功率器件

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

今年中功率器件LED產(chǎn)值將超越大功率LED

進(jìn)入2013年，LED封裝市場(chǎng)結(jié)構(gòu)發(fā)生很大變化，LED中功率市場(chǎng)快速增長。高工LED產(chǎn)業(yè)研究所(GLII)最新發(fā)布報(bào)告指出，2012年中國大陸LED封裝市場(chǎng)規(guī)模為397億元，同比增長24%。其中，LED大功率器件市場(chǎng)規(guī)模104.7億元，同比

消費(fèi)電子
2013-11-19

大功率LED 功率器件小功率 LED燈具
LED應(yīng)用是塊體GaN市場(chǎng)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)計(jì)，毫無疑問，LED技術(shù)的市場(chǎng)份額將會(huì)超過傳統(tǒng)燈泡和光管業(yè)務(wù)。LED廠商最近發(fā)布的新聞(比如LED光效超過150lm/W)證明了LED性能已與傳統(tǒng)燈泡和光管差不多。塊體氮化鎵

顯示光電
2013-11-16

晶圓 LED GAN 功率器件
Diodes推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903，以擴(kuò)充旗下霍爾效應(yīng)開關(guān)產(chǎn)品系列。這兩款器件能節(jié)省功耗和空間，并使設(shè)計(jì)更靈活，有助于提

功率器件
2013-11-07

封裝微功率 DIODES 功率器件
士蘭微:新品成長,業(yè)績上行滿足

事項(xiàng)公司公布2013年三季度報(bào)告,前三季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入11.68億元,同比增長20.58%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤7828.96萬元,同比增長404.74%,扣除非經(jīng)常損益后的凈利潤實(shí)現(xiàn)了扭虧為盈,達(dá)到3523.24萬元,相較歷史同期虧

半導(dǎo)體
2013-11-02

分立器件 DM LED產(chǎn)品功率器件
功率器件供應(yīng)趨緊各廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)能

自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨

消費(fèi)電子
2013-10-28

硅芯片功率晶體管功率MOSFET 功率器件
IMEC與Veeco合作可降低GaN

比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學(xué)家Barun Dutta評(píng)論說，“Veeco MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力，可重復(fù)性，均勻性和

顯示光電
2013-09-28

LED 硅基氮化鎵 GAN 功率器件
張乃千：Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。&

顯示光電
2013-09-24

電流硅基氮化鎵 GAN 功率器件
張乃千： Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 9月5日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、中國國際光電博覽會(huì)共同主辦的“首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北

顯示光電
2013-09-20

LED 硅基氮化鎵 GAN 功率器件
功率器件供應(yīng)趨緊廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

【導(dǎo)讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要

半導(dǎo)體
2013-09-18

功率晶體管微米 BCD 功率器件
功率器件供應(yīng)趨緊，廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)線產(chǎn)能

【導(dǎo)讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要

半導(dǎo)體
2013-09-18

英飛凌功率半導(dǎo)體 BSP 功率器件
IMEC和Veeco合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件和LED的成本。IMEC的首席科學(xué)家BarunDutta評(píng)論說，“VeecoMOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力，可重復(fù)性，均勻性和晶體質(zhì)量為我們?cè)?/p>
半導(dǎo)體
2013-09-12

LED 硅基氮化鎵 GAN 功率器件
新能源開發(fā)為功率器件市場(chǎng)帶來新機(jī)遇

【導(dǎo)讀】從目前國內(nèi)新能源市場(chǎng)的開發(fā)進(jìn)展來看，主要熱點(diǎn)集中在可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域。可再生能源又可分為風(fēng)力發(fā)電和太陽能光伏發(fā)電兩種，對(duì)于這兩大市場(chǎng)，三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場(chǎng)營

半導(dǎo)體
2013-09-12

新能源 MOSFET BSP 功率器件
新能源為功率器件市場(chǎng)帶來新商機(jī)

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍日益廣泛，不同的應(yīng)用對(duì)于器件的要求也不盡相同，這使得廠商開始走向行業(yè)化解決方案的道路。國際整流器公司(IR)亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉指出，功率器件

電源-能源動(dòng)力
2013-09-05

電子新能源 MOSFET 功率器件
Veeco與IMEC宣布合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學(xué)家Barun Dutta評(píng)論說，“Veeco MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力，可重復(fù)性，均勻性和晶體質(zhì)量為我們

顯示光電
2013-09-04

LED 硅基氮化鎵 GAN 功率器件
功率器件的利器 GaN

GaN是什么?什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.

消費(fèi)電子
2013-09-02

基站富士通 GAN 功率器件
富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

有助于提供尺寸更小、效率更高的電源芯片產(chǎn)品，適用范圍涉及電信、工業(yè)設(shè)備、汽車電子等21ic訊富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件

功率器件
2013-07-23

半導(dǎo)體富士通 GAN 功率器件
富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

21ic訊富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于

模擬
2013-07-23

半導(dǎo)體富士通 GAN 功率器件
士蘭微2013上半年凈利預(yù)增250%至300%

士蘭微發(fā)布2013 年半年度業(yè)績預(yù)告，預(yù)計(jì)2013 年 1-6 月份實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤與上年同期相比，將增加 250%至 300%，2012年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤為10,210,291.89 元。士蘭微表示，業(yè)績預(yù)增主

顯示光電
2013-07-11

LED 智能終端照明功率器件
強(qiáng)者愈強(qiáng) 弱者難存 led企業(yè)開始走向兩極分化

2013，在進(jìn)一步深入整合的大環(huán)境中，LED企業(yè)將開始向兩極分化過渡，正如當(dāng)前智能手機(jī)行業(yè)的競(jìng)爭趨勢(shì)是向兩極發(fā)展的“M”型，這與LED行業(yè)也有一定的相似度。其實(shí)，

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2013-06-17

LED 圖形化室內(nèi)照明功率器件
LED企業(yè)將向兩極分化過渡

2013，在進(jìn)一步深入整合的大環(huán)境中，LED企業(yè)將開始向兩極分化過渡，正如當(dāng)前智能手機(jī)行業(yè)的競(jìng)爭趨勢(shì)是向兩極發(fā)展的“M”型，這與LED行業(yè)也有一定的相似度。其實(shí)，產(chǎn)業(yè)整合從2012年已經(jīng)開始。繼一連串的整并與入股事

顯示光電
2013-06-17

LED 圖形化室內(nèi)照明功率器件

首頁上一頁 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 下一頁尾頁

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

功率器件

今年中功率器件LED產(chǎn)值將超越大功率LED

LED應(yīng)用是塊體GaN市場(chǎng)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

Diodes推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903

士蘭微:新品成長,業(yè)績上行滿足

功率器件供應(yīng)趨緊各廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)能

IMEC與Veeco合作可降低GaN

張乃千：Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

張乃千： Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

功率器件供應(yīng)趨緊廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

功率器件供應(yīng)趨緊，廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)線產(chǎn)能

IMEC和Veeco合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

新能源開發(fā)為功率器件市場(chǎng)帶來新機(jī)遇

新能源為功率器件市場(chǎng)帶來新商機(jī)

Veeco與IMEC宣布合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本

功率器件的利器 GaN

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

士蘭微2013上半年凈利預(yù)增250%至300%

強(qiáng)者愈強(qiáng) 弱者難存 led企業(yè)開始走向兩極分化

LED企業(yè)將向兩極分化過渡

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