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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第三部分
最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量與驅(qū)動(dòng)程序和控制器連接，并且還可以節(jié)省成本，因此不需要額外的組件。因此，我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動(dòng)。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動(dòng)器的原因是什么嗎?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第二部分
目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么，大家能告訴我從設(shè)計(jì)的角度來看，哪些是主要的，哪些是我們的發(fā)展方向?，關(guān)于GaN的十件事，有沒有你更關(guān)注的點(diǎn)?
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TI 通過高精度 ADC 加強(qiáng)工業(yè)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合
德州儀器 (TI) 擴(kuò)展了其高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器系列，新增了八個(gè)逐次逼近寄存器 (SAR) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 系列，可在工業(yè)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集。針對(duì)工業(yè)系統(tǒng)中的實(shí)時(shí)控制挑戰(zhàn)，ADC3660 SAR ADC 具有 14 位、16 位和 18 位分辨率，采樣速度范圍為 10 到 125 MSPS，聲稱可將功耗降低 65%，將延遲降低 80%。競爭設(shè)備。
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5G對(duì)電容器選擇和新器件開發(fā)的影響
5G 應(yīng)用，從手機(jī)和基礎(chǔ)設(shè)施到互聯(lián)汽車和工業(yè)，都需要電容器技術(shù)的新進(jìn)步。 雖然 5G 手機(jī)市場對(duì)陶瓷電容器的需求量將增長，但為利用 5G 功能而出現(xiàn)的各種嵌入式工業(yè)和汽車應(yīng)用將推動(dòng)特種組件類型的技術(shù)進(jìn)步。
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注意柵極驅(qū)動(dòng)電源發(fā)展
這有點(diǎn)像灰姑娘或丑小鴨的童話故事：多年來，各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時(shí)，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了，并且作為本應(yīng)乏味的功率利基市場的一部分在背景中萎靡不振。
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用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分
在半導(dǎo)體外延材料制造過程中，會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)，即材料中的缺陷。半導(dǎo)體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會(huì)增加成本。此外，不良的材料界面會(huì)導(dǎo)致更高的器件通道電阻，從而導(dǎo)致更多的能量在運(yùn)行過程中被浪費(fèi)，從而降低芯片的能效。
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用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第一部分
GaN 半導(dǎo)體是未來節(jié)能電動(dòng)汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。總部位于瑞典隆德的初創(chuàng)公司 Hexagem 正在瑞典研究機(jī)構(gòu)RISE 測試平臺(tái) ProNano開發(fā)一種解決方案，旨在為更大的電氣化和可持續(xù)的未來做出貢獻(xiàn)。
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Transphorm GaN 系統(tǒng)級(jí)電源轉(zhuǎn)換解決方案實(shí)現(xiàn)了新的性能
最近，我會(huì)見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強(qiáng)調(diào)，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。
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用于下一代電動(dòng)汽車的 SiC MOSFET
電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車的設(shè)計(jì)人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率，這些設(shè)備具有緊湊的封裝和高熱可靠性電力電子模塊的組裝，并降低了開關(guān)損耗。
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納芯微驅(qū)動(dòng)芯片NSD1624，有效解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負(fù)壓和高dv/dt
2022年6月22日-NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)+4/-6A，可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET/IGBT等各種功率器件。
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CISSOID與依思普林達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推動(dòng)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成
比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國深圳 – 2022年06月20日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長壽命的高效、緊湊電機(jī)驅(qū)動(dòng)和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.(CISSOID)，和中國先進(jìn)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動(dòng)汽車動(dòng)力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成。
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SiC 推動(dòng)電源應(yīng)用的創(chuàng)新
在過去的四十年里，由于采用了更好的設(shè)計(jì)和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限，特別是在它們阻擋高壓的能力、在導(dǎo)通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們在非常高的頻率下開關(guān)的能力方面。
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如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)
最近可能遇到了“GaN”，它正在一些關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)”中，我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處，以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設(shè)計(jì)時(shí)的關(guān)鍵考慮因素。
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電動(dòng)工具中三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)化熱設(shè)計(jì) - 第 2 部分
在 PCB 中提供大銅平面。將器件的裸露焊盤焊接到銅平面上，并將平面延伸到 PCB 的邊緣，以增加散熱面積。對(duì)于四層板，您可以在所有層中使用銅平面來散熱，與兩層板相比，這反過來可以提高 30% 的性能。PCB 面積越大，由于對(duì)流而產(chǎn)生的散熱量就越高。提供沒有任何中斷的銅平面，以便通過平面的熱量傳播將是有效的。
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碳化硅頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C2輪融資，廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰聯(lián)合投資
6月7日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè)，著力加強(qiáng)在新能源汽車及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場拓展，確?；景雽?dǎo)體在國產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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用于下一代電力電子的 GaN 出現(xiàn)
荷蘭芯片制造商N(yùn)experia贊助的最近行業(yè)活動(dòng)的參與者表示，汽車、消費(fèi)和航空應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用正在利用氮化鎵 (GaN)技術(shù)的優(yōu)勢。 例如，Kubos Semiconductor 正在開發(fā)一種稱為立方 GaN 的新材料。“它是立方氮化鎵，我們不僅可以在 150 毫米及以上的大型晶圓上生產(chǎn)它，而且還可以擴(kuò)展到更大的晶圓尺寸，并可以無縫插入現(xiàn)有的生產(chǎn)線，”Kubos 首席執(zhí)行官 Caroline 說奧布萊恩。
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GaN 會(huì)在市場上大獲成功嗎？
新 IC 工藝的開發(fā)和商業(yè)化，尤其是有些激進(jìn)的工藝，在我看來一直是設(shè)備技術(shù)的神奇和神秘的終結(jié)。是的，有聰明的電路、架構(gòu)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但是構(gòu)思一個(gè)新的過程，然后讓它成為現(xiàn)實(shí)和可制造的——以及現(xiàn)實(shí)所需要的一切——似乎需要對(duì)物理定律、材料科學(xué)、量子理論、以及更多。事情并沒有就此結(jié)束：在工藝技術(shù)進(jìn)步之后，我們?nèi)匀恍枰岢鲈O(shè)計(jì)規(guī)則和模型，以便 IC 設(shè)計(jì)人員和生產(chǎn)流程能夠真正利用該工藝。
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英飛凌IPOSIM平臺(tái)推出功率器件使用壽命評(píng)估服務(wù)，以簡化半導(dǎo)體器件選型
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)的功率器件在線仿真平臺(tái)IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。通過該平臺(tái)可輕松分析單個(gè)工作點(diǎn)及用戶自定義的負(fù)荷曲線。
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SiC碳化硅功率器件介紹
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。 然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。
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MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解
詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理！
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