世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器,W系列器件帶有串口I2C、SPI接
摘要TMS320C6678 有8 個(gè)C66x 核,典型速度是1GHz,每個(gè)核有 32KB L1D SRAM,32KB L1P SRAM 和 512KB LL2 SRAM;所有 DSP 核共享 4MB SL2 SRAM。一個(gè) 64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM 接口可以支持8GB 外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)
O 引言Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)
Maxim Integrated 推出耐伽瑪輻射的非易失(NV) 1-Wire®存儲(chǔ)器DS28E80,很容易實(shí)現(xiàn)醫(yī)用傳感器耗材的校準(zhǔn)、監(jiān)測(cè),并可有效控制一次性醫(yī)用產(chǎn)品的重復(fù)使用,避免潛在的健康風(fēng)險(xiǎn)。一次性醫(yī)用傳感器和耗材通常采用伽
在現(xiàn)今日益趨向超連接的世界(hyper-connected world)中,如何保護(hù)新的設(shè)計(jì)避免被克隆、反向工程和/或篡改是一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)。FPGA器件通過(guò)加入滿足器件級(jí)安全需求的特性,來(lái)幫助實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。日益增長(zhǎng)的IoT安全需求物
這一整合讓嵌入式存儲(chǔ)器速度更快、散熱更低、設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單中國(guó),2013年11月20日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronic
目錄 1.百度拉手德三大汽車(chē)廠商,欲團(tuán)購(gòu)諾基亞Here地圖 2.高通Zeroth技術(shù)把機(jī)器學(xué)習(xí)的能力引入移動(dòng)平臺(tái) 3.NASA開(kāi)發(fā)出十旋翼無(wú)人機(jī)“閃電” 4.步摩托
個(gè)人電腦(PC)需求委靡不振,DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下滑,導(dǎo)致全球DRAM產(chǎn)值縮水,根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì),2015年第1季全球DRAM產(chǎn)值約為120億美元,較上季減少7.5%,龍頭廠三星電
行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
想象一下,在指甲大小的芯片上蓋起9層高樓,難度有多大?昨日,楚天金報(bào)從總部位于光谷的武漢新芯集成電路制造有限公司(下稱(chēng):武漢新芯)獲悉,經(jīng)過(guò)半年技術(shù)攻關(guān),該公司首個(gè)
最近一段時(shí)間一直在研究基于FPGA的圖像處理,乘著這個(gè)機(jī)會(huì)和大家交流一下,自己也順便總結(jié)一下。主要是為了大家對(duì)用FPGA做圖像處理有個(gè)感性的認(rèn)識(shí),如果真要研究的話就得更加深入學(xué)習(xí)了。本人水平有限,如有錯(cuò)誤,歡
我們常常會(huì)發(fā)現(xiàn),自己想當(dāng)然的一些規(guī)則或道理往往會(huì)存在一些差錯(cuò)。電子工程師在電路設(shè)計(jì)中也會(huì)有這樣的例子。下面是一位工程師總結(jié)的八大誤區(qū)點(diǎn)?,F(xiàn)象一:這板子的PCB設(shè)計(jì)要求不高,就用細(xì)一點(diǎn)的線,自動(dòng)布吧點(diǎn)評(píng):
全球半導(dǎo)體業(yè)自2010年增長(zhǎng)32.5%之后,一直小幅徘徊。業(yè)界較為一致的觀點(diǎn)是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已趨成熟,很難再有兩位數(shù)以上的增長(zhǎng)。然而據(jù)WSTS公布的數(shù)據(jù),2014年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)達(dá)9.9%,達(dá)到3358億美元,連續(xù)兩年刷新歷史
根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%。集邦科技表示
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯
DRAMeXchange表示,由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立,加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器部位影響下,主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚(yáng)16%,由23.5美元漲至27.25美元
東芝集團(tuán)的經(jīng)營(yíng)范圍覆蓋從生活消費(fèi)品到支撐城市發(fā)展的基礎(chǔ)設(shè)施,尤其是在城鎮(zhèn)化建設(shè)日新月異的中國(guó),東芝在電力、樓宇,還有智能城市的建設(shè)方面不斷提出新的構(gòu)想。2014年,東芝提出了全新事業(yè)理念,“Human Sma
新款SuperFlash存儲(chǔ)器工作電壓范圍低至1.65-1.95VMicrochip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)發(fā)布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件,擴(kuò)展其1.8V Serial Quad I/O™(SQI)SuperFlash®系列存儲(chǔ)器。新器件備
英特爾在臺(tái)舉辦亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會(huì),展示和工研院合作開(kāi)發(fā)的新記憶體技術(shù),較現(xiàn)有DDR DRAM記憶體更省電,耗電降低至少25倍,未來(lái)可望為行動(dòng)運(yùn)算裝置延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。英特爾
在過(guò)去從事工程學(xué)工作時(shí),我曾經(jīng)接手一個(gè)研究項(xiàng)目——把D型光纖浸在酸液池中數(shù)小時(shí),表征它的光傳輸特性。我發(fā)現(xiàn)有一個(gè)全新的示波器,于是選擇它作為工具。連續(xù)兩周我都在開(kāi)發(fā)測(cè)試夾具和編寫(xiě)軟件,由于缺