎn)手機(jī)品牌看重的地方。 聯(lián)發(fā)科稱，Helio X30已經(jīng)投入量產(chǎn)，相關(guān)設(shè)備將在今年第二季度面世，甚至聯(lián)發(fā)科還與臺積電商談7nm的工藝，雖然有些激進(jìn)，但也說明與高通的競爭程度在不斷加劇。尤其是在OPPO、vivo兩家去年的高速增長下(兩家產(chǎn)品都有用聯(lián)發(fā)科和高通的芯片)，聯(lián)發(fā)科必然會與高通搶奪更多訂單。 此外，從低端市場成長起來的紫光集團(tuán)旗下的展訊通信，在去年(展訊+銳迪科)拿到了全球手機(jī)基帶27%的市場份額，與聯(lián)發(fā)科只有1個百分點的差距。 去年，展訊推出的14納米八核Intel X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA，其瞄準(zhǔn)的其實是高通和聯(lián)發(fā)科都很重視的中端市場。這家背后英特爾投資并聯(lián)合研發(fā)該芯片的公司對高通也形成了一定威脅。用展訊通信董事長兼CEO李力游的話來講，去年已經(jīng)做到6億顆芯片的展訊，必須往高處走了。 另一方面，影響高通位置的恐怕還要有手機(jī)廠商，從目前不斷涌入該市場的玩家也可窺見一斑。 目前，蘋果、三星、華為以及剛?cè)刖值男∶锥纪瞥鲎匝行酒Ｔ诟咄ㄖ饕陌沧筷嚨厣?，三星和華為在芯片上的布局已讓高通損失了不少訂單。 從騰訊科技了解的情況來看，三星的Exynos和華為的海思麒麟在自家高端產(chǎn)品中使用頻率和規(guī)模在不斷加大。尤其是同樣基于三星10nm工藝的Exynos 8895版S8的性能超出驍龍835版本。從跑分結(jié)果來看，Exynos 8895版其單核心成績1978分，多核心6375分。相比之下，搭載高通驍龍835處理器的三星S8 Plus單核成績?yōu)?929分，多核成績?yōu)?048分。 要知道，三星在制造工藝、芯片技術(shù)等方面擁有先進(jìn)和完整的流程，對于自家產(chǎn)品完全可以提供更好的技術(shù)支持。如行業(yè)流傳的一句話：“同樣用的是三星屏，可三星手機(jī)顯示效果就是比其他手機(jī)品牌好，且供貨優(yōu)先三星自己。”芯片制程工藝又未嘗不是。 自從有了海思麒麟，高通便再無緣華為的高端手機(jī)，這個打擊高通現(xiàn)在或許已經(jīng)習(xí)慣。海思麒麟處理器主要被用在華為的旗艦系列Mate系列和P系列中，雖然高通的芯片華為也在用，但基本在中端機(jī)上，聯(lián)發(fā)科的芯片使用在了以暢享系列為代表的入門機(jī)上。 從華為終端的戰(zhàn)略部署來看，海思麒麟用在高端產(chǎn)品目的是為了保證利潤，而隨著華為對利潤的更高追求，其必然會加大對自主芯片的使用，這對高通的影響不言而喻，但前提是華為需要加強海思麒麟的量產(chǎn)能力。 今年3月，繼蘋果、三星、華為之后，小米也加入了自研芯片的行列，推出澎湃S1芯片。從28nm工藝和整體特性來看，這是一款針對入門級智能手機(jī)的芯片，對于高通、聯(lián)發(fā)科而言，中低端芯片市場又多了一個競爭對手。 但從長遠(yuǎn)來看，小米的芯片部署應(yīng)該會像學(xué)習(xí)三星、華為，因為隨著芯片的不斷迭代，小米必然會將澎湃使用在自身的高端產(chǎn)品上，用以提升利潤。 央視曾經(jīng)透漏，中國每年進(jìn)口的芯片所花費的價值都已經(jīng)超過了原油，中國在芯片核心技術(shù)的突破已經(jīng)迫在眉睫。然而核心技術(shù)的突破并不是一蹴而就的，在芯片行業(yè)有個著名的理論叫做“十億起步，十年結(jié)果”，意思就是做芯片初期就需要10個億的投入才能開工，而要做到有穩(wěn)定的成就，需要長達(dá)十年的不懈努力和投入。 現(xiàn)在有三星、華為、小米，未來也必然會有更多手機(jī)廠商加入。來自Strategy Analytics數(shù)據(jù)顯示，高通2014年市占率為52%，2015年驟降至42%;2016年全年數(shù)據(jù)尚未出爐，但上半年高通份額續(xù)降至 39%。 與此對應(yīng)的高通業(yè)績也是一路下滑。從2015年開始，高通公司營業(yè)收入出現(xiàn)罕見的負(fù)增長-5%。其中芯片銷售收入下滑較大，達(dá)到-8%。2016財年的第一、二、三季度數(shù)據(jù)顯示，高通的營業(yè)收入分別下滑-19%，-19%和-12%，其中芯片銷售收入分別下滑-22%、-23%和-16%。 現(xiàn)在，智能手機(jī)霸主基本上三年一換，高通又豈能穩(wěn)如磐石呢?

