新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半導體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技(TWSE: 3055)與經(jīng)銷合作伙伴恩艾(艾默生/NI)宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室,瞄準亞太地區(qū)功率半導體芯片在車規(guī)驗證的需求,為亞太地區(qū)半導體制造業(yè)客戶就近提供驗證服...
作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導體企業(yè)之一,意法半導體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力,推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品,堅持可持續(xù)發(fā)展的方式,打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長遠價值的可持續(xù)企業(yè),助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。
近日,株式會社電裝(以下簡稱“電裝”)與富士電機株式會社(以下簡稱“富士電機”)共同推出的“半導體供應保障計劃”獲得批準并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達2,116億日元,其中包含705億日元的專項補助,旨在通過碳化硅(SiC)功率半導體的技術(shù)升級和生產(chǎn)能力提升,進一步加強供應鏈的穩(wěn)定性,以更好地滿足市場需求。
作為全球領(lǐng)先的半導體供應商,英飛凌憑借多年積累的豐富半導體生產(chǎn)工藝技術(shù),先后推出了一系列基于碳化硅(SiC)的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,特別是今年全新推出的CoolSiC? MOSFET Generation 2(G2)技術(shù)和XHP? 2 CoolSiC? MOSFET半橋模塊,更是將碳化硅的性能優(yōu)勢發(fā)揮到極致,進一步推動了整個半導體領(lǐng)域的低碳化進程。
2024年,全球極端天氣頻發(fā),成為有氣象記錄以來最熱的一年,颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下,推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型,提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中,第三代半導體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐,如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾,除了當下熱門的新能源汽車應用,如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花?在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上,英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度,全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢,系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者” 。
在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上,英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度,全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢,系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者”。
全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
根據(jù)全國企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)顯示,北京世紀金光半導體有限公司近日新增一則“破產(chǎn)清算”信息。
1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)符合IEC 60664-1絕緣標準
2024年12月5日,中國 – 雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動,雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議,該協(xié)議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件,安培和意法半導體合作優(yōu)化功率模塊,確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強的性能和競爭力,同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術(shù)方面的特長和意法半導體在先進功率元器件研制領(lǐng)域的獨到之處。
業(yè)界先進的汽車零部件制造商Valeo Group(以下簡稱“法雷奧”)與全球知名半導體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)將通過結(jié)合雙方在功率電子領(lǐng)域的專業(yè)知識和技術(shù)優(yōu)勢,聯(lián)合開發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步,羅姆將為法雷奧的新一代動力總成解決方案提供碳化硅(SiC)塑封型模塊“TRCDRIVE pack?”。
隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,半導體材料作為信息技術(shù)的基石,正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中,氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表,正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標志著GaN和SiC時代即將到來,將為電子、通信、能源等多個領(lǐng)域帶來革命性的變化。
近年來,第三代半導體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應用前景,迅速成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點。這類半導體材料,主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO),在電力電子、光電子和無線射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電等領(lǐng)域,第三代半導體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導體,成為新一代的技術(shù)核心。然而,在這一片火熱的背后,隱藏著諸多爛尾項目的隱憂以及國內(nèi)外技術(shù)差距的認知偏差。
第三代半導體,以其獨特的寬禁帶特性,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而,盡管這些材料在性能上遠超傳統(tǒng)半導體,其廣泛應用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。
在半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展中,碳化硅(SiC)作為一種新型的寬禁帶半導體材料,正逐步成為功率半導體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅功率器件以其耐高溫、耐高壓、高頻、大功率和低能耗等優(yōu)良特性,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。而碳化硅功率器件的上下游產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底和外延作為關(guān)鍵環(huán)節(jié),對于器件的性能和成本具有至關(guān)重要的影響。
幾十年來,硅(Si)一直是半導體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應用的發(fā)展,硅的局限性變得越來越明顯。
【2024年10月23日, 德國慕尼黑訊】如今,許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓,在力求功率損耗最低的同時,向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用,額定電流為10 A至80 A,是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。
全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進一步增強。該機臺采用獨立雙腔設計,兼容6英寸和8英寸晶圓,可實現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時,降低成本。
【2024年10月15日,德國慕尼黑訊】經(jīng)濟實惠與高性能、高效率相結(jié)合,是電動汽車走向更廣闊市場的關(guān)鍵所在。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出HybridPACK? Drive G2 Fusion,為電動汽車領(lǐng)域的牽引逆變器確立了新的電源模塊標準。HybridPACK? Drive G2 Fusion是首款結(jié)合英飛凌硅(Si)和碳化硅(SiC)技術(shù)的即插即用電源模塊。這一先進解決方案在性能和成本效益之間實現(xiàn)了理想的平衡,為逆變器的優(yōu)化提供了更多選擇。