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垂直 GaN 技術：在哪些領域會有重大的技術擴張機會？
垂直氮化鎵設備能夠達到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應該導致新一代更有效的電力設備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談論的是學術上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場上找到解決方案?
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Onsemi：使用SIC等功率器件為碳中和做出的貢獻
為可再生能源提供動力以創(chuàng)造更美好的明天，因此，不僅是 GaN 和 SiC 等寬帶隙半導體，還有圍繞電力電子、智能電網(wǎng)、微電網(wǎng)、宏觀電網(wǎng)、人工智能的多種技術，都將支持這種擴展。我們作為技術社區(qū)和工程師的責任是采取行動做某事，所以我們每個人都應該邁出第一步。因此，我們不僅對個人負責，而且對組織負責。那么阻礙零碳和低碳能源更廣泛部署的關鍵技術瓶頸是什么?你認為生產(chǎn)太陽能電池板等的所謂稀有材料的競爭?
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GaN在能源和電力市場已經(jīng)徹底改變了高功率應用
到目前為止，我們已經(jīng)涉足能源和電力市場數(shù)十年，我們的目標確實是為專注于電力轉(zhuǎn)換和儲能應用的客戶提供支持，例如交通運輸、可再生能源、重型工業(yè)機械。我們一直在全球范圍內(nèi)這樣做。所以我想說大約十年前，我們看到對更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術的前沿。
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聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供應鏈和成本
今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場都在增長。電動汽車市場正準備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。
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意法半導體推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT
2023 年 1 月 16日，中國——意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK? SMIT 封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導體先進的ACEPACK? SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術剖析
碳化硅功率器件作為新一代功率半導體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應用，同時也對其動態(tài)特性測試帶來了挑戰(zhàn)。
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飛虹微電子：功率器件客戶對國產(chǎn)廠商質(zhì)量要求更高
在工業(yè)級市場，實際上客戶對國內(nèi)廠商的品質(zhì)要求往往比國外競品更高。無論是采購，還是負責選型的工程師，選擇主流進口品牌的產(chǎn)品都是風險最低的抉擇。因為選擇國產(chǎn)品牌，萬一出問題，相關負責人要承擔極大的問責。
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RS瑞森半導體之LLC方案設計有“理”可依
瑞森半導體照明方案利用LLC諧振電路工作原理構成PFC電路，實現(xiàn)高PF(可高達0.99）和低THD(小于10%）兩個性能，節(jié)省APFC電路中所需要的芯片和PFC電感與MOS，極大減少了元件數(shù)量
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RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
瑞森半導體提供不同功率的碳化硅二極管助力太陽能逆變器市場的發(fā)展
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RS瑞森半導體低壓MOS在電動車控制器中的應用
瑞森半導體低壓MOS-SGT產(chǎn)品，具有參數(shù)一致性高、抗沖擊能力強等特點，為電動車駕乘提供有力保障
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提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
本文介紹了提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法，希望能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術選擇介紹和發(fā)展情況
最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構是在柵極上使用 p-GaN 層。實現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關應用中的固有優(yōu)勢得以保留，并且開關損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點之一是其低 Vt，這可能導致柵極對噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負電壓來關閉器件。
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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術選擇介紹
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個關鍵性能指標上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導通損耗可以通過較低的 Rdson 降低，而動態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當它與鋁基異質(zhì)結(jié)構結(jié)合時形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
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RS瑞森半導體低壓MOS在小家電的應用
多款低壓MOS產(chǎn)品應用在九陽小家電上，瑞森半導體堅持“首件確認，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長期合作伙伴
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RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內(nèi)市場空白
瑞森半導體研發(fā)出耐壓更高、導通內(nèi)阻更低的900V-1500V的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面
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英飛凌的新建工廠計劃，擴大功率器件的產(chǎn)能
英飛凌擴展印度尼西亞后端站點以滿足汽車 IC 需求 作為其長期投資戰(zhàn)略的一部分，德國芯片制造商英飛凌科技表示，它計劃擴大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務。預計將于 2024 年開始生產(chǎn)。
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高溫對電氣設備的影響分析，電氣設備的熱分析
有沒有想過人們對電路過熱引起的電涌引起的爆炸以及電器損壞甚至火災的后果的反應?人們在身體、情感和心理上受到創(chuàng)傷的方式促使電力行業(yè)的專家將注意力集中在分析電力行為上。這樣，可以防止此類損壞，如果可能的話，可以通過適當?shù)臒峁芾硐祟悡p壞。
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排名前 10 名開關和繼電器-繼電器器件
與開關一樣，繼電器也有多種形式，包括通用型、電源型、簧片型以及接觸器，它們旨在處理非常高的電流和電壓以及固態(tài)設備。
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鉭電容器的優(yōu)點和器件最新發(fā)展，鉭電容產(chǎn)品操作指南
鉭電容器為高密度、高性能電子電路的設計人員提供了性能穩(wěn)定的可靠高電容解決方案。鉭電容器歷來深受設計工程師的喜愛，廣泛用于大容量儲能、濾波和去耦等應用。鉭電容器技術的進步包括聚合物陰極系統(tǒng)的成熟，這帶來了更低的有效串聯(lián)電阻 (ESR)、封裝密度的顯著提高以及有效串聯(lián)電感 (ESL) 的降低。在這里，我們將研究這些發(fā)展對績效的影響。
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RS瑞森半導體在電動工具、鋰電保護板上的應用
瑞森RS40N130G型號及低壓MOSFET-SGT系列?在電動工具、鋰電保護板上的應用
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