內(nèi)存

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內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算，當運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

中高階封測將可進軍大陸，業(yè)者已經(jīng)準備好了!

行政院9日正式核定赴大陸投資負面表列修正草案，就半導(dǎo)體而言，確定將有條件松綁晶圓廠、中高階封裝測試與低階IC設(shè)計的登陸計劃，其中包括中高階封測及IC設(shè)計部份均有投資金額管制，一旦投資金額門看檻達5千萬美元，

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2010-02-10

DM IC設(shè)計業(yè) 內(nèi)存 IC封裝
東芝宣布將關(guān)閉日本南部福岡內(nèi)存封測廠

據(jù)臺灣媒體報道，NAND快閃存儲器大廠東芝3日下午宣布，將關(guān)閉位于日本福岡縣宮若市的封測廠(TPACS)，今年中旬時該廠就將關(guān)閉，技術(shù)研發(fā)及設(shè)備等生產(chǎn)線，將移轉(zhuǎn)到東芝NAND晶圓廠大本營的日本三重縣四日市工廠內(nèi)，預(yù)計

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2010-02-08

東芝晶圓廠 NAND 內(nèi)存
封測需求增力成華東受惠

爾必達（Elpida）、美光（Micron）兩大DRAM聯(lián)盟在臺加快先進制程布局，增加對后段封裝測試產(chǎn)能需求，力成、華東、福懋科等國內(nèi)存儲器封測廠都將受惠。同步押寶美光、爾必達陣營的華東，目前測試和封裝產(chǎn)能利用率

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2010-02-08

DRAM 美光爾必達內(nèi)存
撲朔迷離，2010存儲廠商前景難料

1985年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)低潮期所帶來的沖擊既深且巨，即使在市場復(fù)蘇后仍然留下了許多難以抹滅的傷害，如果沒有2001年的那一波嚴重不景氣，它可能被公認為是有史以來最嚴重的衰退。然而，去年發(fā)生的‘2009內(nèi)存慘案’(Mem

消費電子
2010-02-05

DRAM 海力士 SPANSION 內(nèi)存
DRAM走出黑暗 2010年內(nèi)存廠商或興旺發(fā)達

在DRAM 市場的歷史上，2009 年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后， DRAM 供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三

消費電子
2010-02-04

DRAM 三星 DDR3 內(nèi)存
威剛陳立白：產(chǎn)能不足內(nèi)存看漲

今年各大DRAM廠相繼擴大資本支出，以進入DDR3領(lǐng)域，但是在各家廠商搶訂機臺之下，恐影響后續(xù)產(chǎn)出。威剛（3260）董事長陳立白指出，內(nèi)存廠所需的浸潤式曝光機臺交期長達10個月以上，目前只能靠微縮制程增加產(chǎn)出，然在

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2010-02-04

DRAM Flash DDR3 內(nèi)存
旺年華與集博合作網(wǎng)上銷售嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品

旺年華電子（ww.ic.cn）致力為中國工程師們新一代的產(chǎn)品研發(fā)，提供最新電子元器件。日前與臺灣集博股份有限公司(TIBBOTechnology)合作，網(wǎng)上銷售其產(chǎn)品。客戶可從www.ic.cn網(wǎng)上訂購集博產(chǎn)品。集博公司1999年成立于臺

消費電子
2010-02-03

終端設(shè)備嵌入式系統(tǒng) ASIC 內(nèi)存
華東訂單涌入首季旺

受惠于爾必達、華邦電（2344）、南亞科（2408）等大客戶DDR3及GDDR5訂單逐季增加，內(nèi)存封測廠華東科技（8110）今年營運大躍進。法人預(yù)估年營收可望上看75億元以上，較去年大增3成至4成。華東科技總經(jīng)理于鴻祺表

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2010-02-03

爾必達 DDR3 內(nèi)存
華東：訂單滿手加班出貨

半導(dǎo)體封測法說周昨（2）日由華新科（2492）集團的內(nèi)存封測廠華東（8110）打頭陣，總經(jīng)理于鴻棋指出，內(nèi)存需求仍佳，現(xiàn)在是被訂單追著跑，全年包括ASP（平均銷售單價）、毛利和營收都將呈現(xiàn)逐季走揚趨勢。于鴻棋

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2010-02-03

DRAM EPS DDR3 內(nèi)存
測試設(shè)備需求回溫　惠瑞捷多角化搶市

近來隨著景氣陸續(xù)回溫，各大半導(dǎo)體業(yè)者紛紛調(diào)高資本支出預(yù)算，終于讓半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備業(yè)者稍有喘息空間。然此刻也是檢驗業(yè)者先前產(chǎn)品與經(jīng)營策略是否正確的關(guān)鍵期，曾在2009年將觸角延伸至低階自動測試設(shè)備 (ATE)與晶圓

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2010-01-28

晶圓測試設(shè)備 TE 內(nèi)存
關(guān)于三維可視化中的地形建模與實現(xiàn)技術(shù)研究

　1 引言　　20世紀60年代以后，地形可視化的概念隨著地理信息系統(tǒng)的出現(xiàn)而逐漸形成。隨后以地形地貌為研究重點的地形三維可視化技術(shù)在地理信息系統(tǒng)(GIs)、虛擬現(xiàn)實(VR)戰(zhàn)場環(huán)境仿真、娛樂游戲、地形的穿越飛行({1

