中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展

9月19日，由深圳市科學技術協會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。

新產品系列-50A碳化硅功率器件

在日常生活中，電子產品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。2012年5月9日，中國上海訊-碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq:CREE)將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產品系列-50A碳化硅功率器件。

更薄的IIIA族氮化物結構

隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產品也日新月異，產品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產品是功不可沒的。瑞典的研究人員在碳化硅(SiC)上生長出更薄的IIIA族氮化物結構，以期實現高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管(T-HEMT)和其他器件。

碳化硅功率器件的發(fā)展

在日常生活中，電子產品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。2018年10月17日，高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創(chuàng)新成果

中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日–20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創(chuàng)新成果

2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。

深入剖析碳化硅：羅姆為你揭示背后的成本秘密

作為第三代半導體中的明星，碳化硅因為其獨有的特性和優(yōu)勢受到各方青睞。尤其是時下電動汽車市場的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應用。不過，作為新興事物，碳化硅器件的產品良率及價格問題使得其應用變得撲朔迷離。碳化硅器件到底好在哪?目前主要應用領域?成本與硅相比差多少?發(fā)展前景如何?最近，碳化硅主要供應商羅姆半導體公司舉辦座談會，羅姆半導體(北京)有限公司技術中心所長水原德建先生就這些問題進行了詳細介紹。

安森美半導體推出由Strata Developer Studio™支持的電源方案板

安森美半導體在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio™ 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統(tǒng)性能有信心。

一文讀懂碳化硅半導體材料的發(fā)展歷程

之前許久的時間里，我們基本都集中于以硅半導體材料為主的分立器件和集成電路的研究中，廣泛的應用以于消費電子、工業(yè)控制、通信、汽車電子、航天航空等各個領域，帶來的發(fā)展時巨大的。

CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關系，共同研發(fā)解決方案推動碳化硅功率器件廣泛應用

帶有耐高溫驅動器的碳化硅功率模塊將助力新能源汽車領域加快發(fā)展

CISSOID和清華大學電機系達成技術合作意向，共同研發(fā)基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)

CISSOID日前宣布：公司已與清華大學電機工程與應用電子技術系(簡稱電機系)達成技術合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術難題以求實現其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢，并將大力支持在新能源汽車領域開展廣泛應用。

加強RF/功率半導體布局　Cree 3.1億美元出售照明業(yè)務

為了更專注于加強RF業(yè)務及碳化硅(Silicon Carbide)和氮化鎵(GaN)技術，Cree將其照明業(yè)務出售給IDEAL INDUSTRIES。并借此行為將更多資源投注于擴展其半導體業(yè)務，強化該公司在SiC和GaN市場的競爭優(yōu)勢，滿足電動汽車、5G等應用需求。

泰科天潤六英寸SiC項目落戶江西九江

在江西九江市委、市政府主要領導的高位推動下，3月29日，由泰科天潤半導體科技(北京)有限公司投資建設的6寸半導體碳化硅電力電子器件生產線項目正式簽約落戶九江經開區(qū)。該項目的落戶是經開區(qū)大力發(fā)展戰(zhàn)略新興產業(yè)取得的重大新成果，為九江市打造千億電子電器產業(yè)集群和壯大經開區(qū)首位產業(yè)注入新動能。

羅姆半導體正式量產碳化硅MOSFET模組

意法半導體擬收購碳化硅晶圓制造商Norstel AB的多數股權

意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前宣布簽署一份協議，擬收購瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(以下簡稱“Norstel”)的多數股權。在此項收購交易完成后，意法半導體將在全球產能受限的情況下掌控部分SiC器件的整個供應鏈，為把握一個重大的發(fā)展機會做好準備。

富士康要做芯片了，濟南2019重點項目透露了這些！

在實體經濟項目中有幾個重大項目引人注意，包括富士康功率芯片工廠建設項目、天岳高品質4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產業(yè)化項目、天岳碳化硅功率半導體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產業(yè)化項目等。

基本半導體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導體緊跟時代步伐，采用國際領先的碳化硅設計生產工藝，推出國內首款通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，助推國內第三代半導體技術發(fā)展。

Cree與意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓多年供貨協議

2019年1月10日，Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協議，為橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產和供應Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圓。按照該協議的規(guī)定，在當前碳化硅功率器件市場需求顯著增長期間，Cree將向意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。

Cree與ST簽署碳化硅晶圓多年供貨協議

Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協議，為意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產和供應Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圓。

UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產品

碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC宣布推出采用標準TO-247-3L封裝的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。與現有的UJC3系列相比，FAST系列具有更快的開關速度和更高的效率水平。