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通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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25nm閃存固態(tài)硬盤(pán)容量縮水問(wèn)題浮現(xiàn)
制造工藝的更新?lián)Q代可以給閃存帶來(lái)性能提升和成本的下降，這在玩家心目中幾乎是公認(rèn)的事實(shí)。然而大多數(shù)人可能忽略了事情的另一面，即閃存制造工藝升級(jí)帶來(lái)的壽命問(wèn)題。隨著半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，NAND閃存的可靠性會(huì)明
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中低密度FPGA需求巨大
為了實(shí)現(xiàn)FPGA進(jìn)入有線(xiàn)/無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)核心高容量市場(chǎng)的應(yīng)用，賽靈思推出了創(chuàng)新的SSI（堆疊硅片互聯(lián)）技術(shù)將多顆FPGA芯片封裝在一起以擴(kuò)大目前最先進(jìn)工藝（28nm）下FPGA的容量；但是另方面，低密度的FPGA也仍是非常受歡迎，
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Intel生產(chǎn)工藝規(guī)劃是否會(huì)按部就班？
按ITRS工藝路線(xiàn)圖，在2009年進(jìn)入32納米，英特爾做到了。但是實(shí)現(xiàn)工藝，出產(chǎn)樣品，到真正量產(chǎn)，尚存在差距，通常需要一年多時(shí)間。按英特爾計(jì)劃，2011 Q1時(shí)32nm的出貨比升至35%，Q2時(shí)達(dá)50%，到Q3時(shí)32nm才超過(guò)70%，表示
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Intel生產(chǎn)工藝規(guī)劃32nm半年后過(guò)半
編者點(diǎn)評(píng)：按ITRS工藝路線(xiàn)圖,在2009年進(jìn)入32納米,英特爾做到了。但是實(shí)現(xiàn)工藝,,出產(chǎn)樣品,到真正量產(chǎn)，尚存在差距，通常需要一年多時(shí)間。按英特爾計(jì)劃，,2011 Q1時(shí)32nm的出貨比升至35％，Q2時(shí)達(dá)50％，到Q3時(shí)32nm才超過(guò)
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近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)
目前，限制SSD普及的門(mén)檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠(chǎng)商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開(kāi)幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場(chǎng)以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽(tīng)眾
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開(kāi)幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場(chǎng)以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國(guó)
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G652D光纖宏彎損耗測(cè)試方法
光纖宏彎損耗測(cè)試，在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB?！ 《?中描述：為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代
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《國(guó)際電子商情》10月熱門(mén)產(chǎn)品匯總
關(guān)鍵字： LTE PA 云手機(jī) CDMA GPU LTE云手機(jī)將促使市場(chǎng)全面洗牌
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Intel斥資80億美元意在15nm及更小芯片
據(jù)外電報(bào)道，英特爾宣布建立新的工廠(chǎng)和投入新的設(shè)施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。投資預(yù)計(jì)達(dá)80億美元。英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測(cè)試生產(chǎn)部總經(jīng)理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預(yù)計(jì)明年下半年將
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Intel投資8億美元欲開(kāi)發(fā)小于15nm芯片
英特爾宣布它將會(huì)投入8億美元建立新的工廠(chǎng)和投入新的設(shè)施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。 英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測(cè)試生產(chǎn)部總經(jīng)理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預(yù)計(jì)明年下半年將推出應(yīng)用22納米
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EV Group推出軟UV納米壓印光刻技術(shù) 尺寸可達(dá)12.5nm
領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商EV Group發(fā)布了一項(xiàng)新的技術(shù)Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨圖形?；贓VG的UV-NIL系統(tǒng)，SMS-NIL為客戶(hù)提供可重復(fù)的、具成本效益的工
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英特爾已在規(guī)劃22nm、15nm Atom大軍
舊金山IDF 2010上，Intel不僅宣布了面向嵌入式系統(tǒng)的Atom E610、面向消費(fèi)電子設(shè)備視的Atom CE4200處理器，還展示了Atom家族的未來(lái)路線(xiàn)圖。 在不斷升級(jí)的半導(dǎo)體工藝支撐下，Atom家族也會(huì)日益龐大。從現(xiàn)在開(kāi)始，Int
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中芯國(guó)際最新技術(shù)路線(xiàn)圖發(fā)布 32nm研發(fā)加速進(jìn)行
作為中國(guó)本土最大的芯片制造商，中芯國(guó)際的技術(shù)動(dòng)向無(wú)疑是業(yè)界的焦點(diǎn)。中芯國(guó)際已走過(guò)10個(gè)年頭，9月16日舉辦的的技術(shù)研討會(huì)恰逢其成立10周年，新領(lǐng)導(dǎo)班子的集體亮相、最新技術(shù)路線(xiàn)圖的發(fā)布、研發(fā)進(jìn)展?fàn)顩r等，成為了此
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中國(guó)Foundry本土化是必然趨勢(shì)
“未來(lái)10年，中國(guó)Foundry將迎來(lái)新的發(fā)展階段，在國(guó)際合作的前提下，本土化將是必然的趨勢(shì)，即資金本土化、管理本土化、市場(chǎng)本土化、人才本土化?！边@是首次在公眾面前亮相的上海華力微電子有限公司總裁資深顧問(wèn)兼銷(xiāo)
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2015年15nm GF將用EUV光刻技術(shù)造芯片
在最近的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會(huì)議上， Global Foundries公司對(duì)外宣布，將會(huì)在15nm制程時(shí)開(kāi)始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。Global Foundries公司高級(jí)副總裁Greg Bartlett表示，在紐約Fab 8工廠(chǎng)建成之后的2012
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英特爾工藝開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)
LSI的基本元件CMOS晶體管長(zhǎng)期以來(lái)一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來(lái)看似乎還遠(yuǎn)未走到終點(diǎn)。全球最大代工廠(chǎng)商臺(tái)積電（TSMC）于今年夏季動(dòng)工建設(shè)的新工廠(chǎng)打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺(tái)積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體
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英特爾25nm閃存量產(chǎn) 演繹新固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾證實(shí)它與美光閃存公司合作開(kāi)發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，并開(kāi)始向消費(fèi)者供貨。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二
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英特爾25nm閃存量產(chǎn)演繹新固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾證實(shí)它與美光閃存公司合作開(kāi)發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，并開(kāi)始向消費(fèi)者供貨。IMFT（Intel-MicronFlashTechnologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二月
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