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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量
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大功率高壓變頻器功率器件熱設(shè)計(jì)淺析
大型電力電子設(shè)備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計(jì)直接關(guān)系到設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。大功率高壓變頻器往往要求有極高的可靠性，影
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功率器件損耗計(jì)算
功率器件應(yīng)用時所受到的熱應(yīng)力可能來源于兩個方面：器件內(nèi)部和器件外部。器件工作時所耗散的功率要通過發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件
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瑞薩推出工業(yè)用首個以MCU為基礎(chǔ)可擴(kuò)展供電系統(tǒng)方案
瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩”)，近日發(fā)布了最新的用于個人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢
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功率器件的選擇
由于本設(shè)計(jì)中的變換器的應(yīng)用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特性和驅(qū)動
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安森美加入imec項(xiàng)目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率
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功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
引言當(dāng)前，電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計(jì)，電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設(shè)計(jì)是
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怎樣去選擇好逆變器功率器件
逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(GTR)，功率場效應(yīng)管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)
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安森美半導(dǎo)體加入imec的硅基氮化鎵研究項(xiàng)目
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
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安森美加入imec項(xiàng)目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性，使其非
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安森美加入imec硅基氮化鎵研究項(xiàng)目
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
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安森美半導(dǎo)體加入imec的硅基氮化鎵研究項(xiàng)目
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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幾種高壓變頻器原理分析及實(shí)際應(yīng)用
1.引言電機(jī)是工業(yè)生產(chǎn)中主要的耗電設(shè)備，高壓大功率電動機(jī)的應(yīng)用更為突出，而這些設(shè)備大部分都存在很大的節(jié)能潛力。所以大力發(fā)展高壓大功率變頻調(diào)速技術(shù)具有時代的必要性和迫切性。目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電
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新能源市場已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類電子領(lǐng)域，且在一段時間內(nèi)將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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新能源市場已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類電子領(lǐng)域，且在一段時間內(nèi)將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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GaN發(fā)展勢頭迅猛 提前達(dá)到10億美元市場規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN發(fā)展勢頭迅猛 提前達(dá)到10億美元市場規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
