聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上,雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程,奠基于之前的成功經(jīng)驗,此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關
近來中國IC市場的最重磅新聞要屬“大小M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導體(MStar)宣布合并?!癕兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設計公司帶來很大的競爭壓力,而原本就缺資金、缺平
富士通半導體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設計之“渴” 近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸
半導體工業(yè)目前已經(jīng)進入65納米及以下技術時代,關鍵特征通常為納米級,如此小特征的制造工藝要求特殊的測量儀器,以便能夠表征出納米級幾何尺寸,從而檢驗出任何偏離工藝規(guī)格中心值的情況,確保與設計規(guī)格保持一致。
在65nm制造工藝條件下,依靠電池供電的器件正在大量出現(xiàn)。這種先進的工藝技術使得新器件較前代工藝的同類器件具有很多改進。采用65nm工藝之后,設計人員可以在一塊單獨的裸片上集成遠多于過去的晶體管,還可以在器件
“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關鍵制造裝備,掌握具有自主知識產(chǎn)權的成套先進工藝及相關新材料技術,打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進口的狀況,帶動相關產(chǎn)業(yè)的技術
英飛凌推出第一代65nm嵌入式快閃安全芯片
英飛凌科技股份公司近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(MCU)樣品。這是英飛凌和臺積電(TSMC)于2009年開始共同開發(fā)及生產(chǎn)65 納米 eFlash MCU的結果。 首款批量生產(chǎn)的產(chǎn)品
聯(lián)華電子與賽普拉斯半導體(Cypress)日前共同宣佈,雙方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,硅-氧-氮化硅-氧-硅)快閃記憶體技術,成功產(chǎn)出了有效硅晶片(working silicon)。聯(lián)華電子將採用此
非易失性存儲芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布,將把自己一項有關單次可編程型NVM產(chǎn)品專利授權給中芯國際使用,中芯國際將使用55nm制程技術制造使用這項專利技術的NVM存儲芯片。Kilopass同時表示,他們已經(jīng)成
〔記者高嘉和/臺北報導〕法人圈傳出,臺積電(2330)將大量采用本土廠商已通過驗證的耗材原料,原有供應臺積電鉆石碟及再生晶圓的中砂(1560)受益最多,下半年中砂營運將因此有爆炸性演出。 中砂三大主力產(chǎn)品依
Billerbeck介紹Lattice Semiconductor公司業(yè)務戰(zhàn)略(點擊放大) 2011年5月24日,美國萊迪思半導體公司(Lattice Semiconductor)在東京舉行業(yè)務說明會,該公司總裁兼首席執(zhí)行官Darin Billerbeck介紹了今后的發(fā)展戰(zhàn)
4月25日下午消息在日前舉行的“TD-SCDMA/LTE芯片及終端產(chǎn)業(yè)高峰論壇(上海)暨聯(lián)芯科技2011年度客戶大會”上,聯(lián)芯科技密集推出了三款65nm/55nm的自主研發(fā)TD芯片,覆蓋低成本功能手機、無線固話、智能終端等多個領域
02專項的實施,對國內(nèi)半導體材料企業(yè)尤其是設備企業(yè)來說,具有歷史性的意義,因為半導體設備的研發(fā)所需資金數(shù)額巨大,若完全由國內(nèi)企業(yè)自己承擔,恐怕難以承受其重。02重大專項的實施,不僅表明國家支持半導體支撐業(yè)
就目前國際半導體制造工藝成熟與否而言,65nm應該是個公認的分界點,畢竟進入65nm以下技術節(jié)點者已大為減少,而以中芯國際為代表的中國半導體制造水平及能力,則剛完成65nm工藝的批量化生產(chǎn),另一條華力微65nm生產(chǎn)線
極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項,簡稱IC裝備專項,屬于電子信息板塊。該專項的主要任務是實現(xiàn)IC制造核心裝備和制造工藝的突破,支撐我國IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。IC裝備專項由北京市、上海市牽頭組織實施,是唯一一個
賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼:CY)今日宣布,該公司已授權寅通科技股份有限公司(Innopower)推展130納米和65納米的SONOS嵌入式NVM(Non-VolatileMemory)存儲器技術的IP。根據(jù)授權協(xié)議,寅通科技(Innopower)
華力微電子的經(jīng)營管理機構會議經(jīng)研究決定,基于項目設備安裝調(diào)試進度和前期技術準備的進展,以及2011年產(chǎn)能已全部落實客戶的情況,項目將于4月初進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段,并在年內(nèi)實現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)模化量產(chǎn)。同時
1月17日,華力微電子的經(jīng)營管理機構會議經(jīng)研究決定,基于項目設備安裝調(diào)試進度和前期技術準備的進展,以及2011年產(chǎn)能已全部落實客戶的情況,項目將于4月初進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段,并在年內(nèi)實現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)?;?/p>
業(yè)內(nèi)消息,中芯國際近期獲得了大量訂單,這些訂單主要來自國際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。消息指出,中芯國際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價格。相比之下,臺積電和