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  • Intel放棄Nvidia轉向AMD竟是這樣

     2011年，Intel與Nvidia簽署了高達15億美元的授權協議，在此之前，這兩家公司已經在法院就專利許可問題上爭斗了數年之久。 而近期彭博社的一篇報道稱： Intel與Nvidia簽署的這項專利協議很快將于2017年3月17日到期，Intel可能要停止與Nvidia的許可協議，轉而將與AMD聯姻，目前其正在尋求與AMD達成協議。 那么Intel為什么要放棄Nvidia，轉而與AMD合作呢?要說這事還得從當年的反壟斷案說起。 Intel與Nvidia、AMD的愛恨糾葛 與如今高通“買基帶送SOC”相類似的是，當時Intel的壟斷策略是“賣酷睿處理器得高額返點”。在當時，通過返點獲得的錢甚至比廠商和零售商賣產品賺的錢還要多。這可讓當時還只有芯片業(yè)務(尚未收購ATI)的AMD坐不下去了，終于在全球范圍內針對Intel發(fā)起了反壟斷訴訟。     在2009年底，雙方就壟斷問題達成了和解協議： Intel一次性賠償AMD 12.5億美元; Intel不得再以“返點”等方式變相限制廠商及零售商只銷售Intel處理器; Intel放松AMD X86授權，不再要求AMD自己制造X86處理器。(此前Intel要求所有X86芯片廠商只能售賣自己生產的芯片) 而另一方面，Nvidia也不是省油的燈。當年的Nvidia也還保有芯片組方面的業(yè)務，而由于Intel在PCI-E上的壟斷、以及新DMI總線技術上的糾紛問題，Nvidia將其告上了法庭。 最終，Intel與NVIDIA就壟斷問題在2011年1月達成了和解協議： Intel同意以15億美元了結雙方的訴訟，并獲得NVIDIA公司圖形技術的授權，比如SLI等技術。 不過事實上，SLI技術根本不需要硬件上的修改——因為理論上只要有2個PCI-E插槽就能夠支持SLI。 雖然看似Intel在這次反壟斷案中賠了夫人又折兵，但事實上Intel也并沒有吃虧，因為和解協議中還有一項針對Nvidia的要求： Nvidia退出芯片組業(yè)務，停止生產X86處理器。 所以Intel在經歷這兩場反壟斷案之后，雖然收斂了許多，但仍然繼續(xù)持有X86的專利權，這不僅防止了在X86市場上爆發(fā)全面競爭，而且還能保證自身繼續(xù)占據絕對的主導優(yōu)勢。 Intel與AMD的相殺相愛 對于Intel而言，由于Nvidia這些年來“光收錢不提供任何幫助支持”，選擇轉而尋求AMD的合作也在情理之中。與AMD簽署專利合作的前景至少肯定要比和Nvidia續(xù)約要好得多，而且還能避免再陷入與Nvidia的專利糾紛之中。 對于AMD而言，近年來在CPU上受Intel壓制，在GPU上受Nvidia壓制的日子也并不好過。鑒于其在收購ATI之后，首次將GPU與CPU整合在一起的Fusion芯片被證明是一款整體性能表現糟糕的產品，此后推出的名為“推土機”的AMD芯片架構及其后續(xù)的衍生品也同樣被批性能表現不佳。 而AMD如果與Intel這家一直貫徹“買CPU送集顯”的友商牽手推出一款“Intel-APU”，勢必將能在業(yè)務收入上起到相當大的提振作用。此外，與Intel簽訂許可協議后，AMD也能夠借此成功把自家的外接GPU技術，打入Intel的迷你PC市場之中。     種種跡象表明兩者近期的確“關系密切” 而從這一段時間來看，Intel和AMD近期的確關系變得密切了起來： 兩家公司剛剛在雷蛇的Core外置GPU塢上達成合作——采用 Intel Thunderbolt 3 端口，通過提供AMD外置顯卡以提高整機游戲性能; 在發(fā)布會上，Intel甚至還直接拿了塊AMD的顯卡來演示外接GPU擴展塢如何在該公司旗下的NUC迷你機——Skull Canyon上工作; 會上，Intel還表示該產品將支持AMD的FreeSync可變刷新監(jiān)視器技術，而非Nvidia的G-Sync技術。     此外，還有消息顯示： AMD近期從其GPU業(yè)務中剝離了一部分人員，安排到了一個單獨工作組中，其中包括負責軟件、硬件和知識產權的相關人員。 所以，或許這也從側面證明了AMD的確正在與Intel洽談專利合作事宜，并為此將其圖形創(chuàng)新部分整合到為其他芯片企業(yè)提供服務的工作組之中。 而對于消費者而言，即使Intel真的與AMD牽手也并不會帶來太大的影響： 因為現行的Intel與Nvidia的許可協議中，Intel并沒有在其CPU的集顯中應用Nvidia家的任何技術，也就是說從未有過任何一款Intel芯片中集成了Nvidia技術的GPU芯片。 有趣的是，在該消息傳出后，AMD股價上漲了6.1%，NVIDIA股價下降了0.7%。

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  • Mouser攜手Seeed Studio為創(chuàng)客們帶來福音

    貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Seeed Studio簽訂全球分銷協議。Seeed是專為開源電子模塊及嵌入式設備創(chuàng)客及設計人員推出的硬件創(chuàng)新平臺。 Mouser分銷的Seeed產品線包括廣受歡迎的Grove系列模塊和入門套件、Seeeduino Lotus以及最新的BeagleBone Green。 Grove系列為一系列單功能模塊，這些模塊采用標準化連接器，無需使用焊接或面包板，即可簡化電路板的構建。Grove系統(tǒng)在電路中采用易于使用的“構建塊”，每個模塊都隨附了文檔與演示代碼。Grove入門套件包括用于微控制器的擴展板(如Arduino Uno或 TI LaunchPad)和Grove模塊。 Seeeduino Lotus為基于Atmel ATmega328微控制器的Arduino兼容型微控制器開發(fā)板。該板具有14個數字I/O引腳、7個模擬I/O引腳以及12個用于Seeed Grove I/O系統(tǒng)的連接器。ATmega328P-MU搭載了2KB RAM、1KB EEPROM和 32KB閃存。 全新的BeagleBone Green是由BeagleBoard和Seeed Studio共同開發(fā)，以BeagleBone Black推出的開源硬件設計為基礎。BeagleBone Green為基于Linux的開發(fā)板，專為加快與通用輸入/輸出引腳 (GPIO) 的整合所設計。BeagleBone Green內含2個Grove連接器， 創(chuàng)客無需通過子卡便能將電路板連接至傳感器(但BeagleBone Green仍可通過兩個46位引腳頭支持子卡)。用于BeagleBone Green的Grove入門套件是對BeagleBone Green的進一步補充，內含10個Grove模塊和3個逐步指南，幫助創(chuàng)客利用BeagleBone Green快速建立項目。

