夏普(Sharp)決定與鴻海一起參與東芝存儲(chǔ)器(Toshiba Memory)的股權(quán)標(biāo)售案,這是因?yàn)槿毡菊畵?dān)心鴻海與大陸官方關(guān)系太深,因此鴻海邀請(qǐng)?zhí)O果(Apple)與SoftBank等廠參與合作,現(xiàn)在加上日本的夏普,希望化解日方疑慮。
全球存儲(chǔ)器龍頭大廠針對(duì)3D NAND Flash開(kāi)始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力,包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn),熟悉后段封測(cè)業(yè)者表示,估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解,價(jià)格漲勢(shì)回穩(wěn),而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后,存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)者中,又以力成最為受惠。
紫光國(guó)芯股份有限公司(下稱“紫光國(guó)芯”)發(fā)布公告表示,擬以發(fā)行股份的方式收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司(下稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)全部或部分股權(quán)。資料
為了保證程序能夠連續(xù)地執(zhí)行下去,CPU必須具有某些手段來(lái)確定一條指令的地址。程序計(jì)數(shù)器PC正是起到了這種作用,所以通常又稱其為指令地址計(jì)數(shù)器。
存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格上漲已經(jīng)快一年時(shí)間,這節(jié)奏有點(diǎn)類似同期的樓市,不過(guò),不同之處在于,后者有調(diào)控干預(yù),而前者則是完全市場(chǎng)行為。來(lái)自Gartner的一份報(bào)告稱,就他們掌握的資料來(lái)分析,看大是存儲(chǔ)器的降價(jià)只會(huì)發(fā)生在2019年。
根據(jù)中國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo),有消息人士指出,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開(kāi)發(fā)自己的 DRAM 存儲(chǔ)器制造技術(shù),而且可能直接進(jìn)入當(dāng)今世界最先進(jìn)的 20/18 納米的制程中。
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出,受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機(jī)數(shù)量大幅增加,以及 TDDI 技術(shù)所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動(dòng),加上如美光、兆
雖著近來(lái)資料存儲(chǔ)的需求飆升,全球存儲(chǔ)器制造商產(chǎn)能引發(fā)供應(yīng)瓶頸,正在經(jīng)歷超級(jí)周期。包括 NAND Flash 和 DRAM 存儲(chǔ)器價(jià)格漲幅接近 50% 到 60%,市場(chǎng)報(bào)價(jià)還在持續(xù)上揚(yáng)。這情況也帶動(dòng)日前連跌落低谷的編碼型快閃存儲(chǔ)器 (NOR Flash) 觸底反彈,漲幅出乎市場(chǎng)預(yù)料,且正在加速上漲。
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開(kāi)始交付根據(jù)新技術(shù)生產(chǎn)的第一批存儲(chǔ)器產(chǎn)品,公司希望該技術(shù)能夠重塑計(jì)算器存儲(chǔ)器市場(chǎng),并讓自己從科技領(lǐng)域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
2017年3月13日,在上海慕尼黑電子展的前夕舉辦了“汽車電子日”,會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)異?;鸨?,全國(guó)各地的工程師匯聚一堂,共同見(jiàn)證汽車電子的過(guò)去,共謀汽車電子發(fā)展的未來(lái)。其中,ISSI技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理田步嚴(yán)在會(huì)上做
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè),3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會(huì)變得比較小,每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會(huì)更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
編按:這是第幾篇關(guān)于東芝出售的文章了,其核心就是不想把東芝賣給中國(guó),怕技術(shù)外流中國(guó),日本政府覺(jué)得美國(guó)是最適合的出售選擇。國(guó)芯當(dāng)自強(qiáng)呀,希望在未來(lái)不長(zhǎng)的時(shí)間里,中國(guó)的高精尖技術(shù)能和其他技術(shù)強(qiáng)國(guó)一樣強(qiáng)大。
日前日本雜志曾報(bào)導(dǎo),日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省干部表示,為了避免東芝(Toshiba)半導(dǎo)體技術(shù)外流到中國(guó),因此希望東芝半導(dǎo)體事業(yè)不要賣給鴻海。而根據(jù)日本媒體最新取得的資料顯示,東
目前正在沖刺 Nor Flash 產(chǎn)能與制成的利基型存儲(chǔ)器廠商華邦電,7 日同時(shí)公布 2017 年 2 月份營(yíng)收,也宣布與德國(guó)工業(yè)自動(dòng)化解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西門(mén)子簽署客戶品質(zhì)合約,成為西門(mén)子的存儲(chǔ)器供應(yīng)商。
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
東芝為彌補(bǔ)核能設(shè)備事業(yè)大幅減損,終于愿意割愛(ài)視為核心的芯片事業(yè),也象征日本曾經(jīng)雄霸記憶芯片的時(shí)代,即將畫(huà)下句點(diǎn)。東芝原本只打算出售記憶芯片少數(shù)股價(jià),但在本周公布核能事業(yè)減損63億美元后,東芝社長(zhǎng)綱川智改口說(shuō),愿意出售主要股權(quán)甚至出售整個(gè)事業(yè),以補(bǔ)強(qiáng)東芝的財(cái)務(wù)。
近期,長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展,向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示,國(guó)內(nèi)廠商積極開(kāi)展存儲(chǔ)芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作,并取得了階段性進(jìn)展。政策支持之下,隨著技術(shù)等逐漸成熟,行業(yè)發(fā)展將迎來(lái)拐點(diǎn)。在此背景下,上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)。
當(dāng)前,伴隨著第五代移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展,存儲(chǔ)器的需求量迅速增加,存儲(chǔ)容量、存取速度、功耗、可靠性和使用壽命等指標(biāo)要求也越來(lái)越高。目前,平面型存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在經(jīng)歷了獎(jiǎng)金50年的發(fā)展后遭遇巨大挑戰(zhàn),無(wú)法延續(xù)摩爾定律和滿足下一步發(fā)展需求,存儲(chǔ)器的發(fā)展進(jìn)入轉(zhuǎn)型期。
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)的完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲(chǔ)器是具有記憶功能的設(shè)備,它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來(lái)存儲(chǔ)信息。
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動(dòng)下,存儲(chǔ)器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場(chǎng)份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國(guó)在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨市場(chǎng)需求大而自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境,開(kāi)展大容量存儲(chǔ)技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲(chǔ)器在降低成本的同時(shí)面臨單元間串?dāng)_加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲(chǔ)技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新,是發(fā)展下一代存儲(chǔ)器的主流思路。