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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)
美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。
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碳化硅：推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的飛躍
在全球倡導(dǎo)綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動(dòng)汽車(EV)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要方向。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速擴(kuò)張，消費(fèi)者對(duì)其性能的要求也日益提高，其中充電速度和續(xù)航里程成為關(guān)注焦點(diǎn)。為了滿足這些需求，汽車制造商不斷探索新技術(shù)，碳化硅(SiC)材料及其相關(guān)功率器件應(yīng)運(yùn)而生，并在推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)提高方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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IGBT 主導(dǎo)新能源汽車上半場(chǎng)，SiC 提速上車劍指新周期
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^往，IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車的上半場(chǎng)，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。
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英飛凌OptiMOS? 80 V、100 V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機(jī)提供高性能電機(jī)控制解決方案
【2025年6月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導(dǎo)體功率器件，用于其下一代無人機(jī)（UAV）電機(jī)控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM 6EDL7141 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合的英飛凌MOTIX? IMD701控制器解決方案，實(shí)現(xiàn)了緊湊、精準(zhǔn)且可靠的電機(jī)控制。此舉不僅提高了無人機(jī)的性能與可靠性，還延長(zhǎng)了其飛行時(shí)間。
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GaN 功率器件：提升電源管理設(shè)計(jì)的秘訣
在當(dāng)今的電子設(shè)備領(lǐng)域，電源管理設(shè)計(jì)至關(guān)重要，其性能直接影響著設(shè)備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進(jìn)步，氮化鎵(GaN)功率器件應(yīng)運(yùn)而生，為電源管理設(shè)計(jì)帶來了新的突破和提升。
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【對(duì)話前沿專家】香港科技大學(xué)黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。我們有幸與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測(cè)試測(cè)量挑戰(zhàn)展開深入交流。
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意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)
2025年4月17日，中國(guó) – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式長(zhǎng)期發(fā)展。
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氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風(fēng)順
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，如高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)、低導(dǎo)通電阻等，被視為極具潛力的下一代功率器件，有望在眾多領(lǐng)域掀起變革。然而，盡管前景誘人，氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風(fēng)順，諸多不利因素成為其大規(guī)模推廣應(yīng)用的絆腳石。
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汽車級(jí)大功率 IGBT 現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)研究
在全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化加速轉(zhuǎn)型的浪潮中，汽車級(jí)大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心功率器件，正處于聚光燈下。它的性能優(yōu)劣、市場(chǎng)供應(yīng)情況以及技術(shù)發(fā)展走向，深刻影響著新能源汽車的能效、動(dòng)力表現(xiàn)和整體競(jìng)爭(zhēng)力，成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵變量。
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功率電子器件在新能源汽車電源系統(tǒng)中的應(yīng)用
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展的日益重視，新能源汽車產(chǎn)業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展。作為新能源汽車的核心技術(shù)之一，功率電子器件在電源系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將深入探討功率電子器件在新能源汽車電源系統(tǒng)中的應(yīng)用，并分析其未來的發(fā)展趨勢(shì)。
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泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度
近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測(cè)試與評(píng)估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場(chǎng)的拓展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評(píng)估
多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，為功率器件的可靠性研究和性能評(píng)估提供了一種有效的手段。這種測(cè)試方法通過模擬電路中的實(shí)際工作條件，能夠評(píng)估功率器件在重復(fù)高應(yīng)力條件下的性能變化，預(yù)測(cè)其壽命，對(duì)于器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動(dòng)出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計(jì)
該系列產(chǎn)品支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電流和電壓范圍
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC， 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實(shí)現(xiàn)高于90%的效率， 并通過三路精確調(diào)整的輸出提供高達(dá)70W的功率
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測(cè)試，這些測(cè)試結(jié)果為我們提供了對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件性能的全面了解。
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如何計(jì)算功率器件的散熱？功率器件封裝類型有哪些
在這篇文章中，小編將對(duì)功率器件的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時(shí)間
在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢(shì)，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應(yīng)用中，降低轉(zhuǎn)換損耗是實(shí)現(xiàn)凈零碳足跡以應(yīng)對(duì)氣候變化的關(guān)鍵部分，因?yàn)殡姍C(jī)驅(qū)動(dòng)器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。
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Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合，新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級(jí)理想二極管
低壓理想二極管可將功率損耗降低一個(gè)量級(jí)
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泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測(cè)試
在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進(jìn)步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。
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Nexperia為其功率器件產(chǎn)品組合添加了具有出色限流精度的新型大電流eFuse
集成自動(dòng)復(fù)位低電阻FET，降低工作功耗
