MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率,設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如,設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容,因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度,從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。
2024年6月4日,中國(guó)北京--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動(dòng)車性能,加快充電速度,延長(zhǎng)續(xù)航里程,深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外,吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上,建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(gòu)(如車載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng))、高級(jí)駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。
展示高效的EcoGaN? 和SiC電源解決方案!
飽和電感是功率器件,通過(guò)進(jìn)入和退出飽和過(guò)程的磁滯損耗(而不是渦流損耗或者銅損)吸收電流尖峰能量,主要熱功率來(lái)自于磁芯。
● 創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室V2.0設(shè)備再更新、能力再升級(jí); ● 助力產(chǎn)業(yè)升級(jí),主打開(kāi)放性,先進(jìn)性,本地化協(xié)作共贏; ● 線上線下多元化互動(dòng),直擊測(cè)試痛點(diǎn)。
電平逆變器的應(yīng)用推薦低壓MOS系列,產(chǎn)品穩(wěn)定,性能可靠,滿足惡劣環(huán)境工況下使用
功率器件是一種專門用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件,主要用于處理大功率電信號(hào)或驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。
2024年3月14日,上?!?024年時(shí)逢應(yīng)用材料公司在華40周年,應(yīng)用材料公司將繼續(xù)參加3月20-22日在上海舉行的SEMICON China。同時(shí),集成電路科學(xué)技術(shù)大會(huì)(CSTIC)2024也將于3月17-18日在上海舉辦。應(yīng)用材料公司將在兩場(chǎng)盛會(huì)中發(fā)表多場(chǎng)主題演講并展示多篇學(xué)術(shù)海報(bào)。
半橋器件采用Trench IGBT技術(shù),可選低VCE(ON)或低Eoff,適用于大電流逆變級(jí)。
新產(chǎn)品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反向恢復(fù)特性。
基于多年積累的豐富半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù),羅姆開(kāi)發(fā)了顛覆傳統(tǒng)的氮化鎵品牌——EcoGaN?系列產(chǎn)品,旨在進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化。為了讓大家全面地了解這一品牌,以及基于EcoGaN?系列的創(chuàng)新型電源解決方案,近日羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理水原德健先生在媒體溝通會(huì)上對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的介紹,并分享了相關(guān)領(lǐng)域的市場(chǎng)趨勢(shì)與技術(shù)發(fā)展。
今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)功率器件的有關(guān)報(bào)道,通過(guò)閱讀這篇文章,大家可以對(duì)功率器件具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。
在電力電子系統(tǒng)中,功率器件作為能量轉(zhuǎn)換的核心元件,發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,由于各種因素的影響,功率器件常常面臨過(guò)流、過(guò)壓、短路等威脅,輕則影響設(shè)備性能,重則導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)癱瘓。因此,功率器件的保護(hù)已成為電力電子領(lǐng)域中不可或缺的一部分。本文將探討功率器件保護(hù)的原理和分類,常見(jiàn)保護(hù)方法及其優(yōu)缺點(diǎn),以及在應(yīng)用中選擇合適保護(hù)方案的重要性。
在電子科技飛速發(fā)展的今天,各式各樣的電子設(shè)備層出不窮。然而,在這些設(shè)備的背后,有一個(gè)重要的組成部分默默地發(fā)揮著關(guān)鍵作用,那就是功率器件。本文將帶你了解功率器件的基本概念、特點(diǎn)以及在科技領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023年10月13日,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌發(fā)布會(huì),暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)。
混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來(lái)的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。
泰克在最近的文章“自動(dòng)執(zhí)行WBG器件的雙脈沖測(cè)試”中探討了如何通過(guò)對(duì)SiC和GaN功率器件等寬帶隙器件自動(dòng)執(zhí)行雙脈沖測(cè)試,從而顯著縮短設(shè)置和分析時(shí)間。
兩年前,泰克交付給美浦森半導(dǎo)體一套DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),這是泰克在華南交付的首臺(tái)DPT1000A。這套SiC功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā),專門用于三代半導(dǎo)體功率器件的動(dòng)態(tài)特性分析測(cè)試,助力全球碳化硅MOSFET領(lǐng)先生產(chǎn)商美浦森及其客戶、合作伙伴加速創(chuàng)新進(jìn)程、快速解決疑難問(wèn)題。
輔助電源單開(kāi)關(guān)反激式線路應(yīng)用,推薦瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列,800V-1500V的研發(fā)及量產(chǎn),填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面。
大功率電源PFC電路推薦,瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管,可提升大功率電源的功率密度和效率,減少體積和降低成本,同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。