晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

中美晶前3季EPS 0.71元環(huán)球晶圓EPS 5.15元

中美晶(5483-TW)董事會(huì)今(31)日通過第3季財(cái)報(bào)，1至9月合併營收為163.60億元，稅后淨(jìng)利為3.68億元，稅后每股盈馀(EPS)為0.71元；而旗下子公司環(huán)球晶圓貢獻(xiàn)稅后每股盈馀5.15元。另外中美晶將在11月12日參加柜買法說會(huì)。

半導(dǎo)體
2013-11-01

EPS 晶圓太陽能半導(dǎo)體
國碩：矽晶圓續(xù)漲下季看1美元，明年可望獲利

國碩(2406)10月并入威富光電股權(quán)后，矽晶圓年產(chǎn)能已達(dá)到400MW(百萬瓦)，該公司董事長陳繼仁(見附圖)今(31)日表示，公司仍在持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)11月產(chǎn)能可進(jìn)一步提升至450MW，明年1、2月即可達(dá)到600MW的目標(biāo)；此外，在中國

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2013-11-01

5G 3G 晶圓太陽能
聯(lián)電估Q4出貨季減逾8% 本業(yè)損平

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(30)日召開線上法說同時(shí)發(fā)布展望；聯(lián)電預(yù)估第4季受季節(jié)庫存修正等因素影響出貨季減8%至10%；本業(yè)損平。另外，聯(lián)電回應(yīng)高盛等提問指出，維持28奈米在年底低個(gè)位數(shù)貢獻(xiàn)；明年資本支出規(guī)劃將在下

半導(dǎo)體
2013-10-31

聯(lián)電晶圓半導(dǎo)體
半導(dǎo)體晶圓及封測等大廠資本支出高成長

半導(dǎo)體龍頭廠臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年資本支出將達(dá)百億美元，維持高檔，隨著臺(tái)積電拉高20奈米與16奈米的產(chǎn)能，已要求合作夥伴擴(kuò)產(chǎn)，專家指出，半導(dǎo)體晶圓及封測等大廠資本支出高成長，這帶動(dòng)近期半導(dǎo)體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲

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2013-10-31

臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備晶圓半導(dǎo)體
聯(lián)電Q3獲利季增逾9成，前三季EPS 0.95元

聯(lián)電(2303)今(30)日召開法說，公布2013年Q3財(cái)報(bào)，營業(yè)收入為334.1億元，與上季的319.1億元相比，增加4.7%，略優(yōu)于財(cái)測預(yù)估的季增3~4%，較去年同期的301.7億元?jiǎng)t成長10.7%。另外，Q3毛利率為22.0%，營業(yè)凈利率為7.2%，

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2013-10-31

聯(lián)電高壓 EPS 晶圓
聯(lián)電Q4晶圓出貨量估減8~10%，本業(yè)僅拚損平

聯(lián)電(2303)今(30)日召開法說，關(guān)于Q4營運(yùn)展望，聯(lián)電執(zhí)行長顏博文預(yù)估，聯(lián)電Q4晶圓出貨量將季減8~10%，以美金計(jì)價(jià)的產(chǎn)品ASP將季減2%，而晶圓本業(yè)的營業(yè)利益估僅將在損平點(diǎn)附近徘徊，晶圓廠Q4稼動(dòng)率估達(dá)75%上下(mid 70

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2013-10-31

聯(lián)電 LED EPS 晶圓
LED產(chǎn)業(yè)新趨勢：寬禁帶半導(dǎo)體,軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心

寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),能夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、

消費(fèi)電子
2013-10-28

LED產(chǎn)業(yè) GAN 晶圓半導(dǎo)體
中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶體管集成度

消費(fèi)電子
2013-10-28

中芯國際集成電路智能手機(jī) 晶圓
中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-28

中芯國際集成電路智能手機(jī) 晶圓
中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

核心提示：作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。

半導(dǎo)體
2013-10-28

中芯國際集成電路智能手機(jī) 晶圓
中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提

半導(dǎo)體
2013-10-28

中芯國際集成電路智能手機(jī) 晶圓
Hans-Joerg：通過數(shù)據(jù)控制可以提高晶圓的生產(chǎn)質(zhì)量

金融界網(wǎng)站訊第五屆中國（無錫）國際新能源大會(huì)暨展覽會(huì)10月24日—26日在江蘇無錫太湖國際博覽中心召開，本屆大會(huì)以“新能源：交流共識(shí) 行動(dòng)”為主題，探索全球新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展，尋找中國新能源產(chǎn)業(yè)出路等。以下為專

