存儲器
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串并口F-RAMW系列存儲器
世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接
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TMS320C6678 存儲器訪問性能 （上）
摘要TMS320C6678 有8 個C66x 核，典型速度是1GHz，每個核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM 和 512KB LL2 SRAM;所有 DSP 核共享 4MB SL2 SRAM。一個 64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM 接口可以支持8GB 外部擴展存儲器。存儲
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NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)
O 引言Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)
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帶校準功能、耐伽瑪輻射的存儲器，杜絕醫(yī)用產(chǎn)品的重復(fù)濫用_
Maxim Integrated 推出耐伽瑪輻射的非易失(NV) 1-Wire®存儲器DS28E80，很容易實現(xiàn)醫(yī)用傳感器耗材的校準、監(jiān)測，并可有效控制一次性醫(yī)用產(chǎn)品的重復(fù)使用，避免潛在的健康風(fēng)險。一次性醫(yī)用傳感器和耗材通常采用伽
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用FPGA器件提升物聯(lián)網(wǎng)和其它聯(lián)網(wǎng)設(shè)計的安全性
在現(xiàn)今日益趨向超連接的世界(hyper-connected world)中，如何保護新的設(shè)計避免被克隆、反向工程和/或篡改是一項重大挑戰(zhàn)。FPGA器件通過加入滿足器件級安全需求的特性，來幫助實現(xiàn)這些目標。日益增長的IoT安全需求物
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意法半導(dǎo)體和Memoir Systems整合突破性的存儲器技術(shù)和半導(dǎo)體制造技術(shù)
這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設(shè)計更簡單中國，2013年11月20日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronic
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新聞大爆炸：英特爾80億元并購?fù)?意在CDMA領(lǐng)域圈地
目錄 1.百度拉手德三大汽車廠商，欲團購諾基亞Here地圖 2.高通Zeroth技術(shù)把機器學(xué)習(xí)的能力引入移動平臺 3.NASA開發(fā)出十旋翼無人機“閃電” 4.步摩托
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一損俱損，PC帶弱DRAM需求，1Q市值大降
個人電腦(PC)需求委靡不振，DRAM報價持續(xù)下滑，導(dǎo)致全球DRAM產(chǎn)值縮水，根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce統(tǒng)計，2015年第1季全球DRAM產(chǎn)值約為120億美元，較上季減少7.5%，龍頭廠三星電
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
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指甲大小芯片裝千部高清電影，超級存儲器有這么不可思議
想象一下，在指甲大小的芯片上蓋起9層高樓，難度有多大?昨日，楚天金報從總部位于光谷的武漢新芯集成電路制造有限公司(下稱：武漢新芯)獲悉，經(jīng)過半年技術(shù)攻關(guān)，該公司首個
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FPGA的圖像處理技術(shù)，你知道多少？
最近一段時間一直在研究基于FPGA的圖像處理，乘著這個機會和大家交流一下，自己也順便總結(jié)一下。主要是為了大家對用FPGA做圖像處理有個感性的認識，如果真要研究的話就得更加深入學(xué)習(xí)了。本人水平有限，如有錯誤，歡
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經(jīng)驗之談，工程師在電路設(shè)計中的八大誤區(qū)
我們常常會發(fā)現(xiàn)，自己想當然的一些規(guī)則或道理往往會存在一些差錯。電子工程師在電路設(shè)計中也會有這樣的例子。下面是一位工程師總結(jié)的八大誤區(qū)點?，F(xiàn)象一：這板子的PCB設(shè)計要求不高，就用細一點的線，自動布吧點評：
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物聯(lián)網(wǎng)推動全球半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)強勁增長
全球半導(dǎo)體業(yè)自2010年增長32.5%之后，一直小幅徘徊。業(yè)界較為一致的觀點是，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已趨成熟，很難再有兩位數(shù)以上的增長。然而據(jù)WSTS公布的數(shù)據(jù)，2014年全球半導(dǎo)體業(yè)增長達9.9%，達到3358億美元，連續(xù)兩年刷新歷史
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8月NAND合約價 較上月跌近2成
根據(jù)研調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價較7月重跌11~18%。集邦科技表示
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嵌入式存儲器的設(shè)計方法和策略
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯
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存儲器價格飆升 DRAM廠營運旺
DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立，加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標準型存儲器部位影響下，主流模塊4GB均價在第2季上揚16%，由23.5美元漲至27.25美元
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東芝 開啟中國半導(dǎo)體、存儲產(chǎn)品新紀元
東芝集團的經(jīng)營范圍覆蓋從生活消費品到支撐城市發(fā)展的基礎(chǔ)設(shè)施，尤其是在城鎮(zhèn)化建設(shè)日新月異的中國，東芝在電力、樓宇，還有智能城市的建設(shè)方面不斷提出新的構(gòu)想。2014年，東芝提出了全新事業(yè)理念,“Human Sma
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Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存儲器
新款SuperFlash存儲器工作電壓范圍低至1.65-1.95VMicrochip Technology Inc.(美國微芯科技公司)發(fā)布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件，擴展其1.8V Serial Quad I/O™(SQI)SuperFlash®系列存儲器。新器件備
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英特爾新技術(shù):存儲器耗電至少降低25倍
英特爾在臺舉辦亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會，展示和工研院合作開發(fā)的新記憶體技術(shù)，較現(xiàn)有DDR DRAM記憶體更省電，耗電降低至少25倍，未來可望為行動運算裝置延長電池使用時間。英特爾
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實時示波器和采樣示波器的區(qū)別是什么
在過去從事工程學(xué)工作時，我曾經(jīng)接手一個研究項目——把D型光纖浸在酸液池中數(shù)小時，表征它的光傳輸特性。我發(fā)現(xiàn)有一個全新的示波器，于是選擇它作為工具。連續(xù)兩周我都在開發(fā)測試夾具和編寫軟件，由于缺