    半導(dǎo)體 驍龍835 芯片自主開發(fā)

  • 美國空軍選用PTC服務(wù)備件管理解決方案優(yōu)化其供應(yīng)鏈

     近日，PTC宣布美國空軍已選用PTC服務(wù)備件管理(SPM)SaaS解決方案來實現(xiàn)綜合性供應(yīng)鏈規(guī)劃，并增強全球各地空軍維護(hù)中心(AFSC)的武器系統(tǒng)支持。PTC SPM SaaS是Servigistics®服務(wù)生命周期管理解決方案系列的一部分。 美國空軍以管理著全球最復(fù)雜的供應(yīng)鏈之一而備受尊崇，目前擁有5,000多架飛機(jī)、650,000多個項目，在整個全球支持著1,500個地點的武器系統(tǒng)。PTC服務(wù)備件管理以SaaS模式提供，能讓美國空軍更為高效地管理供應(yīng)鏈，并改善庫存績效。 有了PTC服務(wù)備件管理SaaS解決方案，美國空軍就能更精確地進(jìn)行需求預(yù)測、減少規(guī)劃工作量、實施具有保障能力的綜合供應(yīng)規(guī)劃、獲得幾近實時的供應(yīng)鏈度量指標(biāo)、改善物流成本估算，并優(yōu)化各個地點的飛機(jī)可用性。憑借PTC云解決方案，美國空軍能夠在安全可靠、符合國防部要求的環(huán)境下開展協(xié)作和共享信息。可擴(kuò)展服務(wù)備件管理SaaS解決方案是結(jié)合航空航天和國防工業(yè)多年來積累的經(jīng)驗打造而成，在以下方面提供了敏捷的綜合性規(guī)劃流程，能幫助美國空軍為作戰(zhàn)人員提供更好的支持： · 需求規(guī)劃，用于生成獨立(計劃外)和非獨立(計劃內(nèi))預(yù)測，包括預(yù)測算法的行家選擇，以及飛行時數(shù)等起因的應(yīng)用。 · 庫存優(yōu)化，旨在實現(xiàn)指定武器系統(tǒng)的可用性，同時盡可能減少庫存投資、遵守財政約束，并結(jié)合基于戰(zhàn)備完好性的備件配置(RBS)原則、飛機(jī)正常運行時間、供應(yīng)比率優(yōu)化以及其他業(yè)務(wù)規(guī)則。 · 供應(yīng)規(guī)劃，旨在制定供應(yīng)和分配計劃，從而將維修、采購、(再)分配訂單與當(dāng)前或未來需求相掛鉤。分配規(guī)劃可協(xié)調(diào)各項資產(chǎn)，以支持武器系統(tǒng)可用性，并主動管理維護(hù)/運行地點的材料缺口。 · 異常管理，具備強大的錯誤報告和事件管理能力，用于向用戶通報相關(guān)信息，并提出自主建議，以針對需求規(guī)劃、庫存優(yōu)化和對分散的規(guī)劃人員工作隊列內(nèi)的異常情況進(jìn)行協(xié)調(diào)。 · 性能管理，具備分析、數(shù)據(jù)分層、指標(biāo)、報告和儀表板功能，用于支持根本原因和假設(shè)分析。 PTC總裁兼首席執(zhí)行官Jim Heppelmann表示：“美國空軍擁有全球最大、最復(fù)雜的供應(yīng)鏈之一。我們很榮幸能以PTC技術(shù)支持美國空軍實現(xiàn)物流基礎(chǔ)設(shè)施的現(xiàn)代化。” PTC服務(wù)備件管理還被美國海軍、美國海岸警衛(wèi)隊、洛克希德馬丁和波音等領(lǐng)先的航空航天及國防機(jī)構(gòu)所采用。借助PTC服務(wù)備件管理，美國海岸警衛(wèi)隊的飛機(jī)可用性提升了6%，不能執(zhí)行任務(wù)的補給減少了4%，準(zhǔn)時交付率提高了40%，服務(wù)水平達(dá)到91%，同時還降低了運行成本。美國海軍還利用PTC服務(wù)備件管理連年實現(xiàn)大幅節(jié)約。

    半導(dǎo)體 ptc服務(wù) 武器系統(tǒng)

