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領(lǐng)先全球 SanDisk和東芝公布15nm閃存芯片
半導(dǎo)體有多種類(lèi)型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見(jiàn)的是NAND閃存(Flash)，因此針對(duì)此類(lèi)芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個(gè)行業(yè)。威鋒網(wǎng) 4 月 24 日消息 日前，SanDisk 和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為
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東芝、閃迪齊頭并進(jìn)：15nm閃存來(lái)了！
東芝、閃迪今天同時(shí)宣布了世界上最先進(jìn)的15nm NAND閃存工藝，很快就都會(huì)投入量產(chǎn)。東芝會(huì)在4月底搶先開(kāi)始批量生產(chǎn)15nm工藝的閃存顆粒，地點(diǎn)在位于日本三重縣四日市業(yè)務(wù)部的Fab 5。這是東芝最先進(jìn)的閃存晶圓廠，目前擁
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長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版2月上市 百公里油耗5.4L
[摘要] 據(jù)悉，長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版車(chē)型將在2月份上市，該車(chē)百公里油耗僅為5.4L，將是比亞迪秦之后又一款自主品牌的混動(dòng)力作。 新年伊始，2月市場(chǎng)又將有一批新車(chē)要與消費(fèi)者見(jiàn)面，其中最引人注目的要數(shù)長(zhǎng)安轎車(chē)自
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20nm、16nm及以下的芯片工藝或成2017主流
【導(dǎo)讀】過(guò)去幾年，我們比較先進(jìn)的工藝還是保持在60nm、45nm，但是從2013年開(kāi)始，28nm、32nm成為主流的先進(jìn)工藝，特別是28nm，將每年保持高增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。邱善勤預(yù)測(cè)：32nm、20nm是過(guò)渡型工藝，不是主流，到2017年20nm
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聯(lián)電55nm驅(qū)動(dòng)IC受熱捧
晶圓代工廠聯(lián)電今天宣布，55nm嵌入式高壓制程生產(chǎn)的小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC，累積出貨已逾1500萬(wàn)顆。聯(lián)電表示，客戶55nm小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品2012年底首次設(shè)計(jì)定案(tapeout)，短短1年累積出貨1500萬(wàn)顆，展現(xiàn)聯(lián)電在工程與制
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聯(lián)電55nm驅(qū)動(dòng)IC出貨旺
晶圓代工廠聯(lián)電今天宣布，55nm嵌入式高壓制程生產(chǎn)的小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC，累積出貨已逾1500萬(wàn)顆。聯(lián)電表示，客戶55nm小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品2012年底首次設(shè)計(jì)定案(tapeout)，短短1年累積出貨1500萬(wàn)顆，展現(xiàn)聯(lián)電在工程與制
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長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版2月上市 綜合油耗5.4L
[摘要] 長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版車(chē)型將于今年2月份上市，這款車(chē)型的百公里油耗為5.4L。 日前，記者從長(zhǎng)安汽車(chē)處得到消息，長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版車(chē)型將會(huì)在2月份上市，這款車(chē)型百公里油耗為5.4L。據(jù)悉，該車(chē)在外觀上與2014
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博通：28nm工藝之后成本無(wú)法獲益 5nm將達(dá)現(xiàn)有工藝極限
三十多年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣做
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15年后摩爾定律將失效 5nm工藝將是極限
三十多年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTO Henry Samueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣
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博通：28nm工藝之后成本無(wú)法獲益 5nm將達(dá)現(xiàn)有工藝極限
三十多年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣做
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武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)
12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”。會(huì)議期間，受邀采訪到
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武漢新芯：成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)路人
12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”，慧聰電子網(wǎng)記者受邀參
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武漢新芯：成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)路人
12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”，慧聰電子網(wǎng)記者受邀參
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旺宏75nm NOR閃存芯片通過(guò)三星驗(yàn)證
元器件交易網(wǎng)訊 10月31日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣旺宏電子（Macronix）的75nm 16MB 1.8V NOR閃存芯片通過(guò)三星電子驗(yàn)證，2014年開(kāi)始出貨量將增加。根據(jù)市場(chǎng)觀察家表示，三星一直是華邦電子（Winbond）主要的NOR閃存客戶。此
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IC Insights：臺(tái)積電≦45nm營(yíng)收冠群雄
臺(tái)積電45奈米及以下制程營(yíng)收表現(xiàn)出眾。IC Insights指出，45奈米及以下先進(jìn)制程將是今年晶圓代工廠最主要的營(yíng)收成長(zhǎng)來(lái)源；其中，臺(tái)積電預(yù)估將達(dá)103億美元，占總體營(yíng)收比重高達(dá)51%，是格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的四倍
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從俄羅斯發(fā)現(xiàn)鉆石礦看鉆石加工和檢測(cè)
近日，俄羅斯政府已經(jīng)宣稱(chēng)在西伯利亞隕石坑下發(fā)現(xiàn)大量的高品質(zhì)鉆石，儲(chǔ)量達(dá)到了數(shù)萬(wàn)億克拉。據(jù)媒體報(bào)道，這樣的儲(chǔ)量能夠在未來(lái)的3000年里滿足世界鉆石市場(chǎng)的需求。那么，未來(lái)鉆石價(jià)格會(huì)不會(huì)像白菜一樣呢？而作為世界
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)?推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無(wú)異議，而且
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無(wú)異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)? 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無(wú)異
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單芯片1TB！Crossbar RRAM挑戰(zhàn)閃存
美國(guó)加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar, Inc.經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期沉默后突然爆發(fā)，宣布了自主研發(fā)的全新大容量、高性能非易失性存儲(chǔ)技術(shù)“Crossbar Resistive RAM”(電阻式記憶體/RRAM)，號(hào)稱(chēng)可在200平方毫米大小(基本上就相當(dāng)于個(gè)