    半導體 創(chuàng)客 貿澤電子 標準化連接器

  • 貿澤電子宣布冠名贊助物聯網創(chuàng)新設計大賽—物物相連智能改變生活

    半導體與電子元器件業(yè)頂尖工程設計資源與全球授權分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)宣布其冠名贊助的物聯網創(chuàng)新設計大賽即日起正式拉開帷幕，本次大賽得到了ADI、Broadcom、Honeywell、Murata、TE等頂尖制造商的鼎力支持，他們將為大賽提供豐富的硬件設計資源，其中100隊最具創(chuàng)意的參賽者將有機會獲得由ADI、Broadcom、Honeywell、Murata、TE贊助的硬件一套。 互聯網后的下一個風口是物聯網，這已經是共識，市場調查機構IDC預測，全球物聯網市場市值將由2014年的6558億美元將增長至2020年的1.7萬億美元。隨著智能終端越來越多，智能碎片化的問題也越來越嚴重，智能不應該是孤島。從未來視角看現在，物聯網會讓生產制造企業(yè)發(fā)生根本性變化，每個產品都會是智能終端，都可以和用戶產生化學反應。 “物聯網儼然已成為未來一段時間內最重要的一個技術和應用大趨勢，但是，現階段物聯網仍處發(fā)展初期，雖然物聯網應用的技術已經基本準備就緒，但很多應用由于沒有貼近實際應用和缺乏成熟的商業(yè)模式而難以落地。”Mouser亞太區(qū)市場與業(yè)務拓展總監(jiān)田吉平說道：“所以，Mouser舉辦本次物聯網設計大賽便是欲攜手廣大創(chuàng)客、高校師生、工程師以及開源硬件愛好者的力量，設計出更多具有創(chuàng)意的產品，同時讓這些產品創(chuàng)意盡量貼近實際應用，為業(yè)界提供參考，從一定程度上推動產業(yè)成熟、刺激需求增長。” 田總監(jiān)補充道：“Mouser在此次比賽中不單單扮演著贊助者的角色，在硬件方面為參賽者提供一站式的元器件購買通道，小到一個電阻，大到開發(fā)套件，只要你有想法，就有機會把想法變?yōu)楝F實;同時Mouser將竭盡資源為創(chuàng)客們提供充沛的數據手冊、特定供應商的參考設計、應用筆記、技術設計信息和工程用工具，以及免費的設計工具MultiSIM BLUE，在開發(fā)道路上助設計師們一臂之力。”Mouser歡迎廣大電子創(chuàng)客、高校師生、工程師以及開源硬件愛好者報名參賽，發(fā)揮創(chuàng)意，運用新一代信息技術及開發(fā)套件創(chuàng)造不一樣的智能產品，造福大眾。 Mouser擁有豐富的產品線與卓越的客服能力，通過提供先進技術的最新一代產品來滿足設計工程師與采購人員的需求。我們通過全球21個客戶支持中心為客戶的最新設計項目提供具有最先進技術的最新元件。Mouser網站每日更新，用戶可以查找超過1000萬種產品，并能找到超過400萬種可訂購的物料編號以方便地進行在線采購。Mouser.com擁有業(yè)界首用的互動式目錄、數據手冊、特定供應商的參考設計、應用筆記、技術設計信息和工程用工具。

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  • 中芯國際進軍PRAM存儲 蠶食三星40nm產能

     近日，中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際(SMIC)，與阻變式存儲器(RRAM)技術領導者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達成戰(zhàn)略合作協議。 作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延 時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯網、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車電子市場需求。 中芯國際曾發(fā)展過130nm到65nm制程的NOR閃存，2014年自主研發(fā)的38nm制程取得突破，繼而轉向更加先進的NAND閃存，將使用40nm工藝代工PRAM阻變式存儲器芯片，意味著中芯國際已經進入了下一代內存產業(yè)。 RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實現，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個單獨的芯片上。 高度集成的MCU及SoC設計廠商需要非易失性存儲器技術，Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節(jié)點的MCU和SoC中集成成為可能。 中芯國際能夠幫助Crossbar攤薄芯片成本，縮短入市時間。 目前，中國半導體政策目前主攻存儲器產業(yè)，2015年以來也透過不斷并購相關供應鏈來加快成長腳步，晶圓產能擴充積極。中國半導體政策持續(xù)帶給三星存儲器部門一定的競爭壓力，勢必分散三星在晶圓代工產業(yè)的專注度。

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  • 芯片熱效應成半導體設計一大挑戰(zhàn) IoT讓問題更復雜

     隨著汽車、太空、醫(yī)學與工業(yè)等產業(yè)開始采用復雜芯片，加上電路板或系統(tǒng)單芯片(SoC)為了符合市場需求而加入更多功能，讓芯片熱效應已成為半導體與系統(tǒng)設計時的一大問題。 據Semiconductor Engineering報導，DfR Solutions資深工程師指出，隨著芯片與電路板越來越小，讓熱問題顯得更加嚴重。Ansys副總則指出，熱會帶來一堆無法預知的變化，讓業(yè)者必須從 芯片封裝或系統(tǒng)層次評估熱沖擊的程度，FinFET制程中必須處理局部過熱問題，而且進入10或7納米后程度更嚴重。 早在2001年，時任英特爾(Intel)技術長的Pat Gelsinger便曾預測未來10年內，芯片上能源密度提高是必須設法解決的問題。在高密度封裝的SoC中，并非所有的廢熱都能散出。 明導國際(Mentor Graphics)行銷經理指出，以車載娛樂系統(tǒng)為例，儀表板會產生熱且不易散出，便有可能讓絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)變得不穩(wěn)定，因此熱管理必須從更接近矽的角度加以評估。 至于預先評估何處以及何時會出現熱問題，便必須倚賴各種工具、經驗與運氣達成。而且隨著晶粒上溫度不平均，欲計算熱對穩(wěn)定性造成影響為何也越加困難，目前所有EDA廠商已聯合企圖解決該問題。 Synopsys工程師指出，擁有極準確且資訊充足的模型顯得更加重要，但也帶給電子設計自動化(EDA)廠商一定壓力。益華電腦(Cadence)表示，傳統(tǒng)上分析工具大多針對封裝溫度，但10納米FinFET后，考量的地方必須從電路板轉移至電晶體上。 Sonics技術長也指出，目前漏電流問題依舊存在，而且半導體物理也未改變。外界雖集中在利用時脈來控制功耗，但事實上時脈樹(clock tree)仍有許多功耗產生。另一項必須面對的挑戰(zhàn)則是動態(tài)電源管理。 Wingard 則認為解決之道是提升時脈控制效率，另外，先進封裝或是個別晶粒封裝等也是可行方式之一。Tessera總裁指出，其牽涉主要問題便是熱耗散，也就是晶粒的厚度。因為減少厚度可降低電阻讓更多熱散出。該公司已開始開發(fā)以不同方式堆疊DRAM，讓DRAM一部份可以開口讓更多冷氣進入。 另外，Kilopass等公司也在開發(fā)可抗熱的一次性可程式(OTP)記憶體，來取代其他種類非揮發(fā)記憶體。該公司副總指出，內嵌快閃記憶體可支援到攝氏85度，但OTP可支援到125度。 目前業(yè)界也開始研究如何一開始就解決熱效應問題。明導國際指出，熱矽穿孔(TSV)是研究方向之一，另外，在晶粒下方蝕刻液流道(liquid channels)與引進新的熱介面材料也是研究對象。 iROC Technologies總裁指出，高溫與高伏特將會提高閂鎖效應(latch-up)風險，造成穩(wěn)定度嚴重的問題，另一個溫度造成的影響則是實際的熱中 子(thermal neutron)通量。DfR Solutions認為，熱也是造成快閃記憶體逐漸出現位元滑動(bit slip)與資料保存問題的原因。 如今隨著物聯網(IoT)發(fā)展后，上述問題將更加復雜，熱問題已逐漸成為設計必考量的一部分，而且與功耗、架構、制程與封裝都密切相關。

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  • Intel處理器路線圖：首次公開看到10nm Cannon Lake

