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科銳宣布升級工藝設(shè)計套件，采用安捷倫ADS系統(tǒng)，開發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級一款先進的工藝設(shè)計套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠為微波和無線射頻設(shè)計工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺||突破性的技術(shù)實現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺||突破性的技術(shù)實現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍寶石襯底
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍寶石襯底
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準
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國內(nèi)首片碳化硅半導體晶片廈門誕生
3月12日消息，國內(nèi)首片碳化硅半導體晶片已經(jīng)于日前在廈門順利“誕生”。更可喜的是，作為廈門市政府赴美國招商的重點項目，瀚天泰成電子科技廈門有限公司所提供的碳化硅半導體外延晶片填補了國內(nèi)該領(lǐng)域空白，公司同時
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國內(nèi)首片碳化硅半導體晶片廈門造 能減少75%的能耗
采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導體已成為國際上公認的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電子下一個50年的最佳電子材料。記者從廈門火炬高新區(qū)翔安產(chǎn)業(yè)園了解到，國內(nèi)首片
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國內(nèi)首片碳化硅半導體晶片廈門造 能減少75%的能耗
■進口的碳化硅生產(chǎn)設(shè)備。廈門網(wǎng)-廈門晚報訊（文/圖記者王東城）你可能不知道，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導體已成為國際上公認的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電
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最高能效，最低成本: BC²
摘要本文論述一個新穎的簡單的適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路，這個電路只需使用幾個意法半導體的元器件：一個微型線圈、兩個耦合輔助線圈和兩個優(yōu)化的PN二極管。而且，這個電路完全兼容任何一種PWM控
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2012年LED的價格還將會繼續(xù)降低嗎？
從目前的市場來看，高壓LED的成本高于低壓LED，但隨著高壓LED產(chǎn)品的使用量和生產(chǎn)規(guī)模的擴大，可能情況就不盡然了。以我現(xiàn)在的角度來看，高壓LED的工藝比較復雜一點，但半年或一年以后，當它變成一個穩(wěn)定的市場之后，
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半導體兩項目共獲1300萬元資助
北京時間2月21日消息，經(jīng)2011年第27次市黨政領(lǐng)導班子聯(lián)席會議討論，東莞市將將對2010年度市重大科技專項《第三代半導體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》、《半導體照明產(chǎn)品質(zhì)量檢測與評價體系的研究》2個項目分別立項資
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款
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中國光伏發(fā)電剛剛起步，風機研發(fā)已到5MW水平
我們注意到目前全球風力和太陽能發(fā)電的發(fā)展速度相當快，中國也在快步跟上。在中國風電市場，從600KW到1.5MW、2.0MW風機只花了短短的數(shù)年時間，目前2.5MW、3.6MW和5MW風機也正在開發(fā)中。太陽能發(fā)電的應(yīng)用在中國還處于
