在數據中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關特性及高溫穩(wěn)定性,成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速開關過程中產生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復電流及開關振鈴現象,正成為制約系統(tǒng)可靠性的關鍵瓶頸。本文從器件物理機制出發(fā),結合工程實踐,系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征,并提出體二極管反向恢復與開關振鈴的協(xié)同抑制策略。
在當今工業(yè)領域,隨著設備智能化、高效化發(fā)展,對輔助電源的性能要求日益嚴苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時逐漸力不從心,而碳化硅(SiC)技術的興起,為工業(yè)設備輔助電源驅動提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術與臺達智能節(jié)能解決方案,加速可持續(xù)應用開發(fā)
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。
全面支持助力能耗優(yōu)化與綠色轉型
主要債權人大力支持Wolfspeed所提議的預打包重組計劃。2025 財年第 3 季度公司現金儲備約 13 億美元,可為客戶和供應商支付提供充足短期流動性支持。
在全球倡導綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下,電動汽車(EV)產業(yè)蓬勃發(fā)展,成為汽車行業(yè)轉型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴張,消費者對其性能的要求也日益提高,其中充電速度和續(xù)航里程成為關注焦點。為了滿足這些需求,汽車制造商不斷探索新技術,碳化硅(SiC)材料及其相關功率器件應運而生,并在推動車載充電技術隨電壓等級提高方面發(fā)揮著關鍵作用。
2025年5月29日,中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛發(fā)科 (ULVAC) 合作,共同拓展意法半導體在新加坡的“廠內實驗室”(LiF)合作項目。新一期項目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目。
【2025年5月20日, 中國上海訊】在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下,充換電行業(yè)正迎來高質量發(fā)展的關鍵期。近日,英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT, CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅動器等全套功率半導體解決方案,全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網互動解決方案的技術升級,顯著提升充換電設備的電能轉換效率與穩(wěn)定性,為充電行業(yè)的高質量發(fā)展注入新動能。
從 MOSFET、二極管到功率模塊,功率半導體產品是生活中無數電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施,到個人電子產品和電動汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導體技術的前沿,如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比,SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。
從 MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施,到個人電子產品和電動汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。
【2025年5月6日, 德國慕尼黑訊】為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制,CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現可靠且高效的系統(tǒng)性能,包括固態(tài)斷路器(SSCB)、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。
在新能源汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,車載碳化硅技術正逐漸嶄露頭角,成為行業(yè)關注的焦點。作為第三代半導體材料的代表,碳化硅憑借其卓越的性能,為新能源汽車的發(fā)展注入了新的活力。近年來,隨著國內企業(yè)在技術研發(fā)和產業(yè)化應用方面的不斷突破,車載碳化硅技術的國產替代進程正在加速推進。
安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實現能效和性能領先行業(yè)的更緊湊變頻電機驅動
【2025年3月14日, 德國慕尼黑訊】目前,許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展,實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產品系列,這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產品系列目前擴展到TO-247-2封裝,其引腳可與現有的大多數TO-247-2封裝兼容。該產品系列非常適合最高直流母線電壓為1500 VDC的應用,是太陽能和電動汽車充電樁的理想之選。
在汽車行業(yè)邁向電氣化的進程中,功率半導體技術的革新成為推動產業(yè)發(fā)展的關鍵力量。以碳化硅(SiC)為核心的功率半導體,憑借其卓越的性能,在汽車電氣化浪潮中嶄露頭角,而 SiC 牽引技術逆變器更是成為了這一領域的焦點。
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角,成為眾多應用中的新興首選技術。
在全球倡導節(jié)能減排、可持續(xù)發(fā)展的大背景下,新能源汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展,而其中電動車的崛起尤為引人注目。電動車的快速普及,正成為 SiC(碳化硅)功率半導體市場騰飛的核心驅動力。SiC 功率半導體憑借其卓越的性能優(yōu)勢,在電動車領域展現出巨大的應用潛力,推動著整個市場規(guī)模的迅速擴張。
在半導體技術持續(xù)迭代的進程中,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導體的杰出代表,憑借其卓越的性能優(yōu)勢,正逐步改寫著電子產業(yè)的格局,成為推動眾多領域變革的關鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應用現狀以及未來市場走向,對于把握半導體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。
在全球倡導環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的大背景下,電動汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展,成為汽車行業(yè)變革的重要驅動力。而在電動汽車技術不斷革新的進程中,碳化硅(SiC)作為一種極具潛力的寬禁帶半導體材料,正逐漸嶄露頭角,其在電動汽車領域的應用趨勢備受矚目。