存儲器
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東芝存儲器業(yè)務(wù)變故叢生 遲遲不能落下帷幕
夏普(Sharp)決定與鴻海一起參與東芝存儲器(Toshiba Memory)的股權(quán)標(biāo)售案，這是因?yàn)槿毡菊畵?dān)心鴻海與大陸官方關(guān)系太深，因此鴻海邀請?zhí)O果(Apple)與SoftBank等廠參與合作，現(xiàn)在加上日本的夏普，希望化解日方疑慮。
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存儲器發(fā)展太快，都缺貨了
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測業(yè)者表示，估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價(jià)格漲勢回穩(wěn)，而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后，存儲器封測業(yè)者中，又以力成最為受惠。
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收購長江存儲 紫光將布局存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈
紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)發(fā)布公告表示，擬以發(fā)行股份的方式收購長江存儲科技控股有限責(zé)任公司(下稱“長江存儲”)全部或部分股權(quán)。資料
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51單片機(jī)程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器
為了保證程序能夠連續(xù)地執(zhí)行下去，CPU必須具有某些手段來確定一條指令的地址。程序計(jì)數(shù)器PC正是起到了這種作用，所以通常又稱其為指令地址計(jì)數(shù)器。
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瘋啦！內(nèi)存、閃存漲價(jià)要一直持續(xù)到2019年！
存儲產(chǎn)品的價(jià)格上漲已經(jīng)快一年時(shí)間，這節(jié)奏有點(diǎn)類似同期的樓市，不過，不同之處在于，后者有調(diào)控干預(yù)，而前者則是完全市場行為。來自Gartner的一份報(bào)告稱，就他們掌握的資料來分析，看大是存儲器的降價(jià)只會(huì)發(fā)生在2019年。
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長江存儲穩(wěn)步發(fā)展 年底提供32層 3D NAND樣品 向64層邁進(jìn)
根據(jù)中國媒體的報(bào)導(dǎo)，有消息人士指出，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲技術(shù)公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開發(fā)自己的 DRAM 存儲器制造技術(shù)，而且可能直接進(jìn)入當(dāng)今世界最先進(jìn)的 20/18 納米的制程中。
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NOR Flash漲價(jià)將持續(xù)一年 需求旺盛 供貨不足是主因
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出，受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機(jī)數(shù)量大幅增加，以及 TDDI 技術(shù)所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動(dòng)，加上如美光、兆
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缺貨繼續(xù) 存儲還要接著漲價(jià)？
雖著近來資料存儲的需求飆升，全球存儲器制造商產(chǎn)能引發(fā)供應(yīng)瓶頸，正在經(jīng)歷超級周期。包括 NAND Flash 和 DRAM 存儲器價(jià)格漲幅接近 50% 到 60%，市場報(bào)價(jià)還在持續(xù)上揚(yáng)。這情況也帶動(dòng)日前連跌落低谷的編碼型快閃存儲器 (NOR Flash) 觸底反彈，漲幅出乎市場預(yù)料，且正在加速上漲。
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英特爾推出基于3D XPoint的新型存儲驅(qū)動(dòng)器
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開始交付根據(jù)新技術(shù)生產(chǎn)的第一批存儲器產(chǎn)品，公司希望該技術(shù)能夠重塑計(jì)算器存儲器市場，并讓自己從科技領(lǐng)域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
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ISSI十年深耕汽車電子存儲器市場
2017年3月13日，在上海慕尼黑電子展的前夕舉辦了“汽車電子日”，會(huì)議現(xiàn)場異?；鸨?，全國各地的工程師匯聚一堂，共同見證汽車電子的過去，共謀汽車電子發(fā)展的未來。其中，ISSI技術(shù)市場經(jīng)理田步嚴(yán)在會(huì)上做
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3D DRAM幫助延長DRAM存儲器的使用壽命
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)，3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方，因此裸晶尺寸會(huì)變得比較小，每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會(huì)更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
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擔(dān)心對國家安全造成威脅 日本政府或?qū)⒋俪蓶|芝賣給美國企業(yè)
編按：這是第幾篇關(guān)于東芝出售的文章了，其核心就是不想把東芝賣給中國，怕技術(shù)外流中國，日本政府覺得美國是最適合的出售選擇。國芯當(dāng)自強(qiáng)呀，希望在未來不長的時(shí)間里，中國的高精尖技術(shù)能和其他技術(shù)強(qiáng)國一樣強(qiáng)大。
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怕存儲器技術(shù)流入中國 鴻海收購東芝無望！
日前日本雜志曾報(bào)導(dǎo)，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省干部表示，為了避免東芝(Toshiba)半導(dǎo)體技術(shù)外流到中國，因此希望東芝半導(dǎo)體事業(yè)不要賣給鴻海。而根據(jù)日本媒體最新取得的資料顯示，東
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華邦電存儲器成功打入德國西門子供應(yīng)鏈
目前正在沖刺 Nor Flash 產(chǎn)能與制成的利基型存儲器廠商華邦電，7 日同時(shí)公布 2017 年 2 月份營收，也宣布與德國工業(yè)自動(dòng)化解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西門子簽署客戶品質(zhì)合約，成為西門子的存儲器供應(yīng)商。
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NAND Flash市場最大變數(shù) 3D NAND良率
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
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東芝 在閃存市場的華麗表演即將落幕
東芝為彌補(bǔ)核能設(shè)備事業(yè)大幅減損，終于愿意割愛視為核心的芯片事業(yè)，也象征日本曾經(jīng)雄霸記憶芯片的時(shí)代，即將畫下句點(diǎn)。東芝原本只打算出售記憶芯片少數(shù)股價(jià)，但在本周公布核能事業(yè)減損63億美元后，東芝社長綱川智改口說，愿意出售主要股權(quán)甚至出售整個(gè)事業(yè)，以補(bǔ)強(qiáng)東芝的財(cái)務(wù)。
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存儲器企業(yè)動(dòng)作不斷，存儲器行業(yè)又到春天？
近期，長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，并取得了階段性進(jìn)展。政策支持之下，隨著技術(shù)等逐漸成熟，行業(yè)發(fā)展將迎來拐點(diǎn)。在此背景下，上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲芯片業(yè)務(wù)。
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兆易創(chuàng)新投資力度加大 我國存儲器順流而上？
當(dāng)前，伴隨著第五代移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展，存儲器的需求量迅速增加，存儲容量、存取速度、功耗、可靠性和使用壽命等指標(biāo)要求也越來越高。目前，平面型存儲結(jié)構(gòu)在經(jīng)歷了獎(jiǎng)金50年的發(fā)展后遭遇巨大挑戰(zhàn)，無法延續(xù)摩爾定律和滿足下一步發(fā)展需求，存儲器的發(fā)展進(jìn)入轉(zhuǎn)型期。
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主導(dǎo)未來存儲器市場的新型存儲器到底有啥優(yōu)勢
存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。存儲器的主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)的完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲器是具有記憶功能的設(shè)備，它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來存儲信息。
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在邁出了產(chǎn)業(yè)化標(biāo)志性的一步之后，長江存儲3D NAND有啥突破？
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動(dòng)下，存儲器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領(lǐng)域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，開展大容量存儲技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時(shí)面臨單元間串?dāng)_加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新，是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。
