引言:DDR4 等存儲技術(shù)的發(fā)展帶動存儲器速度與功率效率空前提升,僅僅停留在一致性測試階段,已經(jīng)不能滿足日益深入的調(diào)試和評估需求。DDR 存儲器的測試項目涵蓋了電氣特性和時序關(guān)系,由JEDEC明確定義,JEDEC 規(guī)范并
存儲器系統(tǒng)的復(fù)位電路(TLC7XX)
幀存儲器電路
MP4機的存儲器電路
ACU7505芯片MP3機的存儲器電路
通過在基于飛思卡爾系統(tǒng)的解決方案中采用F-RAM存儲器快速構(gòu)建原型,新增模塊化平臺可加快開發(fā)速度世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供
近日消息,據(jù)臺灣CTimes報道,如果你對伺服器乃至于資料中心的認(rèn)識有限的話,那么在儲存系統(tǒng)方面的發(fā)展,大多應(yīng)該是停留在傳統(tǒng)硬盤(HDD)與固態(tài)硬態(tài)(SSD)的混搭的印象為主,前者專職冷資料的儲存,后者則負(fù)責(zé)較常使用
防火防盜電話智能報警電路-語音電路
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
處理器的使用在進(jìn)入實際測試實例之前,我們先討論用于此測試應(yīng)用的新儀器特性。2600系列源表具有強大的嵌入式計算機或測試腳本處理器,因而能實現(xiàn)在堆架式儀器中從未見過的功能??梢詫⑼暾臏y試程序(腳本)下載至T
主攻個人計算機市場的標(biāo)準(zhǔn)型動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道,本月價格可望強彈;應(yīng)用行動裝置的儲存型快閃存儲器(NAND Flash)因補貨需求落空,價格看跌。
在雷達(dá)對抗系統(tǒng)中,需要對于雷達(dá)信號進(jìn)行實時測頻,并可以對感興趣的信號進(jìn)行儲頻,為假目標(biāo)欺騙干擾或壓制干擾提供測頻結(jié)果和儲頻數(shù)據(jù)。而數(shù)字測頻是當(dāng)今發(fā)展最快的測頻技
21ic訊 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司,今天宣布與三星電子有限公司及韓國領(lǐng)先的光刻去膠設(shè)備制造商PSK公司合作,開發(fā)出一款面向下一代NAND和DRAM存儲器件的先
班產(chǎn)量統(tǒng)計電路
意法(ST)半導(dǎo)體推出一款身份證微控制器(MCU)ST23YR80,新產(chǎn)品支持最新的加密技術(shù),片內(nèi)集成大容量的存儲器,用于保存生物測定數(shù)據(jù)。ST23YR80提供接觸式和非接觸式兩種接口,
主攻個人計算機市場的標(biāo)準(zhǔn)型動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道,本月價格可望強彈;應(yīng)用行動裝置的儲存型快閃存儲器(NAND Flash)因補貨需求落空,價格看跌。
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
摘要在許多嵌入式系統(tǒng)中通常會需要外接存儲器保存數(shù)據(jù),例如EEPROM。由于傳統(tǒng)的存儲器具有功能單一、接口固定、擦寫次數(shù)有限的特點從而限制了存儲器的應(yīng)用場景和范圍。本文介紹了一種基于TI 新一代MSP430FR 系列MCU
項目概述 1.1項目背景 示波器(Oscilloscope)是一種能夠顯示電壓信號動態(tài)波形的電子測量儀器。它能夠?qū)r變的電壓信號轉(zhuǎn)換為時域上的曲線,原來不可見的電氣信號,
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM),在11nm節(jié)點前不可能進(jìn)入市場;在此之前,堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力,而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合芯片