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聯(lián)電聯(lián)手SuVolta開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)
聯(lián)華電子(UMC)與新創(chuàng)公司SuVolta宣布聯(lián)手開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)，瞄準(zhǔn)行動(dòng)應(yīng)用。該制程將SuVolta的深度耗盡信道(DeeplyDepletedChannel；DDC)晶體管技術(shù)整合到聯(lián)電的28奈米High-K/MetalGate(HKMG)高效能行動(dòng)(HPM)制
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面板雙虎看后市 市場(chǎng)短期供過于求
面板雙虎展望面板市況，群創(chuàng)(3481)總經(jīng)理王志超表示，中國大陸節(jié)能補(bǔ)貼政策結(jié)束后，不可避免1~2個(gè)月將會(huì)有短暫時(shí)間的影響，不過群創(chuàng)去年進(jìn)行尺寸差異化，避開32、42寸補(bǔ)貼尺寸，看好市場(chǎng)需求將會(huì)回籠，對(duì)未來審慎樂觀
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聯(lián)電聯(lián)手SuVolta開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)
聯(lián)華電子(UMC)與新創(chuàng)公司SuVolta宣布聯(lián)手開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)，瞄準(zhǔn)行動(dòng)應(yīng)用。該制程將SuVolta的深度耗盡信道(Deeply Depleted Channel；DDC)晶體管技術(shù)整合到聯(lián)電的28奈米High-K/Metal Gate (HKMG)高效能行動(dòng)(HP
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群創(chuàng)導(dǎo)入金屬氧化物半導(dǎo)體制程技術(shù)
為全力搶攻高階平板計(jì)算機(jī)面板市場(chǎng)，群創(chuàng)位于竹南的五代及六代廠，導(dǎo)入金屬氧化物半導(dǎo)體(Oxide TFT)制程技術(shù)，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)，成為繼日、韓之后，國內(nèi)首家量產(chǎn)金屬氧化物半導(dǎo)體的面板廠，藉由高單價(jià)、高階產(chǎn)品線，確保
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群創(chuàng)導(dǎo)入金屬氧化物半導(dǎo)體制程技術(shù)
為全力搶攻高階平板計(jì)算機(jī)面板市場(chǎng)，群創(chuàng)位于竹南的五代及六代廠，導(dǎo)入金屬氧化物半導(dǎo)體(Oxide TFT)制程技術(shù)，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)，成為繼日、韓之后，國內(nèi)首家量產(chǎn)金屬氧化物半導(dǎo)體的面板廠，藉由高單價(jià)、高階產(chǎn)品線，確
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榮化合作工研院：攻大觸控面板制程
大尺寸觸控面板制程有大突破，工研院機(jī)械所研發(fā)的凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)，將可取代黃光微影及ITO的觸控制程，用新材料、新制程取代，至少可節(jié)省三到四成的制程成本。這項(xiàng)核心技術(shù)已技轉(zhuǎn)榮化 （1704），并取得經(jīng)濟(jì)部科專支持進(jìn)
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半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展之路，技術(shù)突破是關(guān)鍵
【導(dǎo)讀】探索中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展之路，不能僅停留在議論上，更多地需要實(shí)干，集中力量通過抓一到兩個(gè)典型亊例，充分發(fā)揮我們的優(yōu)勢(shì)，做出成績。同時(shí)管理部門要充分認(rèn)識(shí)產(chǎn)業(yè)的特征，理解它的矛盾與困難，并幫助企業(yè)達(dá)成
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融資渠道成為中國半導(dǎo)體發(fā)展關(guān)鍵 技術(shù)突破是IC代工根本出路
中國半導(dǎo)體業(yè)究竟要實(shí)現(xiàn)什么樣的目標(biāo)?有宏大的目標(biāo)如“建立自主可控的中國半導(dǎo)體業(yè)體系”。由于自主與可控的范圍太大，離目前產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平還稍有點(diǎn)遠(yuǎn)，我們可以把它稱之為中國半導(dǎo)體業(yè)的終極目標(biāo)。還有一個(gè)
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看好凹板轉(zhuǎn)印 李長榮化工跨足觸控面板制程
看好凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)的市場(chǎng)潛力，李長榮化工與工研院、臺(tái)大等產(chǎn)學(xué)研單位組成“精密凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)”研發(fā)聯(lián)盟，近期并獲得臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部業(yè)界科專支持，未來技術(shù)指標(biāo)成功達(dá)成后，除了能提供凹板轉(zhuǎn)印制程技術(shù)完整的解決方案，相
