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新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場(chǎng)仍然來(lái)自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域，且在一段時(shí)間內(nèi)將會(huì)持續(xù)保持一定的成長(zhǎng)率。但就未來(lái)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽(yáng)能光伏、電動(dòng)車(chē)、LED照明及顯
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新能源市場(chǎng)已成為功率MOSFET強(qiáng)勁增長(zhǎng)助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場(chǎng)仍然來(lái)自于手機(jī)及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域，且在一段時(shí)間內(nèi)將會(huì)持續(xù)保持一定的成長(zhǎng)率。但就未來(lái)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽(yáng)能光伏、電動(dòng)車(chē)、LED照明及顯
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GaN發(fā)展勢(shì)頭迅猛 提前達(dá)到10億美元市場(chǎng)規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬(wàn)美元的資金（主要投向美國(guó)Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN發(fā)展勢(shì)頭迅猛 提前達(dá)到10億美元市場(chǎng)規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬(wàn)美元的資金（主要投向美國(guó)Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN發(fā)展將比預(yù)想更早形成10億美元市場(chǎng)
即使目前只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬(wàn)美元的資金(主要投向美國(guó)Transphorm公司)。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、照明器具及IT(信息通信)設(shè)備
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件設(shè)計(jì)所需要的一些技巧
標(biāo)簽：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)
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功率器件的新時(shí)代汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)
過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷?chē)電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
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英飛凌推出第二代嵌入式功率器件TLE983x
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列將一顆功能強(qiáng)大的8位單片機(jī)與LIN收發(fā)器及相關(guān)外設(shè)集成到一顆芯片上，以滿足對(duì)空間和成本都很敏感的車(chē)身應(yīng)用的
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英飛凌推出第二代嵌入式功率器件TLE983x
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列將一顆功能強(qiáng)大的8位單片機(jī)與LIN收發(fā)器及相關(guān)外設(shè)集成到一顆芯片上，以滿足對(duì)空間和成本都很敏感的車(chē)身應(yīng)用的
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模塊電源的熱分析及處理設(shè)計(jì)
以小體積著稱(chēng)的模塊電源，正朝著低電壓輸入、大電流輸出，以及大的功率密度方向發(fā)展。但是，高集成度、高功率密度會(huì)使得其單位體積上的溫升越來(lái)越成為影響系統(tǒng)可靠工作、性能提升的最大障礙。統(tǒng)計(jì)資料表明，電子元器
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長(zhǎng)電科技：芯片封裝龍頭再攀高峰
長(zhǎng)電科技是我國(guó)知名的半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)基地，擁有多種芯片測(cè)試、封裝設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試產(chǎn)品線并能提供整套解決方案，在國(guó)內(nèi)是電子百?gòu)?qiáng)企業(yè)。同時(shí)在全球市場(chǎng)也憑借高端封裝技術(shù)和銷(xiāo)售規(guī)模，已在2009年便躋身全球前十大
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華虹NEC：深耕特色工藝平臺(tái)，輻射熱點(diǎn)應(yīng)用
作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺(tái)，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動(dòng)、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺(tái)。在今年IIC-China展會(huì)上，華虹NEC集中展示
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電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）
中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見(jiàn)的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的
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電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）
中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見(jiàn)的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的
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電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）
中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見(jiàn)的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的
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電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）
中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見(jiàn)的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)
高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專(zhuān)為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術(shù)
高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其 RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專(zhuān)為高電壓功率器件而優(yōu)化的
