CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

鎖存繼電器的CMOS電路研究

圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈。　　瞬動(dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信

數(shù)字電源
2011-07-31

電路繼電器 CMOS IC
一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 μm CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償

線性電源
2011-07-23

集成 BSP LDO線性穩(wěn)壓器 CMOS
Fox Electronics推出F100 HCMOS系列振蕩器產(chǎn)品

21ic訊 Fox Electronics Asia Ltd.現(xiàn)推出全新 F100 HCMOS 系列小占位面積、低耗電量振蕩器產(chǎn)品，適用于小型便攜設(shè)備。該系列振蕩器備有1.8V (F110系列)、2.5V (F140系列) 和3.3V (F130系列)三種選擇，頻率范圍在1.0M

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2011-07-14

振蕩器 HC ELECTRONICS CMOS
思比科微電子籌備上市：已完成股份制改造

7月10日，北京思比科微電子董事長(zhǎng)陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。陳杰稱，公司于去年10月成功開發(fā)出1200萬像素單反相機(jī)CMOS圖像傳感芯片，今年

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-11

芯片微電子協(xié)處理器 CMOS
FFS（邊緣場(chǎng)切換）廣視角技術(shù)

摘要：介紹了NEC公司生產(chǎn)的專用于等離子體顯示器的行驅(qū)動(dòng)芯片μPD16305的性能特點(diǎn)及其它PDP顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用。它為PDP掃描電極的驅(qū)動(dòng)電路提供了高達(dá)180V的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，顯示效果令人滿意。關(guān)鍵詞：等離子體顯示器

顯示光電
2011-07-07

管腳控制移位寄存器 CMOS
低壓低功耗CMOS電流反饋運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

放大器作為集成電路的一種重要的組成部分是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。電壓模式放大器有一個(gè)明顯的缺點(diǎn)就是隨著被處理信號(hào)的頻率越來越高,電壓模式電路的固有缺點(diǎn)開始阻礙它在高頻高速環(huán)境中的應(yīng)用。主要由于閉環(huán)增益和閉環(huán)帶

工業(yè)控制
2011-07-07

低功耗低壓運(yùn)算放大器 CMOS
CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

目前，包括移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)

測(cè)試測(cè)量
2011-06-30

調(diào)試寄存器 SENSOR CMOS
Kilopass和中芯國(guó)際進(jìn)入下一個(gè)合作階段

北京時(shí)間6月29日凌晨消息，美國(guó)半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先提供商KilopassTechnology(以下簡(jiǎn)稱“Kilopass”)和中芯國(guó)際(Nasdaq:SMIC)今天宣布，兩家公司已經(jīng)進(jìn)入嵌入式非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)合作關(guān)系的下

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2011-06-30

中芯國(guó)際非易失性存儲(chǔ)器 OPA CMOS
Kilopass和中芯國(guó)際進(jìn)入下一個(gè)合作階段

新浪科技訊北京時(shí)間6月29日凌晨消息，美國(guó)半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先提供商Kilopass Technology(以下簡(jiǎn)稱“Kilopass”)和中芯國(guó)際(Nasdaq:SMIC)今天宣布，兩家公司已經(jīng)進(jìn)入嵌入式非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)

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2011-06-30

中芯國(guó)際非易失性存儲(chǔ)器 OPA CMOS
ST與CMP為產(chǎn)學(xué)界導(dǎo)入28奈米CMOS制程技術(shù)

意法半導(dǎo)體（ST）與CMP（Circuits Multi Projets）于日前攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)將可透過CMP提供的矽晶中介服務(wù)，使用意法半導(dǎo)體的28奈米（nm）CMOS制程開發(fā)晶片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CMOS合作專案的成功

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2011-06-29

意法半導(dǎo)體制程技術(shù) ST CMOS
原相明年光學(xué)觸控比重跨越10%門坎觸控按鍵明年起貢獻(xiàn)營(yíng)收

IC設(shè)計(jì)原相(3227-TW)今日召開法說會(huì)，董事長(zhǎng)黃森煌表示，由于光學(xué)觸控成長(zhǎng)的速度低于預(yù)期，因此今年底為止，占原相營(yíng)收比重仍在 5 -10%之間，預(yù)估明年將有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)至10%以上。黃森煌表示，光學(xué)觸控產(chǎn)品目前主要

