臺(tái)積電制程工藝快人一步 投250億美元生產(chǎn)5nm 預(yù)計(jì)2年后問(wèn)世

7nm之外，臺(tái)積電也準(zhǔn)備5nm多時(shí)了，根據(jù)他們?cè)诎雽?dǎo)體技術(shù)論壇所說(shuō)，臺(tái)積電將投資250億美元發(fā)展5nm工藝，預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)。

臺(tái)積電7nm已量產(chǎn) 5nm明年初風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)

魏哲家說(shuō)，半導(dǎo)體是一個(gè)非?；镜男袠I(yè)，就像創(chuàng)辦人張忠謀所言，半導(dǎo)體會(huì)像是日常生活不可或缺的面包、飯;隨著5G與人工智能(AI)新技術(shù)來(lái)臨，世界會(huì)發(fā)生重大變動(dòng)。

Mentor 強(qiáng)化支持臺(tái)積電5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝以及晶圓堆疊技術(shù)的工具組合

entor, a Siemens business 宣布，該公司 Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS™) Platform 中的多項(xiàng)工具已通過(guò)TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長(zhǎng)市場(chǎng)提供芯片創(chuàng)新。

全球首座5nm芯片工廠開(kāi)工 2020年初量產(chǎn)

臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)，臺(tái)積電的Fab 18晶圓廠一期工程順利奠基。這是臺(tái)積電在臺(tái)灣的第四座300mm晶圓廠，也將首次投產(chǎn)5nm新工藝。臺(tái)積電計(jì)劃2019年第一季度完成新工廠的建設(shè)，并開(kāi)始設(shè)備遷入，2019年第二季度試產(chǎn)，2020年初投入5nm的批量生產(chǎn)。

IBM試產(chǎn)5nm芯片：指甲蓋大小可容納300億晶體管

當(dāng)前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已開(kāi)始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。不過(guò)為了制造 5nm 芯片，IBM 也拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu)，取而代之的是四層堆疊納

太快啦！IBM和三星聯(lián)合打造出5nm芯片

目前，最先進(jìn)的芯片使用帶有10納米寬電路的FinFET制程。英特爾等公司已能夠用FinFET制程打造安裝有100億或150億個(gè)晶體管的芯片。 IBM研究部門的半導(dǎo)體技術(shù)研究副總裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)稱，5納米芯片的速度要比10納米芯片快大約40%，效能提高75%。 “這是7納米技術(shù)之外的重大創(chuàng)新成果。”哈雷說(shuō)，“這是設(shè)計(jì)上的創(chuàng)新，它讓你整合了更多的晶體管?！?/p>

一鳴驚人！中國(guó)半導(dǎo)體打破格局！顛覆核心技術(shù)！

近日，媒體報(bào)道了這樣的一則消息，中微半導(dǎo)體設(shè)備公司將在今年年底正式敲定5nm刻蝕機(jī)!

臺(tái)積電投資5千億在3nm，5nm制程，或?qū)⒂?022年量產(chǎn)

近日，臺(tái)積電新聞發(fā)言人表示，新生產(chǎn)設(shè)施的投資額超過(guò)5000億元新臺(tái)幣(157億美元)，新工廠將能生產(chǎn)全世界最先進(jìn)的芯片。

臺(tái)積電10nm以下先進(jìn)制程計(jì)劃：5nm/3nm仍在規(guī)劃中

雖然摩爾定律(Moore’s Law)能否持續(xù)推進(jìn)，產(chǎn)業(yè)界眾說(shuō)紛云，但晶圓代工龍頭臺(tái)積電靠著技術(shù)上的創(chuàng)新，可望讓先進(jìn)制程依循摩爾定律，持續(xù)推進(jìn)到5納米及3納米世代。為此，臺(tái)積電將以南科園區(qū)為據(jù)點(diǎn)，投入5，000億元資金，建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。

5nm是現(xiàn)有芯片工藝的極限？

摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發(fā)展總歸會(huì)有一個(gè)權(quán)限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實(shí)上，隨著10nm、7nm芯片研發(fā)消息不斷報(bào)出，人們也開(kāi)始擔(dān)心硅芯片極限的逐漸逼近，會(huì)不會(huì)意味著摩爾定律最終失效，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)停滯不前。 為什么說(shuō)5nm是現(xiàn)有芯片工藝的極限呢？

AMD發(fā)布新一代45nm四核皓龍?zhí)幚砥鳌吧虾！?/a>

大廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)移DRAM供貨吃緊

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下

臺(tái)積電公布開(kāi)發(fā)藍(lán)圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開(kāi)始”

【導(dǎo)讀】臺(tái)積電公布開(kāi)發(fā)藍(lán)圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開(kāi)始” 臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）在日本橫浜市舉行了記者招待會(huì)，披露了其技術(shù)開(kāi)發(fā)藍(lán)圖以及針對(duì)日本市場(chǎng)的措施。臺(tái)積電的孫元

IBM等4公司宣布45nm工藝制造的電路正常動(dòng)作

【導(dǎo)讀】IBM等4公司宣布45nm工藝制造的電路正常動(dòng)作 IBM、新加坡特許半導(dǎo)體制造（Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.）、德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）、韓國(guó)三星電子宣布，采用聯(lián)合

硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用

【導(dǎo)讀】硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用 硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置此前一直主要由硅晶圓廠商使用，而最近開(kāi)發(fā)45nm工藝以及更先進(jìn)的LSI的半導(dǎo)體廠商也紛紛開(kāi)始采用。 為了滿足半導(dǎo)體廠

旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù)

【導(dǎo)讀】旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù) 從事多項(xiàng)目晶圓管理的聯(lián)合體—電路多項(xiàng)目(Circuits Multi Projets， CMP)公司(位于法國(guó)格勒諾布爾)—已經(jīng)從ST微電子公司引入了45nm CMOS工藝。通過(guò)

DRAM市場(chǎng)全面獲利　第一季產(chǎn)值99.4億美元

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入寡占結(jié)構(gòu)后，市場(chǎng)從去年開(kāi)始進(jìn)入全面獲利的狀況，2014年第一季DRAM產(chǎn)值再度攀升至99.4億美元，較上季成長(zhǎng)2%，逼近百億美元規(guī)模。三大

東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。 過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器每GB的價(jià)格不到50美分，

東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)

閃迪東芝發(fā)布15nm閃存芯片，提速30%

半導(dǎo)體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見(jiàn)的是NAND閃存（Flash），因此針對(duì)此類芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個(gè)行業(yè)。日前，SanDisk和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為止全球最