GlobalFoundries 22/20nm工藝啟用極紫外光刻 AMD等不及

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會Semicon West 2010上，GlobalFoundries公布了該公司推動極紫外(EUV)光刻技術(shù)投入量產(chǎn)的一些規(guī)劃細節(jié)。按照這份計劃書，GF將在 2014-2015年左右將極紫外光刻技術(shù)推向商用，屆時半導(dǎo)體制造工藝也會進化

劣質(zhì)LED燈具毀你眼睛沒商量不容忽視

專家呼吁應(yīng)對LED燈進行“光生物安全”強制檢測 “光生物安全性”可以理解為“光學(xué)輻射”，在一些光源或燈具發(fā)出的光譜中，除了可見光外，還有紫外光和紅外光，對人的眼睛和皮膚會產(chǎn)生不同程度的光化學(xué)紫外危害和紅外

Intel展示新材料 極紫外光刻走向?qū)嵱?/a>

不合格LED燈會傷人眼 光生物安全需重視

大家買燈具多數(shù)會關(guān)注其漏電安全，但另一種安全——“光生物安全”實際上也值得重視。從負責(zé)光電檢驗的專家處了解到，“光生物安全”檢測不合格的燈具可能將人照傷，還可能傷害人的眼睛。特別是利用藍光或者紫外光發(fā)

臺積電持續(xù)投資歐洲半導(dǎo)體業(yè)

這項設(shè)備將安裝于臺積電的超大晶圓廠——臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。臺積電也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】（記者 周元英）2

跨入16奈米世代 一步到位

摩爾定律預(yù)測，2015年16奈米的晶體管將邁入量產(chǎn)，然而16奈米目前卻有著難以突破的瓶頸。國家奈米組件實驗室研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，讓整個微影制程縮減為只需一個步驟就可以完成，而且不需光罩、光阻，可大幅省下制程成本

TSMC取得艾司摩爾超紫外光微影設(shè)備

TSMC與荷蘭艾司摩爾（ASML）公司共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN NXE:3100 － 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項設(shè)備的客戶伙伴之一。 這項設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠（G

臺積電將于十二廠安裝ASML超紫外光微影設(shè)備

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)日前與荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者艾司摩爾(ASML)共同宣布，臺積電將取得ASML的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項設(shè)備的客戶伙伴之一。 該套AS

臺積電領(lǐng)軍 晶圓代工全紅

〔記者洪友芳／新竹報導(dǎo)〕虎年開市，晶圓雙雄股價持穩(wěn)上漲，帶動晶圓代工類股皆收紅，奪得新春好采頭，臺積電（2330）并宣布取得荷商ASML公司的超紫外光微影設(shè)備，以發(fā)展新世代制程技術(shù)，有機會降低生產(chǎn)成本。 臺

首創(chuàng)！臺積電取得艾司摩爾超紫外光微影設(shè)備研發(fā)先進制程

臺積電與荷蘭艾司摩爾（ASML）公司今(22)日共同宣布，臺積公司將取得ASML公司TWINSCAN? NXE:3100 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項設(shè)備的客戶伙伴之一。 臺積電指出，這項設(shè)備將

進攻先進制程 臺積電首采ASML超紫外光微影設(shè)備

全球晶圓代工霸主臺積電(TSM-US；2330-TW)虎年持續(xù)躍進，今(22)日與荷蘭艾司摩爾(ASML；ASML-US)共同宣布，臺積電將取得ASML公司的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，將安裝于臺積電

臺積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項設(shè)備的客戶伙伴之一。這項設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓

2010決勝年　ASML 主攻38納米、EUV設(shè)備

全球最大半導(dǎo)體微顯影設(shè)備業(yè)者ASML表示，目前客戶訂單增加相當(dāng)多，但主是來自半導(dǎo)體業(yè)者制程微縮而非產(chǎn)能擴充的需求，半導(dǎo)體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導(dǎo)體制程，摩爾定律預(yù)料將持續(xù)延續(xù)。以目前ASML最先進的浸潤式微顯影機種

22納米設(shè)備傳難產(chǎn)　延后進駐臺積電

22納米制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者Mapper傳出設(shè)備進度遞延，Mapper目前是與臺積電在新世代半導(dǎo)體曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一，Mapper的進度遞延已經(jīng)讓原本預(yù)期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延

IMEC計劃擴充研發(fā)18吋晶圓廠

歐洲研究機構(gòu)IMEC計劃擴充其12吋旗艦晶圓廠以提升產(chǎn)能，并計劃在2010年出開始提供試產(chǎn)用的超紫外光微影(extremeultravioletlithography)工具。該研究機構(gòu)的總裁暨執(zhí)行長GilbertDeclerck亦透露，IMEC位于比利時Leuven

雪萊特高交會上力推紫外光激發(fā)平面光源技術(shù)

在第九屆高交會上，廣東雪萊特光電科技股份有限公司推出自己的紫外光激發(fā)平面光源（UFL）技術(shù)，UFL是一種以紫外光源激發(fā)外部熒光層，形成均勻平面光源的全新背光技術(shù)。有別于傳統(tǒng)的設(shè)計，UFL擁有非常出色的廣色域色彩

光刻行業(yè)遭雙重打擊 下一代技術(shù)面臨難題

曾經(jīng)看來大有希望的遠紫外(EUV)光刻技術(shù)面臨著重重困難，193納米沉浸式技術(shù)似乎成為了必然的選擇，但成本高昂，而且很難延伸到16納米節(jié)點以下。半導(dǎo)體光刻工藝正面臨著技術(shù)和成本方面的雙重壓力。 半導(dǎo)體光刻工藝面臨

單片機破解的常用方法及應(yīng)對策略

介紹了單片機內(nèi)部密碼破解的常用方法，重點說明了侵入型攻擊／物理攻擊方法的