晶圓廠

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全球晶圓廠設(shè)備支出大增漢微科受惠

市場(chǎng)調(diào)查預(yù)估，今年全球晶圓廠設(shè)備支出金額將達(dá)395億美元，比去年增長(zhǎng)2%，明年將大幅增長(zhǎng)達(dá)463億美元，創(chuàng)歷史新高可期，法人預(yù)期漢微科（3658）等設(shè)備股將受惠。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新報(bào)告指出

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2012-06-08

晶圓廠檢測(cè)設(shè)備 SEMI
晶圓廠設(shè)備支出：2012和2013年正增長(zhǎng) 2013年創(chuàng)歷史新高

2012年6月5日, 據(jù)2012年5月末出版的《SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告，2012年晶圓廠設(shè)備支出終于突破壁壘，實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，達(dá)到395億美元，同比增長(zhǎng)2%。預(yù)計(jì)2013年晶圓廠設(shè)備支出將創(chuàng)歷史新高，達(dá)到463億美元，較2012年增長(zhǎng)17%

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2012-06-07

IC CHINA 晶圓廠 SEMI
SEMI估明年晶圓廠設(shè)備支出增17%，將創(chuàng)新高

半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)在最新一期「SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告(SEMI World Fab Forcast)」中指出，2012年全球晶圓廠總設(shè)備支出將達(dá)395億美元，年增2%，而2013年全球晶圓廠更將投入總值達(dá)463億美元的設(shè)備支出，較今

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2012-06-07

晶片晶圓代工晶圓廠 SEMI
SEMI：2013年晶圓廠設(shè)備支出達(dá)463億美元將創(chuàng)新高

SEMI今(6)日公布最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(SEMI World Fab Forecast)，估今年及2013年晶圓廠設(shè)備支出亮眼，估今年晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)395億美元，較去年成長(zhǎng)2 %，2013年預(yù)估將大幅成長(zhǎng)17%，達(dá)463億美元，創(chuàng)歷史新高。SEMI指

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2012-06-06

半導(dǎo)體晶圓代工晶圓廠 SEMI
關(guān)鍵區(qū)域分析與存儲(chǔ)器冗余

要點(diǎn)1.一個(gè)隨機(jī)微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因?yàn)榇鎯?chǔ)器有相對(duì)致密的結(jié)構(gòu)，它們天生就對(duì)隨機(jī)缺陷更加敏感，于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲(chǔ)器冗余，就必須了解

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2012-06-04

存儲(chǔ)器 SRAM CALIBRE 晶圓廠
英特爾開始在愛爾蘭部署14nm晶圓廠

英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過(guò)十億美元。英特爾(Intel) CEO Paul Otellini稍早前說(shuō)明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來(lái)更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這

消費(fèi)電子
2012-05-31

Intel 英特爾 FAB 晶圓廠
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

核心提示：英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠，將當(dāng)?shù)鼐A廠的數(shù)量減少至三個(gè)，分別為Fab10,24和24-2。2011年1月，英特爾花費(fèi)約五億美元重建Fab14舊廠，但當(dāng)時(shí)并未說(shuō)明翻新這座晶圓廠的詳細(xì)規(guī)劃。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-31

英特爾 IP FAB 晶圓廠
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過(guò)十億美元。英特爾(Intel)CEOPaulOtellini稍早前說(shuō)明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來(lái)更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶

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2012-05-30

Intel 英特爾 FAB 晶圓廠
臺(tái)電池廠報(bào)價(jià)漲聲響起晶圓廠續(xù)勢(shì)待發(fā)

5月29日消息，據(jù)TrendForce旗下研究部門EnergyTrend的調(diào)查顯示，受到美國(guó)雙反判決的影響，加上太陽(yáng)能安裝進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，訂單加溫，使得臺(tái)灣電池廠商報(bào)價(jià)出現(xiàn)上漲，訪查顯示目前產(chǎn)品報(bào)價(jià)已來(lái)到$0.5/Watt以上。根據(jù)了解

消費(fèi)電子
2012-05-30

電池 TREND FORCE 晶圓廠
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過(guò)十億美元。英特爾(Intel) CEO Paul Otellini稍早前說(shuō)明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來(lái)更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。