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聯(lián)電廈門投建8英寸廠：有勝算難復(fù)制
近日一條消息吸引了人們的注意，我國臺(tái)灣IC代工企業(yè)聯(lián)電近日表示，“日前董事會(huì)在通過以3億美元(約新臺(tái)幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購買亞洲8英寸或12英寸晶圓廠的決策后，計(jì)劃與廈門和當(dāng)?shù)卣腺Y興建8英寸晶圓廠，鎖
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半導(dǎo)體大戰(zhàn)兩年內(nèi)開打 張忠謀竟談接班……
7月18日臺(tái)積電法說會(huì)后，臺(tái)積電董事長張忠謀循例與記者會(huì)談，當(dāng)他被提問，執(zhí)行長一職交棒計(jì)劃是否如常時(shí)，他不僅立刻回答「沒有改變」，而且還打趣說，2009年宣布時(shí)，說的是「三至五年內(nèi)交棒」，今年已經(jīng)是第四年了，
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聯(lián)電與SuVolta共同開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)
聯(lián)華電子(UMC)與新創(chuàng)公司SuVolta宣布聯(lián)手開發(fā)28nm低功耗制程技術(shù)，瞄準(zhǔn)行動(dòng)應(yīng)用。該制程將SuVolta的深度耗盡通道(Deeply Depleted Channel；DDC)電晶體技術(shù)整合到聯(lián)電的28奈米 High-K / Metal Gate (HKMG)高效能行動(dòng)
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UMC與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28奈米低功耗制程技術(shù)
Marketwired23日，臺(tái)灣新竹, 加州洛斯加托斯--聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開發(fā)28奈米制程。該項(xiàng)制程將SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)電晶體技術(shù)整合到UMC
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傳聯(lián)電與廈門政府合資12寸芯片代工廠
21ic電子網(wǎng)訊：晶圓代工二哥聯(lián)電傳出將在大陸興建12寸廠。據(jù)設(shè)備業(yè)者透露，聯(lián)電將在廈門興建12寸廠，該投資案為廈門政府與聯(lián)電的合資案，但主要出資者為廈門政府，聯(lián)電將負(fù)責(zé)營運(yùn)及接單，主要是看好大陸當(dāng)?shù)豂C設(shè)計(jì)業(yè)
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聯(lián)電 傳與廈門政府合資12寸廠
晶圓代工二哥聯(lián)電（2303）傳出將在大陸興建12寸廠。據(jù)設(shè)備業(yè)者透露，聯(lián)電將在廈門興建12寸廠，該投資案為廈門政府與聯(lián)電的合資案，但主要出資者為廈門政府，聯(lián)電將負(fù)責(zé)營運(yùn)及接單，主要是看好大陸當(dāng)?shù)豂C設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)先
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工研院發(fā)表超薄可撓玻璃連續(xù)卷軸式制程技術(shù)
工研院(ITRI)前于日本橫濱平面顯示器展(FPD International)發(fā)表尖端「100微米超薄可撓玻璃連續(xù)卷軸式(Roll to Roll，R2R)制程技術(shù)」，是全球首次以100微米超薄可撓玻璃為基板，開發(fā)的完整R2R制程及超薄玻璃觸控模組制
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外資看臺(tái)積電Q4業(yè)績分歧，大和估恐季減13%
晶圓代工族群Q2營收表現(xiàn)亮眼，除臺(tái)積(2330)Q2營收季增約17%來到1558.87億元，落在財(cái)測(cè)預(yù)期Q2營收將落在1540-1560億元的高標(biāo)，同時(shí)改寫單季營收歷史新高紀(jì)錄外，聯(lián)電(2303)Q2營收繳出季增14.84%、來到319.05億元的成績
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外資看臺(tái)積電Q4業(yè)績分歧，大和估恐季減13%
晶圓代工族群Q2營收表現(xiàn)亮眼，除臺(tái)積(2330)Q2營收季增約17%來到1558.87億元，落在財(cái)測(cè)預(yù)期Q2營收將落在1540-1560億元的高標(biāo)，同時(shí)改寫單季營收歷史新高紀(jì)錄外，聯(lián)電(2303) Q2營收繳出季增14.84%、來到319.05億元的成
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臺(tái)積電新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)三維芯片
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管 (FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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臺(tái)積電新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)三維芯片
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管 (FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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