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CISSOID推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊
比利時(shí)·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺(tái)。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。
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借助Littelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估平臺(tái)加快基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)周期
協(xié)助設(shè)計(jì)師為數(shù)據(jù)中心、汽車HEV和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)碳化硅節(jié)能
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
該協(xié)議將提高SiC器件的制造靈活性，促進(jìn)車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)SiC商用
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅(SiC)晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
~有助于推動(dòng)SiC在車載市場(chǎng)和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的普及~
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CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
比利時(shí)·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。
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中國(guó)電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn)，最大碳化硅材料基地即將誕生
今日，據(jù)悉，中國(guó)電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將投產(chǎn)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值 100 億元。該項(xiàng)目將有吸引上游企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)聚集的作用。打造電子裝備制造、第三
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Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%，有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動(dòng)特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計(jì)特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動(dòng)電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級(jí)和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對(duì)電動(dòng)汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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UnitedSiC發(fā)布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低損耗
?2019年12月9日，美國(guó)新澤西州普林斯頓--新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
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意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)
?從材料專業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)
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Cree和ST提高現(xiàn)有碳化硅晶片供貨協(xié)議總價(jià)
基于碳化硅的電源解決方案在整個(gè)汽車市場(chǎng)中的采用率正在快速提高，因?yàn)樵撔袠I(yè)力求加快行業(yè)從內(nèi)燃機(jī)向電動(dòng)汽車的轉(zhuǎn)型，提高系統(tǒng)效率，使電動(dòng)汽車具有更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更快的充電速度，同時(shí)降低成本，減輕車重，節(jié)省空間。
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高能效車載充電方案
?電動(dòng)、混動(dòng)汽車可通過直流充電樁或普通的交流電源插座對(duì)其高壓電池子系統(tǒng)進(jìn)行充電，車載充電器(OBC)是交流充電的核心系統(tǒng)。
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Cree和意法半導(dǎo)體提高現(xiàn)有碳化硅晶片供貨協(xié)議總價(jià)并延長(zhǎng)協(xié)議期限
?中國(guó)，2019年11月21日——Cree有限公司和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體于19日宣布，雙方將現(xiàn)有碳化硅(SiC)晶圓片多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議總價(jià)提高至5億美元以上，并延長(zhǎng)協(xié)議有效期。這份延長(zhǎng)供貨協(xié)議將原合同總價(jià)提高一倍，按照協(xié)議規(guī)定，Cree在未來幾年內(nèi)向意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的150mm碳化硅裸片和外延晶圓。
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科銳與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
科銳與意法半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有多年長(zhǎng)期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價(jià)值的雙倍，科銳將在未來數(shù)年向意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應(yīng)，幫助意法半導(dǎo)體應(yīng)對(duì)在全球范圍內(nèi)快速增長(zhǎng)的SiC功率器件需求，特別是在汽車應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。
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Soitec宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)新一代碳化硅襯底
該項(xiàng)目旨在通過提供先進(jìn)技術(shù)與產(chǎn)品，提高碳化硅的可用性及性能，以滿足電動(dòng)汽車、通信及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)μ蓟璨粩嗌蠞q的需求
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純電動(dòng)車三級(jí)充電樁的優(yōu)選
采用Vienna拓?fù)溆兄T多優(yōu)勢(shì)，但也會(huì)帶來不小的挑戰(zhàn)，因?yàn)椴捎迷撏負(fù)湫枰獙?shí)現(xiàn)大功率高頻轉(zhuǎn)換開關(guān)操作，此舉還會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，加之轉(zhuǎn)換損耗所產(chǎn)生的熱量也需要得到處理。
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基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊斬獲第十四屆“中國(guó)芯”獎(jiǎng)項(xiàng)
?“中國(guó)芯”是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的最高榮譽(yù)，被譽(yù)為我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。10月25日，第十四屆“中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)”在青島舉辦，并現(xiàn)場(chǎng)揭曉了“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果。
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拐點(diǎn)來臨，第三代半導(dǎo)體將催生萬億元市場(chǎng)
未來，第三代半導(dǎo)體應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。
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青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展
9月19日，在青銅劍科技十周年慶典活動(dòng)上，青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案，采用自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET芯片及車規(guī)級(jí)功率模塊封裝，配合穩(wěn)定可靠的碳化硅門極驅(qū)動(dòng)器，將有效提升新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵部件性能。