  • 驍龍835芯片亮相北京發(fā)布會

     近日，高通公司在北京舉行驍龍835芯片亞洲首秀發(fā)布會，這是835芯片繼2月份在世界移動大會首次亮相后，在亞洲的首次亮相。 驍龍835首次采用了10納米制造技術(shù)，不斷提升的芯片制造工藝，可以降低手機(jī)功耗，同時更小的尺寸、更小的封裝，還可以給智能設(shè)備的設(shè)計師更好的設(shè)計靈活度，設(shè)計更輕薄的手機(jī)。 10納米不到頭發(fā)絲直徑的千分之一，對于最新的835芯片，在不到硬幣大小的芯片內(nèi)，集成了超過30億個晶體管。高通上一代芯片產(chǎn)品820、821采用了14納米制造工藝，810芯片采用了20納米工藝，2014年2月發(fā)布的801芯片采用了28納米制造技術(shù)。 驍龍835芯片中，DSP運算模塊在整個平臺中所占比重增加，顯示下一代旗艦智能手機(jī)將可能在設(shè)備端獲得更好支持深度學(xué)習(xí)和人工智能的能力。“大家知道，DSP適用于多維數(shù)據(jù)矩陣預(yù)算，適用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算、深度學(xué)習(xí)。”高通產(chǎn)品市場高級總監(jiān)張云介紹說。 就在一天前，ARM公司發(fā)布的下一代技術(shù)中，也將芯片端對人工智能、深度學(xué)習(xí)的支持作為一大特點。目前談?wù)撊斯ぶ悄?，人們更多談?wù)摰氖窃贫说闹悄?，而芯片商從設(shè)備端對人工智能的發(fā)力，將有望在越來越強大的云體系之中，避免智能終端功能角色的弱化。 此外，驍龍835芯片宣布支持千兆LTE網(wǎng)絡(luò)，也顯示了芯片商對LTE(4G)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步優(yōu)化的態(tài)度。業(yè)界預(yù)計，2019年5G將規(guī)模商用，屆時5G網(wǎng)絡(luò)將實現(xiàn)10Gb/s以上的峰值下載速率，是目前的數(shù)十倍以上，目前LTE的持續(xù)演進(jìn)，預(yù)計在2018年實現(xiàn)千兆下載速率，而能否體現(xiàn)千兆LTE網(wǎng)絡(luò)的價值，需要芯片商、終端設(shè)備商的跟進(jìn)。 此外值得注意的是，驍龍835芯片對沉浸式體驗的優(yōu)化，以及宣布支持移動PC，顯示高通正在嘗試在智能手機(jī)市場之外拓展更多智能終端市場。目前，AR/VR市場被業(yè)界看好，但待進(jìn)一步成熟，而PC市場目前是英特爾的優(yōu)勢市場。

    半導(dǎo)體 驍龍835

  • 線圈一體型“micro DC/DC”轉(zhuǎn)換器　擴(kuò)充升壓型產(chǎn)品陣容 最適于以單節(jié)電池驅(qū)動的設(shè)備、無線設(shè)備、音響設(shè)備！ 輸入電流0.8A升壓“micro DC/DC” XCL102/XCL103系列

     特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本東京、 6616:東京證券交易所 東證第二部)研發(fā)了線圈與控制IC一體化的升壓型“micro DC/DC”轉(zhuǎn)換器XCL102/XCL103系列。 此次研發(fā)的XCL102/XCL103系列是一種將線圈與控制IC一體化的超小型(外形尺寸∶2.5mm x 2.0mm x h1.0mm)升壓微型DC/DC轉(zhuǎn)換器，只需在外部零件中增加陶瓷電容就能組成電源電路，因此將為節(jié)省基板面積的空間和縮短研發(fā)工期做出貢獻(xiàn)。此外，因內(nèi)置線圈，所以基板設(shè)計變得容易，可將輻射噪聲和電路的工作故障控制在最小限度。 輸入電壓范圍為0.65V(工作保持電壓)～6.0V，輸出電壓范圍為2.2V～5.5V(精度±2.0%)，可以0.1V步進(jìn)進(jìn)行設(shè)置。開關(guān)(工作)頻率為3.0MHz，控制方式可從PWM控制(XCL102)或PWM/PFM轉(zhuǎn)換(自動切換工作模式)控制(XCL103)中選擇。 XCL102/XCL103系列與以往產(chǎn)品的升壓微型DC/DC轉(zhuǎn)換器XCL101(輸出電流為150mA，VIN=3.6V、VOUT=5.0V時)相比，在相同條件下輸出電流為500mA，可支持更大電流的應(yīng)用程序。 此外，以往產(chǎn)品僅支持PFM控制，采用PWM控制型(XCL102)與PFM/PWM轉(zhuǎn)換(自動切換工作模式)控制型(XCL103)作為控制方法，可支持廣泛的應(yīng)用程序。 特瑞仕的微型DC/DC轉(zhuǎn)換器的重大特性之一就是，通過降低輻射噪聲，也最適于易受噪聲影響的無線設(shè)備等應(yīng)用程序。工作開始電壓為0.9V，工作保持電壓為0.65V，您也可用于以單節(jié)電池驅(qū)動的應(yīng)用程序。 作為其他功能，還內(nèi)置了軟啟動、負(fù)載切斷、CL自動放電、旁路開關(guān)功能。保護(hù)電路內(nèi)置了過流限制、積分閉鎖、輸出短路保護(hù)。 此次研發(fā)的產(chǎn)品通過加入產(chǎn)品陣容，可進(jìn)一步根據(jù)用途進(jìn)行選擇。 特瑞仕今后也將根據(jù)市場需求努力擴(kuò)大“微型DC/DC”的XCL系列。 【XCL102/XCL103系列的特點】 ・因是超小型線圈一體型微型DC/DC轉(zhuǎn)換器，所以可節(jié)省基板設(shè)計的空間 ・因輸入電流為0.8A，輸出電流為500mA，也可支持大電流應(yīng)用程序 ・最適于以堿性或鎳氫 電池驅(qū)動的設(shè)備、無線設(shè)備、音響設(shè)備 ・可實現(xiàn)降低無需輻射噪聲 ▲XCL102/XCL103系列 CL-2025-02 (2.5 ×2.0, h=1.0mm) ▲XCL102/XCL103系列 Efficiency vs. Output Current  

