晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國際三維LSI基地

2013年9月20日，日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地（GINTI：GlobalINTegrationInitiative）”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術(shù)中心

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2013-09-26

LSI 晶圓芯片 NI
聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個(gè)位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調(diào)高目標(biāo)價(jià)的報(bào)告，而內(nèi)資法人出具的最新報(bào)告則從中立轉(zhuǎn)買進(jìn)、喊出調(diào)高目標(biāo)價(jià)至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價(jià)，并使內(nèi)外

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2013-09-26

處理器聯(lián)電新加坡晶圓
聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個(gè)位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調(diào)高目標(biāo)價(jià)的報(bào)告，而內(nèi)資法人出具的最新報(bào)告則從中立轉(zhuǎn)買進(jìn)、喊出調(diào)高目標(biāo)價(jià)至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價(jià)，并使內(nèi)外

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-09-26

處理器聯(lián)電新加坡晶圓
日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國際三維LSI基地

2013年9月20日，日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地（GINTI：Global INTegration Initiative）”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術(shù)中

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2013-09-26

索尼 LSI 晶圓芯片
聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個(gè)位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調(diào)高目標(biāo)價(jià)的報(bào)告，而內(nèi)資法人出具的最新報(bào)告則從中立轉(zhuǎn)買進(jìn)、喊出調(diào)高目標(biāo)價(jià)至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價(jià)，并使內(nèi)外

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2013-09-26

處理器聯(lián)電新加坡晶圓
2014年晶電將新增MOCVD機(jī)10-15臺

據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應(yīng)往年旺季產(chǎn)能滿載情況，明年新增的MOCVD機(jī)臺，將至少是10～15臺起跳，且至少是4寸以上的機(jī)臺，目前月產(chǎn)能為120萬片～150萬片，產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機(jī)臺總數(shù)將突破

顯示光電
2013-09-26

照明晶電晶圓
美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓可制造軍用設(shè)備

近日消息，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成

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2013-09-25

氮化鎵砷化鎵 RFMD 晶圓
美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓可制造軍用設(shè)備

據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報(bào)道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-09-25

氮化鎵砷化鎵 RFMD 晶圓
聯(lián)電重申28奈米貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

聯(lián)電(2303-TW)今(24)日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個(gè)位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調(diào)高目標(biāo)價(jià)的報(bào)告，而內(nèi)資法人出具的最新報(bào)告則從中立轉(zhuǎn)買進(jìn)、喊出調(diào)高目標(biāo)價(jià)至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最

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2013-09-25

處理器聯(lián)電新加坡晶圓
銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因?yàn)槌艘苿赢a(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。目前全

消費(fèi)電子
2013-09-24

芯片封裝倒裝芯片 I/O 晶圓
銅柱凸點(diǎn)或微焊點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因?yàn)槌艘苿赢a(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。目前全

消費(fèi)電子
2013-09-24

芯片封裝倒裝芯片 I/O 晶圓
發(fā)揮互補(bǔ)綜效　臺/歐半導(dǎo)體廠齊攻18寸晶圓

由于臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在晶圓制造方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢，可與歐洲業(yè)者擅長的設(shè)備及材料研發(fā)能力互補(bǔ)，因此兩地業(yè)者已展開策略聯(lián)盟，并著手開發(fā)18寸晶圓制程及生產(chǎn)設(shè)備，期藉由共同分擔(dān)研發(fā)、建廠費(fèi)用與風(fēng)險(xiǎn)，加速推進(jìn)下一個(gè)

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2013-09-23

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓制造晶圓
美國國網(wǎng)近2億高壓電路重建項(xiàng)目獲批

周四，美國公共服務(wù)委員會批準(zhǔn)美國國家電網(wǎng)重建一條14英里長的高壓輸電線路的提議。線路位于紐約州薩拉托加北部和華盛頓西部。重建項(xiàng)目斥資3100萬美元(約合人民幣1.9億元)，將升級兩條貫穿莫羅和格林威治之間的115千

