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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的功率器件發(fā)展
在過(guò)去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)英飛凌的肖特基二極管的形式問(wèn)世。隨之而來(lái)的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門(mén)現(xiàn)在有望超過(guò) 40 億美元。
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說(shuō)明 SiC MOSFET 在電力電子中的優(yōu)勢(shì)
電力設(shè)計(jì)是由市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的，以提高效率和生產(chǎn)力，同時(shí)符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶(hù)需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng)，這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長(zhǎng)期以來(lái)一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主導(dǎo)地位的地方，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)，尤其是碳化硅 (SiC) 技術(shù)的最新進(jìn)展正在為電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)額外的好處，提高效率和更高的電壓能力，從而減少形式因素。
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CISSOID與依思普林達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成
比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國(guó)深圳 – 2022年06月20日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長(zhǎng)壽命的高效、緊湊電機(jī)驅(qū)動(dòng)和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.(CISSOID)，和中國(guó)先進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成。
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PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅部分
德國(guó)紐倫堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博覽會(huì),也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會(huì),繼連續(xù)兩年舉辦線上展會(huì)后,于今年終于回歸線下。
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碳化硅頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C2輪融資，廣汽資本、潤(rùn)峽招贏、藍(lán)海華騰聯(lián)合投資
6月7日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資，由廣汽資本、潤(rùn)峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè)，著力加強(qiáng)在新能源汽車(chē)及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場(chǎng)拓展，確保基本半導(dǎo)體在國(guó)產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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國(guó)際碳化硅專(zhuān)利布局報(bào)告出爐，MOSFET量產(chǎn)公司派恩杰受關(guān)注
在幾家造車(chē)新勢(shì)力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)后，中國(guó)功率半導(dǎo)體上車(chē)進(jìn)程開(kāi)始進(jìn)入白熱化，電車(chē)廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。
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正式合作！緯湃科技與英飛凌簽署碳化硅合作協(xié)議
5月 31 日，動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)技術(shù)及電氣化解決方案供應(yīng)商緯湃科技與英飛凌科技公司簽署了碳化硅合作協(xié)議，共同優(yōu)化碳化硅組件，加快產(chǎn)能提升，以滿(mǎn)足強(qiáng)勁增長(zhǎng)的電動(dòng)市場(chǎng)需求。
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意法半導(dǎo)體與賽米控合作，在下一代電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)
與ST的長(zhǎng)期工程和零件供貨合作助力賽米控新eMPack?電源模塊系列贏得首張10億歐元大單
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使用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用的能源效率
工業(yè)應(yīng)用程序，如服務(wù)器電源、不間斷電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，消耗了世界上的很大一部分電力。因此，工業(yè)電力供應(yīng)效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營(yíng)成本。結(jié)合更大的功率密度和更好的熱性能，對(duì)高效電源的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。 有幾個(gè)因素推動(dòng)了這種增長(zhǎng)。第一個(gè)是全球?qū)δ茉匆庾R(shí)的提高，以及更明智和更有效地使用能源。第二個(gè)是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，它導(dǎo)致各種新技術(shù)和服務(wù)引入工業(yè)應(yīng)用。
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu))宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中國(guó)北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。
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安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
新器件縮小封裝尺寸60%，增強(qiáng)性能并減少損耗
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UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、直流太陽(yáng)能逆變器、焊機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱應(yīng)用。
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新型 SiC 基板提升功率器件
電動(dòng)汽車(chē)、電信和工業(yè)應(yīng)用對(duì)技術(shù)的需求不斷增長(zhǎng)，這促使 Soitec 和應(yīng)用材料公司共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅 (SiC)襯底的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃。該計(jì)劃旨在提供技術(shù)和產(chǎn)品，以提高下一代電動(dòng)汽車(chē)的 SiC 器件的性能和可用性。
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Soitec 發(fā)布首款 200mm SmartSiC? 碳化硅優(yōu)化襯底
基于獨(dú)家專(zhuān)利技術(shù) SmartSiC? 打造，助力提升電力電子設(shè)備的性能與電動(dòng)汽車(chē)的能效
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貿(mào)澤電子開(kāi)售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET
2022年4月29日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購(gòu))的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開(kāi)JFET，為過(guò)流保護(hù)電路、DC-AC逆變器、開(kāi)關(guān)電源 、功率因數(shù)校正模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)加熱等應(yīng)用提供了理想解決方案。
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碳化硅的成本和EV 應(yīng)用的性能提升之間的衡量，成本問(wèn)題可能影響碳化硅使用
電力電子仍然主要基于標(biāo)準(zhǔn)硅器件。雖然三電平和其他硅電路拓?fù)湔诔霈F(xiàn)以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 設(shè)計(jì)正在出現(xiàn)，以滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)不斷增長(zhǎng)的高功率要求。 三菱電機(jī)美國(guó)公司的功率器件經(jīng)理強(qiáng)調(diào)了碳化硅與標(biāo)準(zhǔn)硅實(shí)現(xiàn)相比的前景。他們表示，可以通過(guò)將硅與碳化硅相結(jié)合的混合技術(shù)來(lái)提高效率。例如，具有碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的硅基絕緣柵雙極晶體管 (IBGT) 以相對(duì)較小的成本增加實(shí)現(xiàn)了效率提高。對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，這代表了成本和性能之間的折衷。
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Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件，實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍
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SiC碳化硅功率器件SBD特性
碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱(chēng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。 歷史上人類(lèi)第一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年，美國(guó)人艾奇遜在電溶金剛石的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物，這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后，人類(lèi)終于理清了碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和特性，并利用碳化硅特性，做出各種新器件，碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。
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綠色出行：英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車(chē)的能耗降低10%
【2022年3月7日，德國(guó)慕尼黑訊】全球逐步淘汰化石燃料這一趨勢(shì)給包括交通運(yùn)輸在內(nèi)的許多行業(yè)都帶來(lái)了挑戰(zhàn)。舉例來(lái)說(shuō)，整個(gè)社會(huì)向綠色出行方式轉(zhuǎn)型，就需要減少短途航班及駕車(chē)出行，而這勢(shì)必會(huì)促進(jìn)軌道交通的發(fā)展。政府發(fā)布的減碳措施也印證了這一點(diǎn)：例如歐洲計(jì)劃提供高達(dá)數(shù)十億歐元的補(bǔ)貼來(lái)支持軌道交通的發(fā)展。隨著傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)車(chē)、軌道車(chē)逐步被環(huán)保的電力機(jī)車(chē)所取代，交通運(yùn)輸行業(yè)的變革也即將來(lái)臨。
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Ampleon發(fā)布增強(qiáng)性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
頻率覆蓋范圍廣并且具有高效率和高線性度
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