    半導(dǎo)體 micro DC/DC 升壓型 線圈一體型 xcl102/xcl103系列

  • 安富利任命傅錦祥(Frederick Fu)為安富利亞太區(qū)總裁

     近日， 全球領(lǐng)先技術(shù)分銷商安富利今天宣布擢升傅錦祥先生為安富利亞太區(qū)總裁，任命即刻生效。傅先生將直接向安富利首席執(zhí)行官William J. Amelio匯報，在新任上，全面負(fù)責(zé)本地區(qū)的戰(zhàn)略方向與業(yè)務(wù)成長。 傅先生有30余年亞洲地區(qū)電子行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗，擔(dān)任過工程、市場和商業(yè)管理的多個職位。他于2006年10月加入安富利，時任安富利中國區(qū)總裁，負(fù)責(zé)公司中國地區(qū)的電子元件業(yè)務(wù)增長。最近，他擔(dān)任安富利亞洲和日本代理總裁。 加入安富利前，傅先生在電子行業(yè)多個領(lǐng)域工作過，包括半導(dǎo)體IDM、硬盤驅(qū)動和EMS業(yè)務(wù)等。 他曾任Surface Mount Technology 公司首席市場官，負(fù)責(zé)全球市場營銷和公司全球網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建。在此之前，他任職STMicroelectronics 臺灣總裁，并在STMicroelectronics 臺灣和STMicroelectronics 新加坡工作了14年。Frederick擁有香港大學(xué)工業(yè)工程碩士學(xué)位。 安富利首席執(zhí)行官William J. Amelio表示：“Frederick是一位出色的領(lǐng)導(dǎo)，在推動公司成長和實現(xiàn)經(jīng)營卓越方面成績驕人。他是幫助我們實現(xiàn)戰(zhàn)略推進(jìn)，為設(shè)計工程師提供從設(shè)想和產(chǎn)品構(gòu)思到批量生產(chǎn)階段無縫支持所需的正確領(lǐng)導(dǎo)人。他所具備的商業(yè)頭腦和對安富利業(yè)務(wù)的深入理解，他的領(lǐng)導(dǎo)能力和遠(yuǎn)見卓識，都將有助于在整個亞洲地區(qū)激勵我們的電子元件和分銷業(yè)務(wù)提升地位和擴(kuò)大全球影響力。” 傅先生表示：“這些市場為我們培育成長機(jī)會，在業(yè)內(nèi)推廣領(lǐng)先解決方案蘊藏了巨大潛力。我們的全套創(chuàng)新解決方案及豐富的技術(shù)經(jīng)驗、卓越的設(shè)計和供應(yīng)鏈服務(wù)，不僅讓我們公司擁有別人難以企及的內(nèi)部設(shè)計能力，也為客戶提供有及時上市優(yōu)勢的解決方案。” 他補充說：“能擔(dān)任這一職務(wù)，在客戶與供應(yīng)商的支持下，推動我們的業(yè)務(wù)發(fā)展，加深在本地區(qū)的影響力，這讓我深感榮幸。”

