CMOS
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PMOS-CMOS接口電路
PMOS-CMOS接口電路
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NMOS-CMOS接口電路
NMOS-CMOS接口電路
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HTL-CMOS接口電路
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CMOS至VMOS的接口電路
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CMOS與晶體三極管接口電路
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CMOS高電平驅(qū)動電路
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CMOS-發(fā)光二極管LED的接口
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CMOS低電平驅(qū)動電路
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CMOS-TTL接口電路
CMOS-TTL接口電路
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CMOS-PMOS接口電路
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CMOS-NMOS接口電路
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CMOS-HTL接口電路
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CMOS電壓反轉(zhuǎn)器MAX660電路圖
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CMOS電壓反轉(zhuǎn)器MAX660電路圖
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有感于十年模擬應(yīng)用設(shè)計生涯
一位院里的兄長數(shù)年前告知，想成為模擬高手必須先學(xué)好童詩白老爺子的《模擬電子技術(shù)》，再學(xué)習(xí)一下《網(wǎng)絡(luò)綜合》，把這兩本 書聯(lián)系起來，看到任何電路問題是都能先很容易寫出傳遞函數(shù)再去解決問題。 在此基礎(chǔ)上多去
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Imec和Coventor在MEMS和IC設(shè)計與制造領(lǐng)域展開合作
領(lǐng)先的MEMS設(shè)計供應(yīng)商Coventor和納電子研究中心imec共同宣布戰(zhàn)略合作，以改善和拓展CMOS和MEMS集成技術(shù)的設(shè)計與制造。合作將包括雙方研發(fā)路線的統(tǒng)一，及研究內(nèi)容的互補。雙方將共同為imec的SiGe MEMS-above-IC工藝開
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Black Sand推出首個3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列
鑒于GaAs功率放大器（PA）技術(shù)長期存在的供應(yīng)短缺和成本構(gòu)成更高的問題，移動設(shè)備制造商們正在尋求一種能替代GaAs功率放大器技術(shù)的產(chǎn)品。在射頻功率放大器領(lǐng)域，存在工藝之爭，包括主流的GaAs，欲取而代之的SiGe和CM
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采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設(shè)計
本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設(shè)計了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對電路的輸入匹配和增益進(jìn)行了分析,對噪聲消除技術(shù)進(jìn)行了推導(dǎo)。仿真結(jié)果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項指標(biāo)滿足超寬帶系統(tǒng)應(yīng)用。
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瑞薩通過標(biāo)準(zhǔn)CMOS實現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)
瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)（圖1）。該項技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC（SystemonaChip）生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計劃通過該項技術(shù)，
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CEA-Leti將啟動專門用于三維積層技術(shù)的300mm研發(fā)生產(chǎn)線
法國研究機構(gòu)CEA-Leti于2011年1月19日（當(dāng)?shù)貢r間）宣布，將在本月內(nèi)啟動專門用于三維積層技術(shù)研發(fā)和試制的300mm生產(chǎn)線。該機構(gòu)表示，構(gòu)建專門用于三維積層技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)線“在歐洲尚屬首次”。 據(jù)悉，此次生產(chǎn)線