工業(yè)控制
2010-01-25

建模編程 PEN 內(nèi)存
新聞分析－和艦、中芯解套雙雄出柙

政府原本有意開放國內(nèi)半導(dǎo)體廠登陸設(shè)12吋廠，但最后松綁政策似乎不如預(yù)期大，最終可能只會先行開放8吋廠登陸及參股大陸半導(dǎo)體廠。國內(nèi)業(yè)者雖對此一結(jié)果不甚滿意，但至少政府已經(jīng)跨出了第一步，只要臺積電持有中芯10％

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2010-01-25

中芯聯(lián)電臺積電內(nèi)存
力成去年第四季毛利率仍有26%以上

DRAM封測大廠力成（6239）已敲定在2月4日舉行法說會，公布去年第四季和全年財報。法人預(yù)期，力成第四季單季毛利率將持續(xù)成長，有機會超過26%，續(xù)優(yōu)于第三季的水平。隨著半導(dǎo)體景氣持續(xù)復(fù)蘇，帶動內(nèi)存IC封測廠營

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2010-01-23

半導(dǎo)體 DRAM IC 內(nèi)存
飆股追蹤－京元電尾盤急拉

京元電(2449)因外資券商看好今年有機會轉(zhuǎn)虧為盈，且整體半導(dǎo)體今年能見度高，京元電可揮別虧損陣痛期，回到穩(wěn)定獲利的軌跡。昨日股價尾盤急拉上漲0.4元以17.4元作收，成交量26666張。麥格理證券指出，京元電是小

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2010-01-21

無線網(wǎng)絡(luò) 半導(dǎo)體驅(qū)動IC 內(nèi)存
內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購海力士

業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途

消費電子
2010-01-20

海力士金士頓 NAND閃存內(nèi)存
爾必達將在臺灣設(shè)DRAM開發(fā)基地合作開發(fā)4F2技術(shù)

爾必達內(nèi)存將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺灣瑞晶電子設(shè)立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的（瑞

消費電子
2010-01-15

DRAM 電子爾必達內(nèi)存
爾必達將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術(shù)

爾必達內(nèi)存將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺灣瑞晶電子設(shè)立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的（瑞

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2010-01-11

DRAM 電子爾必達內(nèi)存
淡季不淡硅品12月營收微幅下滑2.5% Q4營收季增0.5%

受惠終端PC繪圖芯片與內(nèi)存封裝需求強勁，IC封測大廠硅品(2325-TW)2009年12月營收達53.4億元，較11月營收微幅下滑2.5%，較2008年同期26.4億元增加101.9%。整體第 4 季營收為168.1億元，較第 3 季的167.3億元微幅增

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2010-01-06

芯片封裝終端內(nèi)存
集邦：上半年DDR3封測產(chǎn)能更吃緊

受惠微軟操作系統(tǒng)Windows 7滲透率持續(xù)提升，及計算機系統(tǒng)廠大幅拉高DDR3機種比重，DRAM廠DDR3新產(chǎn)能已陸續(xù)開出，但因后段封測產(chǎn)能提升速度較慢，集邦科技預(yù)估，今年上半年DDR3封測產(chǎn)能吃緊情況更加嚴重，且可能因此影

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2010-01-05

DRAM 英特爾 DDR3 內(nèi)存
力成、華泰否認合并

市場昨（29）日傳出內(nèi)存封測廠力成（6239）將合并同業(yè)華泰電子（2329）案，激勵華泰股價強攻漲停價11.15元，兩家公司雙雙否認傳言。力成強調(diào)：「合并華泰案是100%不可能?！? 因力成有擴增產(chǎn)能需求，市場傳出，力成大

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2009-12-30

電子金士頓內(nèi)存

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內(nèi)存

中高階封測將可進軍大陸，業(yè)者已經(jīng)準備好了!

東芝宣布將關(guān)閉日本南部福岡內(nèi)存封測廠

封測需求增力成華東受惠

撲朔迷離，2010存儲廠商前景難料

DRAM走出黑暗 2010年內(nèi)存廠商或興旺發(fā)達

威剛陳立白：產(chǎn)能不足內(nèi)存看漲

旺年華與集博合作網(wǎng)上銷售嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品

華東訂單涌入首季旺

華東：訂單滿手加班出貨

測試設(shè)備需求回溫　惠瑞捷多角化搶市

關(guān)于三維可視化中的地形建模與實現(xiàn)技術(shù)研究

新聞分析－和艦、中芯解套雙雄出柙

力成去年第四季毛利率仍有26%以上

飆股追蹤－京元電尾盤急拉

內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購海力士

爾必達將在臺灣設(shè)DRAM開發(fā)基地合作開發(fā)4F2技術(shù)

爾必達將在臺灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術(shù)

淡季不淡硅品12月營收微幅下滑2.5% Q4營收季增0.5%

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