    這兩天被AMD的Radeon Pro Duo及Polaris顯卡及PPT刷屏了，現在來看一點不同的吧。除了顯卡之外，AMD今年還會正式推出Zen處理器，據說8核16線程、TDP只有95W，單核性能可拼Skylake，不過Intel今年也不會坐以待斃，Q3季度就會推出Skylake的繼任者Kaby Lake了，而2017年Q3季度則會推出10nm工藝的Cannon Lake處理器，這也是首次公開看到Intel路線圖確認10nm處理器進度。 Benchlife網站日前曝光了Intel公司2016年處理器路線圖，這也是Intel首次官方公開Kaby Lake及未來的Cannon Lake處理器路線圖，雖然是針對移動平臺的，不過也能看出這兩款處理器的上市時間。 去年發(fā)布的是Skylake處理器，14nm工藝，今年的Kaby Lake處理器也是14nm工藝的，但架構有升級，我們之前也做過詳細報道，它會搭配200系芯片組登場。至于發(fā)布時間，Intel路線圖上顯示的時間是今年Q3季度，不過首先是針對移動平臺的Core U/Y低功耗系列，而去年的Skylake是8月份發(fā)布的。 再往后就是10nm工藝的Cannon Lake處理器了，原本10nm工藝是應該在今年發(fā)布的，但從14nm工藝開始就各種延期。此前還有消息稱10nm工藝會進一步延期，不過Intel辟謠了，這次的路線圖上也顯示Cannon Lake是在明年Q3季度發(fā)布，與Intel官方口徑一致。 Intel 2016年移動平臺路線圖 N系列則會由Q3季度的Apollo Lake取代，而針對平板市場的14nm Cherry Trail則會被Q4季度的Broxton SoC處理器取代。 至于低功耗移動芯片，SoFIA LTE平臺本該去年推出，但一直延期，今年會在Q2季度上市，并一直持續(xù)到2017年，等到明年Q2季度之后會被SoFIA LTE2取代，但具體規(guī)格還未知。

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  • ARM與臺積電合作優(yōu)化7nm處理器 瞄準高效能運算應用

    IP授權廠商ARM與臺積電共同宣布一項為期多年的協議，針對7納米FinFET制程技術進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單芯片(SoC)的設計解決方案。這項新協議將擴大雙方長期的合作夥伴關系，推動先進制程技術向前邁進，超越行動產品的應用并進入下一世代網路與資料中心的領域。另外，這項協議延續(xù)先前采用ARM Artisan基礎實體IP之16納米與10納米 FinFET 的合作。 ARM 執(zhí)行副總裁暨產品事業(yè)群總經理 Pete Hutton 表示，既有以ARM為基礎的平臺已展現提升高達10倍運算密度的能力，支援特定資料中心的工作負載，未來ARM特別為資料中心與網路架構量身設計，并針對臺積公司 7納米 FinFET 進行優(yōu)化的技術，將協助雙方客戶在各種不同效能產品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構。 臺積電研究發(fā)展副總經理侯永清指出，臺積電持續(xù)投入先進制程技術的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功，藉由7納米 FinFET制程，該公司的制程與設計生態(tài)環(huán)境解決方案已經從行動擴大到高效能運算的應用。客戶設計的下一世代高效能運算系統(tǒng)單芯片將受惠于臺積電的 7納米 FinFET制程。 侯永清強調，相較于10納米 FinFET 制程，7納米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM 與臺積電共同優(yōu)化的解決方案將能夠協助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場首創(chuàng)的產品。 據悉，此項最新協議奠基于 ARM 與臺積電先前在16納米FinFET與10納米FinFET 制程技術成功的合作基礎之上。雙方長期保持合作，以提供先進制程與矽智財來協助客戶加速產品開發(fā)周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及采用16納米FinFET 與10納米FinFET 制程完成的 ARM Cortex-A72 處理器設計定案。

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  • SiTime推出最輕巧、最穩(wěn)定、內建自動校準的32 kHz Super-TCXO

     SiTime Corporation為MEMS與模擬半導體公司，亦為MegaChips Corporation(東京證交所代號： 6875)全資子公司，今日推出32 kHz Super-TCXOs的SiT156x/7x系列產品，這套時脈解決方案與眾不同，尺寸僅1.2 mm2，較石英產品縮小了85%。此外，Super-TCXOs運用SiTime顛覆過往的TempFlat MEMS™技術，準確性可達±5 ppm，不僅可精密計時亦可延長電池續(xù)航力。 SiT1568具備創(chuàng)新、內建自動校準功能，方便客戶排除在系統(tǒng)組裝、回流、底填、成模時的時脈誤差，而設計穿戴式裝置、物聯網、行動應用時，如迷你模組、智慧手表、運動追蹤器、平板電腦、手機、智慧量表等，均可利用這些獨特功能提供兼具準時及最大電池續(xù)航力。 SiTime行銷執(zhí)行副總裁Piyush Sevilla表示,「過去三年間,SiTime針對穿戴式裝置、物聯網及行動市場,每年發(fā)表創(chuàng)新的MEMS時鐘解決方案,獲得各界熱烈回響,目前出貨量突破6,000萬組,且成長速度愈來愈快。有了SiT156x/7x 32 kHz Super-TCXOs,客戶能設計出具備最小尺寸、最精準、超長電池續(xù)航力等可翻轉市場的電子產品,證明了SiTime的MEMS時脈解決方案一再為時鐘產業(yè)創(chuàng)造新局」。 品佳集團旗下凱悌股份有限公司總經理吳永昌表示，「過去七年間，我們與SiTime在亞洲攜手合作，親身感受到SiTime的MEMS時鐘解決方案徹底改造業(yè)界，提供更多功能、更高效能、更小尺寸、更低功耗、更加穩(wěn)定。最新SiT156x/7x系列的32 kHz Super-TCXOs為效能及尺寸樹立新標竿，令傳統(tǒng)石英產業(yè)望塵莫及，我們很榮幸成為SiTime的重要伙伴，期望雙方事業(yè)都能繼續(xù)壯大」。 SiT 1566、SiT 1568與SiT 1576 Super-TCXOs即日起上市,均為1.5 x 0.8 x 0.6 mm (長x 寬x 高)晶片尺寸封裝(CSP),在穿戴式裝置、物聯網或行動系統(tǒng)內發(fā)揮以下重要功能: •即時時脈(RTC)參考時鐘功能 •連網休眠時鐘:藍牙、藍牙低耗能(BLE)、WiFi •音訊子系統(tǒng)參考 相較于32 kHz石英TCXO、震蕩器或諧振器，SiT156x/7x MEMS Super-TCXOs擁有以下特色： •尺寸縮小了85% •±5 ppm全頻穩(wěn)定性，包括工業(yè)溫度范圍(-40至+85°C)的初始偏移與偏差，更精準的時脈可實現最佳計時效果與延長電池續(xù)航力 •選配內建自動校準功能(SiT1568)，排除組裝、回流、底填、射出成型時的時脈誤差，確保系統(tǒng)計時能力不受制造壓力源影響 •可編程溫度感測更新率，即便在工業(yè)與行動應用溫度快速變化條件下，亦可維持動態(tài)及整體穩(wěn)定度 •選配1 Hz至1 MHz(SiT1576)之工廠可編程頻率，以支援低功率射頻及無線充電 •可驅動多重載入，減少電路板元件數量 •第一年老化程度±1.5 ppm(較石英裝置提升兩倍)，運作多年亦可維持最佳計時能力 •絕佳抖動表現符合音訊標準：SiT1566、SiT1568與SiT1576可做為穿戴式電子產品的音訊參考 •啟動所需時間減少65%(300毫秒) •厚度減少40%，最高僅0.60 mm，適合高度受限的模組

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  • Soitec攜FD-SOI技術助力中國半導體創(chuàng)新

