晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

LED行業(yè)2013年下半年市場(chǎng)報(bào)告分析

21ic訊寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，能夠大幅提升電

顯示光電
2013-11-15

LED行業(yè) GAN 晶圓微波器件
集成電路發(fā)展專項(xiàng)扶持計(jì)劃將出

目前國(guó)家已經(jīng)確定將出臺(tái)政策扶持集成電路芯片行業(yè)，該計(jì)劃由工信部主導(dǎo)，目前已經(jīng)進(jìn)入攻堅(jiān)階段，在四季度方案有望定稿，并送交高層審批，正式發(fā)布時(shí)間可能稍晚。操作層面上，主要是從國(guó)家層面扶持企業(yè)加大資金投入。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-14

中芯國(guó)際集成電路電子晶圓
辛耘Q3獲利增逾5成；明年制造事業(yè)撐正面展望

設(shè)備與再生晶圓供應(yīng)商辛耘(3583)今舉行法人說明會(huì)揭露Q3營(yíng)運(yùn)成果，受再生晶圓和設(shè)備需求同增，辛耘Q3稅后盈余季增逾5成，前3季EPS并已突破2元達(dá)到2.05元。辛耘表示，盡管Q4期間的BB值(訂單出貨比)走勢(shì)難強(qiáng)，但隨著半

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2013-11-14

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體設(shè)備 EPS 晶圓
再生晶圓續(xù)滿載，辛耘10月營(yíng)收增3.8%

設(shè)備與再生晶圓供應(yīng)商辛耘(3583)公告10月營(yíng)收為2.69億元，因再生晶圓產(chǎn)出持續(xù)滿載、自制設(shè)備出貨亦有斬獲，單月營(yíng)收月增3.8%、年增率則為46.6%。辛耘指出，Q4期間是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)入帳旺季，本季營(yíng)運(yùn)相對(duì)有撐，

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2013-11-09

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 先進(jìn)制程半導(dǎo)體設(shè)備晶圓
Rubicon：2

發(fā)光二極體(LED)上游材料藍(lán)寶石基板供應(yīng)商Rubicon Technology, Inc.于29日美國(guó)股市收盤后公布2013年第3季(7-9月)財(cái)報(bào)：營(yíng)收季增4.7%至1,110萬美元；受產(chǎn)品組合、產(chǎn)能利用率降低抵銷2-4寸藍(lán)寶石芯材價(jià)格上

顯示光電
2013-11-09

基板 IC OS 晶圓
臺(tái)積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

訊：臺(tái)積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會(huì)再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺(tái)積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺(tái)積電的20n

半導(dǎo)體
2013-11-07

SoC 臺(tái)積電 FINFET 晶圓
華天科技年內(nèi)漲幅高達(dá)145.23%

■本報(bào)見習(xí)記者喬川川集成電路在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、智能電視等新一代信息技術(shù)領(lǐng)域中面臨著前所未有的機(jī)遇及挑戰(zhàn)，集成電路是物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的基石，先進(jìn)的物聯(lián)網(wǎng)集成電路封裝技術(shù)可以進(jìn)一步提高電子信息產(chǎn)品的

半導(dǎo)體
2013-11-07

物聯(lián)網(wǎng) 微電子集成電路封裝晶圓
臺(tái)積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

臺(tái)積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會(huì)再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺(tái)積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺(tái)積電的20nm分為兩種版

半導(dǎo)體
2013-11-06

SoC 臺(tái)積電 FINFET 晶圓
4G芯片爆紅，臺(tái)星科旺到明年

測(cè)試廠臺(tái)星科（3265）攜手母公司星科金朋（STATS ChipPAC），成功囊括局端及終端4G晶片測(cè)試大單，第4季營(yíng)運(yùn)淡季不淡外，明年?duì)I收及獲利均將明顯優(yōu)于今年。兩岸4G發(fā)照引爆數(shù)千億元以上基礎(chǔ)建設(shè)投資及智慧型手機(jī)采

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2013-11-06

晶片 4G手機(jī) 4G芯片晶圓
Imec首次在300mm晶圓上實(shí)現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an

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2013-11-06

器件 Silicon FINFET 晶圓
華天科技:單季經(jīng)常性凈利潤(rùn)增長(zhǎng)近五成,先進(jìn)封裝值得期待

事件:公司發(fā)布三季報(bào)?？鄢淮涡該p失后凈利潤(rùn)增長(zhǎng)49%,毛利率在較高水平在前三季度,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入17.4 億元,同比增長(zhǎng)56%;實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1.5 億元,同比增長(zhǎng)31%。三季度單季的營(yíng)收和凈利潤(rùn)分別為6.5 億元和4800 萬元,同

半導(dǎo)體
2013-11-05

指紋識(shí)別封裝 MEMS 晶圓
4G芯片爆紅臺(tái)星科旺到明年

測(cè)試廠臺(tái)星科（3265）攜手母公司星科金朋（STATS ChipPAC），成功囊括局端及終端4G晶片測(cè)試大單，第4季營(yíng)運(yùn)淡季不淡外，明年?duì)I收及獲利均將明顯優(yōu)于今年。兩岸4G發(fā)照引爆數(shù)千億元以上基礎(chǔ)建設(shè)投資及智慧型手機(jī)采

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2013-11-05

晶片 4G手機(jī) 4G芯片晶圓
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)朝著6吋LED晶圓自動(dòng)化生產(chǎn)方向挺進(jìn)