    半導(dǎo)體 安富利亞 傅錦祥

  • 英特爾第一塊大容量Optane固態(tài)硬盤將售，最高 1.5TB

        關(guān)于被英特爾吹得叮當(dāng)響的 Optane 黑科技就不用多說了，英特爾稱其是 60 年代到現(xiàn)在的最新革命性內(nèi)存和儲存類別技術(shù)，此類非易失性設(shè)備不僅將內(nèi)存和存儲結(jié)合在一起，而且比 DRAM 更便宜、比 NAND 更快，至少比傳統(tǒng) NAND固態(tài)硬盤快 10 倍的速度。在 Optane 儲存的背后是與美光合作開發(fā)的 3D Xpoint 非易失性存儲器介質(zhì)，融合了英特爾先進(jìn)的系統(tǒng)內(nèi)存控制器、接口硬件和軟件 IP，有助于充分釋放未來眾多產(chǎn)品的巨大性能潛力。 去年 12 月份的時候，英特爾的第一款 Optane 存儲正式出現(xiàn)在成品 PC 上，也就是為 2017 年準(zhǔn)備的 ThinkPad T 系列，不過遺憾的是最高只有 16GB 或 32GB 可選。今年 2 月初，英特爾宣布第一代 Optane 儲存正式出貨，并且希望 Optane 儲存接下來體積更小，密度更高，同時更加便宜，耐用性更高，推動全面普及。 更大容量的 Optane 儲存要等到何時呢?日前英特爾官方進(jìn)行回應(yīng)，聲稱不用等多久，因為第一代大容量的 Optane SSD 固態(tài)硬盤 DC P4800X 系列周日開始出貨，最大容量可以達(dá)到 1.5TB。當(dāng)然了，率先出貨的只是售價 1520 美元的 375GB 款， 750GB 款要等到第二季度，而最高 1.5TB 的款式還要等到下半年。 這一次，英特爾終于分享更多關(guān)于實物 Optane 儲存的信息，今天我們就來看看到底英特爾還公布了哪些值得一看的內(nèi)容。 DC P4800X 性能遠(yuǎn)超 DC P3700 首批大容量的 Optane 硬盤均相容 NVMe PCIe 規(guī)范和 U.2 插槽，說明可以在大多數(shù)工作站和服務(wù)區(qū)上使用，包括 AMD 最新公布的基于 32 核處理器 Naples 服務(wù)器平臺。按照英特爾的計劃，采用 Optane 技術(shù)的 DRAM 內(nèi)存可能要等到明年才會登場，但在此之前，還是沒有關(guān)于 Optane 消費級固態(tài)硬盤的消息，畢竟 DC P4800X 系列主要針對企業(yè)和服務(wù)器領(lǐng)域。       除了英特爾之外，沒有其他廠商打造 Optane 儲存了嗎?其實英特爾的合作方鎂光也有，只不過不叫做 Optane，而是取名為 QuantX ，去年秋季就曾通過 PPT 展示過相關(guān)產(chǎn)品了，有 200GB、400GB、800GB 和 1.6TB 容量版的固態(tài)硬盤，同樣率先在今年晚些時候部署到企業(yè)級市場。 Optane 第一代 DC P4800X 系列固態(tài)硬盤的性能數(shù)據(jù)還只是第一次公布，主要是與三年前的 SSD DC P3700 系列相比，當(dāng)時這一代 PCIe 固態(tài)硬盤是數(shù)據(jù)中心隨機(jī)讀取和寫入最快的產(chǎn)品。但是，DC P4800X 系列更快，遠(yuǎn)超現(xiàn)實中能達(dá)到的性能水平，簡而言之你的平臺環(huán)境越好性能就越出色。 英特爾描述稱，Optane 儲存的隨機(jī)寫入速度是傳統(tǒng)固態(tài)硬盤的 10 倍以上，讀取速度則快 3 倍左右，這是在最優(yōu)環(huán)境如高端 PC 和服務(wù)器下的極端速度，就標(biāo)準(zhǔn)的 4K 數(shù)據(jù)塊測試來說，差不多是讀取快了 70%，寫入快了 30%，DC P4800X 相比 DC P3700 性能提升了 5 到 8 倍左右。 具體來說， DC P4800X 系列讀取最高為 2400MB/s，寫入 2000MB/s，4K 隨機(jī)讀取為550,000IOPS，寫入 500,000IOPS，相當(dāng)無敵。另外，DC P4800X 每天寫入次數(shù)指標(biāo)為 30DWPD，寫入數(shù)據(jù)量為 12.3 PBW，相比 P3700 的 17DWPW 和 7.3PBW 也要高出將近一倍。     Optane 將改善數(shù)據(jù)中心效率和成本 除了公布具體測試成績之外，英特爾表示 Optane 一定會是未來的儲存技術(shù)，但傳統(tǒng)基于 NAND 的閃存不會滅亡，而且 Optane 必然不會一夜之間完成翻天覆地 。還在不斷研發(fā)和完善的 Optane 儲存價格相當(dāng)昂貴，那些加入 MRAM 或 RRAM 技術(shù)的硬盤同樣會有春天。 有意思的是，英特爾花了如此之長的時間來研發(fā) Optane 固態(tài)硬盤，耐用性及高度可靠性的問題暫時未完美解決，因為 DC P4800X 系列固態(tài)硬盤還是提供五年質(zhì)保，究竟實際耐用性如何還有待測試。英特爾只是表示，Optane 固態(tài)硬盤將加快數(shù)據(jù)中心服務(wù)器之間的數(shù)據(jù)移動，儲存性能一直是服務(wù)器的瓶頸， Optane 將大幅減少等待時間，提高服務(wù)器效率，尤其是處理大型數(shù)據(jù)集的效果明顯。 一般消費者可能不會有如此明顯的感受，最大的受益者應(yīng)該是云服務(wù)提供商， MySQL 和 Memcached 應(yīng)用的效率提升明顯，例如像百度搜索和新浪微博的服務(wù)器，在使用 Optane 固態(tài)硬盤之后，將能夠更快實現(xiàn)社交或搜索請求的即時響應(yīng)速度。     英特爾預(yù)計，采用 DC P4800X 系列固態(tài)硬盤的服務(wù)器，在 MySQL 下的速度相比 DC P3700 快 10 倍以上，更快的速度必然能夠讓處理事務(wù)成本降低 91% 左右。當(dāng)然了，要想 Optane 硬盤發(fā)揮完整性能，就要改動數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)架構(gòu)，這一成本代價相當(dāng)沉重，不過從長遠(yuǎn)來看，Optane 未來對加速數(shù)據(jù)庫、云和深度學(xué)習(xí)等方面的應(yīng)用是有益的。 此外，Optane 固態(tài)硬盤對支持企業(yè)預(yù)置型部署和云部署模式的內(nèi)存計算平臺 SAP HANA 也能促使發(fā)揮更出色的性能，因為 Optane 固態(tài)硬盤自帶的 Memory Drive 功能能夠模擬內(nèi)存計算，直接運用到內(nèi)存計算當(dāng)中。 Optane 固態(tài)硬盤開始滲透到企業(yè)中 英特爾最后表示，越來越多的企業(yè)開始考慮 Optane 儲存，其中 Facebook 已經(jīng)評估一年多了，暫時還沒有評估結(jié)果，而 IBM 也已經(jīng)將 Optane 儲存部署到 Bluemix 云服務(wù)當(dāng)中，只得到實測結(jié)果。另外，惠普將會提供基于 Optane 固態(tài)硬盤的 3PAR 陣列儲存系統(tǒng)，屆時陣列儲存系統(tǒng)的延遲將從 400 微妙或 1 毫秒縮減到 200 微妙。 此外，Optane 也兼容 Vmware VSAN 虛擬化存儲環(huán)境。阿里巴巴承諾在其數(shù)據(jù)庫和深度學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)設(shè)施使用 Optane 儲存。目前英特爾還與微軟合作將 Optane 帶到 Windows Server 存儲環(huán)境當(dāng)中。至于其他公司，包括聯(lián)想、Nutanix 和戴爾都已經(jīng)證實，很快將推基于 Optane 儲存的硬件產(chǎn)品。  