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2012-05-30

Intel 英特爾 FAB 晶圓廠
聯(lián)電南科廠動(dòng)土2013下半年裝機(jī)

在一個(gè)溫暖、陽(yáng)光明媚的日子，聯(lián)電(UMC)砸下2,400億興建的南科Fab 12A新廠正式動(dòng)土。據(jù)表示，新廠完工時(shí)每月產(chǎn)能將達(dá)五萬(wàn)片300mm晶圓，最初將采用28nm制程，隨后將轉(zhuǎn)移到20nm和14nm制程。該公司預(yù)計(jì)2013下半年開始裝

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2012-05-28

聯(lián)電臺(tái)積電 AN 晶圓廠
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-05-27

Intel 英特爾 FAB 晶圓廠
晶圓廠大擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備商雙雄漢微科、家登吃補(bǔ)股價(jià)大漲逾5%

隨著臺(tái)積電(2330-TW)及聯(lián)電(2303-TW)紛紛砸下上千億元以上積極擴(kuò)產(chǎn)，激勵(lì)半導(dǎo)體設(shè)備雙雄漢微科(3658-TW)、家登(3680-TW)今(25)日股價(jià)逆勢(shì)大漲，其中家登早盤一度攻上漲停，目前上漲3.62%，來(lái)到57.3元；另外漢微科早盤

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2012-05-26

聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備晶圓廠
晶圓廠大擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備商雙雄漢微科、家登吃補(bǔ)股價(jià)大漲逾5%

隨著臺(tái)積電(2330-TW)及聯(lián)電(2303-TW)紛紛砸下上千億元以上積極擴(kuò)產(chǎn)，激勵(lì)半導(dǎo)體設(shè)備雙雄漢微科(3658-TW)、家登(3680-TW)今(25)日股價(jià)逆勢(shì)大漲，其中家登早盤一度攻上漲停，目前上漲3.62%，來(lái)到57.3元；另外漢微科早盤

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2012-05-26

聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備晶圓廠
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

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2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子 FAB 晶圓廠
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

消費(fèi)電子
2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子 FAB 晶圓廠
聯(lián)華電子開啟12英寸紀(jì)元為20nm及以下制程奠定基石

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子 FAB 晶圓廠
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

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2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子 FAB 晶圓廠
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

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2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子 FAB 晶圓廠
聯(lián)電砸80億美元南科擴(kuò)廠，攻28納米以下制程

聯(lián)電(2303)南科擴(kuò)廠，今早舉辦動(dòng)土典禮；聯(lián)電Fab 12A第5、6期廠房預(yù)計(jì)新增投資80億美元，專攻28納米以下制程，月產(chǎn)能估新增12寸晶圓5萬(wàn)片。繼臺(tái)積電南科14廠第5期于上個(gè)月動(dòng)土、預(yù)計(jì)將導(dǎo)入20納米產(chǎn)能；聯(lián)電(2303)F

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2012-05-25

聯(lián)電臺(tái)積電 FAB 晶圓廠

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晶圓廠

全球晶圓廠設(shè)備支出大增漢微科受惠

晶圓廠設(shè)備支出：2012和2013年正增長(zhǎng) 2013年創(chuàng)歷史新高

SEMI估明年晶圓廠設(shè)備支出增17%，將創(chuàng)新高

SEMI：2013年晶圓廠設(shè)備支出達(dá)463億美元將創(chuàng)新高

關(guān)鍵區(qū)域分析與存儲(chǔ)器冗余

英特爾開始在愛爾蘭部署14nm晶圓廠

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

臺(tái)電池廠報(bào)價(jià)漲聲響起晶圓廠續(xù)勢(shì)待發(fā)

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

聯(lián)電南科廠動(dòng)土2013下半年裝機(jī)

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

晶圓廠大擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備商雙雄漢微科、家登吃補(bǔ)股價(jià)大漲逾5%

晶圓廠大擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備商雙雄漢微科、家登吃補(bǔ)股價(jià)大漲逾5%

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子開啟12英寸紀(jì)元為20nm及以下制程奠定基石

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)電砸80億美元南科擴(kuò)廠，攻28納米以下制程

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