昭和電工日前宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品,此次確立了量產(chǎn)化技術,從10月份開始設定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹,6英寸產(chǎn)品適于降低元件成本,也適合
根據(jù) SEMI 最新公布的年度半導體矽晶圓出貨預測報告, 2013年矽晶圓總出貨量預計相較去年成長1%,而預計 2014和 2015年則將持續(xù)穩(wěn)健成長步調。 SEMI預期,2013年全球拋光矽晶圓(polished silicon wafer)與磊晶圓(ep
在關于SiC功率半導體的國際學會“ICSCRM 2013”(2013年9月29日~10月4日,日本宮崎縣Phoenix Seagaia Resort)的展示會場內,多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3~4英寸(75mm~100
昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品,此次確立了量產(chǎn)化技術,從10月份開始設定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹,6英寸產(chǎn)品適于降低元件成
臺積電3日對媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進完整布局;臺積電發(fā)言人孫又文表示,臺積電16奈米年底試產(chǎn)進度領先競爭對手,而超超大晶圓14廠去年貢獻比已36%,南科廠區(qū)全部貢獻占比則42%。據(jù)臺積電指出,14廠P1至4期的營業(yè)
臺積電3日對媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進完整布局;臺積電發(fā)言人孫又文表示,臺積電16奈米年底試產(chǎn)進度領先競爭對手,而超超大晶圓14廠去年貢獻比已36%,南科廠區(qū)全部貢獻占比則42%。據(jù)臺積電指出,14廠P1至4期的營業(yè)額
臺積電3日對媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進完整布局;臺積電發(fā)言人孫又文表示,臺積電16奈米年底試產(chǎn)進度領先競爭對手,而超超大晶圓14廠去年貢獻比已36%,南科廠區(qū)全部貢獻占比則42%。據(jù)臺積電指出,14廠P1至4期的營業(yè)額
全球最大的獨立半導體設計和制造服務提供商eSilicon公司日前宣布:該公司全新自動化多項目晶圓(MPW)批次流片服務即時網(wǎng)上報價系統(tǒng)上線。這項可通過用戶友好型網(wǎng)頁或者智能手機界面接入的服務,能即時生成可執(zhí)行的MPW
臺積電3日對媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進完整布局;臺積電發(fā)言人孫又文表示,臺積電16奈米年底試產(chǎn)進度領先競爭對手,而超超大晶圓14廠去年貢獻比已36%,南科廠區(qū)全部貢獻占比則42%。據(jù)臺積電指出,14廠P1至4期的營業(yè)額
臺積電14廠P6廠區(qū)在建工程一景。(鉅亨網(wǎng)記者尹慧中攝) 臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(3)日對媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進完整布局;臺積電發(fā)言人孫又文表示,臺積電16奈米年底試產(chǎn)進度領先競爭對手,而超超大晶圓14
臺積電(2330)研發(fā)大將蔣尚義退休的利空淡化,臺積電今早股價開平走高,守穩(wěn)百元關卡。臺積電持續(xù)推進高階制程,下世代的20、16奈米產(chǎn)能將陸續(xù)于明后年大量開出,其生產(chǎn)重鎮(zhèn)位于南科的的臺積電晶圓十四廠也將于本周四
當前,電器和移動AV設備市場上,智能手機和平板PC成長迅猛。智能手機的全球銷量從2012年的6.5億部增加到2013年的7.9億部。預計2015年將達到10億部。類似地,PC的全球銷量從2011年的1.2億臺增加到2013年的1.6億臺。預
2013年9月20日,日本東北大學為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI:GlobalINTegrationInitiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術中心
據(jù)悉,晶電尚未敲定2014年資本支出,不過為因應往年旺季產(chǎn)能滿載情況,明年新增的MOCVD機臺,將至少是10~15臺起跳,且至少是4寸以上的機臺,目前月產(chǎn)能為120萬片~150萬片,產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高,MOCVD機臺
銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說,是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內存外,其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。目前全
9月20日,日本東北大學為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI:Global INTegration Initiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術中心(宮城
據(jù)悉,晶電尚未敲定2014年資本支出,不過為因應往年旺季產(chǎn)能滿載情況,明年新增的MOCVD機臺,將至少是10~15臺起跳,且至少是4寸以上的機臺,目前月產(chǎn)能為120萬片~150萬片,產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高,MOCVD機臺總數(shù)將突破
據(jù)悉,晶電尚未敲定2014年資本支出,不過為因應往年旺季產(chǎn)能滿載情況,明年新增的MOCVD機臺,將至少是10~15臺起跳,且至少是4寸以上的機臺,目前月產(chǎn)能為120萬片~150萬片,產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高,MOCVD機臺總數(shù)將突破
9月20日,日本東北大學為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI:Global INTegration Initiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關人士及媒體公開了2013年3月在索尼仙臺技術
據(jù)悉,晶電尚未敲定2014年資本支出,不過為因應往年旺季產(chǎn)能滿載情況,明年新增的MOCVD機臺,將至少是10~15臺起跳,且至少是4寸以上的機臺,目前月產(chǎn)能為120萬片~150萬片,產(chǎn)能規(guī)模將持續(xù)攀高,MOCVD機臺