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吉利汽車(chē)與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型;成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作
2024年6月4日，中國(guó)北京--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣(E/E)架構(gòu)(如車(chē)載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng))、高級(jí)駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。
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Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
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英飛凌為小米SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)多款產(chǎn)品
【2024年5月6日，德國(guó)慕尼黑和中國(guó)上海訊】作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布將為小米汽車(chē)最新發(fā)布的SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)碳化硅（SiC）HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM功率模塊及芯片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌的CoolSiC功率模塊可適應(yīng)更高的工作溫度，從而實(shí)現(xiàn)一流的性能、駕駛動(dòng)力和壽命。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程。HybridPACK Drive是英飛凌市場(chǎng)領(lǐng)先的電動(dòng)汽車(chē)功率模塊系列，自2017年以來(lái)已累計(jì)出貨近850萬(wàn)顆。
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安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì)即將啟動(dòng)
5城巡回研討會(huì), 安森美全面解讀碳化硅方案在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的10+趨勢(shì)性縱深應(yīng)用
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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無(wú)論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測(cè)的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說(shuō)得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
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Microchip推出集成作動(dòng)電源解決方案旨在簡(jiǎn)化航空業(yè)向多電飛機(jī)轉(zhuǎn)型
Microchip 推出可配置的配套驅(qū)動(dòng)板系列，使用基于碳化硅(SiC)或硅 (Si)技術(shù)的混合功率驅(qū)動(dòng)模塊
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意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用，用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)及應(yīng)用
結(jié)合ST第三代碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管、STGAP隔離驅(qū)動(dòng)器和STM32微控制器技術(shù)，此圖騰柱無(wú)橋式功率因數(shù)修正器(PFC)解決方案為一個(gè)即插即用的解決方案，滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心之高階服務(wù)器和電信通訊電源設(shè)計(jì)的需求
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開(kāi)關(guān)損耗，適用于太陽(yáng)能（如組串逆變器）以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用。
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)
【2024年3月12日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶
STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有穩(wěn)健性能、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、節(jié)省空間和高可靠性的特性
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安森美公布2023年第四季度及全年業(yè)績(jī)
2023年汽車(chē)業(yè)務(wù)收入創(chuàng)紀(jì)錄，同比增長(zhǎng)29%
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英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)展并延長(zhǎng)多年期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議
【2024年1月26日，德國(guó)慕尼黑和美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)此次擴(kuò)展，雙方的合作又新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。
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致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車(chē)電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效
提升電動(dòng)汽車(chē)夏冬續(xù)航里程，降低整車(chē)擁有成本
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車(chē)加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)
2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷(xiāo)售豪華智能電動(dòng)車(chē)的中國(guó)新能源汽車(chē)龍頭廠商理想汽車(chē)(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。
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碳化硅在電子器件中的應(yīng)用如何？有何特點(diǎn)？
在這篇文章中，小編將對(duì)碳化硅材料的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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碳化硅材料具有哪些特點(diǎn)？未來(lái)發(fā)展如何？
一直以來(lái)，碳化硅材料都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)碳化硅材料的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用：推薦瑞森半導(dǎo)體-650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
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Microchip推出壓接式端子電源模塊SP1F和SP3F 實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化安裝過(guò)程，為大批量生產(chǎn)提供免焊接解決方案
SP1F和SP3F電源模塊采用碳化硅(SiC)或硅 (Si)技術(shù)，可配置性高并適配壓接式端子
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碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車(chē)電路保護(hù)解決方案
早在十多年前，電動(dòng)汽車(chē)就已經(jīng)引入400V電池系統(tǒng)，現(xiàn)在我們看到行業(yè)正在向800V系統(tǒng)遷移，主要是為了支持直流快速充電。隨著電壓的提高和從400V系統(tǒng)中學(xué)到的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在正專(zhuān)注于增強(qiáng)高壓保護(hù)電路的性能并提高可靠性。他們正在重新評(píng)估使用熔絲、接觸器或繼電器的現(xiàn)有解決方案，以尋找響應(yīng)速度更快、穩(wěn)健性更強(qiáng)且可靠性更高的解決方案，如熱熔絲和電子熔絲（即E-Fuse）。
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