    半導(dǎo)體 英特爾 optane固態(tài)硬盤

  • 匯聚創(chuàng)新視界，引領(lǐng)行業(yè)未來——CCBN年度創(chuàng)新獎頒獎典禮隆重舉行

    以“視界融合，智享未來”為主題的CCBN2017行業(yè)盛會在初春的三月如期拉開帷幕。3月22日，作為CCBN展覽會重要組成部分的“CCBN年度創(chuàng)新獎”頒獎典禮在北京國際會議中心CCBN2017主題報告會現(xiàn)場隆重舉行。中國工程院院士鄔賀銓、湖南廣播電視臺副臺長聶玫、廣東省廣播電視網(wǎng)絡(luò)股份有限公司總經(jīng)理楊力分別獲得“CCBN杰出貢獻(xiàn)獎”;北京市新聞出版廣電局、安徽省新聞出版廣電局、廣東省新聞出版廣電局三家機(jī)構(gòu)榮獲“CCBN2017用戶組織貢獻(xiàn)獎”; “CCBN2017產(chǎn)品創(chuàng)新獎”分別授予了有線網(wǎng)絡(luò)運營商、設(shè)備制造商、技術(shù)服務(wù)供應(yīng)商等共二十家企業(yè)(獲獎名單見下表)。 國家新聞出版廣電總局黨組成員、副局長田進(jìn)、國家新聞出版廣電總局科學(xué)技術(shù)委員會副主任杜百川、國家新聞出版廣電總局廣播科學(xué)研究院副院長周毅、國家新聞出版廣電總局廣播科學(xué)研究院副院長杜國柱、重慶市文化委員會副主任江衛(wèi)寧、天津廣播電視網(wǎng)絡(luò)有線公司黨委書記、董事長楊紅杰分別為獲獎單位和個人頒發(fā)了獎杯和證書。 黨的十八大以來，習(xí)近平總書記高度重視科技創(chuàng)新，強調(diào)要把創(chuàng)新擺在國家發(fā)展全局的核心位置，圍繞實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略、加快推進(jìn)以科技創(chuàng)新為核心的全面創(chuàng)新。2017年是十三五發(fā)展規(guī)劃實施承上啟下的關(guān)鍵之年，中國廣電科技創(chuàng)新事業(yè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也即將進(jìn)入新的跨界融合發(fā)展階段! 科技創(chuàng)新是推動社會發(fā)展的原動力，也是推動廣播電視發(fā)展的一個新動力，更是廣播電視產(chǎn)業(yè)向著更為廣闊空間發(fā)展的生命力，通過評選我們相信，科技創(chuàng)新能改變?nèi)藗兊纳罘绞剑旅襟w的不斷涌現(xiàn)也真正體現(xiàn)了創(chuàng)新魅力所在，未來中國廣播技術(shù)的發(fā)展將邁向新的臺階，與全球廣播事業(yè)共同前進(jìn)。 CCBN2017產(chǎn)品創(chuàng)新獎 獲獎企業(yè)名單

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  • 臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)恐陷10年失落

    臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值在2016年被大陸一口氣超前，面對全球半導(dǎo)體新興技術(shù)將全面朝向5G、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、工業(yè)4.0、虛擬實境/擴(kuò)增實境(VR/AR)及人工智能(AI)等全新世代技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展，醞釀龐大市場商機(jī)，然目前臺系IC設(shè)計業(yè)者除了聯(lián)發(fā)科之外，幾乎絕大多數(shù)業(yè)者的投資布局都相當(dāng)緩步，半導(dǎo)體業(yè)者憂心地指出，若臺灣IC設(shè)計產(chǎn)值成長動能一直未見起色，臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)未來可能陷入失落的10年。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，由于技術(shù)發(fā)展跟不上腳步，難以抓緊市場商機(jī)，臺灣IC設(shè)計產(chǎn)值開始走向負(fù)成長趨勢恐難避免，除非聯(lián)發(fā)科持續(xù)購并國外芯片大廠，否則未來營運包括成長率、毛利率、市占率、營益率及投資報酬率等紛將全面走跌，更遑論其他IC設(shè)計業(yè)者，營運走滑情況可能更明顯。 過去美國硅谷及臺灣竹科考量投資IC設(shè)計公司，最簡單的方法就是看這家公司是否有能力在臺積電投片，因為臺積電的晶圓代工價格較高，若IC設(shè)計公司能負(fù)擔(dān)得起，應(yīng)是芯片本身效能與成本具備超越其他同業(yè)的競爭力。 此外，臺積電業(yè)務(wù)單位向來對于客戶相當(dāng)嚴(yán)選，能夠在臺積電投片的IC設(shè)計公司，必須后續(xù)在芯片市場表現(xiàn)及營運成長前景，獲得臺積電一定程度的肯定，因此，過去投資國內(nèi)、外IC設(shè)計公司的重要依據(jù)，就是能否有能力在臺積電投片生產(chǎn)。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，以這樣的條件來看，目前恐怕有超過80%的臺系IC設(shè)計公司，已難具備投資的吸引力，現(xiàn)階段除了聯(lián)發(fā)科及少數(shù)一直跟著臺積電制程技術(shù)的臺系類比IC供應(yīng)商，仍堅守在臺積電投片，其他的臺系IC設(shè)計業(yè)者投片訂單多已流竄到聯(lián)電、大陸、甚至韓系晶圓代工廠。 由于以終端成熟產(chǎn)品市場為主力的臺系IC設(shè)計公司，已無力承擔(dān)臺積電晶圓代工成本結(jié)構(gòu)，被迫四處尋求更便宜的晶圓代工來源，以應(yīng)付客戶每年、每季要求芯片降價壓力，這種現(xiàn)象自從進(jìn)入12吋晶圓世代就非常明顯，甚至在進(jìn)入28納米制程技術(shù)之后，只剩下聯(lián)發(fā)科在臺積電投片。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，國際芯片大廠及大陸IC設(shè)計業(yè)者持續(xù)搶進(jìn)臺積電10/16納米最先進(jìn)制程技術(shù)，甚至摩拳擦掌投入7納米世代，相較之下，臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)在先進(jìn)制程落后情況恐愈益嚴(yán)重，讓不少半導(dǎo)體業(yè)者感到憂心，未來在新世代制程技術(shù)的競賽上，臺灣IC設(shè)計業(yè)者勢必將居于下風(fēng)，恐影響產(chǎn)業(yè)整體競爭力。 值得注意的是，全球5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)4.0、車聯(lián)網(wǎng)、VR/AR及人工智能等全新應(yīng)用風(fēng)潮急速竄起，可能引爆相當(dāng)可觀的市場商機(jī)，現(xiàn)階段臺系IC設(shè)計公司在資金、人力及市場投資持續(xù)慢半拍的情況，雖然可以降低芯片投資的風(fēng)險，但這亦已預(yù)告未來幾年臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)恐難有大突破，產(chǎn)值成長空間非常有限，屆時將面臨與大陸差距持續(xù)拉大的窘境。 近年來業(yè)績成長較佳的臺系IC設(shè)計公司除了聯(lián)發(fā)科之外，多是偏重供應(yīng)端客戶進(jìn)行變革的PC相關(guān)芯片及類比IC解決方案，由于臺系IC設(shè)計公司多仍在成熟產(chǎn)品市場打轉(zhuǎn)，與新世代技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展?jié)u行漸遠(yuǎn)，業(yè)者紛采取保守的偏安策略，恐影響未來10年臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 集成電路 ic設(shè)計

