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工業(yè)充電器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型基礎(chǔ)知識(shí)：優(yōu)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與元器件選型
碳化硅（SiC）功率開(kāi)關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本文將介紹優(yōu)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與元器件選型。
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SiC 電源解決方案：工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)的革新力量
在當(dāng)今工業(yè)領(lǐng)域，隨著設(shè)備智能化、高效化發(fā)展，對(duì)輔助電源的性能要求日益嚴(yán)苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對(duì)高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時(shí)逐漸力不從心，而碳化硅(SiC)技術(shù)的興起，為工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
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工業(yè)充電器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型基礎(chǔ)知識(shí)：隔離式DC-DC功率級(jí)的選擇
碳化硅（SiC）功率開(kāi)關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本文將介紹隔離式DC-DC功率級(jí)選擇。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復(fù)與開(kāi)關(guān)振鈴的協(xié)同抑制
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復(fù)電流及開(kāi)關(guān)振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵瓶頸。本文從器件物理機(jī)制出發(fā)，結(jié)合工程實(shí)踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復(fù)與開(kāi)關(guān)振鈴的協(xié)同抑制策略。
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用 SiC 電源解決方案
在當(dāng)今工業(yè)領(lǐng)域，隨著設(shè)備智能化、高效化發(fā)展，對(duì)輔助電源的性能要求日益嚴(yán)苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對(duì)高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時(shí)逐漸力不從心，而碳化硅(SiC)技術(shù)的興起，為工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
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Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來(lái)
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺(tái)達(dá)智能節(jié)能解決方案，加速可持續(xù)應(yīng)用開(kāi)發(fā)
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SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。
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安森美AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南上線
全面支持助力能耗優(yōu)化與綠色轉(zhuǎn)型
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Wolfspeed 正以積極舉措夯實(shí)財(cái)務(wù)基礎(chǔ)，為規(guī)?；鲩L(zhǎng)鋪路
主要債權(quán)人大力支持Wolfspeed所提議的預(yù)打包重組計(jì)劃。2025 財(cái)年第 3 季度公司現(xiàn)金儲(chǔ)備約 13 億美元，可為客戶和供應(yīng)商支付提供充足短期流動(dòng)性支持。
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碳化硅：推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的飛躍
在全球倡導(dǎo)綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動(dòng)汽車(EV)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要方向。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速擴(kuò)張，消費(fèi)者對(duì)其性能的要求也日益提高，其中充電速度和續(xù)航里程成為關(guān)注焦點(diǎn)。為了滿足這些需求，汽車制造商不斷探索新技術(shù)，碳化硅(SiC)材料及其相關(guān)功率器件應(yīng)運(yùn)而生，并在推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)提高方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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意法半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大在新加坡的“Lab-in-Fab”廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室合作項(xiàng)目，推進(jìn)壓電MEMS技術(shù)的開(kāi)發(fā)應(yīng)用
2025年5月29日，中國(guó)--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛(ài)發(fā)科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半導(dǎo)體在新加坡的“廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室”(LiF)合作項(xiàng)目。新一期項(xiàng)目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國(guó)立大學(xué) (NUS)的合作項(xiàng)目。
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破
【2025年5月20日, 中國(guó)上海訊】在全國(guó)兩會(huì)聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來(lái)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過(guò)提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT， CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動(dòng)解決方案的技術(shù)升級(jí)，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新動(dòng)能。
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確?？煽啃裕禾蓟璁a(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開(kāi)關(guān)速度。
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確保可靠性： 碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
【2025年5月6日, 德國(guó)慕尼黑訊】為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開(kāi)關(guān)等。
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車載碳化硅技術(shù)：國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行時(shí)
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，車載碳化硅技術(shù)正逐漸嶄露頭角，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅憑借其卓越的性能，為新能源汽車的發(fā)展注入了新的活力。近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面的不斷突破，車載碳化硅技術(shù)的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程正在加速推進(jìn)。
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安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實(shí)現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)
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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
【2025年3月14日, 德國(guó)慕尼黑訊】目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為1500 VDC的應(yīng)用，是太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車充電樁的理想之選。
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在汽車應(yīng)用中使用 SiC 牽引技術(shù)逆變器
在汽車行業(yè)邁向電氣化的進(jìn)程中，功率半導(dǎo)體技術(shù)的革新成為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。以碳化硅(SiC)為核心的功率半導(dǎo)體，憑借其卓越的性能，在汽車電氣化浪潮中嶄露頭角，而 SiC 牽引技術(shù)逆變器更是成為了這一領(lǐng)域的焦點(diǎn)。
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
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