    21ic訊  全球領先的絕緣硅（SOI）晶圓制造商法國Soitec半導體公司日前在北京舉辦新聞發(fā)布會，介紹了該公司在中國市場的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅 （FD-SOI）基板的成熟性和生產及準備狀態(tài)、FD-SOI的最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會發(fā)言人包括Soitec公司市場和業(yè)務拓展部高級副總裁 Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數字電子商務部高級副總裁Christophe Maleville。 會上主要討論的問題包括該技術是否適合各代工廠及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術如何解決中國半導體行業(yè)及中國希望成為全球芯片行業(yè)領袖的長期目 標中所面臨的挑戰(zhàn)。近日，FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片（SoC）設備的設計中越發(fā)受到關注，主要是因為FD-SOI能夠滿足智能手機、智能家居及智能汽車 等產品（尤其是中國市場）在能耗、性能及成本優(yōu)化方面的要求。 FD-SOI：一項創(chuàng)新的半導體技術 FD-SOI是一項利用成熟的平面工藝的創(chuàng)新技術（采用現有的制造方法和基礎設施），同時確保摩爾定律下預測的芯片效率提升。FD-SOI可以在無需全面 改造設備結構、完整性和生產流程的前提下實現摩爾定律下的芯片面積微縮、能耗節(jié)省、性能提升及功能拓展。FD-SOI 元件與目前主流的設計與電子設計自動化（EDA）工具相容，因此可提供快速入市的解決方案。該技術需要使用FD-SOI基板來制造使用了FD-SOI技術 的芯片。 中國可通過FD-SOI技術驅動電子產業(yè)增長 中國將成為包括半導體在內的電子產業(yè)價值鏈的主要增長地區(qū)。為了滿足各種各樣的電子產品的需求，中國正全面采用各類主流半導體技術，包括當今晶圓廠廣泛采用的平面bulk技術、顛覆性的FinFET技術，及日益崛起、備受矚目的新興FD-SOI技術。 FD-SOI對于眾多應用下的各種產品來說都是正確的選擇。中國的IC設計廠商現在可以設計產品并立即獲得FD-SOI全球生態(tài)系統(tǒng)中的兩家頂級代工廠 ——三星（Samsung）及格羅方德（GlobalFoundries）——的資源支持。FD-SOI技術也符合中國代工廠的需求。作為一項使用成本更 低、達到生產目標所需時間更短的平面制造技術，FD-SOI對于中國代工廠來說無疑是快速實現競爭優(yōu)勢的不二之選。 此外，Soitec及FD-SOI可被視為支持中國創(chuàng)新藍圖的理想合作伙伴和技術手段。Soitec愿攜手中國業(yè)界建立強大的本土芯片生態(tài)系統(tǒng)，推動中國 成為全球半導體行業(yè)的領袖。Soitec有能力不斷提升其產能，以滿足中國市場的需求。若采用FD-SOI作為主流技術，中國將坐擁獨一無二的機遇來深入 而全面地重塑全球半導體產業(yè)格局。 Soitec，首家實現FD-SOI基板成熟量產的SOI供應商 Soitec采用其自主研發(fā)的Smart Cut™晶圓鍵合和剝離技術來生產規(guī)格參數符合高量產需求的FD-SOI基板，其產品質量上乘，硅層厚度精確一致。如今，FD-SOI基板表現出來的成熟 性能無異于一般矽硅（bulk silicon），同時符合最為嚴格的行業(yè)標準，使FD-SOI成為名副其實的行業(yè)標準技術。 Soitec已實現FD-SOI基板的高良率成熟量產，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進的節(jié)點上大規(guī)模采用FD-SOI技術。如 今，全球有三家位于三大洲的公司能夠供應FD-SOI晶圓——Soitec（歐洲）、信越半導體（亞洲）、SunEdison（北美洲）。這三家公司均采 用了行業(yè)標準的SOI基板制造技術Smart Cut™。 FD-SOI帶來能耗、性能及成本優(yōu)化的設計 現代電子產品的發(fā)展走向仍然被消費者的期待所主導。他們期待未來的產品價格更低、能效更高、電池使用時長更久、性能更強、功能豐富，而且尺寸更小。FD-SOI為實現這些目標帶來了便捷的方法，可以在精簡工藝和較少設計改動的前提下提供低成本及快速入市的優(yōu)勢。 FD-SOI擁有廣泛的市場應用 不管應用于哪類電子產品，所有設計師在考慮到產品的靈活性、功耗、性能及成本之間的權衡時都很喜歡FD-SOI帶來的優(yōu)勢。FD-SOI技術為眾多領域的 產品帶來益處，這些應用從對成本敏感的高性能、低功耗的系統(tǒng)芯片到超低能耗的應用，應有盡有，比如移動互聯網設備（智能移動通訊、平板電腦、上網 本……）、圖像設備（數碼相機、攝像機）、無線通信設備、移動多媒體設備、家用多媒體設備（機頂盒、電視、藍光播放器）、物聯網設備、微控制器、汽車圖像 處理、汽車車載系統(tǒng)、WiFi/藍牙組合、GPS、無線電收發(fā)器及網絡專用集成電路等等。 不斷壯大的生態(tài)系統(tǒng) FD-SOI技術的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展正在幾個方面逐步展開。三星及格羅方德——全球四大半導體代工廠中的兩家——已經宣布計劃量產并采用FD-SOI晶 圓進行多項下線試產（即tape-out，指硅芯片從設計到制造的這一步驟）。FD-SOI的設計生態(tài)系統(tǒng)也在持續(xù)壯大之中，并且在28nm和22nm的 工藝節(jié)點上進展尤為迅猛。眾多電子設計自動化（EDA）公司正積極研發(fā)與FD-SOI相關的IP。目前已有多家IC設計廠商公開表示全面擁抱這項技術，其 中一些宣布將在未來的開發(fā)路線圖中采用FD-SOI技術。很多其他公司也已開始使用這項技術，只是還未官方宣布其未來規(guī)劃。 隨著FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)的不斷壯大，顯而易見，這一技術將會在中國乃至全球半導體行業(yè)承擔舉足輕重的角色。