  • 去年中國集成電路市場規(guī)模達(dá)到1.2W億元,同比增長8.7%

    近年來，中國集成電路市場需求始終保持高速增長?；仡?016年，中國集成電路市場延續(xù)了這一發(fā)展勢頭，市場規(guī)模達(dá)到11985.9億元，同比增長8.7%，無論是在規(guī)模上，還是在增速上，均繼續(xù)領(lǐng)跑全球。 中國集成電路市場持續(xù)快速擴(kuò)大，國內(nèi)供給不足矛盾依舊突出 從應(yīng)用市場來看，汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域仍是增速最快的領(lǐng)域。 2016年國內(nèi)汽車產(chǎn)銷量均超過2800萬輛，同比增長14%以上，新能源車產(chǎn)銷量均超過50萬輛，同比增長50%以上。汽車銷量的顯著提升以及國內(nèi)汽車消費升級對汽車電子產(chǎn)品需求的增長直接帶動了汽車電子領(lǐng)域集成電路產(chǎn)品的銷售。2016年汽車電子類集成電路市場的增速達(dá)到34.4%。與此同時，隨著國家《中國制造2025》戰(zhàn)略的深入實施，制造業(yè)的升級換代進(jìn)程加快，工業(yè)控制領(lǐng)域集成電路產(chǎn)品的需求也同樣旺盛。工業(yè)控制類集成電路市場的規(guī)模增速也達(dá)到21%。 在市場需求快速增長的同時，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在迅速擴(kuò)大。 2016年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到4335.5億元，同比增長20.1%。其中，設(shè)計業(yè)繼續(xù)保持高速增長，銷售額為1644.3億元，同比增長24.1%，超過封裝測試業(yè)成為第一大產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié);制造業(yè)受到國內(nèi)芯片生產(chǎn)線滿產(chǎn)以及擴(kuò)產(chǎn)的帶動，銷售額1126.9億元，同比增長25.1%，增速超過設(shè)計業(yè);封裝測試業(yè)銷售額1564.3億元，同比增長13%。 雖然國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)增長迅猛，但我們應(yīng)看到，國內(nèi)市場供給不足的矛盾依然十分突出。從供給總量上看，目前國內(nèi)集成電路市場自給率尚不足20%，國內(nèi)市場所需的集成電路產(chǎn)品主要依賴進(jìn)口。2016年，中國集成電路產(chǎn)品進(jìn)口2270.7億美元，繼續(xù)為國內(nèi)最大的進(jìn)口商品。通用CPU、存儲器等關(guān)鍵核心產(chǎn)品基本均依賴進(jìn)口。 從供給結(jié)構(gòu)上看。以IC產(chǎn)品的工藝線寬劃分，目前，國內(nèi)集成電路市場需求金額中，28納米及以下IC產(chǎn)品已經(jīng)占據(jù)55%的份額。而目前國內(nèi)無論是IC設(shè)計行業(yè)，還是芯片制造行業(yè)，能夠提供28納米技術(shù)解決方案的企業(yè)均屈指可數(shù)?？梢哉f，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足規(guī)模龐大且水平不斷提升的內(nèi)需市場要求。 國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資旺盛增長，但與國際同行差距依舊巨大 在市場需求的牽引和國家政策的推動之下，從2014年開始國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資迅速增長。這一狀況主要體現(xiàn)在兩方面，一是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的固定資產(chǎn)投資大幅度增長，二是集成電路企業(yè)的上市融資、收并購活動顯著增多。 首先在重大項目投資方面。包括中芯國際、紫光集團(tuán)、華力微電子等我國大陸企業(yè)，以及Intel、三星、臺積電、GlobalFoundry、海力士、聯(lián)電、力晶等半導(dǎo)體公司均在2016年宣布了各自在我國大陸的投資計劃，計劃投資金額為歷年之最。 雖然國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資在近一兩年大幅增長，但與全球水平仍存在極大差距。盡管近幾年國內(nèi)國際半導(dǎo)體市場需求低迷，但產(chǎn)業(yè)投資依然保持兩位數(shù)的高速增長。2016年，全球20大半導(dǎo)體廠商的新增投資合計達(dá)到354億美元，約為當(dāng)年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)實際投資額的10倍，同比增速則達(dá)到了17%的水平，增速約為全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增速的6倍?？梢哉f，無論是從市場需求增速，還是產(chǎn)業(yè)規(guī)模現(xiàn)狀，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的投資強度均遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足。 