據(jù)悉,極特先進(jìn)科技公司(GTAdvancedTechnologies)(NASDAQ:GTAT)與Soitec(NYSEEuronext:SOI)宣布一項(xiàng)開發(fā)及授權(quán)合約,根據(jù)該協(xié)議,GT將開發(fā)、生產(chǎn)和商品化大容量多晶圓HVPE系統(tǒng)。這套HVPE系統(tǒng)將用于生產(chǎn)LED或其他高成
中芯國際去年由虧轉(zhuǎn)盈,凈利潤2,280萬美元,2011年還虧損2.46億美元。受到整體晶圓付運(yùn)數(shù)量增長帶動(dòng),去年銷售額成長將近三成,毛利率也因產(chǎn)能利用率與生產(chǎn)效率改善大幅提升12.8個(gè)百分點(diǎn)至20.5%。 根據(jù)HIS iSuppl
晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電節(jié)水成效佳,估計(jì)兩公司1年節(jié)省的制程水水量約2個(gè)寶二水庫。 全臺(tái)水情吃緊,包括新北市林口區(qū)、桃園縣及高雄地區(qū)已陸續(xù)實(shí)施第一階段離峰時(shí)段減壓限水措施;臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)新竹地區(qū)水情預(yù)
盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司日前在 Semicon China上宣布了2013年第一季度一舉獲得兩臺(tái)單片背面清洗機(jī)訂單,分別來自上海華虹 NEC 電子有限公司以及中科院微電子所。這兩臺(tái)背面清洗機(jī)的訂單,反映了盛美在技術(shù)上不斷
大和證券出具報(bào)告表示,臺(tái)積電(2330-TW)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)入新戰(zhàn)局,預(yù)估第2季營季增5%成放緩,在格羅方德和聯(lián)電28奈米良率預(yù)估分別達(dá)70%、40%下,28奈米制程興起將使晶圓價(jià)格將更競(jìng)爭(zhēng),預(yù)估今年?duì)I收為年增13%,較市場(chǎng)預(yù)期
大和證券出具報(bào)告表示,臺(tái)積電(2330-TW)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)入新戰(zhàn)局,預(yù)估第2季營季增5%成放緩,在格羅方德和聯(lián)電28奈米良率預(yù)估分別達(dá)70%、40%下,28奈米制程興起將使晶圓價(jià)格將更競(jìng)爭(zhēng),預(yù)估今年?duì)I收為年增13%,較市場(chǎng)預(yù)期
全球第2大矽晶圓廠商SUMCO Corp. 8日于日股收盤后公布上年度(2012年度;2012年2月-2013年1月)財(cái)報(bào):在智慧型手機(jī)、平板電腦需求支撐下,帶動(dòng)半導(dǎo)體用12寸矽晶圓需求呈現(xiàn)增長,加上退出太陽能矽晶圓事業(yè)并徹底進(jìn)行
臺(tái)積電(2330-TW)(US-TSM)、聯(lián)電(2303-TW)(US-UMC)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(8)日同步公布2013年2月自結(jié)營收?qǐng)?bào)告。因工作天數(shù)減少,臺(tái)積電、世界2月業(yè)績同步下滑逾13%,聯(lián)電則在初步納入和艦科技后月減約7.6%。 臺(tái)積電
Central Semiconductor(中文名:美國中央半導(dǎo)體),與時(shí)俱進(jìn)的分立半導(dǎo)體日前攜其創(chuàng)新的解決方案亮相于IIC China 2013。該廠商一貫承諾,無論需要增強(qiáng)性能,還是空間受限,或者需要定制元件,美國中央半導(dǎo)體公司均有
法人表示,封測(cè)大廠日月光(2311)第1季28nm高階封裝量占整體封裝出貨比重,可超過5%。觀察日月光第1季高階制程封測(cè)出貨表現(xiàn),法人表示,28nm手機(jī)晶片臺(tái)系客戶第1季新產(chǎn)品出貨量不大,另外,美系手機(jī)晶片大廠第1季28nm
法人表示,封測(cè)大廠日月光(2311)第1季28奈米高階封裝量占整體封裝出貨比重,可超過5%。 觀察日月光第1季高階制程封測(cè)出貨表現(xiàn),法人表示,28奈米手機(jī)晶片臺(tái)系客戶第1季新產(chǎn)品出貨量不大,另外,美系手機(jī)晶片大廠第
飛思卡爾半導(dǎo)體正在籌劃下一個(gè)單片機(jī)市場(chǎng)爆發(fā)點(diǎn),那就是物聯(lián)網(wǎng)。據(jù)最新消息,飛思卡爾發(fā)布了業(yè)界超小型32位MCU KL02,該產(chǎn)品僅為1.9mm*2.0mm封裝面積,采用Chip-Scale晶圓級(jí)封裝技術(shù)。該產(chǎn)品擁有48MHz ARM Cortex-M0
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶的首肯。從始至終,基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶的首肯。從始至終,基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為,阿爾特拉與臺(tái)積電獨(dú)家合作關(guān)系將從14納米劃上句點(diǎn),意味IC設(shè)計(jì)業(yè)者尋求多重晶圓代工來源,借以分散出貨風(fēng)險(xiǎn),臺(tái)積電不容易再有獨(dú)吃客戶訂單的局面,要維持晶圓代工一哥角色,挑戰(zhàn)加劇。 近年來行
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶的首肯。從始至終,基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
21ic訊 英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS™家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶的首肯。從始至終,基于
2013年2月25日,德國紐必堡訊—英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告指出,記憶體廠商與晶圓代工業(yè)者是目前12寸晶圓產(chǎn)能的最大貢獻(xiàn)者。根據(jù)統(tǒng)計(jì),前六大 12寸晶圓產(chǎn)能供應(yīng)商在 2012年囊括了整體產(chǎn)能的74.4%;而IC Insights預(yù)期,該比例將在 2013年繼續(xù)
晶圓雙雄南科新投資計(jì)劃啟動(dòng)。臺(tái)積電南科14廠第7期3月將動(dòng)土,聯(lián)電Fab12A第5、6期整地后,廠房也加緊趕工中。2大業(yè)者估計(jì)3至5年內(nèi),在南科總投資額上看7,400億元,為臺(tái)灣投資動(dòng)作最大的電子族群。南科管理局局長陳俊