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  • 大陸半導體業(yè)已做好崛起之姿

     大陸《十三五規(guī)畫綱要》扶植新興產業(yè)名單中列入先進半導體，未來半導體產業(yè)仍將是行業(yè)發(fā)展的領頭羊。大陸持續(xù)著重扶植半導體產業(yè)，主要是基于晶片巨大的貿易逆差為晶片的國產化提供可觀的替代需求空間，若可成功執(zhí)行晶片的進口替代，此對于大陸經濟發(fā)展將帶來正面效益。 加上國家對于硬體安全自主可控的規(guī)畫明確，特別是半導體涉及國家安全的層級，更何況大陸消費電子、電視、汽車出貨量已占全球5成比重，雄厚的下游基礎為全球半導體產業(yè)持續(xù)向大陸轉移注入強大動力，故2016年“兩會”召開之后，更加奠定大陸半導體產業(yè)戰(zhàn)略的地位。 事實上，由于全球半導體產業(yè)發(fā)展已趨向成熟，半導體行業(yè)內的主要企業(yè)難以藉由過去傳統(tǒng)的模式來維持營運成長的目標，特別是行業(yè)未來將逐步進入物聯網的時代，因而在資本市場與公司期望追求成長的雙重壓力下，2015至2016年國際半導體廠商將持續(xù)透過購并的方式來維持公司在行業(yè)內的規(guī)模狀況與影響力。 即便短期內大陸業(yè)者在全球半導體的收購計畫頻頻受阻，但預計大陸官方將會以威脅、利益同步施壓的方式，讓國際半導體業(yè)者以其他的方式與大陸廠商進行合作，并持續(xù)以市場化運作的國有資本協助大陸半導體企業(yè)走出國門，后續(xù)大陸公司之間購并整合形成規(guī)模效應，和收購全球化集成電路公司將成為大陸半導體產業(yè)全球化的主要方向，藉此為本土半導體行業(yè)的發(fā)展提供強大的推動力，而短期之內大陸較為關注的技術以及智財權將包括記憶體、CMOS影像感測器、處理器、手機晶片、高階半導體封測服務等。 值得一提的是，先前大陸的華創(chuàng)投資、武岳峰、建廣資產、浦東科投等產業(yè)基金，透過參與海外并購已私有化包括ISSI、Omni Vision、Montage、NXP RF Power等公司，短期間產業(yè)基金將藉由借殼或者資產注入等方式逐步退出，將公司交給實業(yè)公司去經營，預計2016年ISSI、Omni Vision、Montage、NXP RF Power等公司可望開始回歸大陸資本市場，意謂海外優(yōu)質資產將可為大陸半導體業(yè)帶來更多的專利與人才，有利于加速大陸半導體產業(yè)蓬勃發(fā)展。 觀察過去全球半導體產業(yè)的發(fā)展歷史可知，通常行業(yè)出現周期性的大波動時，傳統(tǒng)企業(yè)往往面臨較大的挑戰(zhàn)，而在市場調整階段中，若可掌握關鍵因素與優(yōu)勢，則將有利于行業(yè)內新生力量的崛起，南韓三星、臺灣臺積電、臺灣聯發(fā)科則是分別于1980年代、1990年代、2000年代崛起的案例。而觀察2015年，大陸集成電路產業(yè)銷售額的增長力道與全球半導體銷售額的年增率再度出現趨勢上的差異，2016年大陸的成長力道更將遙遙領先全球，顯然在國際市場處于低度成長的新平庸周期中，大陸半導體業(yè)儼然已具備崛起之姿。