在企業(yè)收并購方面，2016年是國內(nèi)集成電路行業(yè)并購的高峰年，多家國內(nèi)集成電路企業(yè)進(jìn)行了國內(nèi)或跨國的收并購活動。這些并購活動甚至引起了部分外國政府及行業(yè)組織的注意與抵觸。但是，我們還是應(yīng)理智地看到，當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也正處于大的整合浪潮中。 2016年，全球半導(dǎo)體行業(yè)收并購案的總金額突破1300億美元，諸如高通收購恩智浦、軟銀收購ARM這樣的重量級并購交易頻頻發(fā)生。而同年中國集成電路行業(yè)內(nèi)并購案總金額約為178.2億元人民幣，折合26.3億美元，占全球并購金額比重僅為2.4%，且缺乏有影響力和有實質(zhì)性產(chǎn)業(yè)提升的收并購案例。國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)在收并購方面，同樣還有很長的路要走。 引導(dǎo)行業(yè)理性投資，推動集成電路供給側(cè)改革 展望未來，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》明確提出，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強。移動智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點領(lǐng)域集成電路設(shè)計技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平，產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系初步形成。16/14nm制造工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測試技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平，關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國際采購體系，基本建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系。要實現(xiàn)這一發(fā)展目標(biāo)，必要的投資強度無疑是極其重要的。 但是，從目前國內(nèi)集成電路行業(yè)的實際狀況來看，普遍存在分散投資、盲目收購的情況。部分企業(yè)及地方政府，出于卡位國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展先機(jī)、集聚產(chǎn)業(yè)資源的考慮，在新建項目、并購企業(yè)方面已經(jīng)出現(xiàn)了盲目沖動的苗頭。這些盲動的行為不僅給產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來了“虛火”，更無端導(dǎo)致了國際企業(yè)及部分外國政府對國內(nèi)集成電路企業(yè)的投資的警覺，反而干擾了國內(nèi)企業(yè)的正常投資與并購活動。 對于以上問題，從國內(nèi)集成電路供給側(cè)改革的角度加以分析，我國集成電路市場供給不足、產(chǎn)業(yè)投資強度不足的整體格局始終未有改變，但局部性的供給過剩、投資過熱也有可能發(fā)生。對此，有必要未雨綢繆，集中精力在重點領(lǐng)域、重點區(qū)域進(jìn)行布局，避免分散性的低水平重復(fù)投資。 從重點領(lǐng)域來看，以國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需求以及實現(xiàn)突破的難度，近期宜以存儲器及晶圓代工領(lǐng)域的突破為重。存儲器一直是國內(nèi)集成電路市場需求最大的單一產(chǎn)品，且技術(shù)相對單一，并高度依賴密集投資，十分適合后進(jìn)國家作為趕超的核心產(chǎn)品，當(dāng)年日、韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起無不選擇存儲器作為突破口來滿足國內(nèi)多樣性的市場需求以及IC設(shè)計行業(yè)的發(fā)展要求。因此，繼續(xù)鼓勵國內(nèi)晶圓代工行業(yè)的發(fā)展也是應(yīng)有之意。 從重點區(qū)域來看，截至目前，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)基本分布在省會城市或沿海計劃單列市，并基本呈現(xiàn)出“一軸一帶”的分布特征，即東起上海市、西至成都市的集成電路產(chǎn)業(yè)“沿江發(fā)展軸”，以及北起大連市、南至珠海市的集成電路產(chǎn)業(yè)“沿海產(chǎn)業(yè)帶”。近兩年來，國內(nèi)新的集成電路重點項目布局依然集中于上述區(qū)域，如“沿江發(fā)展軸”上的成都市、重慶市、武漢市、南京市，以及“沿海產(chǎn)業(yè)帶”上的天津市、上海市、泉州市、廈門市、深圳市等。未來國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將進(jìn)一步強化核心區(qū)域的進(jìn)一步集聚以及不同區(qū)域之間的差異化協(xié)同，其他區(qū)域?qū)⒏嗟囟ㄎ粸閰^(qū)域性配套發(fā)展或者特殊產(chǎn)品及工藝的補充發(fā)展。

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