2012年對于中國新能源汽車市場仍然是調(diào)整和規(guī)劃的一年。整體銷量并沒有大的突破,但是這并不意味著市場停滯和無所作為。整個產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游都在積極思變,以更加理性務(wù)實(shí)的態(tài)度來精耕市場。中國政府也在不斷出臺
英飛凌科技股份公司和華為技術(shù)有限公司日前宣布,雙方將在新一代通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開發(fā)領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略合作,同時啟動華為-英飛凌網(wǎng)絡(luò)能源聯(lián)合實(shí)驗室。 在通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開發(fā)領(lǐng)域,華為選擇英飛凌作為其長
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日推出一系列可為移動電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二極管和陣列器件具備非常低的動態(tài)電阻(Rdyn =
21ic訊 英飛凌科技股份公司日前推出一系列可為移動電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二極管和陣列器件具備非常低的動態(tài)電阻(Rdyn = 0.19Ω)和超低電容(C = 0.4pF),可使
21ic訊 英飛凌科技股份公司和華為技術(shù)有限公司今天宣布,雙方將在新一代通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開發(fā)領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略合作,同時啟動華為-英飛凌網(wǎng)絡(luò)能源聯(lián)合實(shí)驗室。在通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開發(fā)領(lǐng)域,華為選擇英飛凌
2013年6月4日,中國深圳訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和華為技術(shù)有限公司今天宣布,雙方將在新一代通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開發(fā)領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略合作,同時啟動華為-英飛凌網(wǎng)絡(luò)能源聯(lián)合實(shí)驗室。在
21ic訊 2013年6月3日,德國紐必堡訊—英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布為臺灣電子護(hù)照項目提供安全芯片。英飛凌是該項目唯一的安全芯片供應(yīng)商,已開始裝運(yùn)基于數(shù)字安全技術(shù)“Integr
21ic訊 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合,推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日發(fā)布了2013財年第二季度(截至2013年3月31日)的財務(wù)數(shù)據(jù)。 英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官 Reinhard Ploss博士稱:“上一季度,公司營收和利潤率出現(xiàn)了喜人的
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日發(fā)布了2013財年第二季度(截至2013年3月31日)的財務(wù)數(shù)據(jù)。英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官 Reinhard Ploss博士稱:“上一季度,公司營收和利潤率出現(xiàn)了喜
NFC(NearFieldCommunication)是以RFID(RadioFrequencyIdentification)標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)所衍生的短距離無線通訊技術(shù),工作頻段為13.56MHz,通訊采用電磁感應(yīng)方式。今年智能手機(jī)新品可望加速采用結(jié)合近場無線通訊(NFC)和其他
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計以及采用40納米工藝制造汽車單片機(jī)和安全微
21ic訊 英飛凌科技股份公司推出了針對要求最高精度、最低能耗和最小空間的汽車和工業(yè)應(yīng)用的霍爾傳感器。全新TLE496x傳感器提供全球最小的霍爾傳感器封裝(SOT23)。該產(chǎn)品以英飛凌開發(fā)的全新0.35µm工藝技術(shù)為基礎(chǔ)
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計以及采用40納米工藝制造汽車單片機(jī)和安全微
英飛凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)與GLOBALFOUNDRIES 公司日前宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計以及采用40
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計為基礎(chǔ)的技術(shù)開發(fā),以及採用 40nm 製
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計以及采用40納米工藝制造汽車單片機(jī)
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計為基礎(chǔ)的技術(shù)開發(fā),以及採用 40nm 製
OFweek電子工程網(wǎng)訊:歐盟執(zhí)委會宣布,已對多家智慧卡微晶片供應(yīng)商可能涉及聯(lián)手操縱價格一案正式展開調(diào)查。英飛凌科技、飛利浦電子、三星電子與瑞薩科技公司(Renesas)證實(shí),收到歐盟反托辣斯當(dāng)局通知,指控它們
受到汽車電子、醫(yī)療電子、智能能源、智能工業(yè)以及智能電網(wǎng)熱潮驅(qū)動,MCU進(jìn)入快速增長通道。全球嵌入式廠商紛紛摩拳擦掌爭推出各具競爭力技術(shù)產(chǎn)品,完善嵌入式產(chǎn)品適應(yīng)日益復(fù)雜的市場應(yīng)用需求。車用MCU、電機(jī)/馬達(dá)控制