華邦電有望在移動(dòng)DRAM動(dòng)蕩期嶄露頭角

分析師表示，時(shí)序邁入第3季出貨旺季，由于三星旗艦機(jī)Note 7剛上市、新一代iPhone即將推出，加上中國品牌手機(jī)出貨未見停歇，都讓移動(dòng)式存儲(chǔ)器的需求同步大增。

嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法和策略

隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯

Xilinx擴(kuò)展產(chǎn)品路線圖為數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)

全可編程技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布擴(kuò)展其16nm UltraScale+™ 產(chǎn)品路線圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)。其成品將

3D NAND技術(shù)大戰(zhàn)爆發(fā)前廠商們?cè)谧錾?/a>

手機(jī)缺少LPDD4和雙通道RAM就Out啦

據(jù)悉，今年的iPhone 7系列可能會(huì)搭載3GB RAM，提升整體性能。至于Android 7.0，一個(gè)醒目的新功能分屏多任務(wù)，將成為系統(tǒng)的基本功能，或許多RAM容量的要求會(huì)更高。

泛林推出業(yè)界首創(chuàng)的用于低氟鎢填充的原子層沉積工藝，推動(dòng)下一代存儲(chǔ)器制造

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)(納斯達(dá)克股票代碼：LRCX)今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS® 產(chǎn)品系列又添新成員。

三步談構(gòu)建中國存儲(chǔ)器夢

中國發(fā)展存儲(chǔ)器業(yè)是國策，是塊硬骨頭，目前己無退路，只有向前挺進(jìn)?，F(xiàn)階段各種模式都可以嘗試一下，從目前的態(tài)勢肯定走自主研發(fā)道路的風(fēng)險(xiǎn)要更大些，因此要集中國內(nèi)的最頂級(jí)人材。

提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法

行業(yè)專家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。

賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM 存儲(chǔ)器簡化嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

HyperRAM 是業(yè)內(nèi)首款基于12引腳HyperBus 接口的自刷新DRAM，可用于各類高性能應(yīng)用的外置便箋式存儲(chǔ)器

一種新型非易失性存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用

縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲(chǔ)器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導(dǎo)地位，F(xiàn)RAM只有美國

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)(Altera FPGA開發(fā)板)如下圖所示：

慧榮科技攜嵌入式存儲(chǔ)和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì)

2016年2月24日，美國加州Milpitas——在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation

片外FIash存儲(chǔ)器IAP的n種方案

引 言以ARM芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對(duì)操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們?cè)絹碓蕉嗟那嗖A。包括工業(yè)控制領(lǐng)域

基于單片機(jī)的超大容量存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

0 引言隨著信息技術(shù)的發(fā)展，在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中需要采集存儲(chǔ)的信息越來越多，相應(yīng)地使用了各種數(shù)據(jù)采集裝置，以獲得被研究對(duì)象的相關(guān)信息。有時(shí)為了節(jié)約時(shí)間和計(jì)算機(jī)資源，一

三星與對(duì)手反其道而行　縮減存儲(chǔ)器資本支出

存儲(chǔ)器龍頭三星電子(Samsung Electronics)為了對(duì)應(yīng)市場消沉的狀況，預(yù)計(jì)將大幅縮減2016年的投資。比起大量生產(chǎn)，將以高附加價(jià)值產(chǎn)品為中心，只進(jìn)行保守性的投資，是要確保

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需

μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置

背景如果對(duì)ST公司的μPSD器件有一定了解，熟悉MCS-51系列單片機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理，使用過PSDSOFT EXPRESS和KEIL開發(fā)設(shè)計(jì)，將對(duì)理解本文有很大的幫助。MCS-51單片機(jī)采用哈

便攜式、低功耗體電信號(hào)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)研究

摘要：介紹目前市場上最常見的幾種非易失低功耗靜態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)，詳細(xì)說明Compact Flash Card軟、硬件接口;提出基于Compact Flash Card和TI公司的C24x、C28x系列DSP搭建體電信

東芝巨虧294億大規(guī)模裁員 醫(yī)療系統(tǒng)將被出售

近日，由于2015財(cái)年預(yù)計(jì)出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的5500億日元(約合人民幣294億元)凈虧損，東芝公司最終決定進(jìn)行大規(guī)模裁員：東芝宣布將在業(yè)績不佳的家電部門和總公司實(shí)施提前退休和崗位調(diào)整，裁員約7800人，加上已決定裁員的半導(dǎo)體相關(guān)部門，裁員總數(shù)約達(dá)10600人。其中，宣布將醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療(栃木縣大田原市)系統(tǒng)50%以上的股份轉(zhuǎn)讓給其他公司。

主存儲(chǔ)器部件的組成與設(shè)計(jì)

1、主存儲(chǔ)器概述(1)主存儲(chǔ)器的兩個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)◎讀寫速度：常常用存儲(chǔ)周期來度量，存儲(chǔ)周期是連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作(如讀操作)所必需的時(shí)間間隔?！虼鎯?chǔ)容量：通常