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2013-10-26

控制數(shù)據(jù)控制 AN 晶圓
中芯國際攻關(guān)3D集成電路工藝

作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶體管集成度

消費(fèi)電子
2013-10-25

中芯國際智能手機(jī) 集成電路工藝晶圓
臺(tái)積電洋洋得意：28nm市場84％歸其所有

臺(tái)積電今天發(fā)布了2013年第三季度業(yè)績報(bào)告，并按慣例公布了各代工藝的收入比例、晶圓出貨量。從數(shù)據(jù)看，盡管GlobalFoundries正在崛起并籠絡(luò)了不少客戶，但就28nm而言，臺(tái)積電仍然遙遙領(lǐng)先。臺(tái)積電稱，28nm工藝誕生三年

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2013-10-25

電表臺(tái)積電 IO 晶圓
中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶體管集

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2013-10-25

中芯國際集成電路智能手機(jī) 晶圓
矽晶圓/PVC銷售增信越化學(xué)上季純益增9%

全球最大半導(dǎo)體矽晶圓暨聚氯乙烯(PVC)制造商信越化學(xué)工業(yè)(Shin-Etsu Chemical Co.)24日公布上季(2013年7-9月)財(cái)報(bào)：因半導(dǎo)體用矽晶圓銷售呈現(xiàn)增加、加上PVC銷售大增，帶動(dòng)合并營收較去年同期成長11%至3,013億日?qǐng)A，合

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2013-10-25

電子 CHEMICAL 晶圓半導(dǎo)體
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊日本上市公司薩姆肯（Samco）發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ，處理SiC加工，型號(hào)為RIE-600iPC。系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕

顯示光電
2013-10-24

碳化硅 IPC SIC 晶圓
中芯國際攻關(guān)3D集成電路工藝

作為國內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶

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2013-10-24

中芯國際智能手機(jī) 集成電路工藝晶圓
華亞科Q3營收及獲利均創(chuàng)下歷史新高

訊：臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南科、華亞科昨（23）日召開法說會(huì)，其中華亞科第3季營收及獲利均創(chuàng)下歷史新高，季底每股凈值提升到6.28元，11月中旬可望順利擺脫股票全額交割交易。南科第3季本業(yè)正式由虧轉(zhuǎn)盈，由于DR

半導(dǎo)體
2013-10-24

DRAM SK海力士 EPS 晶圓
南科、華亞科 Q4獲利會(huì)更好

轉(zhuǎn)自臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)的消息，臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南科、華亞科昨（23）日召開法說會(huì)，其中華亞科第3季營收及獲利均創(chuàng)下歷史新高，季底每股凈值提升到6.28元，11月中旬可望順利擺脫股票全額交割交易。南科第3季本業(yè)正式由

半導(dǎo)體
2013-10-24

DRAM SK海力士 EPS 晶圓

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晶圓

中美晶前3季EPS 0.71元環(huán)球晶圓EPS 5.15元

國碩：矽晶圓續(xù)漲下季看1美元，明年可望獲利

聯(lián)電估Q4出貨季減逾8% 本業(yè)損平

半導(dǎo)體晶圓及封測等大廠資本支出高成長

聯(lián)電Q3獲利季增逾9成，前三季EPS 0.95元

聯(lián)電Q4晶圓出貨量估減8~10%，本業(yè)僅拚損平

LED產(chǎn)業(yè)新趨勢：寬禁帶半導(dǎo)體,軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心

中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

Hans-Joerg：通過數(shù)據(jù)控制可以提高晶圓的生產(chǎn)質(zhì)量

中芯國際攻關(guān)3D集成電路工藝

臺(tái)積電洋洋得意：28nm市場84％歸其所有

中芯國際28nm即將上線攻關(guān)3D集成電路

矽晶圓/PVC銷售增信越化學(xué)上季純益增9%

日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)

中芯國際攻關(guān)3D集成電路工藝

華亞科Q3營收及獲利均創(chuàng)下歷史新高

南科、華亞科 Q4獲利會(huì)更好

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