這有點(diǎn)像灰姑娘或丑小鴨的童話故事:多年來(lái),各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時(shí),功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了,并且作為本應(yīng)乏味的功率利基市場(chǎng)的一部分在背景中萎靡不振。
在半導(dǎo)體外延材料制造過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò),即材料中的缺陷。半導(dǎo)體中的缺陷越多,可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少,這會(huì)增加成本。此外,不良的材料界面會(huì)導(dǎo)致更高的器件通道電阻,從而導(dǎo)致更多的能量在運(yùn)行過(guò)程中被浪費(fèi),從而降低芯片的能效。
GaN 半導(dǎo)體是未來(lái)節(jié)能電動(dòng)汽車(chē)和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分??偛课挥谌鸬渎〉碌某鮿?chuàng)公司 Hexagem 正在瑞典研究機(jī)構(gòu)RISE 測(cè)試平臺(tái) ProNano開(kāi)發(fā)一種解決方案,旨在為更大的電氣化和可持續(xù)的未來(lái)做出貢獻(xiàn)。
最近,我會(huì)見(jiàn)了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強(qiáng)調(diào),他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過(guò) JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。
電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)的設(shè)計(jì)人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率,這些設(shè)備具有緊湊的封裝和高熱可靠性電力電子模塊的組裝,并降低了開(kāi)關(guān)損耗。
2022年6月22日-NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片,驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)+4/-6A,可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET/IGBT等各種功率器件。
比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國(guó)深圳 – 2022年06月20日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長(zhǎng)壽命的高效、緊湊電機(jī)驅(qū)動(dòng)和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.(CISSOID),和中國(guó)先進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目,使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮,從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成。
在過(guò)去的四十年里,由于采用了更好的設(shè)計(jì)和制造工藝,以及高質(zhì)量材料的可用性,基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而,大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限,特別是在它們阻擋高壓的能力、在導(dǎo)通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們?cè)诜浅8叩念l率下開(kāi)關(guān)的能力方面。
最近可能遇到了“GaN”,它正在一些關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)”中,我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處,以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設(shè)計(jì)時(shí)的關(guān)鍵考慮因素。
在 PCB 中提供大銅平面。將器件的裸露焊盤(pán)焊接到銅平面上,并將平面延伸到 PCB 的邊緣,以增加散熱面積。對(duì)于四層板,您可以在所有層中使用銅平面來(lái)散熱,與兩層板相比,這反過(guò)來(lái)可以提高 30% 的性能。PCB 面積越大,由于對(duì)流而產(chǎn)生的散熱量就越高。提供沒(méi)有任何中斷的銅平面,以便通過(guò)平面的熱量傳播將是有效的。
6月7日,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資,由廣汽資本、潤(rùn)峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè),著力加強(qiáng)在新能源汽車(chē)及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場(chǎng)拓展,確?;景雽?dǎo)體在國(guó)產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
荷蘭芯片制造商N(yùn)experia贊助的最近行業(yè)活動(dòng)的參與者表示,汽車(chē)、消費(fèi)和航空應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用正在利用氮化鎵 (GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。 例如,Kubos Semiconductor 正在開(kāi)發(fā)一種稱為立方 GaN 的新材料?!八橇⒎降墸覀儾粌H可以在 150 毫米及以上的大型晶圓上生產(chǎn)它,而且還可以擴(kuò)展到更大的晶圓尺寸,并可以無(wú)縫插入現(xiàn)有的生產(chǎn)線,”Kubos 首席執(zhí)行官 Caroline 說(shuō)奧布萊恩。
新 IC 工藝的開(kāi)發(fā)和商業(yè)化,尤其是有些激進(jìn)的工藝,在我看來(lái)一直是設(shè)備技術(shù)的神奇和神秘的終結(jié)。是的,有聰明的電路、架構(gòu)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),但是構(gòu)思一個(gè)新的過(guò)程,然后讓它成為現(xiàn)實(shí)和可制造的——以及現(xiàn)實(shí)所需要的一切——似乎需要對(duì)物理定律、材料科學(xué)、量子理論、以及更多。事情并沒(méi)有就此結(jié)束:在工藝技術(shù)進(jìn)步之后,我們?nèi)匀恍枰岢鲈O(shè)計(jì)規(guī)則和模型,以便 IC 設(shè)計(jì)人員和生產(chǎn)流程能夠真正利用該工藝。
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)的功率器件在線仿真平臺(tái)IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。通過(guò)該平臺(tái)可輕松分析單個(gè)工作點(diǎn)及用戶自定義的負(fù)荷曲線。
近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因?yàn)?,為了?yīng)對(duì)全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題,需要高效率高性能的功率元器件。 然而,最近經(jīng)常聽(tīng)到的“功率元器件”,具體來(lái)說(shuō)是基于什么定義來(lái)分類的呢?恐怕是沒(méi)有一個(gè)明確的分類的,但是,可按以高電壓大功率的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET,以及作為電源輸出段的功率模塊等來(lái)分類等等。
詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理!
PWM 是一種可應(yīng)用于多種電源拓?fù)涞目刂品椒?。并且因?yàn)闊o(wú)論拓?fù)淙绾危娫炊急挥糜跓o(wú)窮無(wú)盡的應(yīng)用中,因此它們享有無(wú)處不在的聲譽(yù);PWM 用于各種應(yīng)用。
上周,泛林集團(tuán)發(fā)布了Syndion G系列產(chǎn)品的新成員——全新Syndion? GP。在本周的微信中,泛林集團(tuán)客戶支持事業(yè)部Reliant系統(tǒng)產(chǎn)品副總裁Evan Patton將為大家講述該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)背景。
為幫助廣大電子工程師朋友更好地了解工業(yè)電子產(chǎn)業(yè)新動(dòng)態(tài),促進(jìn)電子工程師之間的技術(shù)交流,推動(dòng)國(guó)內(nèi)電子行業(yè)技術(shù)升級(jí),OFweek維科網(wǎng)將聯(lián)袂數(shù)家電子行業(yè)企業(yè)技術(shù)專家,傾力打造面向電子工程師技術(shù)人員的專場(chǎng)活動(dòng)「OFweek2021系列活動(dòng)——工程師技術(shù)在線論壇」,結(jié)合時(shí)事熱點(diǎn),聚焦前沿技術(shù),為電子工程師技術(shù)人員提供學(xué)習(xí)和交流平臺(tái)。
進(jìn)一步擴(kuò)大公司在深硅刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),新的半導(dǎo)體制造方案支持用于汽車(chē)與智能技術(shù)的芯片開(kāi)發(fā)