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東芝的碳化硅功率模塊新技術(shù)提高了可靠性的同時(shí)減小了尺寸
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，開發(fā)了用于碳化硅（SiC）功率模塊的封裝技術(shù)，能夠使產(chǎn)品的可靠性提升一倍[1]，同時(shí)減少20%的封裝尺寸[2]。與硅相比，碳化硅可以實(shí)現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料...
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科普｜碳化硅芯片怎么制造？
芯片是如何制造的？網(wǎng)絡(luò)熱議的碳化硅芯片與傳統(tǒng)硅基芯片有什么區(qū)別？為大家解開謎團(tuán)，走進(jìn)神秘的芯片世界?？苿?chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院特別推出的一支科普宣傳片，讓你四分鐘，做個(gè)芯片通！碳化硅來了！寬禁帶半導(dǎo)體材料開啟新時(shí)代以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，突破原有半導(dǎo)體材料在大功率...
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碳化硅如何為電機(jī)驅(qū)動賦能
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！前言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太...
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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用（包括大容量電源），將于今日開始出貨。該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的...
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碳化硅邁入新時(shí)代ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)
1996年，ST開始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。
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極端溫度半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品
7月，來自比利時(shí)的高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強(qiáng)硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。
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UnitedSiC 推出第二版FET-Jet Calculator
該在線電源設(shè)計(jì)工具的增強(qiáng)型功能使確定最優(yōu)SiC FET設(shè)計(jì)解決方案更加容易
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吉利汽車集團(tuán)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)締結(jié)以碳化硅為核心的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
加速汽車領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會
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Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對效率和功率密度的選擇范圍
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擴(kuò)產(chǎn)能，降成本！意法半導(dǎo)體制造首批200mm碳化硅晶圓
晶圓升級到200mm標(biāo)志著擴(kuò)大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計(jì)劃取得階段性成功！
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意法半導(dǎo)體制造首批200mm碳化硅晶圓
晶圓升級到 200mm標(biāo)志著擴(kuò)大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計(jì)劃取得階段性成功
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快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度
眾所周知，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等。
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華為哈勃投資天域半導(dǎo)體：發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料碳化硅
除了投資“芯片之母”EDA企業(yè)，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司，后
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Microchip與貿(mào)澤合作推出新電子書探索未來的汽車設(shè)計(jì)與制造
2021年7月8日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與Microchip Technology合作推出一本新電子書Enabling the Future of Mobility。
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雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體達(dá)成電力電子戰(zhàn)略合作
2021 年 6 月 30 日——雷諾集團(tuán)和意法半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作，意法半導(dǎo)體為雷諾集團(tuán)設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造和供應(yīng)純電動汽車和混動汽車電力電子系統(tǒng)所用芯片和相關(guān)封裝解決方案。
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UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET
2021年5月20日，美國新澤西州普林斯頓 --- 全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品。
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碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器中的作用
國際能源署(IEA)估計(jì)，電機(jī)功耗占世界總電力的45%以上。
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積極布局碳化硅廣闊應(yīng)用前景，基本半導(dǎo)體亮相慕尼黑電子展
當(dāng)前碳化硅的推動力需求很足，5G和數(shù)據(jù)激增帶來了數(shù)據(jù)中心的電源功率密度高度提升的要求；碳中和和新基建推動了新能源汽車的市場擴(kuò)大；消費(fèi)端自然地往下走的用戶體驗(yàn)升級，同樣也來自碳化硅和GaN等新材料功率器件對于方案功率密度的提升。碳化硅的應(yīng)用前景蔚然廣闊...
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復(fù)合年增長率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。
