LED產(chǎn)業(yè)或擺脫產(chǎn)能過?！榜骄省?/a>

LED產(chǎn)業(yè)將脫離產(chǎn)能過剩趨于穩(wěn)定

LED產(chǎn)業(yè)正在走出產(chǎn)能過剩的問題，2014年將重啟設(shè)備投資并擴大產(chǎn)能。根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)的季度預(yù)測報告，LED晶片制造設(shè)備的投資在經(jīng)歷連續(xù)下降之后，到明年將上升17%，達到12億美元。設(shè)備投資也將呈現(xiàn)

科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器


 科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動力車/電動車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達96%，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先。欣銳特是一

科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車

科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動汽車功率變換器的新標(biāo)桿 2013 年 11月 18日，科銳公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣銳特科技有限公

Microsemi 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列 推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列

新器件以緊湊的占位面積實現(xiàn)系統(tǒng)效率提升21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄

日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 日本上市公司薩姆肯（Samco）發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ，處理SiC加工，型號為RIE-600iPC。系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕

東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

21ic訊 東芝公司宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。SBD適用于多種應(yīng)用

道康寧CEO：中國“硅”市場潛力無限

1973年，道康寧在香港設(shè)立首個亞洲辦事處。以此為起點，道康寧在大中華區(qū)開始了快速發(fā)展。9月24日，在道康寧大中華區(qū)40周年慶典之際，記者采訪了專程來華的道康寧總裁兼首席執(zhí)行官韓山柏(Robert.DHansen)先生。與中國

道康寧CEO：中國“硅”市場潛力無限

1973年，道康寧在香港設(shè)立首個亞洲辦事處。以此為起點，道康寧在大中華區(qū)開始了快速發(fā)展。9月24日，在道康寧大中華區(qū)40周年慶典之際，記者采訪了專程來華的道康寧總裁兼首席執(zhí)行官韓山柏(Robert.DHansen)先生。與中國

白光LED專利防御與運營研究

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 LED專利領(lǐng)域全球?qū)＠^12萬件，核心專利主要在國外企業(yè)手中，中國企業(yè)在技術(shù)和專利方面落后于國外企業(yè)。以LED前端為例，目前國內(nèi)已授權(quán)的約470件外延專利中有超過350件是國外企業(yè)所申請

東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。SBD適用于多種應(yīng)用，

ST推出改進版串聯(lián)二極管，提供經(jīng)濟的碳化硅二極管替代方案

21ic訊意法半導(dǎo)體推出第二代串聯(lián)二極管(tandem diodes)，讓設(shè)計人員以高成本效益的方式提升設(shè)備能效，目標(biāo)應(yīng)用包括電源、太陽能逆變器和電動交通工具充電樁。與第一代產(chǎn)品相比，新的二極管產(chǎn)品降低了反向恢復(fù)電荷(QR

晶能光電“中國芯”逆襲 打破核心專利寡頭夢魘

最艱苦、最難熬!這是中國LED業(yè)界對2012年的評價。因行業(yè)盲目擴張、擴產(chǎn)，大量LED企業(yè)價格下跌、利潤大幅下滑。這一年，LED上游企業(yè)產(chǎn)能利用率僅50%左右。然而，也是在這一年，晶能光電實現(xiàn)銷售額5億元。接下來的2013

半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的新血液：碳化硅襯底

【導(dǎo)讀】對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進行選擇。 摘要： 對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合

新型材料在LED行業(yè)熱管理的應(yīng)用

“十二五”七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和地方節(jié)能環(huán)保LED照明推廣政策的出臺，為LED照明帶來重大發(fā)展契機。據(jù)行業(yè)報告顯示，我國LED照明行業(yè)市場規(guī)模從2008年至2012年由不足140億增長至約800億，增長率約484%，預(yù)計2

GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

21ic訊 GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑

GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大

Mouser推出Cree公司的業(yè)界首款1200V高頻碳化硅半電橋模塊

在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管21ic訊 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特

重新應(yīng)用 BJT：在光伏逆變器中運用新型SiC BJT 可實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

最近，碳化硅 (SiC) 的使用為 BJT 賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的器件。SiC BJT 運用在光伏電源轉(zhuǎn)換器中時，可實現(xiàn)良好效率，并且（也許更重要的是）能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統(tǒng)級別上顯著降低成本。

科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅 MOSFET器件

顯著降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本 新型器件可提供雙倍A/$ 碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器