CMOS
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音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計
完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個運(yùn)算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用Cadence的Spectre模擬仿真工具進(jìn)行電路仿真，得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達(dá)到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場應(yīng)用前景。
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IMEC與臺積電進(jìn)行后CMOS合作
IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺積電進(jìn)行合作。盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應(yīng)用來推動CM
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用于LED驅(qū)動器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計
0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由
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用于LED驅(qū)動器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計
本文基于對稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計基礎(chǔ)上引入了動態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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用于LED驅(qū)動器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計
0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由
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用于LED驅(qū)動器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計
0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由
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用于LED驅(qū)動器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計
本文基于對稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計基礎(chǔ)上引入了動態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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用于LED驅(qū)動器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計
本文基于對稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計基礎(chǔ)上引入了動態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)
歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場發(fā)展。可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價值。顯然近年來其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費(fèi)用高聳,也難以為
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全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求
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IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器
致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案
LTC2259-16是 16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換器,適用于對高頻寬動態(tài)范圍的信號進(jìn)行數(shù)字化.它的SNR為73.1dB,SFDR為88dB,單電源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS輸出,可選擇的輸入范圍從1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計
摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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世界先進(jìn)首季營收年增111%
受惠于驅(qū)動IC廠積極回補(bǔ)庫存，世界先進(jìn)首季營收回升，金額達(dá)新臺幣35.74億元，較上季成長約14%，更較2009年同期大幅成長111.58%，法人推估，隨著晶圓出貨量增加，并持續(xù)受惠來自臺積電的轉(zhuǎn)單，可望帶動世界先進(jìn)第2季
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基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案
LTC2259-16是 16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換器,適用于對高頻寬動態(tài)范圍的信號進(jìn)行數(shù)字化.它的SNR為73.1dB,SFDR為88dB,單電源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS輸出,可選擇的輸入范圍從1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂
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基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案
基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案
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5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計
摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交
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CMOS探測器在射線檢測中的設(shè)計應(yīng)用
概述：以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術(shù)，檢測精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列，需要在檢測時進(jìn)行相對掃描運(yùn)動，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
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基于單晶片CMOS語音合成的ASIC設(shè)計
引言 近年語音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應(yīng)范圍越越廣，自動售貨機(jī)、ATM柜員機(jī)，部直通電話機(jī)以及玩具等方面應(yīng)量語音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號確還原成模擬信號，從而使得電路輸出端不需接D/A轉(zhuǎn)換；
