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國產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開
當前，在日益嚴峻的環(huán)境問題和能源消耗的壓力之下，綠色能源領域正成為世界各國的發(fā)展目標，由此也帶動了整個功率半導體行業(yè)的發(fā)展，尤其是功率半導體核心器件——IGBT。在中國，為了適應大環(huán)境的需求，扶持相關企業(yè)
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碳化硅量產(chǎn)給我國提供后發(fā)優(yōu)勢
北極星自動化網(wǎng)訊:為了緩解能源危機，國家大力倡導綠色能源，發(fā)展光伏發(fā)電、風能發(fā)電。在電能的產(chǎn)生、輸送和分配過程中，電力傳送效率和使用效率至關重要。當前的電力傳輸功率器件主要是基于半導體硅材料，由于硅的物
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新型SiC功率器件在Boost電路中的應用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在實際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關特性的影響，以及開關頻率與傳輸效率的關系進行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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國產(chǎn)第三代半導體量產(chǎn)實現(xiàn)零突破
日前，中關村企業(yè)泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(以下簡稱“泰科天潤”)研發(fā)的第三代半導體碳化硅肖特基二極管等多個產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋600V-3300V等中高壓范圍。這標志著中國已成為繼美歐日之
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今年中功率器件LED產(chǎn)值將超越大功率LED
進入2013年，LED封裝市場結構發(fā)生很大變化，LED中功率市場快速增長。高工LED產(chǎn)業(yè)研究所(GLII)最新發(fā)布報告指出，2012年中國大陸LED封裝市場規(guī)模為397億元，同比增長24%。其中，LED大功率器件市場規(guī)模104.7億元，同比
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LED應用是塊體GaN市場的關鍵驅動力
LED半導體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預計，毫無疑問，LED技術的市場份額將會超過傳統(tǒng)燈泡和光管業(yè)務。LED廠商最近發(fā)布的新聞(比如LED光效超過150lm/W)證明了LED性能已與傳統(tǒng)燈泡和光管差不多。塊體氮化鎵
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Diodes推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903，以擴充旗下霍爾效應開關產(chǎn)品系列。這兩款器件能節(jié)省功耗和空間，并使設計更靈活，有助于提
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士蘭微:新品成長,業(yè)績上行滿足
事項公司公布2013年三季度報告,前三季度實現(xiàn)營業(yè)收入11.68億元,同比增長20.58%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤7828.96萬元,同比增長404.74%,扣除非經(jīng)常損益后的凈利潤實現(xiàn)了扭虧為盈,達到3523.24萬元,相較歷史同期虧
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功率器件供應趨緊 各廠商全速擴充產(chǎn)能
自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結構、新技術的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關態(tài)擊穿與開態(tài)導通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨
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IMEC與Veeco合作可降低GaN
比利時納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進行項目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學家Barun Dutta評論說，“Veeco MOCVD設備的生產(chǎn)力，可重復性，均勻性和
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張乃千：Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析
2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南京大學、北京大學、科銳公司、西安電子科技大學等研究機構以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會議。&
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張乃千： Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析
LED半導體照明網(wǎng)訊 9月5日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、中國國際光電博覽會共同主辦的“首屆第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南京大學、北
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功率器件供應趨緊 廠商加速擴產(chǎn)
【導讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結構、新技術的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關態(tài)擊穿與開態(tài)導通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要
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功率器件供應趨緊，廠商全速擴充產(chǎn)線產(chǎn)能
【導讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結構、新技術的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關態(tài)擊穿與開態(tài)導通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要
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IMEC和Veeco合作力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本
比利時納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進行項目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件和LED的成本。IMEC的首席科學家BarunDutta評論說，“VeecoMOCVD設備的生產(chǎn)力，可重復性，均勻性和晶體質量為我們在
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新能源開發(fā)為功率器件市場帶來新機遇
【導讀】從目前國內(nèi)新能源市場的開發(fā)進展來看，主要熱點集中在可再生能源、新能源汽車等領域。 可再生能源又可分為風力發(fā)電和太陽能光伏發(fā)電兩種，對于這兩大市場，三菱電機機電(上海)有限公司半導體事業(yè)部市場營
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新能源為功率器件市場帶來新商機
功率半導體的應用范圍日益廣泛，不同的應用對于器件的要求也不盡相同，這使得廠商開始走向行業(yè)化解決方案的道路。國際整流器公司(IR)亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉指出，功率器件
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Veeco與IMEC宣布合作 力圖降低GaN-on-Si生產(chǎn)成本
比利時納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進行項目合作，旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學家Barun Dutta評論說，“Veeco MOCVD設備的生產(chǎn)力，可重復性，均勻性和晶體質量為我們
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功率器件的利器 GaN
GaN是什么?什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.
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富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
有助于提供尺寸更小、效率更高的電源芯片產(chǎn)品，適用范圍涉及電信、工業(yè)設備、汽車電子等21ic訊 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件
