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選擇功率 MOSFET 的簡單指南
鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計。
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如何在我們的項目中選擇合適的 MOSFET 器件
隨著為個人計算機 (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實變得更加復雜。當我們添加其他控制損耗機制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動電壓)時，我們需要處理更復雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。
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關(guān)于氮化鎵實際使用的熱管理方面討論
所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設(shè)計，它可以擴展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上認為我們已經(jīng)實現(xiàn)了最初目標的方式。
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多層外延工藝超結(jié)MOS在電源中的應(yīng)用
瑞森超結(jié)mos對標英飛凌產(chǎn)品性能，看其在電源中的應(yīng)用
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英領(lǐng)物聯(lián) | 成為“功率器件”的大滿貫選手
從碳達峰到碳中和，無疑是需要付出艱苦努力的。對于半導體行業(yè)從業(yè)者們來說，則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會在未來幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信，面對浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)，通過持續(xù)的材料、技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新，英飛凌將為產(chǎn)業(yè)帶來更多低碳、高效的互聯(lián)解決方案。
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我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?
我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱悠?。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價值呢?我們期望在哪里看到下一波增長?
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氮化鎵技術(shù)討論，第二部分
目前有幾個 GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠不止兩個，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強模式GaN。由于我的第一家公司，級聯(lián) GaN 實際上是第一個誕生的。當功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級聯(lián)的 GaN 解決方案時，我就在那里。
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氮化鎵技術(shù)討論，第一部分
氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級的效率。GaN 很有吸引力，因為它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動下一步的改進。
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分析SiC器件的成本競爭力，第四部分
目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來，重點將放在開發(fā)用于擴大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認為，未來未來，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場的很大一部分，很大一部分，可以說是電動汽車。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對于實現(xiàn)這些市場滲透尤為重要。那么，高價格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來為下一個市場未來降低價格?
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分析SiC器件的成本競爭力，第二部分
如我們所知，目前增長最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強調(diào)了一些為電動汽車提供模塊的長期合同。
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分析SiC器件的成本競爭力，第一部分
在多個能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個能源行業(yè)擴展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動汽車和新能源等領(lǐng)域的重要性，許多公司正在評估和投資晶圓技術(shù)。在華威大學 SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術(shù)。
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封裝、集成和快速切換：已經(jīng)取得了什么成就，下一步發(fā)展是什么？
今天，由于該領(lǐng)域眾多公司的研究，功率器件已達到極高的效率水平。優(yōu)異的成績是由于不同電子和物理部門的協(xié)同作用，它們結(jié)合在一起，可以達到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實現(xiàn)非常高的效率，尤其是在高開關(guān)速度下，從而積極利用所有可用功率。
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GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因為 GaN FET 的平滑開關(guān)特性導致注入放大器的可聽噪聲更少。
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泰克先進半導體開放實驗室在北京盛情開幕，提供一站式、全方位測試服務(wù)
這是全國首個企業(yè)級第三代半導體功率器件測試服務(wù)實驗室！
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GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本
氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導體技術(shù)，已成為精密電力電子學發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。
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GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第二部分
在電機驅(qū)動應(yīng)用中，功率器件需要承受過載或故障條件，這些條件會造成器件處于高電壓和高電流導通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會導致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件，之前將 1us 視為正常響應(yīng)時間。幾項關(guān)于 GaN HEMT 的研究報告了更短的 SCWT 時間，這被認為是來自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時小于 500ns。
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博世創(chuàng)業(yè)投資公司投資致能科技，加速第三代半導體布局
以高性能GaN器件應(yīng)對能源管理挑戰(zhàn)！
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GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分
GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機會以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強調(diào)每個方面的一些權(quán)衡。
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第五部分
我的最后一個問題是關(guān)于展望未來：您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱悠?。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的價值?我們期望在哪里看到下一波增長?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第四部分
現(xiàn)在討論的一個主題是器件的熱管理方面，而寬帶隙半導體、氮化鎵，但不僅是碳化硅解決方案，承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知，在將這些設(shè)備設(shè)計到系統(tǒng)中時，設(shè)計人員還需要考慮熱管理問題。那么，您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么，您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?
