聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成　預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，聯(lián)電)日前宣布成功為客戶產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感測器晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)；該公司表示其三年來投入 CMOS-MEMS 技術(shù)的研發(fā)，終于獲得豐碩的成果。

聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

首個(gè)3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列(Black Sand)

Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出兩條新的3G CMOS射頻功率放大器(PA)產(chǎn)品線，它們顯著地提升各種手機(jī)、平板電腦和數(shù)據(jù)卡的可靠性和數(shù)據(jù)傳輸量。該產(chǎn)品系列包括6個(gè)特別的、覆蓋多個(gè)頻段的功率放大器。其BS

高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計(jì)

混頻器是無線收發(fā)機(jī)中的核心模塊， 對整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機(jī)中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計(jì)的難度， 有利

聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

聯(lián)電成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測晶片

聯(lián)電(2303)今(19)日宣布成功產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感測晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)，投入約3年的CMOS-MEMS技術(shù)的研發(fā)，終于開花結(jié)果。 聯(lián)電表示，使用該款CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克

用CMOS電路構(gòu)成的非編碼觸摸鍵盤

法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti提升三維芯片封裝能力

法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti最近開始提升其三維芯片封裝的生產(chǎn)能力，CEA-Leti在Grenoble 有一條300 mm 的CMOS 研發(fā)型生產(chǎn)線，目前專門用于三維芯片封裝的試驗(yàn)。CEA-Leti 稱他們已經(jīng)可以向客戶提供 200 和 300 mm 晶圓的多種

蘇州固锝收購明銳光電 獲130項(xiàng)物聯(lián)網(wǎng)專利

蘇州固锝今日公告，2010年12月30日，公司和探微科技股份有限公司在香港簽署了《關(guān)于MiradiaInc.(明銳光電股份[43.170.30%]有限公司)全部股權(quán)的轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，擬以360萬美元(約2400萬元人民幣)，收購明銳光電100%的股權(quán)

搶CMOS MEMS商機(jī)　矽創(chuàng)加速度計(jì)將上市

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程的微機(jī)電系統(tǒng)(CMOS MEMS)因能整合多元化功能，故掀起市場熱潮，國內(nèi)不僅臺積電、聯(lián)電兩大半導(dǎo)體龍頭競相投入研發(fā)，不少晶圓代工、MEMS廠商也對此市場亦躍躍欲試，日前，矽創(chuàng)電子即證實(shí)將

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計(jì)

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別

鑫創(chuàng)搶推高整合CMOS MEMS麥克風(fēng)

為力抗國外大廠如樓氏(Knowles)，鑫創(chuàng)繼2010年10月發(fā)表互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程的微機(jī)電系統(tǒng)(CMOS MEMS)麥克風(fēng)后，著眼于類比MEMS麥克風(fēng)干擾多，遂使筆記型電腦、手機(jī)對于數(shù)位化MEMS需求升溫，預(yù)計(jì)2011年第四季將

Sony宣布買回東芝半導(dǎo)體工廠 增產(chǎn)CMOS感測器

Sony24日于日股收盤后發(fā)布新聞稿宣布，已與東芝(Toshiba)簽署了基本合意書，將自東芝手中買回位于長崎縣的半導(dǎo)體工廠；之后雙方并將于今年度內(nèi)(2011年3月底前)簽署正式契約，并預(yù)計(jì)于2011年度初期實(shí)施買回動(dòng)作。據(jù)外

媲美MEMS IDM　臺商力拚CMOS MEMS

不讓歐、美微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)業(yè)者專美于前，國內(nèi)臺積電、聯(lián)電兩大半導(dǎo)體龍頭，以及其他MEMS廠商正戮力開發(fā)補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)MEMS，期能透過晶片商上、中、下游的合作，與國外整合元件制造商(IDM)并駕齊

鑫創(chuàng)MEMS麥克風(fēng)，明年7月量產(chǎn)

鑫創(chuàng)（3259）看好微機(jī)電（MEMS）麥克風(fēng)市場，歷經(jīng)3年研發(fā)，今年10月推出CMOS MEMS麥克風(fēng)，目前已進(jìn)入推廣期，市場傳出，鑫創(chuàng)MEMS麥克風(fēng)預(yù)計(jì)明年元月將送樣客戶認(rèn)證，預(yù)計(jì)7月量產(chǎn)。 鑫創(chuàng)日前表示，MEMS麥克風(fēng)相較傳統(tǒng)

新型磁傳感器MMC214 MMC3140

型號：MMC214 MMC3140 公司：美新半導(dǎo)體（無錫）有限公司 英文名稱：MEMSIC Semiconductor (WUXI) Co., Ltd. 芯片概述 新型MEMS磁傳感器廣泛用于移動(dòng)消費(fèi)類電子產(chǎn)品（如手機(jī)）與汽車電子、工業(yè)應(yīng)

電磁兼容性的設(shè)計(jì)與測量

1、主要技術(shù)參數(shù)電磁兼容性的設(shè)計(jì)是一項(xiàng)復(fù)雜的系統(tǒng)工程。首先要學(xué)習(xí)并掌握有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)范，然后參照實(shí)際電磁環(huán)境來提出具體的要求，進(jìn)而制定技術(shù)和工藝的實(shí)施方案。在設(shè)計(jì)電子儀器、設(shè)備時(shí)。應(yīng)重點(diǎn)考慮電路設(shè)計(jì)、隔離

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計(jì)

摘要 分析了E類功放的非理想因素，其中著重分析寄生電感對系統(tǒng)性能的影響，采用偽差分E類功放結(jié)構(gòu)有效地抑制寄生電感的影響。最后基于理想的設(shè)計(jì)方程和Load Pull技術(shù)，采用0．18μmCMOS工藝，設(shè)計(jì)出高效率的差分E類

硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會(huì)議