PAULA DOE指出，受市場(chǎng)需求影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于基于6吋晶圓的LED自動(dòng)化生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)漸漸達(dá)成一致。隨著市場(chǎng)對(duì)于高亮LED的需求大增，無晶圓廠在過去的五年里增加了100個(gè)，目前全球總數(shù)為169個(gè)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)外延片的生產(chǎn)規(guī)

消費(fèi)電子
2013-11-04

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 自動(dòng)化 LED 晶圓
半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)

半導(dǎo)體龍頭廠臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年資本支出將達(dá)百億美元，維持高檔，隨著臺(tái)積電拉高20nm與16nm的產(chǎn)能，已要求合作夥伴擴(kuò)產(chǎn)，專家指出，半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)，這帶動(dòng)近期半導(dǎo)體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲，今

消費(fèi)電子
2013-11-04

半導(dǎo)體臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備晶圓
半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)

半導(dǎo)體龍頭廠臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年資本支出將達(dá)百億美元，維持高檔，隨著臺(tái)積電拉高20nm與16nm的產(chǎn)能，已要求合作夥伴擴(kuò)產(chǎn)，專家指出，半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)，這帶動(dòng)近期半導(dǎo)體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲，今

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-04

半導(dǎo)體臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備晶圓
Rubicon：2-4寸藍(lán)寶石價(jià)格明年續(xù)揚(yáng)

發(fā)光二極體(LED)上游材料藍(lán)寶石基板供應(yīng)商RubiconTechnology,Inc.于29日美國(guó)股市收盤后公布2013年第3季(7-9月)財(cái)報(bào)：營(yíng)收季增4.7%至1,110萬美元；受產(chǎn)品組合、產(chǎn)能利用率降低抵銷2-4寸藍(lán)寶石芯材價(jià)格上揚(yáng)的利多影響，

半導(dǎo)體
2013-11-02

基板 IC OS 晶圓
NANIUM提升eWLB技術(shù) 提高產(chǎn)品可靠性

核心提示：NANIUM宣布為其扇出晶圓級(jí)封裝 (FOWLP) 技術(shù)——即內(nèi)嵌式晶圓級(jí)球柵陣列 (eWLB) ——引入一項(xiàng)改進(jìn)的絕緣材料和工藝解決方案。這些改進(jìn)措施提高了eWLB的可靠性，能夠?qū)F(xiàn)有技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展至要求更為嚴(yán)苛的市場(chǎng)

半導(dǎo)體
2013-11-01

醫(yī)療設(shè)備 NI AN 晶圓
NANIUM 提升 eWLB 技術(shù) 提高產(chǎn)品可靠性

21ic訊歐洲最大的外包半導(dǎo)體組裝與測(cè)試 (OSAT) 服務(wù)供應(yīng)商 NANIUM S.A. 宣布為其扇出晶圓級(jí)封裝 (FOWLP) 技術(shù)——即內(nèi)嵌式晶圓級(jí)球柵陣列 (eWLB) ——引入一項(xiàng)改進(jìn)的絕緣材料和工藝解決方案。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-01

NI AN MDASH 晶圓
Rubicon：2-4寸藍(lán)寶石價(jià)格明年續(xù)揚(yáng)

發(fā)光二極體(LED)上游材料藍(lán)寶石基板供應(yīng)商Rubicon Technology, Inc.于29日美國(guó)股市收盤后公布2013年第3季(7-9月)財(cái)報(bào)：營(yíng)收季增4.7%至1,110萬美元；受產(chǎn)品組合、產(chǎn)能利用率降低抵銷2-4寸藍(lán)寶石芯材價(jià)格上揚(yáng)的利多影響

消費(fèi)電子
2013-11-01

基板 IC OS 晶圓
竹科、南科強(qiáng)震晶圓雙雄、面板雙虎沒事

花蓮昨晚發(fā)生里氏規(guī)模6.3大地震，全臺(tái)有感，新竹科學(xué)園區(qū)、臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的地震震度約3級(jí)，地震在可承受范圍，對(duì)晶圓廠、以及面板廠營(yíng)運(yùn)都沒有造成任何影響。臺(tái)積電及聯(lián)電指出，地震都在可承受范圍，所以沒有影響到廠

半導(dǎo)體
2013-11-01

面板廠臺(tái)積電晶圓廠晶圓

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晶圓

LED行業(yè)2013年下半年市場(chǎng)報(bào)告分析

集成電路發(fā)展專項(xiàng)扶持計(jì)劃將出

辛耘Q3獲利增逾5成；明年制造事業(yè)撐正面展望

再生晶圓續(xù)滿載，辛耘10月營(yíng)收增3.8%

Rubicon：2

臺(tái)積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

華天科技年內(nèi)漲幅高達(dá)145.23%

臺(tái)積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

4G芯片爆紅，臺(tái)星科旺到明年

Imec首次在300mm晶圓上實(shí)現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

華天科技:單季經(jīng)常性凈利潤(rùn)增長(zhǎng)近五成,先進(jìn)封裝值得期待

4G芯片爆紅臺(tái)星科旺到明年

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)朝著6吋LED晶圓自動(dòng)化生產(chǎn)方向挺進(jìn)

半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)

半導(dǎo)體晶圓及封測(cè)等大廠資本支出高成長(zhǎng)

Rubicon：2-4寸藍(lán)寶石價(jià)格明年續(xù)揚(yáng)

NANIUM提升eWLB技術(shù) 提高產(chǎn)品可靠性

NANIUM 提升 eWLB 技術(shù) 提高產(chǎn)品可靠性

Rubicon：2-4寸藍(lán)寶石價(jià)格明年續(xù)揚(yáng)

竹科、南科強(qiáng)震晶圓雙雄、面板雙虎沒事

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