1、單色光LED的種類以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對(duì)單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。單色光LED最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(&
解本土IC設(shè)計(jì)之“渴”近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少
富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設(shè)計(jì)之“渴” 近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并?!癕兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少數(shù)剛崛起的大陸
近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設(shè)計(jì)公司
光纖宏彎損耗測(cè)試,在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為:光纖以30mm半徑松繞100圈,在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB。而注2中描述:為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度,可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈
英特爾制程工藝路線圖。北京時(shí)間5月17日消息,英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示,英特爾已開(kāi)始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外,英特爾目前計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡、亞利桑那和愛(ài)爾蘭的工廠中部
IntelCEOPaulOtellini近日對(duì)投資者透露,半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作,這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō):“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的,我是說(shuō)(未來(lái))十年?!卑凑章肪€圖,2
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露,半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作,這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō):“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的,我是說(shuō)(未來(lái))十年。”按照路線圖
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露,半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作,這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō):“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的,我是說(shuō)(未來(lái))十年。”
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露,半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作,這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō):“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的,我是說(shuō)(未來(lái))十年。”
Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm、5nm工藝
問(wèn):貴公司的工藝計(jì)劃是什么? 答:在先進(jìn)制程方面,中芯也有人也在自問(wèn):我們是不是不再搞先進(jìn)工藝?這是不對(duì)的。先進(jìn)工藝我們還要搞,28nm正在做,準(zhǔn)備在2013年第二季度末、第三季度初就把28nm工藝基本完成。然后
摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來(lái)臨,將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項(xiàng)大革命,全球半導(dǎo)體廠都在思索未來(lái)趨勢(shì),臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成20日指出,摩爾定律未必走不下去,只要與3DIC技術(shù)相輔相成,朝省電、體積小等特性鉆
光纖宏彎損耗測(cè)試,在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為:光纖以30mm半徑松繞100圈,在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB?! 《?中描述:為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度,可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替
加州大學(xué)和微軟的研究發(fā)現(xiàn),隨著芯片尺寸縮小,NAND Flash記憶體會(huì)出現(xiàn)顯著的性能退化。當(dāng)電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm,SSD的延遲會(huì)增加一倍。加州大學(xué)的研究生Laura Grupp說(shuō),他們測(cè)試了7家SSD供應(yīng)商的45種不同
力旺電子(eMemory)日前宣布,其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過(guò)可靠度驗(yàn)證,進(jìn)入量產(chǎn)階段;另外,多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步
力旺電子(eMemory)日前宣布,其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過(guò)可靠度驗(yàn)證,進(jìn)入量產(chǎn)階段;另外,多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步
近日,在西安舉辦的2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)上,富士通半導(dǎo)體宣布其ASIC/COT業(yè)務(wù)部將在明年陸續(xù)推出兩套創(chuàng)新的55nm標(biāo)準(zhǔn)單元,可幫助中國(guó)便攜消費(fèi)類終端IC設(shè)計(jì)公司以65nm的成本水平實(shí)現(xiàn)功耗大幅降
兼容65nm IP、功耗大幅降低堪比40nm,富士通半導(dǎo)體ASIC/COT業(yè)務(wù)部明年將推出兩套創(chuàng)新的55nm工藝模型,對(duì)成本、上市時(shí)間和功耗極其敏感的消費(fèi)終端ASIC設(shè)計(jì)意義重大。近日,在西安舉辦的2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路
兼容65nm IP、功耗大幅降低堪比40nm,富士通半導(dǎo)體ASIC/COT業(yè)務(wù)部明年將推出兩套創(chuàng)新的55nm工藝模型,對(duì)成本、上市時(shí)間和功耗極其敏感的消費(fèi)終端ASIC設(shè)計(jì)意義重大。近日,在西安舉辦的2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路