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世界最小！爾必達已量產(chǎn)25nm內(nèi)存芯片
近日如同計劃中的一樣，日本企業(yè)爾必達成功在七月份完成了25nm內(nèi)存顆粒產(chǎn)品的生產(chǎn)。它們也因此生產(chǎn)出了世界上最小的DDR3芯片，2Gb 1866MHz頻率的顆粒，電壓為1.35V或1.5V。 爾必達表示，2Gb 25nm內(nèi)存芯片要比當
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很炫改裝Golf R酷裝登場
Siemoneit Racing近日發(fā)布了一套針對大眾高爾夫R開發(fā)的全新性能增強套件。為了讓高爾夫R擁有更為強大的運動性，他們?yōu)槠涓鼡Q了全新的進氣(449歐元)，重新制定的ECU和一副不銹鋼運動排氣系統(tǒng)。得益于此，該車引擎輸出
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NVIDIA遭遇滑鐵盧 Intel 48億發(fā)展15nm
據(jù)國外媒體報道，Intel計劃將對以色列南部的芯片制造廠Fab 28進行技術改造，目前正向當?shù)卣暾埐糠盅a貼。 以色列工業(yè)和貿(mào)易部表示，Intel將投資48億美元對Fab 28制造廠進行技術改造以進行15nm制程芯片的生產(chǎn)工作
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IBM晶圓篩選技術可降低15%生產(chǎn)成本
加州大學洛杉磯分校(UCLA)成立的半導體研究公司(Semiconductor Research Corp.)，最近提出一種新的芯片制程篩選技術，據(jù)稱可降低15%的芯片生產(chǎn)成本，并將每芯片收益提升最多達12%。 目前，這種新的篩選技術正由
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IBM晶圓篩選技術降低15%晶片生產(chǎn)成本
加州大學洛杉磯分校(UCLA)成立的半導體研究公司(Semiconductor Research Corp.)，最近提出一種新的晶片制程篩選技術，據(jù)稱可降低15%的晶片生產(chǎn)成本，并將每晶片收益提升最多達12%。 目前，這種新的篩選技術正由IBM公
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爾必達投資800億日元應對DRAM 50％/年的需求增長
日本爾必達存儲器正致力于通過小額設備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達到50％/年，但卻打算以較上財年減少30％的設備投資額（800億日元）來應對
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爾必達投資800億日元應對DRAM 50％/年的需求增長
日本爾必達存儲器正致力于通過小額設備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達到50％/年，但卻打算以較上財年減少30％的設備投資額（800億日
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Calibre方案助力上海華力65/45nm工藝研發(fā)生產(chǎn)
明導國際日前宣布，由中國政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹（集團）有限公司、上海宏力半導體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采用了Calibre RET和
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泰鼎機頂盒SoC被選用于下一代廣播電視試部署
機頂盒和電視半導體解決方案領先供應商泰鼎微系統(tǒng)(NASDAQ: TRID)日前宣布，其機頂盒片上系統(tǒng) (SoC) 將驅(qū)動中國下一代廣播電視 (Next Generation Broadcasting, NGB) 首批部署試點之一。這再次印證了泰鼎致力于把最
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Calibre方案助力上海華力65/45nm工藝研發(fā)生產(chǎn)
明導國際日前宣布，由中國政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹（集團）有限公司、上海宏力半導體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采用了Calibre RET和
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銳迪科微電子與中芯國際達成高端 55nm 量產(chǎn)里程碑
上海和新竹2011年3月9日電 /美通社亞洲/ -- 銳迪科微電子（Nasdaq：RDA），中國最領先的射頻 IC公司，與中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證券交易所：SMI 和香港聯(lián)交所：0981.HK）今天共同宣布銳
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銳迪科RDA5802N芯片采用中芯國際達55nm低漏電工藝平臺
銳迪科微電子中國射頻IC公司與中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)日前共同宣布銳迪科RDA5802N調(diào)頻接收器(RF Receiver)芯片，一個采用中芯國際的55納米低漏電(LL)工藝平臺以及寅通科技IP解決方案的產(chǎn)品已于日
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半導體技術評析：通向14nm、5nm節(jié)點的挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn) 對于邏輯電路，STMicro的ThomasSkotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理
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半導體技術評析：通向14nm、5nm節(jié)點的挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Muk
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通向14/15nm節(jié)點技術的挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)
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美光基于25nm閃存的SSD助筆記本電腦實現(xiàn)更輕薄體驗
關鍵字： 25nm 閃存 固態(tài)硬盤 C400 輕薄便攜的筆記本電腦正在成為時下的市場潮流，這種
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寅通科技(Innopower)實現(xiàn)卓越業(yè)務里程碑
2010年重要的里程碑和成就自2009年12月IP業(yè)務從智原科技轉(zhuǎn)移出來后，已有超過75個新的licensee被添加到寅通科技的客戶群。2009年12月以來，已創(chuàng)建超過6個新的65/55nm平臺IP解決方案。這些IP在超過6家65/55nm的Fou
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通向14nm和5nm節(jié)點技術的挑戰(zhàn)
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，
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通向14/15nm節(jié)點的技術挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Muk
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通向14nm、5nm節(jié)點技術的挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Muk