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  • 學點歷史：以智能手機處理器為例聊聊半導體工藝

     最近看科技新聞，經?？吹?0nm、7nm處理器工藝最新報道，14/16nm才經歷了兩代產品的更替，不禁概嘆芯片制程的發(fā)展日新月異。一直以來的半導體行業(yè)，尤其是處理器的工藝制程和架構都是技術宅所關心的內容。其中，在工藝改進 驍龍820比驍龍810提升了啥也有系統(tǒng)性地介紹過很多和芯片工藝制程相關的知識，但是當時只是提到28nm、20nm這些概括性的時間節(jié)點，其實同為28nm制程，不同芯片廠商之間會有不同的工藝分類，即使是同一家廠商，也會細分為高性能和低能耗的制造工藝，今天我們就來聊聊那些FinFET、3D FinFET、HPM等不明覺厲的行業(yè)術語。今天我們來看看HPM、HP、HPC+、HPC、HPL這些形似神不似的專業(yè)術語究竟有什么區(qū)別?     下文內容和芯片制造業(yè)相關，所以先和各位讀者回顧一下三種不同的芯片廠商：IDM、Fabless、Foundry。IDM就是指Intel和三星這種擁有自己的晶圓廠，能夠一手包辦IC設計、芯片制造、芯片封裝、測試、投向消費者市場五個環(huán)節(jié)的廠商。Fabless則是指有能力設計芯片架構，但是卻沒有晶圓廠生產芯片，需要找代工廠代為生產的廠商，知名的有Qualcomm、蘋果和華為。代工廠(Foundry)則是大名鼎鼎的臺積電和GlobalFoundries。 預備知識聊完了，接著我們看看從55nm開始一直回顧到如今的14/16nm節(jié)點，看看都有哪些經典的處理器工藝分類出現過。PS：由于每個節(jié)點的工藝分類都比較多，所以下文以智能手機處理器為主。 55nm 在55nm節(jié)點，對智能手機而言，臺積電ULP(Ultra low power)工藝分類值得一說，在40/45nm和28nm，臺積電都有保留這種工藝分類。 采用55nm的ULP工藝，代表作有Nvidia顯卡中GPU核心：G200b和G92b 40/45nm 在40/45nm節(jié)點，臺積電三種比較常見工藝分類，分別為LP(低耗電)、G(通用)和ULP(Ultra low power)。LP工藝我們放在下面28/32nm中一起講，因為該工藝節(jié)點的處理器會多一點。 在工藝改進 驍龍820比驍龍810提升了啥一文中我們已經說過，臺積電在40/45nm工藝節(jié)點能夠同時生產出同一代兩種制程的芯片，這是比較特別的。 45nm代表處理器：驍龍S2和驍龍S3 40nm代表處理器：MT657x和Tegra2(全球首顆雙核手機處理器)、Tegra3(全球首顆四核手機處理器)     當年發(fā)熱厲害的HTC One X被Tegra 3坑了 在45nm節(jié)點，還有Intel和三星處理器也是值得一提的，這兩家IDM巨頭廠商很少向外界公布每一代節(jié)點工藝分類，只是簡單地統(tǒng)稱為HKMG，當然HKMG也是一個可以展開來說的關鍵術語，下文會介紹。 Intel在45nm的代表有兩代不同架構的PC處理器：Penryn和Nehalem，Penryn是Core架構的工藝改進版，Nehalem則是全新的架構，這也是符合Tick-Tock定律的演進。Nehalem架構進一步對Core Microarchitecture進行了擴展，這一代架構歷史低位相比Core架構同樣重要，引入第三級緩存(L3 Cache)和QPI總線提高CPU整體工作效率，同時將內存控制器(IMC)整合到CPU，提高CPU集成度，當然還有重新回歸的超線程(多線程)技術，配合Intel歷史上首次出現四核心處理器，定位最高的i7處理器能夠實現四核心八線程的運算能力。 三星在45nm的代表作則有Exynos 3110、Exynos 4210、蘋果A4和蘋果A5/A5X。     一代經典iPhone 4(蘋果A4處理器) 28/32nm 時間來到了移動處理器(特指手機處理器)最為經典的一代制程節(jié)點——28/32nm。主要是整個行業(yè)負責生產手機處理器的廠商停留在28nm節(jié)點的時間過長，除了Intel在PC處理器上率先越過28/32nm節(jié)點，GlobalFoundries、三星、臺積電等廠商基本上都受制于技術瓶頸，將28/32nm工藝制程連用了幾代處理器。 GlobalFoundries由于縮寫為“GF”，所以被業(yè)界戲稱“女朋友”，“女朋友”和AMD一直走得比較近，加上和AMD曾經有著血緣關系，導致如今主要客戶基本上都是AMD，在28/32nm節(jié)點上，“女朋友”一共出現了HPP、HP、SLP(都是28nm)和SHP(32nm)四種主要工藝分類。由于和手機處理器關系不大，這里不展開介紹了。 臺積電方面，在這一代制程節(jié)點，出現了HP和LP兩大類的工藝分類。 HP(High Performance)：主打高性能應用范疇。 LP(Low Power)：主打低功耗應用范疇。 為了滿足不同客戶需求，HP內部再細分HPL、HPC、HPC+、HP和HPM五種分類，下面小編將它們的縮寫還原成全稱，看到全稱之后，讀者應該不難理解它們的含義。 先來插入一條備注，在工藝制程領域，我們常常討論“漏電”一詞，簡單來說，就是指伴隨著工藝制程提高，CPU集成更多的晶體管，二氧化硅絕緣層變得更薄，從而導致電流泄漏。 電流泄漏最大問題就是增加了芯片的功耗，為晶體管本身帶來額外的發(fā)熱量，還會導致電路錯誤，CPU為了解決信號模糊問題，又不得不提高核心電壓，綜上所述，漏電率越低，對CPU整體性能表現和功耗控制更加有利。下面我們看看HP這五種工藝分類在性能和漏電上表現如何? HPL(High-Perf Low-Leakage)：漏電率雖然低，但是性能上表現卻不高。當年Nvidia的Tegra 4處理器，為了控制驚人的功耗和發(fā)熱，不得不使用HPL這種工藝分類，無奈最終還是壓制不住自身的發(fā)熱，被迫將主頻限制在比較低的運行狀態(tài)，搭載了高頻版Tegra 4的Nvidia Shield掌機只能夠通過主動散熱(內部安裝風扇)解決問題。     小米手機3率先開售的移動版(采用Tegra 4處理器) HP(High Performance)：雖然性能比較強，但是漏電率不低，僅限生產PC上處理器和顯卡中CPU/GPU等高性能部件，對于手機處理器并不適合。 HPM(High-Perf Mobile)：為了更好地優(yōu)化HP這種工藝，將其移植到手機處理器上，臺積電推出了HP工藝升級版——HPM，漏電率稍微比HPL高一點，但是性能上卻超越了HP，成為目前臺積電在28nm制程節(jié)點上最受歡迎的工藝分類。代表作有：驍龍800系列，主要是驍龍800、驍龍801和驍龍805，還有最新的驍龍600系列兩款新品——驍龍652和驍龍650。聯發(fā)科方面則有Helio X10、MT6752、MT6732、MT6592、MT6588經典產品。華為P8上面的麒麟930和Nvidia的Tegra K1也是采用了HPM工藝分類。     華為P8(麒麟930) 上文提到的LP工藝分類，雖然在漏電率和性能上都不占優(yōu)勢，但是卻因為成本低，而且出現時間比較早，技術比較成熟，所以驍龍400和驍龍600系列的中低端處理器都十分喜歡使用這種工藝分類，包括昔日的驍龍615、驍龍410，現在唱主角的驍龍616和驍龍617以及即將到來的驍龍425、驍龍430和驍龍435。聯發(fā)科方面也是，MT6753和MT6735這兩顆全網通的芯片采用了LP這種工藝打造。特別說明的是，它們倆的上一代產品MT6752和MT6732則是采用了HPM這種更高等級的工藝分類，不過不支持全網通。相比之下，上述提到的驍龍400和驍龍600系列處理器基本上已經全面普及三網通吃。 HPC(High Performance Compact)和HPC+(High Performance Compact Plus)則是臺積電最近兩三年才興起的兩種新工藝，后者代表作為聯發(fā)科最新中端級別處理器Helio P10。 HPC+相比HPC在同等漏電率下性能提升15%，換句話說，在同等性能下功耗降低30-50%。     金立S8(Helio P10) 20/22nm 無論是PC還是手機處理器，這個工藝節(jié)點的芯片很快就退出了歷史舞臺，被14/16nm處理器搶占市場。PC領域的Intel雖然很早就量產了這個節(jié)點的處理器，但是因為Tick-Tock定律的驅使，使用了兩代處理器(IvyBridge和Haswell)就開始進入14/16nm時代。由于對手AMD的工藝制程(28/32nm)停滯不前，加上光刻技術并沒有取得重大突破，同時如今PC市場也并不需要換代換得那么頻繁，多方面因素作用下，最終讓Intel的“Tick-Tock”定律在14/16nm這一代節(jié)點上慢下來，更加襯托出20/22nm這一代產品持續(xù)時間并不長。 手機處理器方面也一樣，20/22nm制程節(jié)點上，臺積電用了足足幾年時間才克服漏電率和產能的問題，直到如今還依然不能夠全面供貨給Nvidia、AMD、Qualcomm、聯發(fā)科這些昔日的合作伙伴，據外媒報道，臺積電對外宣傳指20nm的SoC并不適合用在PC領域的芯片上，所以顯卡領域才那么久沒有更新20nm制程，停留在28nm那么多年。事實是否如此?誰知道呢?Qualcomm和聯發(fā)科能夠用上20nm的處理器也屈指可數，驍龍810、驍龍808和命途多舛的Helio X20。外界也有聲音稱20nm的SoC漏電率一直很嚴重，導致Qualcomm和聯發(fā)科兩位客戶一直都不太滿意，但是蘋果A8和蘋果A8X很早就用上了臺積電20nm SoC工藝，也沒見iPhone 6和iPhone 6 Plus上面出現什么致命的功耗發(fā)熱問題，別有內情吧，呵呵!     全球首款搭載驍龍808智能機——LG G4 三星在20/22nm上兩款經典處理器為Exynos 5430和Exynos 7(7410)，也就是分別搭載在三星Galaxy Alpha和三星Note 4上面的兩顆處理器，三星也是從這個時候開始趕上臺積電和Intel，不久后和臺積電、Intel同時邁進14/16nm工藝制程節(jié)點。     三星Note 4(Exynos 7系處理器) 值得一提的是，在20/22nm工藝節(jié)點上，Intel引入了3D FinFET這種技術，三星和臺積電在14/16nm節(jié)點上也大范圍用上了類似的FinFET技術。下面我們統(tǒng)稱為FinFET。 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)根據百度百科定義，稱為鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。以前也和各位讀者介紹過，其實就是把芯片內部平面的結構變成了3D，降低漏電率同時又能夠增加晶體管空間利用率，當然，實際情況比較復雜，這里不詳細展開了。 14/16nm 由于上文提到的歷史原因，20/22nm并沒有什么工藝分類，很快就被14/16nm取代了，臺積電采用了16nm，三星和Intel采用了14nm。 Intel的Broadwell、Skylake和Kaby Lake(將會延期上市)三代PC處理器架構都采用了14nm工藝。 三星已經發(fā)展了兩代14nm工藝，第一代就是用在Exynos 7420和蘋果A9上面的FinFET LPE(Low Power Early)，第二代則是用在Exynos 8890、驍龍820和發(fā)布不久的驍龍625上面的FinFET LPP(Low Power Plus)。     樂Max Pro(全球首款搭載驍龍820手機) 臺積電經歷了20/22nm的挫折之后，在16nm節(jié)點雄起，不知不覺發(fā)布了三種工藝分類，最早出現在蘋果A9上面的是第一代FinFET，接著就是麒麟950上面FF+(FinFET Plus)和近日發(fā)布的Helio P20上面搭載的FFC(FinFET Plus Compact)。     華為Mate 8(麒麟950) 至此，本文關于工藝分類的內容已經介紹完畢，接著解決一下上文的一些尾巴，簡單補充說明一些術語。 HKMG和poly/SiON HKMG全稱：金屬柵極+高介電常數絕緣層(High-k)柵結構 poly/SiON全稱：多晶硅柵+氮氧化碳絕緣層的柵極結構 我們可以簡單地理解為HKMG技術更加先進，而poly/SiON技術已經出現了很久，技術上相對落后。臺積電在40nm節(jié)點的G(通用)工藝分類上就是采用了這種柵極結構。40nm和28nm節(jié)點下的LP工藝(主打低功耗)分類也是采用了這種柵極結構。 上文提及臺積電目前處于28nm那些(5種)HP工藝(主打高性能)分類基本上全面普及了更為先進的HKMG柵極結構。 前柵極工藝和后柵極工藝 前柵極工藝和后柵極工藝，其實是制造HKMG柵極結構的兩種分支工藝，前者由IBM做主導，三星和GlobalFoundries兩家廠商采用HKMG柵極結構制造的芯片，一般都會選擇前柵極工藝。后者則由Intel主導，臺積電那些一大波的28nm工藝技術基本上都是這個分支。最簡單區(qū)分就是，臺積電28nm節(jié)點的芯片分為HP和LP兩種不同的大類型，HP再細分其它小類型。HP(主打高性能)這個大類的芯片基本上都是采用后柵極工藝制造的HKMG柵極結構，LP(主打低功耗)這個大類的芯片則是采用了前柵極工藝制造的HKMG柵極結構。     前柵極工藝和后柵極工藝對應工藝分類有哪些 那么兩種柵極工藝之間有什么區(qū)別呢?由于不是本文重點，為了節(jié)省篇幅，我們不去探究原理，只記住結論，擁有用后柵極工藝制造的HKMG柵極結構的芯片，具有功耗更低和漏電更少的優(yōu)勢，從而讓高頻運行狀態(tài)更加穩(wěn)定，不會出現運行一段時間后降頻這種現象。相比前柵極工藝無疑更加先進，但是生產制造技術復雜、良品率又低，技術誕生初期很難做到大規(guī)模量產，還需要客戶廠商(例如聯發(fā)科、Qualcomm、蘋果、華為等)根據需求配合修改電路設計，所以前柵極工藝在早期更受IDM和Foundry歡迎，后來隨著Intel和臺積電工藝逐漸成熟，克服了后柵極工藝的種種問題之后，近幾年逐漸取代前柵極工藝成為HKMG柵極結構的主要制造工藝。 總結：普通消費者對手機產品本身比較感興趣，關注系統(tǒng)運行速度，游戲卡不卡，程序兼容性，發(fā)熱和續(xù)航等淺層次用戶體驗。 對數碼產品比較感興趣的用戶則會進一步研究為什么系統(tǒng)運行速度會慢，為什么我需要經常重啟手機，為什么不清理后臺系統(tǒng)就會卡，為什么iOS用起來就是比Android流暢?     iOS依然是公認的流暢性優(yōu)化得比較好的系統(tǒng) 而對科技的沉迷早已“病入膏肓”的技術宅來說，在得知處理器、RAM、ROM是影響系統(tǒng)運行速度的三項關鍵要素之后，我們就會進一步研究這三種硬件是如何配合，并共同發(fā)揮作用的。在研究期間，技術宅就會發(fā)現PC領域和手機領域很多知識是共同的，從而方便我們用以往學到的知識解釋手機處理器上的原理。 舉個例子，普通消費者、數碼愛好者和技術宅一起來到售后服務中心，消費者和客服經理投訴這臺手機非常不好用，吵得面紅耳赤之際，來來去去就是吐槽系統(tǒng)卡、游戲載入慢、重啟次數多、經常清后臺這些表層現象。 數碼愛好者就會分析其實和處理器、RAM和ROM這些參數有關，不說還好，聽完數碼愛好者的分析，消費者吵得更厲害了，當初買這臺手機的時候，宣傳參數上那豪華的真8核處理器，3GB RAM，64GB ROM都是假的?旗艦級別的配置就是這種表現? 數碼愛好者進一步解釋真8核的定義，這種真8核和另外一款旗艦機的真8核是不同的，主要是架構和工藝制程、工藝分類不同。好吧，數碼愛好者本以為能夠平息這場紛爭，誰知道消費者還在糾結都是28nm，為什么HPM和LP工藝的處理器會有不同的表現? 技術宅是時候登場了，HPM和LP之間最重要區(qū)別就在性能和漏電率上，HPM在性能上更優(yōu)，漏電率也更低，LP則更適合中低端處理器使用，因為成本低。接著還會通過硬件監(jiān)控的App進一步解釋類似問題，同樣是8核處理器，運行大型游戲的時候，有的處理器受制于架構、工藝制程、工藝分類落后，在玩得興高采烈之際突然降頻、關閉部分核心，這個時候系統(tǒng)自然就開始卡了。監(jiān)控軟件還能夠實時監(jiān)控其溫度變化，進一步告知消費者為什么手機會自動重啟或者通過死機方式讓手機內部溫度降下來。