顯示光電
2011-06-27

光學(xué) 終端 DM CMOS
ST通過CMP為大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)提供28納米CMOS制程

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28納米（nm）CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CM

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2011-06-27

意法半導(dǎo)體納米技術(shù) ST CMOS
CMOS PA陷入成本和性能兩難 “單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻

在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機(jī)”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOS PA替代砷化鎵PA，其中AXI

通信技術(shù)
2011-06-24

芯片砷化鎵 CMOS
ST28納米CMOS制程開發(fā)向客戶開發(fā)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28納米(nm)CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CMOS合作項(xiàng)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-24

意法半導(dǎo)體 ST BICMOS CMOS
ST通過CMP提供28納米CMOS制程

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）與CMP（Circuits Multi Projets?）攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28納米（nm）CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CMOS合作

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2011-06-24

意法半導(dǎo)體 ST BICMOS CMOS
ST與CMP合作協(xié)助產(chǎn)、學(xué)、研機(jī)構(gòu)導(dǎo)入28奈米制程

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)與晶片設(shè)計(jì)/開發(fā)和小量制造服務(wù)中介機(jī)構(gòu) CMP (Circuits Multi Projets)攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)將可透過 CMP 提供的矽晶中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的 28奈米 CMOS 制程

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2011-06-24

晶片意法半導(dǎo)體 ST CMOS
ST為院校、實(shí)驗(yàn)室等提供28納米CMOS制程

意法半導(dǎo)體（ST）通過CMP為大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)提供28納米CMOS制程半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商與CMP攜手助力大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室以及企業(yè)開發(fā)下一代系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)中國(guó)，2011年6月22日——意法半導(dǎo)體（STMicroelectr

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2011-06-23

意法半導(dǎo)體 ST STM CMOS
安捷倫發(fā)布最新版本的集成電路表征和分析程序

21ic訊安捷倫科技公司日前宣布發(fā)布最新版本的器件建模軟件平臺(tái)――集成電路表征和分析程序。IC-CAP 2011.04 將 IC-CAP Wafer Professional 自動(dòng)測(cè)量解決方案與 IC-CAP CMOS 模型提取套件相結(jié)合，能夠顯著改善半導(dǎo)體

測(cè)試測(cè)量
2011-06-22

集成電路安捷倫 WAFER CMOS
諾西投資DSP芯片開發(fā)商ClariPhy

C114訊北京時(shí)間6月21日早間消息(蔣均牧)諾基亞西門子通信(下稱“諾西”)宣布，它已投資入股美國(guó)半導(dǎo)體開發(fā)商ClariPhy，具體投資金額不詳。ClariPhy為用來傳輸海量信息的網(wǎng)絡(luò)提供提高效率及容量的集成電路。具

消費(fèi)電子
2011-06-22

光網(wǎng)絡(luò) IP DSP芯片 CMOS
CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示

工業(yè)控制
2011-06-21

振蕩器環(huán)形振蕩器 BSP CMOS

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CMOS

鎖存繼電器的CMOS電路研究

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

Fox Electronics推出F100 HCMOS系列振蕩器產(chǎn)品

思比科微電子籌備上市：已完成股份制改造

FFS（邊緣場(chǎng)切換）廣視角技術(shù)

低壓低功耗CMOS電流反饋運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

Kilopass和中芯國(guó)際進(jìn)入下一個(gè)合作階段

Kilopass和中芯國(guó)際進(jìn)入下一個(gè)合作階段

ST與CMP為產(chǎn)學(xué)界導(dǎo)入28奈米CMOS制程技術(shù)

原相明年光學(xué)觸控比重跨越10%門坎觸控按鍵明年起貢獻(xiàn)營(yíng)收

ST通過CMP為大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)提供28納米CMOS制程

CMOS PA陷入成本和性能兩難 “單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻

ST28納米CMOS制程開發(fā)向客戶開發(fā)

ST通過CMP提供28納米CMOS制程

ST與CMP合作協(xié)助產(chǎn)、學(xué)、研機(jī)構(gòu)導(dǎo)入28奈米制程

ST為院校、實(shí)驗(yàn)室等提供28納米CMOS制程

安捷倫發(fā)布最新版本的集成電路表征和分析程序

諾西投資DSP芯片開發(fā)商ClariPhy

CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

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