消費(fèi)電子
2013-09-23

國家電網(wǎng) 電力系統(tǒng) 高壓電路晶圓
發(fā)揮互補(bǔ)綜效　臺/歐半導(dǎo)體廠齊攻18寸晶圓

由于臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在晶圓制造方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢，可與歐洲業(yè)者擅長的設(shè)備及材料研發(fā)能力互補(bǔ)，因此兩地業(yè)者已展開策略聯(lián)盟，并著手開發(fā)18寸晶圓制程及生產(chǎn)設(shè)備，期藉由共同分擔(dān)研發(fā)、建廠費(fèi)用與風(fēng)險(xiǎn)，加速推進(jìn)下一個(gè)

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2013-09-23

半導(dǎo)體晶圓廠晶圓制造晶圓
美國國網(wǎng)近2億高壓電路重建項(xiàng)目獲批

周四，美國公共服務(wù)委員會批準(zhǔn)美國國家電網(wǎng)重建一條14英里長的高壓輸電線路的提議。線路位于紐約州薩拉托加北部和華盛頓西部。重建項(xiàng)目斥資3100萬美元(約合人民幣1.9億元)，將升級兩條貫穿莫羅和格林威治之間的115千

網(wǎng)絡(luò)層
2013-09-22

國家電網(wǎng) 電力系統(tǒng) 高壓電路晶圓
各國太陽能政策影響不明　業(yè)者保守因應(yīng)

近期各國陸續(xù)公布與太陽能政策，有些政策可望提升太陽能系統(tǒng)安裝量，而有些政策則大幅削減補(bǔ)助范圍和金額，深深影響未來全球太陽能市場發(fā)展。根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下綠能事業(yè)處EnergyTrend的觀察，近期公

半導(dǎo)體
2013-09-21

太陽能 TREND ENERGY 晶圓
銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因?yàn)槌艘苿赢a(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。

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2013-09-18

芯片封裝倒裝芯片 I/O 晶圓
SSEC晶圓蝕刻制程平臺專用多路徑回收排放管路

先進(jìn)封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺設(shè)計(jì)的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain

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2013-09-17

金屬 SE 管路晶圓
再生晶圓雙雄明年爆發(fā)

臺積電（2330）28納米制程產(chǎn)能大幅開出，明年持續(xù)擴(kuò)增20納米制程產(chǎn)線，市場推估，明年再生晶圓單月需求將突破55萬片，上市再生晶圓雙雄中砂、辛耘雖加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，估計(jì)每月缺口仍達(dá)15萬片，商機(jī)看俏。中砂和辛耘是國

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2013-09-13

半導(dǎo)體晶圓代工臺積電晶圓
再生晶圓雙雄明年爆發(fā)

臺積電（2330）28納米制程產(chǎn)能大幅開出，明年持續(xù)擴(kuò)增20納米制程產(chǎn)線，市場推估，明年再生晶圓單月需求將突破55萬片，上市再生晶圓雙雄中砂、辛耘雖加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，估計(jì)每月缺口仍達(dá)15萬片，商機(jī)看俏。中砂和辛耘

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2013-09-13

半導(dǎo)體晶圓代工臺積電晶圓

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晶圓

日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國際三維LSI基地

聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

日本東北大學(xué)公開300mm晶圓試產(chǎn)線，打造國際三維LSI基地

聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

2014年晶電將新增MOCVD機(jī)10-15臺

美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓可制造軍用設(shè)備

美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓可制造軍用設(shè)備

聯(lián)電重申28奈米貢獻(xiàn)比內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

銅柱凸點(diǎn)或微焊點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

發(fā)揮互補(bǔ)綜效　臺/歐半導(dǎo)體廠齊攻18寸晶圓

美國國網(wǎng)近2億高壓電路重建項(xiàng)目獲批

發(fā)揮互補(bǔ)綜效　臺/歐半導(dǎo)體廠齊攻18寸晶圓

美國國網(wǎng)近2億高壓電路重建項(xiàng)目獲批

各國太陽能政策影響不明　業(yè)者保守因應(yīng)

銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

SSEC晶圓蝕刻制程平臺專用多路徑回收排放管路

再生晶圓雙雄明年爆發(fā)

再生晶圓雙雄明年爆發(fā)

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