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  • 用“互聯網+”修煉中國半導體市場

    隨著中國IC市場需求的飛速增長，以及所具備的高度開放的國際化特征，中國迅速成為了全球各大半導體公司最重要的業(yè)務收入來源地。分析全球前20大半導體公司2014年年報可以發(fā)現，這20家企業(yè)中國市場銷售額在其全球總銷售額的比重，平均值已達47.8%。其中占比較高者，如MTK在中國大陸的銷售額占全球比重已超80%;占比較低者，如Sony在華芯片銷售額的全球占比也超過20%。 可以說，全球半導體企業(yè)均成為中國IC市場快速發(fā)展的重要受益者。這也詮釋了為何國際半導體業(yè)界乃至有關國家政府對中國扶持本國IC產業(yè)舉措顯示出的巨大關切——一切皆出于巨大的商業(yè)利益。 在2016年慕尼黑上海電子展(electronica China)上，以下領先功率半導體企業(yè)集體亮相，展示了最新技術和解決方案，助力半導體行業(yè)迎來長線拐點。 首先，以中國為核心的亞太地區(qū)在全球半導體市場中所占比重快速提升。 2000年至2014年，全球半導體市場規(guī)模由2043.94億美元增長至3331.51億美元。年均增速僅為3.6%。而與此同時，亞太地區(qū)(不含日本)半導體市場的年均增速則達到10%，規(guī)模從2000年的512.65億美元快速擴大至2014年的1942.26億美元。相應的，亞太地區(qū)在全球半導體市場中所占份額也由2000年時的25.1%大幅提升到2014年時的58.3%。 亞太市場的快速增長絕大程度上得益于中國IC市場的發(fā)展。2000年中國IC市場規(guī)模為945億元人民幣(合113.86億美元)，到2014年已增至10393.1億元人民幣(合1690.4億美元)，年均增速高達21.4%。隨著國內集成電路市場的飛速增長，其全球地位也在快速提升。 2014年國內IC市場規(guī)模在亞太半導體市場所占比重已經達到87%，在全球半導體市場中所占比重也達到50.7%。中國已當之無愧成為全球半導體的“核心”市場。 其次，中國集成電路市場具有高度國際化的特征。 縱觀中國IC市場的發(fā)展，其國際化特征十分顯著。一方面，其龐大需求主要依靠進口解決。中國大陸IC進口額由2000年時的133億美元，迅速增加至2014年的2176.16億美元，進口規(guī)模在14年間增加了16倍。集成電路在中國全部進口貨物中所占價值比重也由2000年的5.9%增加至2014年的11.1%，這使得集成電路已連續(xù)數年超過原油成為中國最大宗的進口商品。 另一方面，全球主要半導體企業(yè)為更好占領中國市場，紛紛加大對中國半導體領域的投資。全球前20大半導體廠商中，包括Intel、三星半導體、海力士、美光、TI等在內絕大部分企業(yè)都已在中國投下大筆資金建設了生產基地及研發(fā)中心。可以說，快速增長且高度開放使得中國市場成為帶動全球半導體產業(yè)發(fā)展引擎。 第三，中國已成為全球各大半導體公司主要業(yè)務收入來源。 隨著中國IC市場需求的飛速增長，以及所具備的高度開放的國際化特征，中國迅速成為了全球各大半導體公司最重要的業(yè)務收入來源地。分析全球前20大半導體公司2014年年報可以發(fā)現，這20家企業(yè)中國市場銷售額在其全球總銷售額的比重，平均值已達47.8%。其中占比較高者，如MTK在中國大陸的銷售額占全球比重已超80%;占比較低者，如Sony在華芯片銷售額的全球占比也超過20%。 可以說，全球半導體企業(yè)均成為中國IC市場快速發(fā)展的重要受益者。這也詮釋了為何國際半導體業(yè)界乃至有關國家政府對中國扶持本國IC產業(yè)舉措顯示出的巨大關切——一切皆出于巨大的商業(yè)利益。 2016慕尼黑上海電子展將吸引國內外1200余家廠商參加，除了直觀的展示產品與技術外，同期舉行的創(chuàng)新論壇也是展會的亮點之一。來自于高校、企業(yè)的教授、專家們齊聚一堂，共同探討產業(yè)的現狀與發(fā)展趨勢，其中嵌入式、汽車電子等主題的創(chuàng)新論壇現場人氣頗旺。在"國際嵌入式系統(tǒng)創(chuàng)新論壇”上，將主要探討物聯網開發(fā)技術和創(chuàng)新應用等熱門話題。 展望未來國內集成電路市場發(fā)展，在兩化融合持續(xù)深入、信息消費不斷升溫、智慧城市建設加速等多方利好因素的共同帶動下，預計未來3年，國內集成電路市場仍將保持8%左右的年均增速。到2017年，國內IC市場規(guī)模預計將突破1.3萬億元大關。屆時中國IC市場將憑借超過2000億美元的龐大規(guī)模，進一步鞏固其在全球市場的核心地位。 在整體規(guī)模持續(xù)擴大的同時，包括智能電網、智能交通、衛(wèi)星導航、工業(yè)控制、金融電子、汽車電子、醫(yī)療電子等行業(yè)電子應用將加速發(fā)展，并直接帶動處理器、控制器、傳感器及各類專用電路需求的快速增長。行業(yè)應用需求無疑將成為驅動中國IC市場繼續(xù)快速發(fā)展的新動力。

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  • Vishay發(fā)布2016年“Super 12”明星精選產品

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)公布了2016年的“Super 12”特色產品。每年，Vishay都會挑出12款半導體器件和無源元件，這些器件采用新的和改進后的技術，能夠顯著提高終端產品和系統(tǒng)性能。Vishay的Super 12明星精選產品代表了公司在半導體和無源器件領域的領先水平，讓人能夠從中管窺Vishay寬泛的產品組合。 2016年的Super 12明星精選產品如下： Vishay T58系列vPolyTan™固鉭表面貼裝片式電容器—T58系列采用聚合物鉭技術和Vishay的高效MicroTan®封裝，實現了業(yè)內最好的容量-電壓等級，有6個模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V產品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V產品—具有更高的容積效率，可用于手持式消費電子產品。 Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光傳感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封裝，在可穿戴設備、智能手機和粒子探測器中能節(jié)省空間，是業(yè)內首顆帶獨立通道輸出，可測量真實UV指數的UVA和UVB光傳感器。 Vishay BCcomponents 220 ELDC ENYCAP™系列雙層儲能電容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、備用電源和UPS電源應用，功率密度高達0.041Wh，在2.7V下的電容值從15F到40F，使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封裝。 Vishay General Semiconductor TPC11CA～TPC36CA表面貼裝PAR®瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)—這些器件通過AEC-Q101認證，是業(yè)內首批峰值功率耗散達到1500W的雙向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封裝。器件的工作結溫達到+175℃，滿足汽車、工業(yè)和通信應用對高可靠性的要求。 Vishay Dale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式電阻—PCAN電阻是在氮化鋁襯底上制造的，額定功率達到6W，阻值從2Ω到30kΩ，外形尺寸為1206和2512。電阻適合用在工業(yè)、國防和醫(yī)療應用中的緩沖電路和載荷、柵極負載和放大器端接電阻。 Vishay Siliconix SUM70040E/SUP70040E 100V N溝道MOSFET—ThunderFET®功率MOSFET的最大導通電阻為4mΩ，比前一代器件的每平方毫米的導通電阻低60%，在從太陽能微逆變器到電動汽車充電站的各種應用中能大大降低功率損耗，提高效率。 Vishay Sfernice PLA51中功率平面變壓器—PLA51平面變壓器的功率從1kW到3kW，尺寸為70mm x 53mm x 22mm，提供超過99%的高效率，典型應用為DC/DC功率轉換器、電動汽車的車載充電器、電源控制冷卻單元和太陽能逆變器。 Vishay Siliconix SiC530 VRPower®集成式DrMOS功率級—SiC530將驅動、高邊及低邊MOSFET組合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK®封裝里，占位面積比分立式方案小45%，但卻具有連續(xù)電流達30A，峰值電流40A的高功率密度。 Vishay Draloric TNPV系列高壓薄膜片式電阻—TNPV薄膜片式電阻是業(yè)內首個工作電壓達到1000V的此類器件，能替代更大的電阻和近似外形尺寸的多顆器件，來節(jié)省電路板空間，降低成本。這些電阻具有低電壓系數、嚴格的公差和低溫度系數，可用于精確電壓測量。 Vishay Siliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封裝，比TO-263(D2PAK)封裝的器件小57%，高度只有其1/5。另外，MOSFET的Kelvin源連接通過減少柵極接地回路，提高了性能。 Vishay Dale IHLD系列超薄、大電流雙片電感器—IHLD系列器件在汽車和商用D類放大器中能節(jié)省空間，兩個IHLP®型電感器垂直地放在3232或4032封裝內。器件具有軟飽和特性，兩個相鄰電感器之間實現低耦合，失真少，可輸出高質量的音頻。 Vishay General Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS®整流器—整流器的電流密度達到40A，采用高度1.3mm的表面貼裝SlimDPAK封裝。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封裝薄57%，散熱面積多14%，熱性能更好。

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  • 臺積電或獨拿A10訂單，為iPhone 7蓄勢

     雖然距離iPhone 7正式發(fā)布還有半年多的時間，但根據臺灣的經濟日報的報道來看，臺積電公司已經正式開始小規(guī)模試產蘋果iPhone 7將搭載的A10處理器，本月底的時候將會大規(guī)模進行量產。 據了解，蘋果A10處理器是基于臺積電的16nm FinFET(FF )工藝打造的，據臺灣經濟日報稱，蘋果目前還沒有最終決定A10處理器的代工訂單分配，但有業(yè)內人士分析，臺積電幾乎獨拿A10處理器的所有訂單。 值得一提的是，臺積電公司的16FF 本月產能，將由2月的4萬片倍增到8萬片，并且月底還將會開啟大量的生產，之后還會有更密集的產品產出。據悉將集中在Q2和Q3季度，這也不難看出符合iPhone 7手機產品Q3季度亮相的時間，在Q4季度獎全球鋪貨。 如果臺積電獨占A10處理器代工訂單，從根本上避免類似“A9芯片門”的事件發(fā)生。

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  • 臺積電壕擲8180萬，擴大16nm A10產能

     有消息稱，臺積電已經開始小范圍試產A10處理器，其基于自家的16nm FinFET(FF+)工藝，本月底將大規(guī)模量產?，F在，臺灣供應鏈給出了更詳細的說法，消息顯示，臺積電正計劃擴大A10芯片的產能，將16nm 300mm晶圓從2月份的4萬塊增加到3月份的8萬塊，這意味著A10依然采用16nm工藝制造。 此外，據說臺積電最近為芯片生產車間投資了8180萬美元，主要為了添置生產設備。按照此前的說法，臺積電已經拿到了全部A10處理器的訂單，在iPhone 7上大家就不用糾結處理器的版本了。  

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